2N5551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD2N5551NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTORFEATURES* High collector-emitter voltage: V CEO =160V* High current gainAPPLICATIONS * Telephone switching circuit* Amplifier*Pb-free plating product number: 2N5551LORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package 1 2 3Packing2N5551-x-AB3-R 2N5551L-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N5551-x-T92-B 2N5551L-x-T92-B TO-92 E B C Tape Box 2N5551-x-T92-K 2N5551L-x-T92-K TO-92 E B C BulkABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage V CBO 180 V Collector-Emitter Voltage V CEO 160 V Emitter-Base Voltage V EBO 6 V Collector Dissipation TO-92 625 mWCollector Dissipation SOT-89P C500 mW Collector Current I C 600 mA Junction Temperature T J +150 Storage Temperature T STG -55 ~ +150Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Base Breakdown Voltage BV CBO I C =100µA, I E =0 180 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO I C =1mA, I B =0 160 V Emitter-Base Breakdown Voltage BV EBO I E =10µA, I C =0 6 V Collector Cut-off Current I CBO V CB =120V, I E =0 50 nA Emitter Cut-off Current I EBOV BE =4V,I C =0 50 nADC Current Gain(Note) h FE1h FE2h FE3 V CE =5V, I C =1mA V CE =5V, I C =10mAV CE =5V, I C =50mA8080 80 160 400 Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(SAT)I C =10mA, I B =1mA I C =50mA, I B =5mA 0.150.2 VBase-Emitter Saturation Voltage V BE(SAT)I C =10mA, I B =1mA I C =50mA, I B =5mA 11 VCurrent Gain Bandwidth Product f T V CE =10V, I C =10mA, f=100MHz 100 300 MHz Output Capacitance C ob V CB =10V, I E =0 f=1MHz 6.0 pF Noise FigureNFI C =0.25mA, V CE =5V R S =1k Ω, f=10Hz ~ 15.7kHz8 dBNote: Pulse test: PW<300µs, Duty cycle<2%CLASSIFICATION OF h FERANK A B C RANGE 80-170 150-240 200-400TYPICAL CHARACTERISTICSDC Current GainCollector Current, I C (mA)Collector Output Capacitance Collector-Base Voltage (V)C a p a c i t a n c e , C o b (p F )024*******10110210-1100101102103Base-Emitter on VoltageC o l l e c t o r C u r r e n t ,I C (m A )Base-Emitter Voltage (V)00.20.40.60.8 1.0Collector Current, I C (mA)Saturation Voltage10310210110010-1100101102103Current Gain-Bandwidth ProductCollector Current, I C (mA)C u r r e n t G a i n -B a n d w i d t h P r o d u c t ,f T (M H z )100101102103100101102103。

二极管热阻计算公式举个实例：一、三级管2N5551 规格书中给出25度（Tc）时的功率是1.5W(P)，Rjc是83.3℃/W。

此代入公式有：25=Tj-1.5*83.3，可以从中推出Tj为150度。

芯片最高温度一般是不变的。

所以有Tc=150-Ptc*83.3，其中Ptc表示温度为Tc时的功耗.假设管子的功耗为1W，那么，Tc=150-1*83.3=66.7度。

注意，此管子25度（Tc）时的功率是1.5W，如果壳温高于25度，功率就要降额使用.规格书中给出的降额为12mW/度（0.012W/度）。

我们可以用公式来验证这个结论.假设温度为Tc，那么，功率降额为0.012*(Tc-25）。

则此时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25）。

把此时的条件代入公式得出： Tc=150-（1.5-0.012*(Tc-25））×83.3，公式成立. 一般情况下没办法测Tj，可以经过测Tc的方法来估算Ttj，公式变为： Tj=Tc+P*Rjc。

