半导体二极管及其应用习题解答

第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。

（3）PN结的结电容包括和。

（4）晶体管的三个工作区分别是、和。

在放大电路中，晶体管通常工作在区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。

（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。

（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。

（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。

（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。

（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。

（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。

二极管电路习题及答案二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件，广泛应用于整流、稳压、信号调制等领域。

下面将介绍一些常见的二极管电路习题及其解答方法。

# 习题一：整流电路题目：一个半波整流电路中，输入电压为正弦波，峰值是20V，求输出电压的峰值。

解答：半波整流电路只允许电流在一个方向上流动，因此只有正半周期的电压能够通过二极管。

输出电压的峰值等于输入电压的峰值，即20V。

# 习题二：稳压二极管电路题目：一个稳压二极管电路，稳压二极管的稳压值为6.8V，电路中的负载电阻为1000Ω，求电路中的电流。

解答：稳压二极管工作在反向击穿区，其电压几乎不变。

根据欧姆定律，电流 \( I = \frac{V}{R} \)，其中 \( V \) 是稳压值，\( R \) 是电阻值。

所以电流 \( I = \frac{6.8V}{1000\Omega} = 6.8mA \)。

# 习题三：二极管限幅电路题目：设计一个二极管限幅电路，要求将输入信号的电压限制在±5V范围内。

解答：为了实现±5V的限幅，可以在电路中使用两个二极管，一个正向连接，一个反向连接。

正向二极管的稳压值为5V，反向二极管的稳压值也为5V。

当输入信号超过5V时，正向二极管导通，限制电压不超过5V；当输入信号低于-5V时，反向二极管导通，限制电压不低于-5V。

# 习题四：二极管桥式整流电路题目：一个桥式整流电路，输入电压为正弦波，峰值是10V，求输出直流电压的平均值。

解答：桥式整流电路能够将交流电压转换为直流电压。

对于正弦波输入，输出直流电压的平均值可以通过以下公式计算：\[ V_{DC} = \frac{2V_{M}}{\pi} \]其中 \( V_{M} \) 是输入电压的峰值。

代入数值，\( V_{DC} =\frac{2 \times 10V}{\pi} \approx 6.366V \)。

# 结语二极管电路在电子工程中扮演着非常重要的角色。

(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。

2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。

3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。

答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。

N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。

题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。

2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。

3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。

题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。

2. 简要描述MOSFET的工作原理。

答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。

3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。

电子电工类--二极管及其应用试题及答案一、单选题1.稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则Uo为A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V【正确答案】：C2.滤波电路如下列各图所示，电路类型说法正确的是( ) ( ) ( ) ( )A、（1）为复式滤波B、（2）为电感滤波C、（3）为π滤波D、（4）为电容滤波【正确答案】：B3.电路如下图所示，已知两个稳压管的UZ1=5V，UZ2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、5VB、7.7VC、12VD、5.7V【正确答案】：C4.滤波电路位于整流电路A、之前B、之后C、前后均可D、中间【正确答案】：B5.在下图中，若要将输出电压波形由图( )变换成图( )，则应在电路中增加( )元件。

A、整流二极管B、大功率负载电阻C、滤波电感D、降压变压器【正确答案】：C6.光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A、发光二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A7.如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压UZ1=7V，UZ1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V【正确答案】：A8.在电容滤波电路中，电容器与负载成( )位置关系。

A、并联B、串联C、混联D、L型【正确答案】：A9.发光二极管是将( )转换成光能，它工作在( )状态。

A、电能、正向导通B、电能、反向击穿C、光能、正向导通D、光能、反向击穿【正确答案】：A10.下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A、B、C、D、【正确答案】：D11.整流的目的是A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将高电压降为低电压。

