2005年电子科技大学数字电路与模拟电路考研试题
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2005年华南理工专业课试卷电子技术基础(含数字与模拟电路)
第
2
页
（a）
（b）
2． 分） （10 一恒流源电路及参数如图所示。 图中的运放的开环电压增益 AV0 和
输入电阻 ri 均为∞，输出电阻 r0 为 0，T1 和 T2 的 VBE =0.7V，管子的β很大。试 计算电路中的 I0 及 V0 值，并从反馈角度说明电路为什么恒流？
3． （13 分）在下图（a）所示的单极放大电路中，场效应管 T 的转移特性如下 图（b）所示。已知＋VDD＝＋15V，RD＝15kΩ，RS＝8 kΩ，RG＝100 kΩ，RL＝ 75 kΩ；要求: （1）用近似方法计算电路的静态工作点； （提示：T 的伏安特性方程可近似为：
Y = f ( A, B, C , D) = ∑ m(5,67,8,9) m10 + m11 + m12 + m13 + m14 + m15 = 0
六、 下图是用 TTL 电路驱动 CMOS 电路的实例，试计算上拉电阻 RL 的取值范围。TTL 与非门在 VOL ≤ 0.3V 时的最大输出电流为 8mA，输出端的管 T5 截止时有 50 µ A 的漏电 流。CMOS 或非门的输入电流可以忽略。要求加到 CMOS 或非门输入端的电压满足 VIH ≥ 4V，VIL ≤ 0.3V。给定电源电压 VDD=5V。(10 分)
U 。 I D＝ I DSS 1 － GS ，UGS＝－ID×RS，UP 为夹断电压） UP （2）计算放大器的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro ； （3）计算场效应晶体管的跨导 gm ； （4）计算放大器的电压放大倍数 Au ；
2
（a） 完成下列各小题（ 四、完成下列各小题（20 分） ：
VDD=5V RL VI ≥ 1 ≥1 CMOS
成都电子科技大学2005年中职高职计算机原理工硕考题参考答案考研真题考研试题
电子科技大学2005年秋攻读软件工程硕士专业学位研究生入学试题参考答案考试科目：计算机原理一﹑单选题（每小题2分，共10分）请从每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，填在题干的括号内。
1、对阶操作是指（②）。
①小阶增大，尾数左移②小阶增大，尾数右移③大阶减小，尾数左移④大阶减小，尾数右移2、在DMA传送中，总线权由（③）掌握。
①CPU ②外部设备③DMA控制器④总线控制器3、CPU通常在（①）响应中断请求。
①一条指令结束时②一个时钟周期结束时③一段程序结束时④一个总线周期结束时4、动态存储器依靠（④）存储信息。
①门电路②触发器③电源电流④电容电荷5、从设备（③）。
①是接收设备②是发送设备③不掌握总线权④要掌握总线权二﹑判断题（每小题2分，共10分）下列说法有的正确，有的错误，请作出正/误判断，并将判断结果填在题后的括号内。
1、在原码除法中，够减商1，不够减商0。
（正）2、微程序通常存放在主存中。
（误）3、中断方式的主要特点是具有随机性。
（正）4、磁盘存储器采用顺序存取方式。
（误）5、在字符显示方式中，显示缓冲存储器用来存放字符的点阵代码。
（误）三﹑简答题（每小题5分，共30分）1、组合逻辑控制器通过什么方式产生微命令？微程序控制器又通过什么方式产生微命令？答：前者通过硬件逻辑电路产生微命令，后者通过微指令产生微命令。
2、在浮点运算中，什么情况下需左移规格化？什么情况下需右移规格化？答：尾数绝对值小于二分之一时需左移规格化，尾数绝对值大于等于1时需右移规格化。
3、什么是随机存取方式？答：可按地址访问存储器中任一单元，访问时间与地址无关。
4、什么是并行接口？什么是串行接口？答：并行接口：接口与系统总线和设备均按并行方式传送数据。
串行接口：接口与系统总线并行传送，接口与设备串行传送。
计算机原理试题共2页第1页。
2005年电子科技大学206电子测量(高校教师)考研试题
∆f c −7 |≤ 1×10 , Ts = 10 S fc
c. | 9.
D¢6EëgFz{G X êHIclmW__________ A Q b RS c U d wx a P A TUþ¥ DVM V WXY`Wh¨ab DVM $( ) 10 üu b ¡ c þcDE d %de a
电子科技大学 2005 年高等学校教师在职攻读硕士学位入学试题 考试科目： 考试科目：206 电子测量
"#$%&'()0 1"234 __________ 4"#564"#784 "#9@A IDPQR$STUVW__________________________VA CDEFG H 2. B 2XY`a"#bcd$STefgh 0.0268W,ficd$pqrstuh 0.004W bv 3. wxyS"#h_____________W A b $2hγ , γ b v y $2h_____________ 4 y = 3x x
1.
