CCM摄像头生产工艺和流程图课件

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去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型 阱区 域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离 分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用 投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度 和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片 表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。
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离子植入磷离子(+5)，所以出现多 余电子，呈现负电荷状态。电荷移动速 度高于P型约0.25倍。以缓冲氢氟酸液去 除二氧化硅层。
甘油
甘油
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然后在表面氧化二氧化硅膜以减小 后一步氮化硅对晶圆的表面应力。
涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
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光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧 烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸 去除或含CF4气体的等离子刻蚀 (RIE)。
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以类似的方法，形成PMOS，植入硼 (+3)离子。 (后序中的PSG或BPSG能很好 的稳定能动钠离子，以保证MOS电压稳定)。
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后序中的二氧化硅层皆是化学反应沉 积而成，其中加入PH3形成PSG (phosphosilicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (borophospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓 PECVD (plasma enhanced CVD) 在普通 CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活 化以降低反应温度)。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例

• Strip Nitride layer - Phosophoric acid (磷酸) or plasma etch，选择性问题 • 薄的SiO2层，厚的Si3N4层，避免鸟喙(bird’s beak)的影响
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2.3 N阱和P阱的形成
P-well Fabrication
• Photolithography (套刻) - Mask #2 pattern alignment and UV exposure - Rinse away non-pattern PR
Si,(100), P Type,25~50Ωcm
• -
Substrate selection: moderately high resistivity (25-50 ohm-cm) (100) orientation 1st Mask Photoresist P- type.
• spinning and baking @ 100º C (≈ 0.5 1.0 µ m)
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2.5 前端或延伸区(LDD)的形成
目标：
•NMOS器件中的N-注入区 •PMOS器件中的P-注入区 •多晶硅栅的两侧形成侧壁隔离层的薄氧 化层
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Extension (LDD) Formation NMOS
• Photolithography - Mask #7 pattern alignment and UV exposure - Rinse away non-pattern PR • Ion Implantation - P+ ion bombardment - 50keV for 5 × 1013cm-2 • Strip Photoresist LDD: • Lightly Doped Drain (轻掺杂漏) • Reduce short channel effects due to gate voltage magnitudes and electric fields • Source and Drain must be layered as NMOS:N+ N- P or PMOS: P+ P- N

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P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
43
形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅
– 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来
– 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
44
光刻胶
31P+
11B+
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合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺
CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
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4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
54
首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
阈值电压调整注入 光刻3，VTP调整注入 光刻4，VTN调整注入
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P阱
N阱
形成多晶硅栅（栅定义）
– 生长栅氧化层 – 淀积多晶硅 – 光刻5， 刻蚀多晶硅栅
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形成硅化物
– 淀积氧化层 – 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall） – 淀积难熔金属Ti或Co等 – 低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi – 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co – 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2

合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
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4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
54
首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
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P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
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形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅 – 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 – 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
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光刻胶
31P+
11B+
甘油
甘油
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然后在表面氧化二氧化硅膜以减小 后一步氮化硅对晶圆的表面应力。 涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
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光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧 烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸 去除或含CF4气体的等离子刻蚀 (RIE)。
P sub. 〈100〉
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+

