晶体结构缺陷
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晶格的缺陷晶格的缺陷是指晶体结构中存在的各种不完美或异常的位置或排列。
这些缺陷对晶体的物理、化学性质以及材料的性能都会产生重要影响。
本文将从点缺陷、线缺陷和面缺陷三个方面,介绍晶格缺陷的种类、产生原因以及对材料性能的影响。
一、点缺陷1. 点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生变化或缺失。
常见的点缺陷有原子间隙、空位、间隙原子、杂质原子等。
2. 原子间隙是指晶体中存在的原子无法占据的空间,通常是由于晶格结构的不完美而形成。
原子间隙的存在会导致晶体的密度降低,同时对电子和热的传导产生影响。
3. 空位是指晶体中原子位置上缺失了一个原子。
空位会导致晶格的局部变形,降低晶体的机械强度和热稳定性。
4. 间隙原子是指晶体中存在的非晶体或空气中的原子进入了晶体中的间隙位置。
间隙原子的存在会改变晶体的电子结构和热导率。
5. 杂质原子是指晶体中存在的与晶格原子不同种类的原子。
杂质原子的加入会改变晶体的导电性、磁性以及光学性质。
二、线缺陷1. 线缺陷是指晶体结构中存在的一维缺陷,通常是晶体中原子排列发生错位或缺失。
2. 赝位错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生错位,即晶体中的原子位置发生了偏移。
赝位错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
3. 堆垛错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生缺失或添加。
堆垛错会导致晶体局部的结构畸变,进而影响晶体的热稳定性和电子传导性能。
4. 螺错是指晶体中原子排列沿晶体的某一方向发生了扭曲,形成了一种螺旋形的缺陷。
螺错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
三、面缺陷1. 面缺陷是指晶体结构中存在的二维缺陷,通常是晶格面的错位、缺失或添加。
2. 晶界是指晶体中两个晶粒之间的界面。
晶界是晶体中最常见的面缺陷,其形成原因包括晶体生长过程中的结晶不完全以及晶体在变形过程中的再结晶。
晶界会对晶体的力学性能、电学性能以及化学反应产生显著影响。
3. 双晶是指晶体中存在两个晶界的结构。
常见的晶体缺陷
晶体是由原子或分子按照一定规律排列组成的固体物质,而晶体缺陷是指在晶体结构中出现的缺陷或不完美的区域。
晶体缺陷可以是自然形成的,也可以是在制备或处理过程中产生的。
常见的晶体缺陷有以下几种:
1. 位错:指晶体中原子或分子的错位或扭曲现象,是一种线性缺陷。
位错可以分为边缘位错和螺旋位错两种,它们的存在会导致晶体的弹性性质发生变化。
2. 点缺陷:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,是一种点状缺陷。
点缺陷包括空位、附加原子、缺失原子和间隙原子等。
3. 晶界:指晶体中不同晶粒之间的交界面。
由于晶界的存在,晶体中的原子排列方式和性质会发生变化,对材料的力学性能和电学性能等都有很大影响。
4. 色心:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,导致能量带结构的改变。
颜色的形成就是由于色心的存在导致。
5. 位隙:指晶体结构中一些原子或分子的位置被其他原子或分子占据,从而形成的空隙。
位隙也会影响晶体的物理性质。
以上就是常见的晶体缺陷,它们的存在会对晶体的性质和应用产生影响。
在材料科学和工程领域中,对晶体缺陷的研究和控制具有重要的意义。
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第四部分晶体结构缺陷讨论晶体结构是,把整个晶体中所有原子都看成按理想的晶格电阵排列。
实际上,在真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都多少存在着对理想晶体结构的偏离。
实际晶体都是非理想的,存在各种晶体结构缺陷。
晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域,这些缺陷的存在并不影响晶体结构的基本特征,只是晶体中少数原子的排列发生改变。
缺陷的存在及其运动规律、缺陷的数量及其分布对材料的行为起着十分重要的作用。
掌握缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
4.1 点缺陷晶体结构缺陷有好几种类型,按其几何形状划分(偏离区域在三维空间的几何特征),可分为三大类型:点缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度均很小,尺寸在1-4个原子大小级别。
线缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度很小,另一方向的尺度很大。
一维缺陷,通常指位错。
面缺陷:缺陷在1个空间方向上的尺度很小,另4个方向的尺度很大。
二维缺陷,通常指晶界和表面。
三种缺陷中,点缺陷是最基本也是最重要的。
4.1.1 点缺陷的类型(1)根据对理想晶格偏离的几何位置及成分可划分为4种类型①空位:正常结点没有被原子或离子所占据,成为空结点。
(空穴)晶体中某结点的原子跳离,迁移到界面或跳到另一个位置。
最重要的点缺陷。
晶体结构中,少了原子,周围原子收缩,产生畸变。
多了原子,周围原子扩张,产生畸变。
这个畸变区域就是缺陷,宏观上看该区域,抽象为几何点。
②间隙原子(离子):原子或离子进入晶格正常结点之间的间隙位置,成为填隙原子或添隙离子。
③杂质原子:外来原子进入晶格成为晶体中的杂质。
置换杂质原子:杂质原子取代原晶格中的原子而进入正常结点位置。
间隙杂质原子:杂质原子进入本来没有原子的间隙位置。
杂质进入晶体可以看作一个溶解过程:杂质为溶质,原晶体为溶剂。
这种溶解了杂质原子的晶体称为固溶体。
(4)根据产生缺陷的原因也可划分为4种类型①热缺陷:当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成缺陷。
晶体缺陷的三种形式晶体缺陷(crystal defects)是指晶体内部结构完整性受到破坏的所在位置。