2 1 2
一. 填空题（ 填空题（本题共 25 个空， 个空，请将正确答案填入空格内， 请将正确答案填入空格内，每空 1 分，共 25 分）
1
2
$h σ
1
,σ 2
1
7_____________ b76b 6b)_____________ fEA vah f b6uh N bit,va h M bv DDS zva 8. DDS
bj 0È20V DC #É" ¡+1 R 0.1 Ç BÄ3 1 ¡Å{$Æ)h ± H 2 # B q h 5.00V y bv " # $Ê2h _____________ b2h A _____________ j Ë̦f¡6"vbÍj 0.1 Î $ÏÐdÑb1"vah 10Khz,"v 12 BÄ 5 ÒÓh_____________ b#Ôh_____________ bf¡6¬$Õh Ö KHZ”, v¬$¡gh_____________ b £f¡6$S§ÏÐdÑh 10 Î bv×rØ{$Ù ÚÛb"vÜÝh_____________ A Ö Ö W_______________ b________________Þß"#56$àáA 13. DSO”, DMM”
c. | 9.
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电子科技大学 2005 年高等学校教师在职攻读硕士学位入学试题 考试科目： 考试科目：206 电子测量
"#$%&'()0 1"234 __________ 4"#564"#784 "#9@A IDPQR$STUVW__________________________VA CDEFG H 2. B 2XY`a"#bcd$STefgh 0.0268W,ficd$pqrstuh 0.004W bv 3. wxyS"#h_____________W A b $2hγ , γ b v y $2h_____________ 4 y = 3x x
1.
2 1 2
一. 填空题（ 填空题（本题共 25 个空， 个空，请将正确答案填入空格内， 请将正确答案填入空格内，每空 1 分，共 25 分）
1
2
$h σ
1
,σ 2
1
7_____________ b76b 6b)_____________ fEA vah f b6uh N bit,va h M bv DDS zva 8. DDS
bj 0È20V DC #É" ¡+1 R 0.1 Ç BÄ3 1 ¡Å{$Æ)h ± H 2 # B q h 5.00V y bv " # $Ê2h _____________ b2h A _____________ j Ë̦f¡6"vbÍj 0.1 Î $ÏÐdÑb1"vah 10Khz,"v 12 BÄ 5 ÒÓh_____________ b#Ôh_____________ bf¡6¬$Õh Ö KHZ”, v¬$¡gh_____________ b £f¡6$S§ÏÐdÑh 10 Î bv×rØ{$Ù ÚÛb"vÜÝh_____________ A Ö Ö W_______________ b________________Þß"#56$àáA 13. DSO”, DMM”
电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。
淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
华南理工大学 华南理工2005年电子电路(包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础) 考研真题及答案解析
第6页
布丁考研网，在读学长提供高参考价值的考研真题资料
五. 用几片如下图的存储器构成存储容量为 8 4 的 RAM。（8 分）
六、试用 JK 触发器设计一个同步时序电路, 其状态转换如表 3-1. 要求画
出卡诺图,求状态方程、驱动方程,画出逻辑电路图.(13 分)
表 3-1
7．某十位 DAC 在输入 0001100010 时的输出电压为 0.16V, 求当输入
0110001000 时的输出电压。
8．求容量为 16K×8 随机存储的地址输入线数。
9. 某 8 位双积分 ADC 的时钟频率 100KHZ，求其最大的转换时间。
二．化简 F (a,b, c, d ) (acd bd ad) (abd bd bcd ) 为最简与-或式。 （8 分）
4.对称差分放大电路，两管射极静态电流 IE1= IE2=0.5mA，则公共射极电流 IEE= （ ）。
A.0.5mA
B.1mA
C.1.5mA
D.2mA
