下载文档原格式
清洗工艺介绍扩散部陈永南清洗概论半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。
为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。
清洗的基本原理讲清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表1。
1去除颗粒和玷污的机理颗粒粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。
在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2所示，其中H2SO4最高，HF最低。
对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：1.溶解2.氧化分解3.对硅片表面轻微的腐蚀去除4.粒子和硅片表面的电排斥SC-1液具有上述2，4项的功能，H2O2在硅的表面有氧化作用，NH4OH中的OH-能提供给硅表面和粒子负电荷。
粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
SC-1 NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃10minSC-2 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃10minPM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃10minPSL：聚苯乙烯橡胶小球有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
微电子工艺清洗技术的应用分析作者：张爽来源：《科学与财富》2018年第10期摘要：当前的社会是一个高速发展的社会，其主要依赖的就是科技的进步。
而在当前的科技中，最为高端的就是微电子产业。
其承载的主要作用就是制作一些精密的电子仪器。
尤其是手机，电脑一类，但是在进行微电子产品制作的时候，却存在着很多的问题，其中主要是对于硅片的清洗工作。
因为微电子中使用的硅片一般体积较小，这就让清洗的工作变得非常的困难。
如果更好的进行硅片的清洗就成为了当前最为重要的一个课题。
本文就从当前的微电子清洗情况进行探究，来得出如何更好的在微电子工艺领域进行清洗技术的应用。
关键词：微电子行业；新型湿法清洗工艺；应用在当前来看，微电子工艺主要的用途就是将一些精密仪器变得更加的微型，更加的精密。
但是，在微电子工业的生产中，却常常存在着一个问题，那就是硅片的清洗较为困难。
这主要是因为硅片的清洗在微电子产品的生产中是非常重要的一个部分。
因此就需要强化硅片清洗的能力，才能够保证工厂正常的运行。
一、微电子工艺清洗的必要性众所周知，微电子工艺最核心的部分就是硅片的运用，这些硅片就是微电子核心最基础的组成部分，其主要承载的就是运行和储存的任务。
因此，在进行硅片处理的时候，是一定要小心的。
而且，许多的公司在得到硅片的时候，都是硅片的原始状态，这样原始状态的硅片其实是非常难以进行运用的。
因为其不仅质量参差不齐，更是有着许多的污渍。
这些污渍会严重的影响到硅片的使用，让一些硅片无法发挥作用。
因此就需要对硅片进行清洗，但是这种清洗却不是简单的清洗。
因为硅片是一种较为脆弱的电子元件，如果单纯的使用水流冲洗，那么就会对硅片造成致命的损伤。
所以，就需要采用特殊的办法去清理硅片上的污渍，这样才能够让硅片得以保存完好，并且付诸使用。
因此，如何清洗硅片一直是微电子公司最头疼的问题。
因为硅片上的污渍是分为很多的类型的，不可能都采用同一种方法进行清洗。
因此就需要采用特别多的方法进行清洗，这也极大的耽误了工作的效率。
实验一清洗一、概述随着硅片关键尺寸的持续缩小，对晶圆表面质量的要求也越来越高；表面的颗粒、金属沾污、有机物和自然氧化层、微粗糙度等都将会严重影响器件的成品率和进入下一步工艺的品质。
