下载文档原格式
FM3209F(文件编号：S&CIC1371) 2.1A充电2.1A放电全集成移动电源管理IC 概述FM3209F是一款全集成充电管理，锂电池保护，DC-DC升压限流，手电筒照明及电量指示的多功能电源管理芯片。
FM3209F的同步升压系统提供最大2.1A输出电流，转换效率高至93%。
芯片只需一个电感实现降压与升压功能。
DC-DC转换器工作在1.5MHz，可以支持低成本电感和电容；芯片支持4颗LE D灯的电量指示与手电筒功能，支持按键单按，双按及长按功能。
当空载时，系统进入休眠状态，工作电流降至50uAFM3209F同步开关充电技术，提供最大2.1A电流，大大缩短充电时间。
芯片内置温度控制电路，根据IC 温度和输入电压智能调节充电电流。
特点¾ 2.1A同步开关充电器，2.1A同步升压转换器¾单电感架构，1.5MH Z开关频率，支持1uH电感¾升压效率最高达93%¾同步整流开关式充电技术¾4颗LED电量显示, 内置照明灯驱动¾第一次上电击活四灯全亮一次后显示当前电量,电量显示LED只减不增。
¾内置自适应电源路径管理，支持边充边放¾自动切换待机模式与工作模式¾支持按键开关与自动负载识别¾充电电压精度：±1.0%；升压电压精度：±1.0%¾过流保护（OCP），过压保护（OVP），短路保护（SCP），过温保护（OTP）¾ ESD 2KV，瞬态耐压11V，极高可靠性¾极低的BOM成本¾待机电流50uA¾支持4.2V锂电池¾封装形式：ESOP-16应用¾移动电源¾ IPAD及其他数码设备备用电源FM3209F(文件编号：S&CIC1371) 2.1A充电2.1A放电全集成移动电源管理IC电性能参数¾推荐工作范围参数符号范围单位输入电压VDD 4.5~5.5 V工作环境温度TOP -20~85 ℃¾极限参数参数值单位PGND、GND电压-0.3~+0.3 V其它引脚电压-0.3~+7 V充电电流 2.3 A放电电流 2.3 A储存环境温度-50~+150 ℃工作结温范围-40~150 ℃HBM 4000V MM 200V 注：最大极限参数是指超出该工作范围IC可能会损坏。
PW510010uA低功耗，1.5A开关电流高效率同步升压变换器产品概述PW5100 是一款高效率、低功耗、低纹波、高工作频率的PFM同步升压DC/DC变换器。
输出电压可以进行内部调节，实现从3.0V 至5.0V 的固定输出电压，调节步进为0.1V。
PW5100仅需要三个外围元件，就可将低输入电压升压到所需的工作电压。
系统的工作频率高达1.2MHz，支持小型的外部电感器和输出电容器，同时又能保持超低的静态电流，实现最高的效率。
产品特点⚫最大效率可达：95％⚫最高工作频率： 1.2MHz⚫超低启动电压：0.7V@Io=1mA⚫宽输入电压范围：0.7V～5.0V⚫输入静态电流：10uA@VIN=2.0V⚫输出电压可选： 3.0V～5.0V@step=0.1V⚫输出电压精度：±2.5%⚫低纹波,低噪声：±10mV@Io=50mA⚫使能关断控制：≤0.2V（低电平），≥0.4*Vout（高电平）应用范围⚫1～3 节碱性电池或镍氢电池供电应用⚫蓝牙耳机充电仓、数码相机⚫LED 灯、血压计、遥控玩具⚫无线耳机、无线鼠标键盘、防丢器⚫MP3、VCR、PDA 等手持电子设备典型应用电路PW5100图1：典型应用电路图锂电池的充电芯片电路 输入4.5V-20V 锂电池的保护板电路 集成 和DW01+8205A6S 锂电池的升压5V-15V 电路 同步和异步锂电池的降压3V-1V 电路 电流最大到3A 锂电池的升降压3.3V 电路 外围简单，输出150MA锂电池的LDO 3V,2.8V,2.5V,2V,1.8V,1.5V,1.2V 电路 三极管封装绝对最大额定值内部框图SW GNDEN电气特性(CIN =10uF，COUT =22uF，L1 =3.3uH，TA =25)特性曲线应用指南PW5100 是一款低静态电流、高效率、PFM 模式控制的同步升压变换器。
PW5100所需的外部元件非常少，只需要一个电感和输入、输出电容就可以提供 3.0V~5.0V 的稳定的低噪声输出电压。