5.消除互补对称乙类推挽功率放大电路产生的交越失真的有效方法是（ ）。
A.换功放管
B.使用复合对称管
C.给功放管加小偏流
D.采用同类型输出管
6.双电源供电互补对称乙类推挽功率放大电路，电源电压 VCC=VEE=6V，负载 RL=4
二、 选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，将其号码填在题
干的括号内。每小题 1 分，共 10 分）
1.晶体三极管基极电流 IB=0.02mA，发射极电流 IE=1.02mA，其电流放大系数β 、 α 分别为（ ）。
A.51、0.98
B.50、0.98
C.49、0.98
D.48、0.98
布丁考研网，在读学长提供高参考价值的考研真题资料
五. 用几片如下图的存储器构成存储容量为 8 4 的 RAM。（8 分）
六、试用 JK 触发器设计一个同步时序电路, 其状态转换如表 3-1. 要求画
出卡诺图,求状态方程、驱动方程,画出逻辑电路图.(13 分)
表 3-1
7．某十位 DAC 在输入 0001100010 时的输出电压为 0.16V, 求当输入
0110001000 时的输出电压。
8．求容量为 16K×8 随机存储的地址输入线数。
9. 某 8 位双积分 ADC 的时钟频率 100KHZ，求其最大的转换时间。
二．化简 F (a,b, c, d ) (acd bd ad) (abd bd bcd ) 为最简与-或式。 （8 分）
4.对称差分放大电路，两管射极静态电流 IE1= IE2=0.5mA，则公共射极电流 IEE= （ ）。
A.0.5mA
B.1mA
C.1.5mA
D.2mA
5.消除互补对称乙类推挽功率放大电路产生的交越失真的有效方法是（ ）。
A.换功放管
B.使用复合对称管
C.给功放管加小偏流
D.采用同类型输出管
6.双电源供电互补对称乙类推挽功率放大电路，电源电压 VCC=VEE=6V，负载 RL=4
二、 选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，将其号码填在题
干的括号内。每小题 1 分，共 10 分）
1.晶体三极管基极电流 IB=0.02mA，发射极电流 IE=1.02mA，其电流放大系数β 、 α 分别为（ ）。
A.51、0.98
B.50、0.98
C.49、0.98
D.48、0.98
电子科大历年信号与系统考研试题
1. 试确定 H s ，画出其零极点图并标注收敛域；
2. 试求系统的单位冲激响应 ht ；
3. 若输入 x t et , t ，试求系统的输出 y t ；
4. 该系统是否稳定，是否因果。
xt
1/ s
1/ s
yt
2
2005年信号与系统考研试题
五、（16分）某离散时间系统的差分方程为：
yn 5 yn 1 1 yn 2 f n 1
电子科技大学
2008 年攻读硕士学位研究生入学试题
考试科目：836 信号与系统和数字电路
1.（15 分）完成下列卷积和与卷积积分的运算：
⑴．已知 x1n n n 1， x2 n 2n un 1 un 2
计算 xn x1n x2 n ，并画出 xn的波形；
⑵．已知 x1 t ut u t 2 ， x2 t x1 2t
2009年信号与系统考研试题
试求出 xt 并画出其波形。
2.
（15
分）已知信号
x
t
sin
t
t
2
和
g
t
x nTS
t
nTS
，TS
2 3
，其傅里
叶变换分别为 X j 和 G j 。为确保 G j 1.5X j , 0 ，求出0 的最大
值。
3. (9 分) 实基带信号 xt 具有频谱 X j 0 , 100 ，假定 y t xt e jct ，试
3. 画出系统的幅频特性曲线，说明这是一个什么类型的系统。
R
Vi
Vo
R
C
2007年信号与系统考研试题
1. （10 分）某离散时间系统的输入为 xn，输出为 yn ，其输入输出关系为
y
2. 试求系统的单位冲激响应 ht ；
3. 若输入 x t et , t ，试求系统的输出 y t ；
4. 该系统是否稳定，是否因果。
xt
1/ s
1/ s
yt
2
2005年信号与系统考研试题
五、（16分）某离散时间系统的差分方程为：
yn 5 yn 1 1 yn 2 f n 1
电子科技大学
2008 年攻读硕士学位研究生入学试题
考试科目：836 信号与系统和数字电路
1.（15 分）完成下列卷积和与卷积积分的运算：
⑴．已知 x1n n n 1， x2 n 2n un 1 un 2
计算 xn x1n x2 n ，并画出 xn的波形；
⑵．已知 x1 t ut u t 2 ， x2 t x1 2t
2009年信号与系统考研试题
试求出 xt 并画出其波形。
2.
