LED芯片基础知识的一些要点.doc

给文科生的LED知识大全集随着标准化设备的导入，规模化与模块化的产业过程，技术不再是深不可测，工艺优化，设备优化变成主旋律，未来，掌握了LED基本知识，活用这些知识之后，你就会了解，高深的科技理论不过就是我所推广的简单道理。

叶国光LEDinside做LED这个行业这么久了，很多技术与术语我们都会觉得理所当然，很容易理解，但是细细想又很难系统性地道出个所以然，所以这次我试着来写一篇LED 的基本科普文章，希望对想了解LED的人有所帮助，或者就权当是知识的巩固了，看到最后会发现，活用这些基本知识，会比想象中更简单。

◆发光二极管(LED：Light Emitting Diode)原理介绍▲发光二极管的构造1发光二极管(LED)都是使用「化合物半导体」制作，二种以上的元素键结形成的半导体，称为「化合物半导体」。

例如：砷化镓(GaAs)属于三五族化合物半导体(3A族的镓与5A族的砷)、硒化镉(CdSe)属于二六族化合物半导体(2A族的镉与6A族的硒)等固体材料，化合物半导体的发光效率极佳，因此我们大多利用它来制作发光组件，例如：砷化镓(GaAs)是属于「直接能隙(Direct band gap)」，所以砷化镓晶圆所制作的组件会发光，一般都用来制作发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等发光组件。

发光二极管(LED)的构造如图一(a)所示，直插的灯珠外观呈椭圆形，尺寸与一颗绿豆差不多，但是真正发光的部分只有图中的「芯片(chip)」而已，芯片的尺寸与海边的一粒砂子差不多，这么小的一个芯片就可以发出很强的光，由于发光二极管的芯片很小，所以一片2吋的砷化镓晶圆就可以制作数万个芯片，切割以后再封装，形成如图一(a)的外观，发光二极管的制程与硅晶圆的制程相似，都是利用光刻微影、掺杂技术、蚀刻技术、薄膜成长制作而成。

1(图一发光二极管(LED)的构造与工作原理)▲发光二极管的基本原理如果我们将二极管的芯片放大，如图一(b)的氮化镓发光二极管所示，有金属电极，中间有N型与P型的氮化镓与电极，当发光二极管与电池连接时，电子由电池的负极流入N型半导体，空穴由电池的正极流入P型半导体，电子与空穴在P型与N型的接面处结合，并且由芯片的上方发光，经过椭圆形的塑料封装外壳，由于椭圆形的塑料封装外壳类似凸透镜，具有聚光的效果，可以使发出来1的光线「比较集中」。

LED芯片原理分类基础知识大全LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种基于半导体材料的电子元件。