按其延展程度可分成点缺陷、线缺陷和面缺陷。
在理想完整的晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。
这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。
晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺陷。
表现为晶体结构中局部范围内,质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。
根据错乱排列的展布范围,分为下列3种主要类型。
①点缺陷,只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。
它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙;由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等(图1)。
在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。
图1②线缺陷—位错位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构,可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。
滑移不贯穿整个晶格,晶体缺陷到晶格内部即终止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列,即位错。
这个分界外,即已滑移区和未滑移区的交线,称为位错线。
位错有两种基本类型:位错线与滑移方向垂直,称刃位错,也称棱位错;位错线与滑移方向平行,则称螺旋位错。
刃位错恰似在滑移面一侧的晶格中额外多了半个插入的原子面,后者在位错线处终止(图2)。
螺旋位错在相对滑移的两部分晶格间产生一个台阶,但此台阶到位错线处即告终止,整个面网并未完全错断,致使原来相互平行的一组面网连成了恰似由单个面网所构成的螺旋面。
图2③面缺陷,是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。
主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。
第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。
【解】 MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:????该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。
【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。
【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。
【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F-离子位于基质晶体中F-离子的位置上。
按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。
反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。
????再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。
根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:????此方程亦满足上述3个原则。
当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。
【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。
【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:????以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:????这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。
【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:????(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
????(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。
【例3-5】 TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成非化学计量化合物TiO2-x,写出缺陷反应方程式。
【解】非化学计量缺陷的形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小,即在一定气氛性质和压力下到达平衡。
该过程的缺陷反应可用或方程式表示,晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出,同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的来保持电中性,方程两边总有效电荷都等于零。
可以看成是Ti4+被还原为Ti3+,三价Ti占据了四价Ti的位置,因而带一个单位有效负电荷。
而二个Ti3+替代了二个Ti4+,Ti∶O由原来2∶4变为2∶3,因而晶体中出现一个氧空位,带二个单位有效正电荷。
【例3-6】假定把一个Na原子从钠的晶体内部移到边界上所需的能量是1ev,计算定温时(300K)的肖特基空位浓度。
【解】∵=1ev=1××10-19J????∴=exp(-)=×10-15%【例3-7】在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度;如果MgO 晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势请说明原因。