在制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗；集成度越高，制造工序越多，所需的清洗工序也越多。
贯穿整个ULSI制造工艺，单个硅晶圆需要清洗上百次，晶圆表面的清洗就成为了半导体生产中至关重要的环节。
清洗领域目前占统治地位的硅片表面清洗方法是湿法工艺，工业标准湿法清洗工艺是RCA清洗工艺，由SC-1和SC-2化学溶液组成。
第一步，标准清洗-1（SC-1）应用水，过氧化氢和氨水的混合溶液的组成，从5:1:1到7:2:1变化，加热温度在75~85℃之间。
SC-1去除有机残余物，并同时建立一种从晶片表面吸附金属的条件。
在工艺过程中，一层氧化膜不断形成又分解。
第二步，标准清洗-2（SC-2）应用水，过氧化氢和盐酸，按照6:1:1到8:2:1的比例混合的溶液，其工作温度为75~85℃之间。
SC-2去除碱金属离子，氢氧根及复杂的残余金属。
它会在晶片表面留下一层保护性的氧化物。
在结合RCA溶液清洗产生了新的湿法工艺，兆声波清洗是其中之一。
兆声清洗采用接近MHz的超声能量，利用气穴现象和声流，在更低的温度下（30℃）实现了更有效的颗粒去除。
兆声清洗可以清除亚微米的污染且不会出现超声清洗诱生的蚀损斑。
随着新材料如高K介质和金属栅电极的引入，以及关键尺寸的紧缩，需要多重选择性刻蚀的化学溶液，在大批量生产的湿法制程中需要对高稀释的多组分清洗化学剂进行实时监控，精确、快速地分析各组分成分和浓度以达到更好的成品率控制。
其中光谱法和电阻分析法多用于单组分解决方案，而滴定法具有高精度和稳定性，但对于实时监控却显得过于缓慢；现在采用了一种近红外光谱法（NIR）进行分析，这种超低噪音的NIR分析法可以探测高稀释溶液光谱变化，采用的多通道技术可吸收多个组分光谱，并解析多个方程式以得到准确的结果，分析仪可同时监控组分浓度和工艺参数。
微电子工艺中的清洗技术现状与展望论文随着社会主义经济制度改革进程不断推进，我国市场经济程度越来越高，在这一时代背景下，微电子工艺的研究就被众多行业的企业家们提上了战略的日程。
但是，由于微电子技术的产物具有质量轻、体积小、与其他部件切合紧密等特征，从而致使对微电子的清洗工作越来越复杂。
微电子是科技产品的必备组成部分，其清洁度将直接影响到产品的散热功能、使用性能。
因此，对于微电子清洗技术的研究就变得愈发重要。
1微电子工艺清洗技术的理论研究在微电子元器件的制造过程当中，由于其体积小、制造过程复杂等众多客观原因存在，将会很有可能导致微电子元器件在其步骤繁琐的制造过程当中受到污染。
这些污染物质通常会物理吸附或者是化学吸附等多种方式在电子元器件生产过程当中吸附在其表面。
比如说，硅胶材质的硅片在其制造过程中污染物质通常会以离子或者是以粒子形式吸附在硅片的表面。
这些污染物质还有可能存在于硅片自身的氧化膜当中。
产生这一现象的原因并不奇怪，这是由于这些污染物质破坏掉了硅片表面的化学键，从而导致了在其表面形成了自然的力场，让众多污染物质轻松吸附或者直接进入到硅片的氧化膜当中。
在产生这种现象之后，要清洗硅片就非常困难了。
在清洗过程中，既要保持不能去破坏硅片的结构，又要保持能够对污染物质进行彻底的清洗，以便其对产品结构当中的其他元器件产生污染，这一问题就变得非常棘手，愈发困难了。
在当前微电子行业的大多企业或是研究所讲微电子的清洗技术两类：一种叫做湿法清洗；另一种叫做干法清洗。
这两种技术都能够保持比较高的清洗度，并且能够在不破坏电子元器件的化学键的基础上祛除电子元器件表面或是氧化膜内存在的污染物和杂质。
2微电子工艺清洗技术的现状研究由于我国行业的发展更重视对服务业的发展和我国微电子行业的起步和发展较晚，从而致使当前我国微电子工艺的清洗技术比较落后，并且存在诸多的问题。
2.1湿法清洗技术研究湿法清洗这一技术，是由上个世纪六十年代的一名美国科学家所研究发明出来的。