它能够直接将电能转换为可见光，具有体积小、功耗低、寿命长等优点，在各个领域有着广泛的应用。

1. 衬底选择：芯片的衬底通常使用蓝宝石（sapphire）或硅（silicon）材料，其中蓝宝石衬底适用于制造蓝光LED，而硅衬底适用于制造红光、绿光LED。

2.外延生长：将所需材料的薄片逐渐沉积在衬底上，使其逐渐增厚，形成外延层。

3.晶圆切割：将外延层切割成晶圆形状，并进行光洁处理。

4.研磨和腐蚀：通过机械或化学方法对晶圆进行研磨或腐蚀，使其得到一定的光学反射效果。

5.P型和N型制备：在晶圆上制备P型和N型区域，分别通过掺杂方法将其中一侧的材料掺入组别的杂质。

6.金属电极制备：在P型和N型区域上刻蚀金属电极，通过金属电极可以引出电流。

7.芯片测试：对制备完成的LED芯片进行测试，包括亮度、波长、电流和电压等参数的测试。

根据不同的工艺和材料选择，LED芯片的类型可分为以下几种：1.普通LED芯片：制造工艺简单，成本低，适用于一般照明和显示等领域。

2.高亮度LED芯片：通过优化结构和材料，提高亮度和发光效率，适用于显示屏、信号灯等需要高亮度的应用。

3.SMDLED芯片：表面安装技术（SMD）制造的LED芯片，便于焊接和组装，广泛应用于背光源、室内照明等领域。

4.COBLED芯片：芯片上多个小颗粒进行集成，具有高亮度、高可靠性等优点，适用于大功率照明等领域。

5.RGBLED芯片：集成了红、绿、蓝三种颜色的LED芯片，通过不同颜色的组合可以实现多彩的显示效果。

6.UVLED芯片：发射紫外线光的LED芯片，用于紫外线固化、水质检测、杀菌消毒等领域。

总的来说，LED芯片的原理分类涉及到材料选择、制备工艺和应用领域等多个方面，通过不同的工艺和材料选择，可以实现不同功能和性能的LED芯片。

随着科技的进步和人们对绿色环保的追求，LED芯片的研发和应用将会得到更广泛的推广。

LED产业链包括LED外延片生产、LED芯片生产、LED芯片封装及LED产品应用等四个环节。

其中LED外延片的技术含量最高，芯片次之一，LED外延片；2006年5月我从宁波回到厦门工作，我对LED封装产品和技术也有一定的了解，自己希望从事LED晶片销售工作，对目前国内芯片厂来说，也就是路美（原AXT）和三安等比较出名，其它的LED晶片都在快速发展中，目前LED晶片厂的技术在不断进步，不断超越从前，未来的五年内，竞争会越来越激烈，这关系到产品的品质，产品工艺，产品的成本，公司的实力，人才等。

此时我选择路美芯片公司，就这样进入LED最源头的产业，因此我也了解LED外延片，LED 大圆片，LED晶片等。

对于国内公司而言，生产外延片的难度太大了，也就是路美自己能展外延片，由于采用美国（原AXT）的技术和工艺，暂时在生产蓝，绿光晶片还是处于领先的技术和水平。

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD），1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。

该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。

良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成LED晶片（方片）。

LED基础知识培训-外延、芯片王立 2009-3-16 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation内容提要 1 2 3 4 LED器件基础知识 LED器件基础知识 LED材料生长 LED材料生长 LED芯片制造芯片制造高效率LED芯片设计芯片设计高效率 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 1、半导体发光的概念发光是物体内部以某种方式吸收的能量转化为光辐射的过程。

发光是一种非平衡辐射。

区分各种非平衡辐射的宏观光学参量是辐射期间—去掉激发后辐射还可延续的时间。

发光的辐射期间在10-11秒以上。

Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识半导体发光的不同形态粉末发光。

薄膜发光。

结型发光。

通常所说的半导体发光是指结型发光——器件的核心在于p-n结。

半导体照明技术是结型电致发光和粉末光致发光的结合。

Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 2、半导体发光的研究历史 1907 ! Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 1923, O.W. Lossev of Russia reported electroluminescent light emission in silicon carbide crystals. 1937, F. Destriau of France reported (field-excited electroluminescence of zinc sulfide powders. 1939 – 1944 World War II 1951 – Solid State Lighting potential resurfaced when a team of researchers led by Kurt Lehovec started to investigate the electroluminescent potential of silicon carbide. 1962 – Nick Holonyak Jr, working at General Electric, gave the first practical demonstration of LEDs. 1968 – HP Labs develops the first commercially available light-emitting diode. GE, Bell Labs make the same claim. LEDs were first invented in England, Korea and China as well, depending upon who you talk to. …… 1994 –高亮度蓝光LED实现产业化，半导体照明成为可能。