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2.1 .1
铝
1.1 铝是一种经常被采用的金属互连材料，主要优点是: ➢ 在室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm； ➢ 与n+、p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2； ➢ 与硅和磷硅玻璃的附着性很好； ➢ 经过短时间热处理后，与SiO2、Si3N4等绝缘层的黏附性很好； ➢ 易于淀积和刻蚀。
为了形成好的欧姆接触，一般采用双层结构，硅化物作为欧姆接触 ，TiN、TaN或WN作为阻挡层。
2.2.2 Cu作为互连材料
Cu的性质与铝不同，不能采用传统的以铝作为互连材料的布线工艺。 以Cu作为互连的集成技术是IC制造技术进入到0.18μm及其以下时代必须 面对的挑战之一。
对以Cu作为互连的工艺来说，目前被人们看好并被普遍采用的技术方 案是双大马士革(Dual Damascene) (双镶嵌)工艺。 主要特点：对任何一层进行互连材料淀积的同时，也对该层与下层之间 的通孔(Via)进行填充，而CMP平整化工艺只对导电金属层材料进行。与 传统的互连工艺相比，工艺步骤得到简化，工艺成本也相应降低。
– CMP除去表面的氧化层 – 到Si3N4层为止
No current can flow through here!
Future PMOS Transistor
Silicon Nitride Future NMOS Transistor
Silicon Epi Layer P-
图(d)是第三类平坦化技术 ，是使局域达到完全平坦化， 使用牺牲层技术可以实现局域 完全平坦化；
图(e)是第四类平坦化技术 ，是整个硅片表面平坦化，化 学机械抛光(CMP)方法就是可 实现整个硅片平坦化的方法。
四、CMOS工艺
CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即 互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原 料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET）集成在一块硅片上。

200 400 600
Pixel
100 %
60%
0.8
80%
800 1000 1200 1400 200 400 600
0%
0.7 0.6 0.5 0.4 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 Pixel 0.3
阴影图片
CONFIDENTIAL
JViE
4
Lens光学特性-Shading
Ⅱ. Shading Test
TestChart
TestDiffuser Test Methodology Shading=(I_Corner / I_Center)*100%
注：I为影像亮度值 Test Block=image length/16*image width/16
CONFIDENTIAL
相对比较
相对比较
5.应用
高端摄像器材 (照相机，摄影机等)
CONFIDENTIAL
JViE
3
Lens工艺流程-玻璃镜片生产
空白材料
球面成型
抛光
定中心
镜片成品
镀膜
CONFIDENTIAL
清洁
JViE
3
Lens工艺流程-塑料镜片生产
原材料
烘烤
注塑
成型
镜片成品
镀膜
装Tray
CONFIDENTIAL
切割
物 体
对角线视 角
水平视 角
垂直视 角
传感器
CONFIDENTIAL
JViE
4
Lens光学特性-FOV
Ⅱ. FOV Test
Test Chart
FOV Test Chart Test Methodology

组装测试管控重點
● 贴背胶与序号 作业重点：
1.将背胶从玻璃纸上撕起，背 胶缺口孔处需对准module之 定位孔处，背胶边需与PCB板
两边切齐 2.在PCB板正面如下图位置贴 上条码贴纸, 注意贴纸不可有 不平整、歪斜、贴反之现象
外观检验管控重點
● 全功能&FQC外观检验： 作业重点：
1.产品长.宽.高的检验。 2.目测检验PCB板定位孔内不可有异物或胶等
Toshiba(东芝）
Sony（索尼）、Philips（飞利 浦）、Panasonic（松下）、 Fujifilm（富士） 、Kodak（柯 达）、 Sanyo（三洋） 、Sharp
（夏普）
DSP
DSP的功用，主要是接收Sensor所傳送的資料，當 Sensor接收到光源資料後便會將資料輸出，接下來再由 DSP接收，之後DSP會將此訊號換成USB訊號傳送給電腦。
code。
Sensor
Sensor 是用以感測光線再將其轉為電子訊號的裝置。而 Sensor可以分為CMOS與CCD兩種不同的種類。而不論是 CMOS或CCD都是用矽感光二極體來進行光與電的轉換，所以 光線越強，訊號也會越強。因CMOS與CCD本身的工作原理就 有相當大的差異，相對的CMOS與CCD也各有不同的優缺點。
相當多的Sensor本身都擁有 ISP (Image Signal Processor)，此類的Sensor本身可以自己對影像做處理， 所以傳送給DSP的資料皆是已經處理完畢的影像，DSP只需 要將Sensor 的YUV 訊號轉成USB就可以了，或是進而將影
像壓縮，轉換成 Motion JPEG的壓縮格式。
● 电流测试 作业重点： 用测试线连接电脑、电流表和 module ，检测 module的待机电流和工作电流是否在正常范 围之内，如右图所示。翻开影像后并检查画面 是否正常。如有LED灯的，要查看翻开影像后 其是否亮起。