350mA恒流(ACR)LED驱动IC-AMC7135应用方案汇总(照明/手电筒/矿灯)AMC7135--350mA恒流Advanced Current Regulator(ACR)LED驱动IC无需任何外围元件,低噪音,低静态电流,高效率⊙LED手电筒,矿灯,照明...AMC7135基本应用回路:AMC7135 应用回路(一) :应用于可携式产品上之防电池接反线路因应客户在设计/应用AMC7135 时,常会用于可携式产品上,此时就会必须要考虑到使用者可能会因为一时的疏忽,而把电池的正、负极接反的情形,是故以提供的解决方案AMC7135 应用回路(二) :应用于VIN < 6V,700mA / 1A 之可携式产品上因应客户在设计/应用AMC7135 时,会使用到大瓦特數的LED 灯,故以此应用回路來搭配使用700mA / 1A 的回路.AMC7135 应用回路(三) :应用于VIN = 12V,1W 白光LED 三颗串聯因应客户在设计/应用AMC7135 时,会使用到VIN=12V,故以此应用回路來搭配使得回路可同时推动三颗白光/藍光LED.AMC7135 应用回路(四) :使用uC 驱动AMC7135 來产生R/G/B 控制因应客户在设计/应用AMC7135 时,会使用到On/Off 装置來控制LED 的亮暗程度,此时我们可以藉助Micro Controller (uC),來达到R/G/B 灯光的控制亮度大小.AMC7135 应用回路(五) :应用于矿灯主照明与辅助照明因应客户在设计/应用AMC7135应用于矿灯会使用轻触开关控制LED 附照明可以使用AMC7100(20mA*3)作为辅助照明驱动•330mA (typ) Driving Current for Main LED.•20mA (typ) Driving Current for each Sub LEDs.•Only 200uA through Switch.•Average 85% efficiency.AMC7135 应用回路(六):AMC7135 for Vin=12V,3 串联N 并联。
LED手电筒驱动电路及原理图介绍
市场上出现一种廉价的LED手电筒，这种手电前端为5～8个高亮度发光管，使用1～2节电池。
由于使用超高亮度发光管的原因，发光效率很高，工作电流比较小，实测使用一节五号电池5头电筒，电流只有100 mA左右。
非常省电。
如果使用大容量充电电池，可以连续使用十几个小时，笔者就买了一个。
从前端拆开后，根据实物绘制了电路图，如图1所示。
图1 LED手电驱动电路原理图工作原理：
接通电源后，VT1因R1接负极，而c1两端电压不能突变。
VT1(b)极电位低于e极，VT1导通，VT2(b)极有电流流入，VT2也导通，电流从电源正极经L、VT2(c)极到e极，流回电源负极，电源对L充电，L储存能量，L上的自感电动势为左正右负。
经c1的反馈作用，VT1基极电位比发射极电位更低，VT1进入深度饱和状态，同时VT2也进入深度饱和状态，即Ib>Ic/β(β为放大倍数)。
随着电源对c1的充电，C1两端电压逐渐升高，即VTI(b)极电位逐渐上升，Ib1逐渐减小，当Ib1<=Ic1/β时，VT1退出饱和区，VT2也退出饱和区，对L的充电电流减小。
此时．L上的自感电动势变为左负右正，经c1反馈作用。
VT1基极电位进一步上升，VT1迅速截止，VT2也截止，L上储存的能量释放，发光管上的电源电压加到L上产生了自感电动势，达到升压的目的。
此电压足以使LED发光。
Adjustable Constant Current LED Driver MEL7136FeaturesTypical ApplicationSelection Guidez Sink current:10mA to1A adjustable with an externalresistorz Current and voltage range extendable by adding anexternal NMOS or NPN transistor z Power supply voltage: 2.7-18V z Low drop out voltage: 50mV@1A z Low quiescent current: 80uAz Thermal Shutdown protection ：165℃ z Soft startz Low voltage protection: 2.5V z Package:SOT89-5,ESOP8.Typical Application CircuitLow Voltage And Light Load (Under 1A) Low Voltage And Heavy Load (Exceed 1A)High Voltage ApplicationR EXT Resistor Value selection:R EXT (Ω) ILED(mA)10 10 11000.286 350 0.1 1000Pin ConfigurationPin AssignmentMEL7136Pin NumberPin Name FunctionsESOP8 SOT89-52 