同样以2N5551为例.假设实际使用功率为1.2W，测得壳温为60度，那么：Tj=60+1.2*83.3=159.96此时已经超出了管子的最高结温150度了！按照降额0.012W/度的原则，60度时的降额为（60-25）×0.012=0.42W,1.5-0.42=1.08W.也就是说，壳温60度时功率必须小于1.08W，否则超出最高结温.假设规格书没有给出Rjc的值，可以如此计算： Rjc=(Tj-Tc)/P，如果也没有给出Tj数据，那么一般硅管的Tj最大为150至175度.同样以2N5551为例。

知道25度时的功率为1.5W，假设Tj为150，那么代入上面的公式：Rjc=（150-25）/1.5=83.3 如果Tj取175度则 Rjc=（175-25）/1.5=96.6所以这个器件的Rjc在83.3至96.6之间.如果厂家没有给出25度时的功率.那么可以自己加一定的功率加到使其壳温达到允许的最大壳温时，再把数据代入：Rjc=(Tjmax-Tcmax)/P 有给Tj最好，没有时，一般硅管的Tj取150度。

2N5551基极导通电压1. 2N5551简介2N5551是一种常用的NPN型晶体管，用于放大和开关电路。

它具有高电压和电流能力，适用于各种应用领域，如音频放大、电源管理和信号处理等。

2. 晶体管基础知识在探讨2N5551基极导通电压之前，我们首先需要了解晶体管的基础知识。

2.1 晶体管的结构晶体管由三个区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

其中，基极是控制晶体管导通的关键部分。

2.2 晶体管的工作原理晶体管的工作原理基于PN结的导电特性。

当基极电压大于某一阈值时，PN结会被击穿，电流开始流动，晶体管导通。

这个阈值电压被称为基极导通电压。

3. 2N5551基极导通电压2N5551的基极导通电压通常指的是基极与发射极之间的电压，也称为Vbe（Base-Emitter Voltage）。

3.1 典型值根据2N5551的规格书，典型的基极导通电压为0.65V。

这意味着当基极电压高于0.65V时，2N5551开始导通。

3.2 测试方法为了测量2N5551的基极导通电压，我们可以使用一个简单的电路。

首先，将2N5551的发射极连接到地，集电极连接到一个适当的负载电阻，然后将基极连接到一个可变电压源。

通过改变电压源的输出，可以逐渐增加基极电压，直到2N5551开始导通。

3.3 影响基极导通电压的因素2N5551的基极导通电压受到多种因素的影响，包括温度、电流和器件之间的差异。

3.3.1 温度晶体管的导通特性会随着温度的变化而改变。

通常情况下，随着温度的升高，基极导通电压会略微下降。

因此，在设计电路时，需要考虑工作温度对基极导通电压的影响。

3.3.2 电流晶体管的导通特性也会受到电流的影响。

当电流增加时，基极导通电压可能会发生变化。

因此，在实际应用中，需要根据具体的工作条件来选择合适的电流范围。

3.3.3 器件之间的差异由于制造过程和批次的差异，不同的2N5551晶体管之间可能存在一定的差异。

No.
数量No.
数量
111221
234
41516
1
56
电阻 R300 0805制作:
1.直流电源调节按照作业步骤要求，电流I=0.02mA
审核:备注：电阻无精度要
求
电阻 100R 0603 直流电源S9014 贴片 万用表 2.按照图1所示进行测试，调节电源BT2输出值(2.53-2.62V)，读取hg之间的 1.按照图一进行接线,其中hg和cd串联进电流表，检查连接测试线路，没有错误，通电进行测试
1.出现异常按照不合格处理
异常处理
测试值记录Uae
页 次
实施日
1/1
2012.
一.作业目的： 测试S9014芯片二.作业步骤：
物 料
锡丝 当Icd等于10mA时，读取Ube之间的电压值，并记录规格值(015V)说明：
电流值为5mA时，继续调节BT1电压，直到Icd之间的值100mA时，测量Uae和Ub 批准:文件名称
S9014测试作业指导书
名 称
设备/治工具作业条件名 称
描 述
导线
导线的横截面积
0.5mm
作 业 指 导 书
Work Instruction
版 别
A/0
工时文件编号作业名称
S9014测试指导
No.
其中Uae=0.8V，Uce=0.17V
变更日期变更内容版本
1
图一
Ube
1.此测试板不提供，自己手动焊接
误，通电进行测试
理
理
测试S9014芯片
当Icd等于10mA时，读取Ube之间的电压值，并记录规格值(015V) 其中Uae=0.8V，Uce=0.17V
1.此测试板不提供，自己手动焊接。

