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、来料检验标准版本：第三版文件编号：WI/HV-12-017受控状态：三端精密稳压器（431BCZ）修改页：第17 页共53页抽样来料检验标准：依据MIL-STD-105D-Ⅱ；MI：AQL=1.0；MA：AQL= 0.65；CR：AQL=0.4MI：次要缺陷MA：主要缺陷CR：致命缺陷精密稳压器：IC2 LM431BCZ TO-92序号检验项目检验标准及要求AQL 检验方法1 外观丝印丝印是否清晰可辩，标识是否与来料相符。
MI 目测元件体检查三极管的引脚是否氧化，元件体是否有毛刺和破损。
MI 目测2 尺寸符合产品工程图，符合实际装配。
MA 游标卡尺第21 页共53页抽样来料检验标准：依据MIL-STD-105D-Ⅱ；MI：AQL=1.0；MA：AQL= 0.65；CR：AQL=0.4MI：次要缺陷MA：主要缺陷CR：致命缺陷序号检验项目检验标准及要求AQL 检验方法1 外观丝印丝印是否清晰可辩，标识是否与来料相符。
MI 目测元件体元件体是否有毛刺、破损、开裂口等。
MI 目测黑点杂质：Ф=(A+B)/2。
Ф≤0.1㎜，允收。
Ф≤0.15㎜允许2点，且相间距大于5㎜允收。
MA 量规划痕：宽度≤0.02㎜，允收。
宽度≤0.04㎜，长度≤3.0㎜不多于2条允收。
MA 量规透光点：Ф≤0.2㎜半透点，允收。
Ф≤0.25㎜半透点允许2点，且相间距大于5㎜允收。
Ф≥0.15㎜全透点，拒收。
MA 量规花状斑纹：S≤2×2㎜半透块一处，允收。
S≤2×1.5㎜全透块，拒收。
MA 游标卡尺PCB封装：要求选用双面板。
PCB面高出胶壳面小于0.3mm。
MA 游标卡尺拟制：审核：批准：日期日期日期来料检验标准版本：第三版文件编号：WI/HV-12-021受控状态：背光源修改页：A第21A 页共53 页抽样来料检验标准：依据MIL-STD-105D-Ⅱ；MI：AQL=1.0；MA：AQL= 0.65；CR：AQL=0.4MI：次要缺陷MA：主要缺陷CR：致命缺陷序号检验项目检验标准及要求AQL 检验方法1 外观引出线及焊点：1．采用优质胶质30#多股镀锌铜芯线，开线3.0mm镀锡。
元器件二次筛选过程中的质量控制王小萍【摘要】元器件二次筛选的目的是在于通过对产品实施非破坏性筛选试验,剔除具有潜在缺陷的早期失效产品,为整机的可靠性提供重要保证.为了获得良好的筛选效果,需要选择有效的筛选项目和方法.电容器和分立器件由于结构材料特殊,应用广泛,也容易在二筛过程中造成误判或由于操作不当引入新的失效或隐患,二次筛选过程中的质量控制尤为重要.选择电容器和分立器件,从筛选中最为重要的测试和电老炼两个方面着手,结合静电防护,对二筛过程的质量控制进行阐述.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2016(016)006【总页数】4页(P39-42)【关键词】二次筛选;静电防护;测试;电老化【作者】王小萍【作者单位】中国电子科技集团公司第55研究所,南京210016【正文语种】中文【中图分类】TN306电子元器件的质量是整个产品质量的基础,一个小小的元器件失效可能会导致整机失效,造成重大损失,所以军工产品所用的元器件均要求进行100%二次筛选.元器件二次筛选的目的是通过对产品实施非破坏性筛选试验,剔除具有潜在缺陷的早期失效产品,以提高批产品的可靠性,同时加强对进口元器件的管理和质量控制.