1 CS Output current detection1 2D(LED)Thenegativeinput feet of LED3 3VDD PowerInput5 4GND Ground7 5 EXT Driving external NMOS4,6,8 NC NoconnectionAbsolute Maximum RatingsParameter SymbolRatingsUnits Input Voltage V DD 18 V Voltage on LED,CS V LED, V CS,-0.3～V DD+0.3 VVoltage on EXT V EXT 6 VOutput Current I OUT 1.5 APower Dissipation SOT89-5 P D500mW1300（PCB mounted）（*1）ESOP8 P D400 mW(T=25℃)2000（PCB mounted）（*1）Operating Temperature Range T OPR－40～＋125 ℃Storage Temperature Range T STG－40～＋150 ℃Lead Temperature 260℃，4secESD(ESD voltage for human body model ) V ESD 2000 V *1:The power dissipation figure shown in PCB mounted. Please refer to page8-9 for details.Block DiagramElectrical CharacteristicsMEL7136(V DD= 3.6V, Ta=25O C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Conditions Min.Typ.Max.UnitsSink Current I sink V DD= 3.6V 10 1000mA Input Voltage V DD Isink=1A2.7 18V CS Voltage V CS95100105mV Sink current accuracy △ILED/ILED I sink=1A -5 -2.5 5 %Load Regulation LDR VLED=0.2V to 3VVDD=3.6V0.1 2mA/VLine Regulation LNRVLED= 3V3.6V≤V DD≤18V0.4 2mA/VOutput dropoutvoltageV drop VDD=3.6V, VLED= 0.5V50 100 mVQuiescent Current I SS V DD= 3.6V80100uALow Voltage Protection 2.32.52.7VLow voltage hysteresis Vhys 0.15 VThermal Shutdown protection：Tsd 165℃Type Characteristics（1） Quiescent Current VS. Input Voltage （No external component ）（2） Quiescent Current VS. Temperature （V DD =3.6V ）（3） Dropout Voltage VS. Output Current （VDD =3.6V ）power dissipation● SOT89-5 power dissipationThe power dissipation data for the SOT89-5 is shown as below. The value of power dissipation varies with the mount board conditions. Please use this data as the reference data taken in the following condions. 