（一）LED简介1、 LEDLED为Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写。

LED是一种半导体固体器件，LED的最显著优点是使用节能，环保，和使用寿命长。

由于采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些LED为三元素发光管。

而GaN（氮化镓）的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED，被称为二元素发光管。

而目前最新的工艺是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。

2.LED照明术语波长：光的色彩强弱是可以通过数据来描述，这种数据叫波长。

能见到的光的波长，范围在380至780nm之间。

单位：纳米（nm）亮度：亮度是指物体明暗的程度，定义是单位面积的发光强度。

单位：尼特（nit）光强：指光源的明亮程度。

也即表示光源在一定方向和范围内发出的可见光辐射强弱的物理量。

单位：烛光（cd）光通量：光源每秒钟所发出的可见光量之总和。

单位：流明（Lm）光效：光源发出的光通量除以光源的功率。

它是衡量光源节能的重要指标。

单位：每瓦流明（Lm/w）。

显色性：光源对物体呈现的程度，也就是颜色的逼真程度。

通常叫做"显色指数"。

单位：Ra。

色温：光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时，黑体的温度称为该光源的色温。

单位：开尔文（k）。

眩光：视野内有亮度极高的物体或强烈的亮度对比，所造成的视觉不舒适称为眩光，眩光是影响照明质量的重要因素。

同步性：两个或两个以上LED灯在不规定时间内能正常按程序设定的同步方式运行，同步性是LED灯实现协调变化的基本要求。

防护等级：IP防护等级是将灯具依其防尘、防湿气之特性加以分级，由两个数字所组成，第一个数字代表灯具防尘、防止外物侵人的等级（分0-6级），第二个数字代表灯具防湿气、防水侵人的密封程度（分0-8级），数字越大表示其防护等级越高。

LED芯片知识-MB、GB、TS、AS芯片定义与特点一、MB 芯片定义与特点定义﹑M B芯片﹑M e t a l Bonding (金属粘着）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品。

特点﹑1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。

2﹑通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3:导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。

4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热5:尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB 二、GB 芯片定义和特点定义﹑GB芯片﹑Glue Bonding (粘着结合）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品特点﹑1﹑透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs 衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2 倍以上、蓝宝石衬底类似TS 芯片的GaP 衬底。

2﹑芯片四面发光、具有出色的Pattern 3﹑亮度方面、其整体亮度已超过TS 芯片的水准(8.6mil) 4﹑双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS 单电极芯片三、TS 芯片定义和特点定义﹑TS芯片﹑transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。

特点﹑1.芯片工艺制作复杂、远高于AS led 2. 信赖性卓越3.透明的GaP 衬底、不吸收光、亮度高 4.应用广泛四、AS 芯片定义和特点定义﹑A S芯片﹑A bso rba ble structure(吸收衬底）芯片﹑经过近四十年的发展努力、台湾LED 光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS 芯片、特指UEC 的AS 芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点﹑1. 四元芯片、采用MOVPE 工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮 2. 信赖性优良 3.应用广泛tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。

led行业学习知识LED行业作为全球半导体照明领域的重要组成部分，近年来得到了迅猛发展。

随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，LED行业的知识体系也在不断更新。

以下是一些关于LED行业的关键知识点：1. LED技术原理：- LED（发光二极管）是一种半导体材料制成的器件，能够将电能直接转换为光能。

其工作原理基于半导体的PN结，当电流通过时，电子和空穴复合产生光子，从而发光。

2. LED材料与制造：- LED的生产涉及多种半导体材料，如砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等。

制造过程包括外延生长、芯片加工、封装等多个步骤，每一步都对最终产品的性能有着重要影响。

3. LED产品类型与应用：- LED产品种类繁多，包括LED灯珠、LED灯条、LED显示屏等。

应用领域广泛，从通用照明、景观照明到汽车照明、医疗设备等，LED以其高能效、长寿命和环保特性受到青睐。

4. LED照明技术发展：- 随着技术的发展，LED照明技术不断进步，如COB（Chip on Board）技术、CSP（Chip Scale Package）技术等，这些技术使得LED 照明产品更加高效、紧凑和低成本。

5. LED行业标准与认证：- 为了确保产品质量和安全性，LED产品需要遵循一定的行业标准和认证，如欧盟的CE认证、美国的UL认证等。

6. LED市场趋势与挑战：- 随着全球对节能和环保的重视，LED市场持续增长。

但同时，行业也面临着激烈的市场竞争、技术更新换代快等挑战。

7. LED行业创新与研发：- 创新是LED行业持续发展的动力。

研发新型材料、提高光效、降低成本、开发智能照明解决方案等都是行业研发的重点。

8. LED行业供应链管理：- 由于LED产品的制造涉及多个环节，供应链管理对于保证产品质量和降低成本至关重要。

有效的供应链管理可以提高企业的竞争力。

9. LED行业环境影响与可持续发展：- LED照明相比传统照明方式更加节能，有助于减少碳排放。

芯片相关知识1、LED芯片的制造流程是怎样的？LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。

渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。

一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。

镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。

光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。

合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。

当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。

2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。

比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降V F偏高的主要原因。

在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。

另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。

如果是背面也会造成压降偏高。

在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。

3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil 等不同尺寸？尺寸大小对LED光电性能有哪些影响？LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。