国内许多军工单位为了提高整机产品的质量可靠性,依据GJB7243-2011《军用电子元器件筛选技术要求》等标准,各自制定了相应元器件的二次筛选规范,但这些规范中的筛选项目和筛选要求总体一致.元件的二次筛选项目一般为外观检查→常温初测→温度循环→高温电老炼→常温终测→外观复查;以电容为例,筛选过程中常见的失效模式有击穿、开路、电参数超差(电容量超差、损耗角正切增大、绝缘电阻下降或漏电流上升、介质耐压下降等).器件的二次筛选项目一般为外观检查→常温初测→高温贮存→温度循环→恒定加速度(空腔器件)→PIND(空腔器件)→高温反偏→常温中测→电老炼→密封性检查→常温终测→外观复查.以分立器件为例,筛选过程中常见的失效模式为反向漏电流增大、击穿电压下降、工作性能退化、空腔内有活动多余物、漏气等.塑封器件由于其结构的特殊性,依据NASA标准PEM-INST-001《塑封微电路选择、筛选和鉴定指南》,筛选项目一般为外观检查→温度循环→声扫→X射线检查→测试→外观检查,试验结束后再抽样进行DPA试验.由于要去除声扫中的水汽,试验结束后应进行125℃、16～24 h的高温烘培.塑封器件常见的失效模式为内部分层、开裂.元器件二次筛选的具体要求主要按照GJB360、GJB128、GJB548及各自的总规范.在元器件的二次筛选中,由于经验不足会造成误判,或由于操作不当会引入其他缺陷或隐患,因此元器件二次筛选过程中的质量控制尤为重要.元器件品种繁多,不可能一一列举,而电容器和分立器件由于结构材料比较特殊,容易在二筛过程中误判或引入新的失效,而且微波管由于频率高,测试和老化有一定的难度.下面就选取电容器和分立器件,从筛选中最为重要的测试和电老炼两个方面着手,阐述二筛过程中的质量控制.3.1 元器件的测试夹取元器件时应轻拿轻放,插入或拔出测试夹具时不易用力过猛,否则容易造成管腿弯曲变形;不得用手直接接触元器件,以免手上的汗渍腐蚀管腿;根据元器件不同的防静电级别,做好相应的防静电措施.3.1.1 固体钽电容测试固体钽电容为有极性电容器,所以不能施加反向电压.由于钽电容的容值和损耗角正切需要在1 V的交流下测试,为了平衡负压,测试时一定要加上2 V左右的直流偏置.国产钽电容每个产品说明书中都有明确的直流偏置的规定,但进口钽电容(如KEMET公司)只在产品手册总的概述里提过,所有具体型号的手册里都没有表明直流偏置电压,如果工作经验不足,会给测试的钽电容留下安全隐患.在测试过程中,如不慎使钽电容承受了不应有的反向电压,即使其各项参数仍然合格,也应将该钽电容报废,因为其寿命会大大缩短.固体钽电容的电参数恶化主要表现为漏电流偏大,这是决定电容器寿命的固有因数,因此虽然所有的产品手册中都规定了漏电流的测试时间为5 min,但实际测试时间为10 s以内(特殊大电容除外),生产厂家一般控制在5 s.固体钽电容在测试后应充分放电,防止钽电容之间互相放电失效.3.1.2 瓷介电容器测试当C≥1 μF时采用并联测试法,当C<1 μF时采用串联测试法.测试电压和频率对大容量二类瓷介电容器的电容值测试值影响较大,有时测试结果偏低是由于待测电容容值大,漏电流偏大,引起测试仪器提供的测试电压小于规定值.国内使用的仪表大多为安捷伦LCR测试仪,请将Automatic Level Control(ALC)的功能设为"on".二类瓷介电容器的容值和介质损耗会随时间发生衰减,这种现象就是电容器的"老化",测试前需要对已发生"老化"现象的电容器进行"去老化"处理,一般方法为在上极限温度(或高于极限温度,最高温度可达150℃)下放置1 h再在常温下恢复24 h后,再进行测试.