微电⼦⼯艺概论1-51.硅作为电⼦材料的优点·原料充分，占地壳25%，沙⼦是硅在⾃然界中存在的主要形式；·硅晶体表⾯易于⽣长稳定的氧化层，这对于保护硅表⾯器件或电路的结构、性质很重要； ·密度只有2.33g/cm3，是锗/砷化镓的43.8%，⽤于航空、航天；·热学特性好，线热膨胀系数⼩，2.5*10-6/℃，热导率⾼，1.50W/cm ·℃，芯⽚散热； ·单晶圆⽚的缺陷少，直径⼤，⼯艺性能好，⽬前16英⼨；·机械性能良好，MEMS 。
2.硅晶体缺陷——点缺陷·本征缺陷（晶体中原⼦由于热运动）空位 A ：晶格硅原⼦位置上出现空缺；⾃填隙原⼦B ：硅原⼦不在晶格位置上，⽽处在晶格位置之间。
·杂质（⾮本征缺陷：硅以外的其它原⼦进⼊硅晶体）替位杂质C 填隙杂质D 注：·肖特基缺陷：空位缺陷； ·弗伦克尔（Frenkel ）缺陷：原⼦热运动脱离晶格位置进⼊晶格之间，形成的空⽳和⾃填隙的组合；·填隙杂质在微电⼦⼯艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的变，但对半导体晶体的电学性质影响不⼤； ·替位杂质通常是在微电⼦⼯艺中有意掺⼊的杂质。
例如，硅晶体中掺⼊Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，⽬的是调节硅晶体的电导率；掺⼊贵⾦属Au 等，⽬的是在硅晶体中添加载流⼦复合中⼼，缩短载流⼦寿命。
3.硅晶体缺陷——线缺陷·线缺陷最常见的就是位错。
位错附近，原⼦排列偏离了严格的周期性，相对位置发⽣了错乱。
位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。
在交界处形成位错。
⽤滑移⽮量表征滑移量⼤⼩和⽅向。
·位错主要有刃位错和螺位错刃（形）位错：晶体中插⼊了⼀列原⼦或⼀个原⼦⾯，位错线AB与滑移⽮量垂直；螺（旋）位错：⼀族平⾏晶⾯变成单个晶⾯所组成的螺旋阶梯，位错线AD 与滑移⽮量平kT E v v e N n /0-=νkTE i i i e N n /0-=1 23 BA 缺陷附近共价键被压缩1、拉长2、悬挂3，存在应⼒·刃形位错的两种运动⽅式：滑移和攀移。
微电子工艺原理第讲清洗工艺清洗工艺是微电子制造过程中至关重要的一环，它对于器件性能和可靠性有着直接关系。
本文将从微电子工艺的角度介绍清洗工艺的原理、流程及影响因素。
清洗工艺的原理微电子器件的制造过程中，为了保证器件的品质，需要在每个制造步骤结束后进行清洗。
清洗的目的是除去沉积在表面的杂质、有机物及其他污染物，以便下一个制造步骤的顺利进行。
同时，清洗的质量还直接影响着器件性能和可靠性。
附着在表面的杂质可以降低器件的电学特性，影响其性能。
比如，杂质可能会影响制作金属电极的粘附性和导电性；有机物可以在高温和高压下分解并释放有害气体，导致器件失效。
通过对器件表面进行清洗，可以去除这些潜在的污染物，保证下一步的制造步骤可以在清洁的表面上进行，从而获得更好的器件性能。
清洗工艺的原理主要来源于化学和物理两方面。
化学清洗是通过合适的化学试剂去除表面的污染物，主要依靠化学反应来促进污染物的溶解和分离。
物理清洗则主要通过物理力学的方法，如振动、压缩和吸附等，去除表面的污染物。
清洗工艺的流程清洗工艺的流程主要包括前处理、主处理和后处理。
1.前处理在进行清洗之前，需要先将器件表面的半导体材料、金属材料或其他材料，进行表面预处理。
通常的处理方法包括：•去胶：使用某些有机物或者无机酸腐蚀去除器件表面的胶与封装材料，其中无机酸常见的有HF、KOH等。
•消毒：使用高温下的气体流去除器件表面的细菌以及器件内部的空气，以保证器件内外的干净。
•研磨：使用硅砂等磨料对器件表面进行研磨，以去除表面的氧化或锈蚀层。
在研磨过程中，还可以控制磨料的大小和硬度，以使磨料对表面不会产生附着物。
•水/氧化学气相清洗：使用去离子水或化学气相清洗器件表面，去除表面残留的杂质，以减少清洗过程中对器件的损伤。
2.主处理主处理是清洗工艺的核心步骤。
根据清洗方法的不同，主处理可以分为以下三个步骤：•预清洗：使用去离子水或去离子水混合有机溶剂对器件表面进行清洗，以去除表面的污染物，为下一步的清洗做准备。