1. Measurement conditionCondition: Mount on a boardAmbient: Natural convectionSoldering: Lead(pb) free Board: Dimensions 30*35mm (1050mm 2 in one side) Copper(Cu) traces occupy 50% of the boardArea in top and back facesMaterial: Glass Epoxy (FR-4) Thickness: 1.6mm Through-hole: 5*0.8 Diameter2. Power dissipation vs. Ambient temperature Evaluation Board( Unit:mm)Board Mount (T j max=125 ℃)Ambient Temperature(℃)Power Dissipation(mW)Thermal Resistance(℃/W)25 130076.9285 520● ESOP8 power dissipationThe power dissipation data for the ESOP8 is shown as below. The value of power dissipation varies with the mount board conditions. Please use this data as the reference data taken in the following condions. 3. Measurement conditionCondition: Mount on a boardAmbient: Natural convectionSoldering: Lead(pb) free Board: Dimensions 30*35mm (1050mm 2 in one side) Copper(Cu) traces occupy 50% of the boardArea in top and back facesMaterial: Glass Epoxy (FR-4) Thickness: 1.6mm Through-hole: 4*0.8 Diameter4. Power dissipation vs. Ambient temperature Evaluation Board( Unit:mm)Board Mount (T j max=125 ℃)Ambient Temperature(℃)Power Dissipation(mW)Thermal Resistance(℃/W)25 200066.6785 700Packaging Information● Packaging Type: SOT89-5Millimeters Inches DIMMin Max Min Max0.181A 4.4 4.6 0.1730.024a 0.5 0.62 0.020.072B 1.63 1.83 0.0640.021b 0.44 0.54 0.017C Type:1.5 Type:0.059D 2.4 2.6 0.0940.1020.063E 1.4 1.6 0.054F 0.35 0.43 0.0130.0170.167L 3.95 4.25 0.155r Type:80 Type:80● Packaging Type: SOP8-PPCharacterDimension (mm) Dimension (Inches)Min Max Min MaxA 1.3501.7500.0530.069 A1 0.1 0.3 0.0040.012B 1.27(Typ.) 0.05(Typ.)b 0.3300.5100.0130.020c 0.9(Typ.) 0.035(Typ.) c1 1.0(Typ.) 0.039(Typ.)D 5.8 6.20.2280.244 D1 3.202 3.402 0.1260.134E 3.8004.0000.1500.157 E1 2.313 2.5130.0910.099F 4.7 5.10.1850.201 L 0.6750.7250.0270.029G 0.32(Typ.) 0.013(Typ.) R 0.15(Typ.) 0.006(Typ.) θ1 7°7°θ8°8°。
高压升压boost方案引言高压升压(boost)方案是一种常见的电路设计方案，用于将低电压升至较高电压的电路。
在许多电子设备中，需要使用较高的电压来驱动特定的元件或执行特定的功能。
本文将介绍高压升压Boost方案的原理、应用、设计步骤以及常见问题和解决方案。
原理高压升压Boost方案使用一种称为升压转换器的电路来将低电压转换为高电压。
这种电路通常由以下几个关键部分组成：1.输入电源：提供低电压输入能量的电源，通常是电池或低压直流电源。
2.电感：通过电感储存能量，并在合适的时机释放能量。
3.开关管：控制电路的打开和关闭，以控制能量的传输。
4.整流器：将储存在电感中的能量转换为所需的高电压输出。
高压升压Boost方案的基本工作原理是：在时间t1，开关管打开，电感储存能量；在时间t2，开关管关闭，电感释放储存的能量；在时间t3，能量通过整流器转换为高电压输出。