片电容为了防止电极氧化,去老化时一定要将电容抽真空或放置在充氮气的环境中加以保护.空气中湿度过高时,水膜会凝聚在电容器表面,还可能渗透到电容器介质内部,使得电容器的绝缘电阻和介电强度下降,导致测试结果不合格.所以测试环境应满足温度在(25±3)℃之间,湿度在40～60%RH之间.3.1.3 分立器件测试静电放电对半导体器件造成的损伤具有隐蔽性和发展性,这一点使得防静电措施更有必要,总的防范原则一是避免静电,设法消除一切可能出现的静电源;二是消除静电,即设法加速静电荷的逸散泄露,防止静电荷的积累.静电防护区的湿度低于30%时一定要进行人工加湿,用加湿器进行加湿时最好用纯水或蒸馏水,以免自来水中含有的氯使器件引线或金属管壳被腐蚀.在仪器处于待测状态下再将器件放入测试夹具内,关闭电源前一定要将器件从夹具盒内取出.半导体器件在电源开关瞬间、交流电源电压不稳或测试仪器接地不良等情况下,会受到一种随机的短时间高电压或强电流冲击,引起器件芯片发生过电应力损伤.器件的过电应力失效和静电放电失效二者有时在失效现象上无法区分,可以对正常样品进行过电应力和静电放电损伤的模拟试验.比较两者的显微图像,图1和图2是日本富士通生产的FHX76场效应管失效样品的显微图像和声扫图像.在测试产品的极限参数时,测试应力应缓慢逐渐增加,而且不宜超过手册规定的最大值.如在测试FHX76场效应管的UGSO(栅源击穿电压)时,手册中规定测试条件是IGS=-10 μA,合格判据为UGSO≥-3 V.测试时只要将栅源电压加至-3V,判断IGS是否小于-10μA就可以了,不要测出IGS=-10 μA时的栅源电压,以免不小心击穿管子.对于高频分立器件,为了解测试时有无自激振荡,通常使用半导体器件参数分析仪进行动态测试,判断的依据是显示屏上的特性曲线是否平滑,所以不能使用自动测试系统.测试三极管的放大倍数β和场效应管的跨导gm时,如果测试功率过大,测试夹具不能足够散热,产生的热效应就会影响测试结果或者损坏器件,这时就需要尽量缩短测试时间或采用脉冲测试法.在所有测试过程中都必须确保无自激振荡出现.对于微波器件,消除自激目前一般采用馈电网络或在敏感部位贴吸收材料;图3是CaAs场效应管的直流测试和直流老炼推荐使用电路,必要时可在微波输入和输出两端加微波负载电阻进行匹配.利用高温烘箱进行高温测试时,烘箱的外壳和金属内壁应接地良好,防止空间静电场损伤器件;低温测试时,一定要注意测试过程中器件表面不要有凝霜或水汽现象出现,以免损坏器件.3.2 元器件的电老化功率老化是在一定的温度下通过对产品施加一定的电应力,促使早期失效器件存在的潜在缺陷尽快暴露而被剔除,是一种很有效的筛选方法.3.2.1 钽电容电化筛选瓷介电容器通常采用极限温度下额定电压或2倍额定电压老化,但钽电容只能采用85℃下额定电压老化.钽电容的电老化方法通常采用有阻老化和无阻老化两种方法.有阻老化是在每个电容器的正极串一只1 kΩ的电阻,优点是当电容器漏电流增加时会自动降低电容器上的电压,不会烧毁电容,缺点是容易使有缺陷的电容产生自愈恢复,自愈恢复的钽电容寿命会大大缩短,可靠性存在很大的隐患,而且这种电容无法通过测试等手段检测出来;无阻老化时在老化电路中不加保护电阻,优点是能将所有有缺陷的电容剔除,缺点是漏电流持续增加会突然引起有缺陷的电容燃烧,燃烧释放的烟雾又会污染相邻的电容器,造成更多的外观不合格品.目前的电容器自动老炼台有效解决了这个难题,它能在漏电流增加到一定数值时,自动切断此工位的老炼电压,并报警记录.