（15
分）已知信号
x
t
sin
t
t
2
和
g
t
x nTS
t
nTS
，TS
2 3
，其傅里
叶变换分别为 X j 和 G j 。为确保 G j 1.5X j , 0 ，求出0 的最大
值。
3. (9 分) 实基带信号 xt 具有频谱 X j 0 , 100 ，假定 y t xt e jct ，试
3. 画出系统的幅频特性曲线，说明这是一个什么类型的系统。
R
Vi
Vo
R
C
2007年信号与系统考研试题
1. （10 分）某离散时间系统的输入为 xn，输出为 yn ，其输入输出关系为
y
2005年电子科技大学109计算机原理考研试题及参考答案
电子科技大学2005年在职攻读专业学位研究生入学考试试题参考答案考试科目：109 计算机原理一﹑单选题（每小题2分，共10分）请根据题干内容，在每小题的四个备选答案中选择一个正确答案。
1、按时序控制方式划分，可将总线分为（ ④ ）。
①并行总线与串行总线②高速总线与低速总线③内总线与外总线④同步总线与异步总线2、微程序通常存放在（ ① ）中。
①CPU②主存③硬盘④软盘3、总线主设备（ ③ ）。
①只发送信息②只接收信息③要掌握总线控制权④不掌握总线控制权4、在浮点运算中，对阶操作是将（②）。
①小阶增大，尾数左移②小阶增大，尾数右移③大阶减小，尾数左移④大阶减小，尾数右移5、在DMA方式中，数据传送是在（④）之间进行。
①寄存器与寄存器②CPU与主存③外设与CPU④外设与主存二﹑判断题（每小题2分，共10分）下列说法有的正确，有的错误，请作出正/误判断。
1、在原码运算中，操作数取绝对值，符号单独处理。
正2、随机存取是指可以随意地读出或写入。
误3、CPU在一个总线周期结束时可以响应中断请求。
误4、用传送指令可以完成I/O操作。
正5、在同步方式中，由CPU提供统一时序信号。
三﹑简答题（每小题5分，共30分）1、在浮点运算中，什么情况下需左移规格化？什么情况下需右移规格化？答：尾数绝对值小于1/2时需左移规格化，尾数绝对值大于等于1时需右移规格化。
2、动态存储器和静态存储器各根据什么原理存储信息？答：前者靠电容电荷，后者靠触发器存储信息。
3、在DMA方式的初始化阶段，CPU应送出哪些初始化信息？答：传送方向、主存首址、交换量、外设寻址信息。
4、什么是组合逻辑控制方式？它有哪些优缺点？答：用组合逻辑电路产生微命令的方式。
优点：速度快；缺点：设计不规整，难于修改、扩展指令系统功能。
5、在CRT字符显示器中，显示缓冲存储器的内容是什么？字符发生器的内容又是什么？答：前者的内容是字符编码，后者的内容是字符的点阵代码。
电子科技大学2005年模拟电路基础期末考试卷及答案2套
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年1月12 日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（8分）试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。
2．（3分）射极跟随器为何称为电压跟随器？它具有什么特点？3．（3分）在集成电路中，为什么常用恒流源作为负载？4．（6分）什么是频率失真、非线性失真、交越失真？………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（10分）、已知某反相比例放大器如图1所示，若图中集成运算放大器是理想的，已知电阻R1和R f，试求：1．电压增益v oA vf=v i2．输入电阻R if和输出电阻R of3．直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o，带宽为f BW。
试求：4．带宽f'BW图1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……三（10分）、电路如图2所示，已知电路参数为：12s =162k Ω,R =463k Ω,R =0.75k Ω,V=12V,R DDsi R =4k Ω；晶体管参数为：21.5,4/,12.5V V K mA V r k T ds ===Ω，试求输入电阻R i 和输出电阻o R 。
图2四（10分）、某差动放大电路如图3所示，滑动电阻器R w 的滑动片处于中间位置。
已知三极管的0.7,50,100BE bb V r V β'===Ω 稳压管的6,12,12,V V V V V V Z CC EE ==-=-b c L w R =5k Ω,R =100kΩ,R =30kΩ,R =200Ω,R=1kΩ。
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……1． 试问3cc R T R V e 、、D 、、z 构成什么电路？2． 求差模电压放大倍数12v oAvdv v i i =-图3五（10分）、反馈放大电路如图4所示。
电子科技大学考研复试(2017数字电路与模拟电路)
对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。
掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。
掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法；
掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法；
了解MOS器件的基本开关特性；
掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。
了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。
4、组合电路分析与设计
掌握组合电路的基本概念及分析方法；
掌握组合电路的设计方法（SSI）
对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。
模拟电路部分（50%）
第一章常用半导体器件
1、了解半导体基础知识：了解本征半导体与杂质半导体（P型与N型）的导电原理，了解PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN结的单向导电特性，了解PN结的电容效应。
2、了解半导体二极管基本知识：了解二极管的常见结构和电路符号；掌握二极管的伏安特性、二极管的主要参数与几种等效电路；了解稳压二极管的伏安特性、硅管与锗管的区别。理解二极管在直流电源中的整流应用以及稳压二极管的基本应用。
熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计；
了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式；
熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）；
理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。
3、逻辑门电路
了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念；
掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。
掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法；
掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法；
了解MOS器件的基本开关特性；
掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。
了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。
4、组合电路分析与设计
掌握组合电路的基本概念及分析方法；
掌握组合电路的设计方法（SSI）
对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。
模拟电路部分（50%）
第一章常用半导体器件
1、了解半导体基础知识：了解本征半导体与杂质半导体（P型与N型）的导电原理，了解PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN结的单向导电特性，了解PN结的电容效应。
2、了解半导体二极管基本知识：了解二极管的常见结构和电路符号；掌握二极管的伏安特性、二极管的主要参数与几种等效电路；了解稳压二极管的伏安特性、硅管与锗管的区别。理解二极管在直流电源中的整流应用以及稳压二极管的基本应用。
熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计；
了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式；
熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）；
理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。
3、逻辑门电路
了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念；