二极管电路习题及答案二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。

在学习电子技术的过程中，掌握二极管电路的基本原理和解题方法是非常重要的。

本文将介绍一些常见的二极管电路习题及其答案，帮助读者加深对二极管电路的理解。

1. 单级整流电路单级整流电路是最简单的二极管电路之一，它可以将交流电信号转换为直流电信号。

下面是一个典型的单级整流电路：[图1：单级整流电路示意图]问题：请计算图中二极管的导通时间和截止时间。

答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，此时导通时间为整个正半周期。

而在负半周期中，二极管处于截止状态，导通时间为零。

因此，导通时间为正半周期，截止时间为零。

2. 二极管放大电路二极管放大电路是利用二极管的非线性特性来放大电信号的一种电路。

下面是一个常见的二极管放大电路：[图2：二极管放大电路示意图]问题：请计算图中输出电压的峰值和平均值。

答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。

而在负半周期中，二极管处于截止状态，输出电压等于零。

因此，输出电压的峰值等于输入电压的峰值减去二极管的正向压降，输出电压的平均值等于输入电压的平均值减去二极管的正向压降。

3. 二极管限幅电路二极管限幅电路可以将输入信号限制在一定的范围内，避免过大或过小的信号对后续电路的影响。

下面是一个典型的二极管限幅电路：[图3：二极管限幅电路示意图]问题：请计算图中输出电压的范围。

答案：当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。

而当输入电压小于二极管的反向击穿电压时，二极管处于截止状态，输出电压等于零。

因此，输出电压的范围为零到输入电压减去二极管的正向压降。

通过以上几个习题，我们可以了解到二极管电路的一些基本特性和解题方法。

当然，实际的二极管电路问题可能更为复杂，需要结合具体的电路图和参数来进行分析和计算。

习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。

A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。

答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。

A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。

A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。

A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。

A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。

A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。

答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。

答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。

第一章 半导体二极管及其基本应用自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（每题5分）1.P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（ ）2.在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

（ ）3.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）4.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ）5.PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（ ）6.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（ ）7.由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。

（ ）8.PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。

（ ）9. 锗晶体二极管的导通电压约为0.6-0.8伏左右，硅晶体二极管的导通电压约为0.2-0.3伏左右。

（ ）10. 当PN 结导通时参与导电的只有多数载流子。

（ ）解：1.√ 2.× 3.√ 4.× 5.× 6.√ 7.× 8.×9.× 10.×二、选择题（每题5分）1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将 [ ]A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 [ ]A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I3.稳压管的稳压区是其工作在 [ ]A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4.在如图所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定5.在如图所示电路中电源V=5V 不变。

当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。

当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷7.二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性8.在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质9.在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10.下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大解：1.A 2.C 3.C 4.C 5.C6.C7.C8.B9.A 10.A。

半导体例题及习题第⼀章半导体⼆极管、三极管例题解析例1－1 求图1.1电路中的I 1、I 2、I O 及U O 的值？（硅管 U F ＝0.7V ）图1.1解题要领：判断⼆极管的状态，将⼆极管从电路中取出后⽐较管⼦阳极、阴极电位⾼低；解：∵21DD DD V V ? ∴V D 导通U O =V DD1-U F =15-0.7=14.3V8.433.14===L O O R U I mA)(1.73.28.421mA I I I O =+=+=mA R V U I DD O 3.21123.1422=-=-=例1－2 图1.2中，试求下列⼏种情况下输出端电位V Y 。

（1）V A =3V ，V B =0V ；（2）V A =0V ，V B =3V ；（3）V A =V B =0V ；（4）V A =V B =3V 。

设⼆极管的正向电阻为零，反向电阻为⽆穷⼤。

图1.2 解题要领：两个或两个以上阴极（或阳极）连在⼀起时，阳极电位⾼（或阴极电位低）的⼆极管优先导通，然后再判断其它管解：（1）、⼆极管V DB 优先导通，则V Y ＝0V ，V DA 截⽌。

（2）、⼆极管V DA 优先导通，则V Y ＝0V ，V DB 截⽌。

（3）、V DA 和VDB 两管都导通V Y ＝0V（4）、V DA和VDB两管都导通V Y＝3V例1－3⼀个晶体管在放⼤电路中看不出型号，也没有其它标记，但⽤万⽤表测得它的三个电极A、B、C对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V, 试判断该三极管的类型和A、B、C各对应三极管的什么极？解题要领：如何判断三极管的类型和电极？1、硅管或锗管的判别原则：发射结正向压降是0.7V左右为硅管，0.2V为锗管，且b极电位处于中间值，由此初步确定b极、e极；2、NPN管或PNP管的判别原则：处于放⼤状态的NPN管中其集电极电位为最⾼，⽽PNP管为最低；3、电极判别：弄清管⼦的类型之后，再结合各电极的电位就很容易判别它的各个电极。

半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。

A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。

第1章 半导体二极管及其基本电路1-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（⨯ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（⨯ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ） 1-2、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

A. I S e UB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体，加入 C 元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小1-3能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。

1-4 电路如图P1-4所示，已知u i ＝10sin ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1-4解图P1-4解：u i 和u o 的波形如解图P1-4所示。

1-5电路如图P1-54所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1-5解图P1-5解：波形如解图P1-5所示。

1-6 电路如图P1-6（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1-6解：u O的波形如解图P1-6所示。

解图P1-61-7电路如图P1-7所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。

《集成电子技术基础教程》习题与习题解答第一篇电子器件与电子电路基础第一章半导体二极管及其电路分析题1.1.1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1（a）所示。

（1）假设将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估量会显现什么问题？（2）假设将其按反向接法直接与30V电源相连，又会显现什么问题？（3）分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。