LED基础知识详解目录一、LED概述与基本原理 (2)1. LED基本概念及发展历程 (3)2. LED基本原理与结构 (4)3. LED发光原理及特点 (5)二、LED分类与主要参数 (6)三、LED的应用领域 (7)1. 通用照明领域应用 (8)2. 显示领域应用 (9)3. 汽车领域应用 (10)4. 其他领域应用 (11)四、LED驱动与电路设计 (12)1. LED驱动电路基本概念 (13)2. LED驱动电路设计与选型 (15)3. LED电路调试与故障排除 (16)五、LED显示屏技术解析 (17)1. LED显示屏概述及分类 (19)2. LED显示屏技术原理与特点 (20)3. LED显示屏驱动与控制 (21)4. LED显示屏维护与保养 (22)六、LED照明技术与设计实践 (24)1. LED照明技术概述与发展趋势 (25)2. LED照明产品设计原则与要点 (27)3. LED照明系统设计与实践案例 (28)4. LED照明节能技术与策略 (29)七、LED行业发展趋势与挑战 (31)1. 全球LED行业市场现状及趋势分析 (32)2. LED技术发展前沿与挑战 (34)3. LED行业未来发展趋势预测及建议 (35)一、LED概述与基本原理LED是一种半导体器件，主要由包含有少量杂质的半导体材料构成。

这些杂质能够控制半导体材料的导电性能，使其在不同电压条件下能够发出不同颜色的光。

与传统的照明技术相比，LED具有高效、节能、环保、寿命长等优点。

LED被广泛应用于照明、显示、指示、通信等领域。

LED的工作原理基于半导体材料的PN结特性。

当给LED施加正向电压时，电子和空穴在PN结处发生复合，释放出能量并以光的形式传播。

这种光的颜色取决于半导体材料的类型和其掺杂程度，通过特定的电路设计，可以控制流过LED的电流大小和方向，从而控制其发光强度和颜色。

LED的发光效率非常高，其能量转换效率远高于传统的白炽灯和荧光灯。

LED芯片知识大了解目录一 LED芯片基本知识 (2)1、LED芯片的概念 (2)2、LED芯片的组成元素 (2)3、LED芯片的分类 (2)二 LED衬底材料 (4)1、LED衬底材料的概念及作用 (4)2、LED衬底材料的种类 (4)三 LED外延片 (6)1、LED外延片生长的概念 (6)2、LED外延片衬底材料的种类 (6)3、LED外延片的检测 (6)一、LED芯片基本知识1、LED芯片的概念LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。

LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。

半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。

但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。

当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。

而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

LED芯片为LED的主要原材料，LED主要依靠芯片来发光。

LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流程，最终完成如右图的成品-芯片。

外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium TinOxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

图1 外延片成品示意图2、LED芯片的组成元素LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

3、LED芯片的分类1）按发光亮度分A、一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等B、高亮度：VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)、SR(较亮红色GaA/AS 660nm)；C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIRE、红外线接收管：PTF、光电管：PD2）按组成元素分A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm) UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) 等3）按照制作工艺分LED芯片分为MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4种LED芯片定义特点MB 芯片Metal Bonding(金属粘着)芯片；该芯片属于UEC的专利产品①采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易②通过金属层来接合(wafer bonding)磊芯层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收③导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域④底部金属反射层,有利于光度的提升及散热⑤尺寸可加大,应用于High power 领域GB 芯片Glue Bonding(粘着结合)芯片；该芯片属于UEC的专利产品①透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底②芯片四面发光,具有出色的Pattern图③亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)④双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片TS 芯transparentstructure(透明衬底)芯①芯片工艺制作复杂,远高于AS LED②信赖性卓越片片，该芯片属于HP的专利产品③透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高④应用广泛AS 芯片Absorbablestructure(吸收衬底)芯片,这里特指UEC的AS芯片①四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮②信赖性优良③应用广泛二、LED衬底材料1、LED衬底的概念及作用衬底又称基板，也有称之为支撑衬底。