这个过程不断循环，以提供稳定的高电压输出。
应用高压升压Boost方案广泛应用于许多电子设备中，包括但不限于以下领域：1.电池供电设备：在一些需要高电压驱动的设备中，使用高压升压方案可以提高设备的效率。
2.LED照明：在LED驱动电路中，使用高压升压方案可以提供足够的电压来驱动LED灯。
3.通信设备：在一些无线通信设备中，使用高压升压方案可以提供足够的电压来驱动射频模块。
4.物联网设备：在一些物联网设备中，例如传感器节点，使用高压升压方案可以提供所需的高电压。
设计步骤设计一个高压升压Boost方案需要经过以下几个步骤：1.确定输出电压：根据应用需求确定所需的高电压输出。
2.计算工作周期：根据输入电压和输出电压计算工作周期和占空比。
3.选择元器件：根据工作周期和电流要求选择合适的电感、开关管和整流器。
4.建立电路图：根据选定的元器件，绘制高压升压Boost方案的电路图。
5.进行模拟仿真：使用电路仿真工具验证电路的性能和稳定性。
6.调整参数和优化设计：根据仿真结果调整元器件参数并优化设计，以达到最佳的高压升压效果。
基于DCDC的大电流升压电路方案
大电流升压电路是指能够将低电压的电源输入转换为高电压输出的电路。
而DCDC（Direct Current to Direct Current）是直流电源电压转
换技术的缩写，用于将直流电源的电压从一种级别转换为另一种级别。
1. 拓扑结构选择：大电流升压电路可以采用多种拓扑结构，如升压
转换器拓扑、Boost拓扑、Flyback拓扑等。
在选择拓扑结构时需要考虑
输入、输出电压范围、转换效率、输出电流能力等因素。
2.控制策略设计：大电流升压电路需要采用适当的控制策略来实现稳
定的输出电压和输出电流。
常用的控制策略包括脉宽调制（PWM）控制、
电流模式控制（CMC）等。
同时，为了实现高效率的能量转换，还可以采
用最大功率点追踪（MPPT）算法，以提高电路效率。
3.元件选型：大电流升压电路需要选择适合的功率元件，如开关管、
电感、电容等。
开关管需要具备低导通电阻、高开关速度等特点，以减少
功率损耗。
电感则需要具备低电阻、高饱和电流等特性，以实现高效率的
能量转换。
4.保护措施：大电流升压电路在实际应用中需要加入各种保护措施，
以提高电路的可靠性和安全性。
常见的保护措施包括输入过压保护、输出
过压保护、过流保护、短路保护等。
综上所述，基于DCDC的大电流升压电路方案需要综合考虑拓扑结构、控制策略、元件选型和保护措施，以实现高效率、稳定可靠的电压升压功能。
在实际设计中，还需要根据具体应用需求、成本要求和性能指标等因
素进行综合权衡，以找到最合适的方案。
升压应用升压芯片lp3110可替代升压ic40041、LowPowerSemi微源半導體升压应用升压芯片LP3110可替代升压IC4004升压电路，是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高.有的升压电路能到达数倍电源电压，升压IC4004就是这样的芯片。
下面一起来了解一下升压电路原理。
举个简洁的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效皮管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来?就是用升压。
通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，升压电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用升压电路只是在2、实践中定的名称，在理论上没有这个概念。
升压电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。
甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo到达Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。
其中重要的缘由就需要一个高于Vcc的电压。
所以采纳升压电路来升压升压式DC/DC变换器主要用于输出电流较小的场合，只要采纳1?2节电池便可获得3?12V工作电压，工作电流可达几十毫安至几百毫安，其转换效率可达70%-80%o 升压式DC/DC变换器的基本工作原理如下图。
LowPowerSemi微源半導體电路中的VT为开关管，当脉冲振荡器3、对双稳态电路置位(即Q端为1)时，VT导通，电感VT中流过电流并储存能量，直到电感电流在RS上的压降等于比较器设定的闽值电压时，双稳态电路复位，即Q端为0。