（4）画出两只2AP9二极管[图题1.1.1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情形下的合成伏安特性曲线。

解：(1)烧杯二极管(2)反向击穿(3)串联电阻能够限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值，使二极管或稳压管平安。

(4)略题1.1.2 当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1（b）]，分析：（1）所测得的电阻值是二极管的直流电阻仍是动态（微变）电阻？（2）设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻R iˊΩ。

试用图解分析法估算：a）用R×10Ω档测得的正向电阻值；b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。

从概念上说明, 什么缘故用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差差异？解： (1)是二极管的直流电阻(2)在二极管的特性曲线上，作出两条负载线，负载线和特性曲线的交点求得V和I，然后求出这二档的电阻。

V DD (R×10Ω档)V DD (R×100Ω档)由于万用表不同档的内阻不同，使流过二极管的电流相差较大，从而不同档时，测得二极管的正向电阻悬珠。

题1.1.3 二极管的伏安特性曲线如图题1.1.3所示。

（1）二极管经受的反向电压V RM为多少？（2）假设温度升高20°C，那么二极管的反向电流I S应为多大？（3）当温度升高20°C时，定性画出转变后的伏安特性曲线。

图题1.1.4解：(1) 由图可知，二极管经受的反向电压V RM规定为实际击穿电压V B的一半，即VRM=40V; (2)在反偏的条件下，温度每增加10°时，I S约增加1倍，因此温度增加20℃时,反向饱和电流I S约增加4倍。

第一章半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度____C_____空穴浓度。

(a) 大于(b) 小于(c) 等于2．在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于_____C____。

(a) 温度(b) 材料(c) 掺杂浓度3．在掺杂半导体中，少子的浓度受_____A____的影响很大。

(a) 温度(b) 掺杂工艺(c) 掺杂浓度4．在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越___B______。

(a) 高(b) 低(c) 不变5．N型半导体_____C____ 。

(a) 带正电(b)带负电(c)呈中性6．温度升高N型半导体的电阻率将___A______ 。

(a) 增大(b) 减小(c) 不变7．当PN结正向偏置时，耗尽层将_____C____。

(a) 不变(b) 变宽小于(c) 变窄8．当环境温度升高时，二极管的正向电压将____B_____。

(a) 升高(b) 降低(c) 不变9．当环境温度升高时，二极管的死区电压将___B______。

(a) 升高(b) 降低(c) 不变10．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将___A______。

(a) 增大(b) 减小(c) 不变11．二极管的正向电压降一般具有_____B____温度系数。

(a) 正(b) 负(c) 零12．确保二极管安全工作的两个主要参数分别是___C______和_________。

(a) UD ，IF (b) IF ，IS (c) IF，UR13．理想二极管的主要性能指标为____A_____。

(a) UD=0 ，IR =0 (b) UD=0.3V ，IR =0 (c) UD=0.5V ，IR =Is 14．稳压管通常工作于____C_____，来稳定直流输出电压。

(a) 截止区(b) 正向导通区(c) 反向击穿区15．对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将____A_____。

(a) 升高(b) 降低(c) 不变16．二极管的反偏电压升高，其结电容_____B____。

二极管实操考试题及答案一、选择题1. 二极管的主要作用是什么？A. 整流B. 放大C. 振荡D. 滤波答案：A2. 下列哪个是二极管的正向特性？A. 导通电压低B. 导通电流大C. 导通电阻小D. 以上都是答案：D3. 二极管的反向击穿电压是指：A. 二极管反向导通时的电压B. 二极管反向截止时的电压C. 二极管反向击穿时的电压D. 二极管正向导通时的电压答案：C二、填空题4. 二极管的正向导通电压一般为_______V。

答案：0.75. 二极管的反向饱和电流是指二极管在_______状态下的电流。

答案：反向偏置6. 在电路中，二极管的极性接反会导致_______。

答案：电路无法正常工作三、简答题7. 简述二极管在电路中的主要功能。

答案：二极管在电路中的主要功能是整流，即将交流电转换为直流电，同时也可以用于信号的检波、稳压、开关等。

8. 描述二极管反向击穿现象及其可能造成的后果。

答案：二极管反向击穿是指当二极管两端的反向电压超过其最大反向工作电压时，二极管突然导通的现象。

这可能导致电流急剧增加，从而损坏二极管，甚至可能引起电路的其他部分损坏。

四、计算题9. 已知一个硅二极管的正向导通电压为0.7V，若通过该二极管的电流为20mA，求此时二极管两端的电压降。

答案：0.7V10. 如果一个电路中串联了两个反向击穿电压分别为50V和100V的二极管，求该电路能承受的最大反向电压。

答案：50V（因为电路中二极管的反向击穿电压取决于最低的那个值）。