2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose AmplifiertmApril 20062N5551- MMBT5551NPN General Purpose AmplifierFeatures•This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.•Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) •Suffix “-Y” means h FE 180~240 in 2N5551 (Test condition : I C = 10mA, V CE = 5.0V )Absolute Maximum Ratings * T a= 25°C unless otherwise noted* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.NOTES:1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.Thermal Characteristics T a=25°C unless otherwise noted* Device mounted on FR-4 PCB 1.6" × 1.6" × 0.06."SymbolParameterValueUnitsV CEO Collector-Emitter Voltage 160V V CBO Collector-Base Voltage 180V V EBO Emitter-Base Voltage6.0V I C Collector current - Continuous 600mA T J , T stgJunction and Storage Temperature-55 ~ +150°CSymbolParameterMaxUnits2N5551*MMBT5551P D Total Device Dissipation Derate above 25°C6255.03502.8mW mW/°C R θJA Thermal Resistance, Junction to Case 83.3°C/W R θJAThermal Resistance, Junction to Ambient200357°C/W1. Base2. Emitter3. CollectorSOT-23123Marking: 3S2N5551MMBT5551TO-922N5551- MMBT5551 NPN General Purpose AmplifierElectrical Characteristics T a= 25°C unless otherwise notedSpice ModelNPN (Is=2.511f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=242.6 Ne=1.249 Ise=2.511f Ikf=.3458 Xtb=1.5 Br=3.197 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=4.883p Mjc=.3047 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=18.79p Mje=.3416 Vje=.75 Tr=1.202n Tf=560p Itf=50m Vtf=5 Xtf=8 Rb=10)SymbolParameterTest ConditionMin.Max.UnitsOff Characteristics V (BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage *I C = 1.0mA, I B = 0160V V (BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C = 100µA, I E = 0180V V (BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E = 10uA, I C = 06.0VI CBO Collector Cutoff Current V CB = 120V, I E = 0V CB = 120V, I E = 0, T a = 100°C 5050nA µA I EBO Emitter Cutoff Current V EB = 4.0V, I C = 050nAOn Characteristicsh FEDC Current GainI C = 1.0mA, V CE = 5.0V I C = 10mA, V CE = 5.0V I C = 50mA, V CE = 5.0V 808030250V CE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C = 10mA, I B = 1.0mA I C = 50mA, I B = 5.0mA 0.150.20V V V BE(sat)Base-Emitter On VoltageI C = 10mA, I B = 1.0mA I C = 50mA, I B = 5.0mA 1.01.0V V Small Signal Characteristics f T Current Gain Bandwidth Product I C = 10mA, V CE = 10V,f = 100MHz100300MHz C obo Output Capacitance V CB = 10V, I E = 0, f = 1.0MHz 6.0pF C ibo Input Capacitance V BE = 0.5V, I C = 0, f = 1.0MHz 20pFH fe Small-Signal Current Gain I C = 1.0 mA, V CE = 10 V, f = 1.0kHz 50250NFNoise FigureI C = 250 uA, V CE = 5.0 V,R S =1.0 k Ω, f=10 Hz to 15.7 kHz8.0dBTRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose AmplifierDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. THESE SPECIFICATIONS DO NOT EX-PAND THE TERMS OF FAIRCHILD’S WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS SPECIFICALLY THE WARRANTY THEREIN, WHICH COVERS THESE PRODUCTS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner with-out notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, and supplementary data will be published at a later date. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semi-conductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor. The datasheet is printed for reference information only.FAST ®FASTr™FPS™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™i-Lo ™ImpliedDisconnect™IntelliMAX™ISOPLANAR™LittleFET™MICROCOUPLER™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerEdge™PowerSaver™PowerTrench ®QFET ®QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™µSerDes™ScalarPump™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperFET™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TCM™TinyLogic ®TINYOPTO™TruTranslation™UHC™UltraFET ®UniFET™VCX™Wire™ACEx™ActiveArray™Bottomless™Build it Now™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™FACT™FACT Quiet Series™Across the board. Around the world.™The Power Franchise ®Programmable Active Droop™Rev. I19。