此时VT截止，电感LT中储存的能量通过一极管VD1供给负载，同时对C进行充电。
当负载电压要跌落时，电容C放电，这时输出端可获得高于输大端的稳定电压。
输出的电压由分压器R1和R2分压后输入误差放大器，并与基准电压一起去掌握脉冲宽度，由此而获得所需要的电压，即VO=VR*(R1/R2+1)式中:VR——基准电压DC/DC升压有三种基本工作方式：一种是电感电流处于连续工作模式，即电感上电流始终有4、电流；一种是电感电流处于断续工作模式，即在开关截止末期电感上电流发生断流；还有一种是电感电流处于临界连续模式，即在开关截止期间电感电流刚好变为0时，开关又导通给电感储能。
QX2303 1 of 17 概述 QX2303系列产品是一种高效率、低纹波、工作频率高的PFM升压DC-DC变换器。
QX2303系列产品仅需要四个元器,就可完成将低输入的电池电压变换升压到所需的工作电压，非常适合于便携式1～4 节普通电池应 用的场合。
电路采用了高性能、低功耗的参考电压电路结构，同时在生产中引入修正技术，保证了输出电压的高输出精度及低温度漂移。
QX2303可提供SOT-23-3, SOT-23-5, SOT-89封装形式,SOT23-5封装内置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降至最小。 订货信息
特性 ¾ 最高工作频率:300KHz ¾ 输出电压:2.0V～5.0V（步进0.1V） ¾ 低起动电压：0.8V(1mA) ¾ 输出精度:优于±2.5% ¾ 最高效率:87% ¾ 输出电流：大于300mA（Vi=2.5V，Vo=3.3V） ¾ 低纹波，低噪声
应用范围 1～3个干电池的电子设备,如：电子词典、数码相机、LED手电筒、LED灯、血压计、MP3、遥控玩具、无线耳机、无线鼠标键盘、医疗器械、防丢器、汽车防盗器、充电器、VCR、PDA等手持电子设备
PFM 升压 DC-DC变换器 QX2303
2 of 17 典型应用电路图 QX2303
3 of 17 方框图 QX2303
4 of 17 管脚定义 封装型式和管脚号 符号 QX2303 LXXT SOT-23-3 QX2303 LXXF SOT-23-5 QX2303 LXXE SOT-89 说明
LX 2 5 3 开关脚
VOUT 3 2 2 输出电压
EN - 1 - 使能端
GND 1 4 1 地
EXT 3 扩展脚 QX2303
5 of 17 最大额定参数值 参数 符 号 说 明 典型值 单位Vmax 供给UOUT和VLX端的最大电压值 8 V 电压 Vmin-max 在EN端的电压范围 -0.3-VOUT+0.3V
电流 ILXmax LX端最大电流 1000 mA
Psot-23-3 SOT-23-3封装最大电流功耗 0.25 W Psot-23-5 SOT-23-5封装最大电源功耗 0.25 W 电源功耗 Psot-89 SOT-89封装最大电源功耗 0.5 W Tmin-max 工作温度范围 -20-85 oC 温度 Tstorage 存储温度范围 -40-165 oC
ESD VESD 人体静电耐压值 2000 V
电气特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位输出电压精度 △VOUT -2.5 2.5 %
最大输入电压 VINMAX 0.7 VOUT V
起动电压 VSTART ILOAD=1mA, VIN:0→2V 1.2 V
保持电压 VHOLD ILOAD=1mA, VIN:2→0V 0.9 V
最大振荡频率 FMAX 200 300 350 KHz
振荡信号占空比 DCOSC 75 80 85 %
效率 η 84 88 %
限流 ILIMIT 600 800 1000 mA
VIN=1.8V VOUT=3.0V 11.8 uA 无负载状态下输入电流 IIN0
VIN=1.8V VOUT=5.0V 7 uA
待机（省电）状态输入电流 IINQ No load, EN=“low” 1 uA
EN “高”电压值 0.4*VOUT V
EN “低”电压值 0.2 V
EN “高” 输入电流 0.1 uA
-0.1 uA QX2303 6 of 17 应用指引 QX2303是一款BOOST 结构、电压型PFM控制模式的DC-DC转换电路。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM 控制电路、过流保护电路以及功率管。QX2303所需的外部元器件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~6.0V 的稳定的低噪声输出电压。