【解】(1)根据MX型晶体中肖特基缺陷浓度公式:????已知:????当T=25℃=298K及T=1600℃=1873K时,????????????(2)在MgO中加入Al2O3的杂质缺陷反应为:????此时产生的缺陷为[]杂质,而[Al2O3]=[]杂质?????当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为 []杂质=[Al2O3]=10-6????由(1)计算在1873K时,[]热=8×10-9????所以:[]杂质>[]热,即1873K时杂质缺陷占优势。
【例3-8】许多晶体在高能射线照射下产生不同的颜色,经退火后晶体的颜色又消失,试解释原因。
【解】可通过“色心”的概念来解释。
“色心”是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
一些晶体受到X射线、γ射线、中子或电子辐照,往往会产生颜色。
例如,金刚石用电子轰击,产生蓝色;石英在反应堆中用中子辐照以后,产生棕色。
这些颜色的产生是由于辐照破坏晶格,并产生各种类型的点缺陷的缘故。
为在缺陷区域保持电中性,过剩的电子或过剩正电荷(电子空穴)就处在缺陷的位置上,与原子周围的电子具有一系列分离的允许能级一样,束缚在点缺陷上的电荷,也具有这样的一组能极。
这些允许能极相当于在可见光谱区域的光子能级。
因而,在缺陷位置上也就能吸收一定波长的光,这样材料就出现某种颜色。
把这种经过辐照而变色的晶体加热,能使缺陷扩散而消失或产生复合,使辐照破坏得到修复,晶体失去颜色。
【提示】研究最详细的色心是F-色心(F-centre)(由德语Farbe-Colout而得),当碱金属卤化物晶体在碱金属蒸汽中加热,然后快速淬火时,就产生F-色心。
例如,NaCl在Na蒸汽中加热得到黄棕色。
当NaCl晶体被加热时,Na扩散到晶体的内部,以过剩的Na+离子存在。
由于缺乏C1-离子,过剩的Na+离子将伴随相当数目的氯离子空位。
为了保持电中性,从Na来的一个价电子被吸引到负离子空位上,并在那里被捕获(正象在理想晶体中,一个价电子将被一个C1原子所吸引,生成一个C1-离子一样)。
因此,F-色心是由一个负离子空位和一个在此位置上的电子组成的。
它是一个陷落电子中心(captured traopped-electron centre),F-色心如教材图3-11所示,F-色心也就是捕获了电子的负离子空位。
前面曾提到负离子空位带正电荷,对于氯离子空位是带一个正电荷,现在它又捕获了一个电子,因此,F-色心的构造很象一个氯原子。
【例3-9】在MgO-Al2O3和PbTiO3-PbZrO3,哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体为什么【解】(1)MgO-Al2O3只能形成有限固溶体。
????原因:MgO与Al2O3的结构类型不同,虽然可以通过不等价离子代换并且形成空位来平衡电荷以形成置换型固溶体,但是置换量总是有限的。
固溶方程:Al2O3 2 Al+3O+V????固溶体分子式为:Mg1-3x Al2x O(2)PbTiO3-PbZrO3能形成完全互溶的置换型固溶体。
????原因:1)结构类型相同????2)=,,= nm????=×100%=%<15%【例3-10】将CaO外加到ZrO2中去生成固溶体,具有立方萤石结构,试验测定:当溶入量为时,晶胞常数a=,密度D=cm3。
试通过计算判断生成哪种类型固溶体(置换性型或间隙型)。
已知:原子量 Ca ,Zr? , O【解】(1)设形成置换型固溶体????则:CaO++????固溶体分子式为:Zr1-x Ca x O2-x,x=????即:????置换型固溶体的密度为:????D1===cm3????其中M——置换型固溶体的分子量????——阿佛加德罗常数????(2)又设形成间隙型固溶体????则CaO++????固溶体分子式为:????????? x=????即:????形成间隙型固溶体的密度为:????D2===cm3 ????将计算结果与实验测定结果比较D1更接近于实测值,所以生成置换型固溶体。
【例3-11】非化学计量化合物Fe x O中,Fe3+/Fe2+=,求Fe x O中空位浓度及x值。
【解】非化学计量化合物Fe x O,可认为是a(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:a??????????? 2a????? a????此固溶体(非化学计量化合物)的组成为:????已知:Fe3+/Fe2+=????则:??? a=??? ?x=2a+(1-3a)=1-a=????又????正常格点数N=1+x=1+=????空位浓度为????(热缺陷浓度可忽略不计)【例3-12】非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的压,非化学计量化合物及的密度将发生怎样的变化增大减小为什么【解】化学计量化合物Fe1-x O,是由于正离子空位,引起负离子过剩????按质量作用定律,平衡常数得:????即:铁空位浓度和氧分压的次方成正比,故当周围氧分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-x O的密度也将减小。
化学计量化合物Zn1+x O,由于正离子填隙,使金属离子过剩:????按质量作用定律:得:????即:间隙离子的浓度与氧分压的次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+x O的密度也减小。
【例3-13】试确定面心立方晶体在()[110]滑移系统滑移时的伯氏矢量。
【解】晶体在()[110]滑移系统滑移时,其滑移矢量在[110]晶向上。
从任一原子位置向前方另一原子位置引出的矢量,也就是从晶胞坐标原点[0,0,0]向(001)晶面的晶胞面心[1/2, 1/2,0]所引出的矢量。
该矢量在晶胞坐标轴X、Y、Z三轴上的分量依次为a/2、a/2、0,因此,用它表示的伯氏矢量的符号为:b,此即位错的单位滑移矢量。
【提示】对于面心立方晶体而言,其密排面的密排方向在面对角线方向,因此,晶体滑移时,每次滑移的距离即为面对角线的一半,即。
这与滑移矢量b的模的大小是一致的。