2n5551三极管参数2n5551是一种NPN型三极管，常用于低功耗放大电路和开关电路中。

它具有以下几个主要参数：1. 最大集电极电压（VCEO）：2n5551的最大集电极电压为160V。

这意味着在正常工作条件下，集电极与发射极之间的电压不应超过160V，否则可能会导致器件损坏。

2. 最大集电极电流（IC）：2n5551的最大集电极电流为600mA。

这表示在正常操作下，集电极电流不应超过600mA，否则可能会导致器件过热。

3. 最大发射极-基极电压（VEBO）：2n5551的最大发射极-基极电压为6V。

这意味着在正常工作条件下，发射极与基极之间的电压不应超过6V，否则可能会导致器件损坏。

4. 最大功耗（PD）：2n5551的最大功耗为500mW。

这表示在正常操作下，器件的功耗不应超过500mW，否则可能会导致器件过热。

5. 封装类型：2n5551通常采用TO-92封装，这种封装形式便于焊接和安装。

6. 增益（hFE）：2n5551的直流电流放大倍数（hFE）通常在70至400之间。

这意味着当基极电流为1mA时，集电极电流可能会放大70到400倍。

除了以上主要参数外，2n5551还具有一些其他重要参数，如最大反向漏电流（IR）和最大噪声系数等。

这些参数对于特定应用中的电路设计和性能评估也很重要。

总结起来，2n5551是一种常用的NPN型三极管，具有最大集电极电压160V、最大集电极电流600mA、最大发射极-基极电压6V等参数。

它的特点是功耗低、封装方便，适用于低功耗放大电路和开关电路的设计。

在选择和使用2n5551时，我们应该根据具体的应用需求，合理利用这些参数来确保电路的可靠性和性能。

三极管开关作用在PROTEUS中的仿真ZCZ三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。

本文借助PROTEUS仿真软件，讲明三极管开关电路的工作原理。

如有不对之处，望各位指出。

我们以三极管作为发光二极管开关为例子。

1、NPN三极管选取2N5551，电路图如下：输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。

详细的说，当Vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。

同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃胜作于饱和区(saturation)。

2、电路分析由于对硅三极管而言，其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特，因此欲使三极管截止，Vin必须低于0.6伏特，以使三极管的基极电流为零。

通常在设计时，为了可以更确定三极管必处于截止状态起见，往往使Vin值低于 0.3伏特。

当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。

例如，当Vin=0.6V时，发光二极管不亮；当Vin=0.8V时，发光二极管亮；欲将电流传送到负载上，则三极管的集电极与射极必须短路，就像机械开关的闭合动作一样。

欲如此就必须使Vin达到够高的准位，以驱动三极管使其进入饱和工作区工作，三极管呈饱和状态时，集电极电流相当大，几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上，如此则VcE便接近于0，而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。

例如当Vin约等于3V时，VcE约等于0.49V。

3、前面以PNP三极管为例子，下面以NPN三极管PN4249为例子简单说明一下。

欲使三极管处于截止状态，Vce必须低于0.6V；当然Vce愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。