PFM控制电路是QX2303的核心，该模块根据其他模块传递的输入电压信号、负载信号和电流信号来控制功率管的开关，从而达到控制电路恒压输出的作用。在PFM控制系统中，固定震荡频率和脉宽，稳定的输出电压是根据输入-输出电压比例以及负载情况通过削脉冲来调节在单位时间内功率管导通时间来实现。震荡电路提供基准震荡频率和固定的脉宽。参考电压电路提供稳定的参考电平。并且由于采用内部的修正技术，保证了输出电压精度达到±2.5%，同时由于参考电压经过精心的温度补偿设计考虑，使得芯片的输出电压的温度漂移系数小于100ppm/℃。高增益的误差放大器保证了在不同输入电压和不同负载电流情况下稳定的输出电压。为了减小输出电压的纹波和噪声，误差放大器采用施密特比较器结构，同时具备很快的响应速度。 BOOST结构DC-DC转换器的功率损耗主要是由于电感的寄生串联电阻、肖特基二极管的正
向导通压降、功率管的导通电阻以及控制功率管信号的驱动能力这四个方面，当然芯片本身消耗的静态功耗在低负载的情况下也会影响转换效率。为了获得较高的转换效率，除了用户选择合适的电感、肖特基二极管和电容外，芯片内部的功率管导通电阻也非常小。功率管有驱动能力很强的驱动电路驱动，保证功率管开关时的上升沿和下降沿很陡，大大减小了开关状态时的功率损耗。
外围元器件选择 如上所述，电感、肖特基二极管会很大程度地影响转换效率，电容和电感会影响输出的纹波。选择合适的电感、电容、肖特基二极管可以获得高转换效率、低纹波、低噪声。在讨论之前，定义
（1）电感选择 电感值有以下几个方面需要考虑： 首先是需要保证能够使得BOOST DC-DC在连续电流模式能够正常工作需要的最小电感值Lmin，
该公式是在连续电流模式，忽略其他诸如寄生电阻、二极管的导通压降的情况下推导出的，实际的值还要大一些。如果电感小于Lmin，电感会发生磁饱和，造成的效率大大下降，甚至不能正常输出稳定电压。其次，考虑到通过电 QX2303 7 of 17 感的电流纹波问题，同样在连续电流模式下忽略寄生参数，
当L 过小时，会造成电感上的电流纹波过大，造成通过电感、肖特基二极管和芯片中的功率管的最大电流过大。由于功率管的不是理想的，所以在特别大的电流时在功率管上的功率损耗会加大，导致整个DC-DC 电路的转换效率降低。第三，一般来说，不考虑效率问题，小电感可以带动的负载能力强于大电感。但是由于在相同负载条件下，大电感的电流纹波和最大的电流值小，所以大电感可以使得电路在更低的输入电压下启动。（以上均是在相同的寄生电阻条件下推导出的结论）QX2303的工作频率高达300KHz，目的是为了能够减小外部的电感尺寸，QX2303只需要4.7uH以上的电感就可以保证正常工作，但是输出端如果需要输出大电流负载（例如：输出电流大于50mA），为了提高工作效率，建议使用较大电感。同时，在大负载下，电感上的串联电阻会极大地影响转换效率，假设电感上的电阻为rL，负载电阻Rload，那么在电感上的功率损耗大致如下式计算：
例如当输入1.5V，输出3.0V，负载20Ω（150mA），rL=0.5Ω，效率损失10%。综合考虑，建议使用47uH、<0.5Ω 的电感。如果需要提高大负载效率，需要使用更大电感值、更小寄生电阻值的电感。 （2）输出电容选择 不考虑电容的等效串联电阻（ESR），输出电压的纹波为：
所以为了减小输出的纹波，需要比较大的输出电容值。但是输出电容过大，就会 使得系统的反应时间过慢,成本也会加大。所以建议使用22uF电容，如果需要更小的纹波，则需要更大的电容。如果负载较小（10mA 左右），可以使用较小电容。 当考虑电容的ESR 时，输出纹波就会增加：
当大负载的时候，由于ESR 造成的纹波将成为最主要的因素，可能会大大超过100mV。同时，ESR又会增加效率损耗，降低转换效率。所以建议使用ESR 低的钽电容，或者多个电容并联使用。 （3）二极管有选择 用于整流的二极管对DC-DC的效率影响很大，虽然普通的二极管也能够使得DC-DC 5~10%的效率，所以建议使用正向导通电压低、反应时间快的肖特基二极管，例如1N5817、1N5819、1N5822 等。 QX2303 8 of 17 （4）输入电容 电源稳定，即使没有输入滤波电容，DC-DC 电路也可以输出低纹波、低噪声的电流电压。但是当电源离DC-DC 电路较远，建议在DC-DC 的输入端加上10uF 以上的滤波电容，用于减小输出的噪声。
典型特性曲线 QX2303
9 of 17 QX2303
10 of 17