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平坦化工艺（常用工艺）
为改善台阶覆盖，保证多层布线的中间隔离 层质量，目前有很多种方法： Multistep process : dep/etch/dep／etch process，
目前0.6um工艺采用淀积18KPETEOS，之后 ETCHBACK至12.5K。 SOG（spin-on glass):具有下述优点1）工艺简单； 2）低缺陷密度；3）高产出；4）低成本. CMP（chemical mechanical polishing)，应用于 介质以及多层步线步骤
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隔离技术(LOCOS 图）
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隔离技术(LOCOS 工艺流程）
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隔离技术(改善LOCOS B.B方法）
• 右图为部分在线 使用的LOCOS工 艺。
• 在线降低B.B方法 有：
1，降低场氧厚度； 2，增加SIN厚度，
降低PAD OXIDE 厚度； 3，场氧后增加回刻。
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隔离技术(关于场注入）
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栅的完成(工艺流程）
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栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Sca-oxide and Strip
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
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栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Gate Oxide
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
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栅的完成(流程图CROSS SECTION）
闩锁效应是CMOS工艺中固有的问题，影响闩 锁效应的主要参数是阱和衬底的电阻Rwell 和Rsub以及寄生晶体管的电流增益βnpn和 βpnp。通过降低Rwell和Rsub，使βnpn*βpnp 小于1，从而避免闩锁效应。
12

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形成第一层金属
– 淀积金属钨(W)，形成钨塞
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形成第一层金属
– 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 – 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 – 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
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正硅酸乙脂（TEOS）分解 650～750℃
形成穿通接触孔
– 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解
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多晶硅淀积
栅氧化层
多晶硅 N阱
32
光刻4，刻NMOS管硅栅， 磷离子注入形成NMOS管
NMOS管硅栅
用光刻胶做掩蔽 N阱
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光刻5，刻PMOS管硅栅， 硼离子注入及推进，形成PMOS管
用光刻胶做掩蔽
PMOS管硅栅
N阱
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磷硅玻璃淀积
磷硅玻璃 N阱
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光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流 （图中有误，没刻出孔)
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
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N阱 P sub. 〈100〉
形成P阱
– 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层 保护而不会被氧化
– 去掉光刻胶及氮化硅层 – P阱离子注入，注硼
N阱
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蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔
（图中展示的是刻铝后的图形）
Vin
VSS
NMOS管硅栅
磷硅玻璃
PMOS管硅栅 Vo
VDD
硼注入
P-SUB
N阱
磷注入
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离子注入的应用
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阻值
马达的正极和负极之间的电阻值
tilt
马达在静止或运动.的过程中，出现倾斜和偏移现象
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Sensor简介
Sensor：图像传感器，又称芯片、晶圆、Wafer。是感光元器件，主要作用 是将光信号转换为电信号。主要分为CCD和CMOS两种。
CMOS Sensor根据其封装 方式可以分为CSP、COB 两种结构。
印刷QC
T
阶
贴片
段
炉前QC
回流焊
炉后QC
PQC
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）
固化后检查 热固化
镜头搭载 画胶
SMT板清洁 镜头清洁
千级 检测 阶段 （千 级无 尘车 间）
.
分粒 振动 调焦 点螺纹胶 UV固化 功能FQC 外观FQC
OQC 贴膜
OQC
包装
OQA出货
8
2、COB/COF工艺流程
贴板
锡膏印刷
S
M
印刷QC
T
阶
贴片
段
炉前QC
回流焊
炉后QC
PQC
烘烤后检查
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）
烘烤 H/M W/B后清洗 W/B后检查
镜头清洁
W/B
Plasma Clean
Snap Cure
D/B SMT板清.洗
千级 检测 阶段 （千 级无 尘车 间）
分粒 振动 调焦 点螺纹胶 UV固化 功能FQC 外观FQC
OQC 贴膜
OQC
包装
OQA出货
9
3、AF模组工艺流程
SMT阶段（流程同上）
功测
点螺纹胶
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）