但由于钽电容在高温高压下会突然发生漏电流急剧恶化,过程极为短暂,有时自动老炼台在切断电源前电容器已发生炸毁现象.因此对于小尺寸大容量的钽电容,如果测试时漏电流下降缓慢,电老化时应先取部分钽电容进行评价,且装夹时每个钽电容的安装距离应足够大,以免钽电容高温下突然击穿烧毁而烧坏老化夹具,又污染了邻近的电容. 3.2.2 分立器件老化筛选晶体管是电流控制器,用很小的基极电流IB(通常为微安级)来控制比较大的集电极电流.老化电路通常采用分压器偏压电路,基本示意图如图4所示.但由于每只管子的β不一样,很难得到统一的IC,二筛人员需要将β一样的管子放在一起老炼,还需要调整R1和R2的大小,才能勉强达到需要的IC,由于二筛的元器件数量较多,这样的筛选方法非常繁琐.我们采用在R2上并联一个几千欧姆电位器的方法可以轻松解决这个问题,如图5所示.通过调节电位器的电阻大小来调节R1和R2的比值,从而达到要求的集电极电流.场效应管是电压控制器,通过改变栅源之间的电压UGS来控制漏极电流,老化通常使用自偏压老炼电路,是利用源极上的串联电阻电压给栅极供电,基本示意图如图6所示.同样的道理,要在栅源之间串联一个电位器,通过改变电位器电阻的大小来改变栅源之间的电压,从而达到所需要的漏极电流,如图7所示.分立器件通常采用常温老化和高温老化两种方式,在筛选的过程中,结温的控制非常关键.芯片的结温表示公式为:式中TJ表示芯片结温,TA表示环境温度,P表示器件老化功率,RJA表示芯片结到环境的热阻,TC表示壳温,RJC表示芯片结到壳的热阻.在公式中,TJ、RJA和RJC由手册中可直接查到,P为对老化器件所施加的直流电压与电流的乘积,是二筛人员根据产品手册和实际使用条件,结合环境温度或实际测量的壳温来决定的.决定的依据是让器件在结温下老炼,所加的功率也不得高于器件所能承受的最大功耗.由于器件的散热面通常紧贴散热块,壳温的测量较为困难,通常将热电偶探头通过老炼夹具上的微型测温孔粘到器件的散热表面来测量.我们以器件的结温为控制目标,以器件的壳温作为反馈量,根据壳温动态调整老炼箱的温度或每个工位的加热电阻器,以达到较为精确地控制结温的目的.壳温的大小跟烘箱的温度高低、散热片面积大小、热阻、施加的电压和电流大小有关,热电偶探头安装位置不同,测试结果也可能不一致.对于新增的器件要经过反复验证才能批量投入筛选.元器件的质量是整机产品可靠性的保障,所以二次筛选前一定要正确了解各种元器件的工作原理和使用注意事项,选取合适的二筛条件和二筛项目,这样才能防止二筛过程中出现人为失效,从而通过剔除早期不合格品,提高整机的可靠性水平.王小萍(1975-),女,江苏泰州人,工程师,工作于中国电子科技集团公司第55研究所,多年来一直从事电子元器件二次筛选工作.【相关文献】[1]孙青,庄奕琪,王锡吉,刘发.电子元器件可靠性工程[M].北京:电子工业出版社,2002.[2]姚立真.可靠性物理[M].北京:电子工业出版社,2004.[3]王弘英,王长河,等.微波晶体管测试夹具技术的研究[J].封装、检测与设备,2011,08.014.[4]Thomas L Floyd(美).电子器件[M].北京:科学出版社, 2007.。
元器件二次筛选标准在电子元器件生产过程中，二次筛选是非常重要的环节。
通过二次筛选，可以有效地提高元器件的质量和可靠性，减少故障率，确保产品的稳定性和长期可靠性。
因此，制定合理的元器件二次筛选标准显得尤为重要。
首先，元器件二次筛选标准需要考虑的是元器件的外观质量。
外观质量是影响元器件可靠性的重要因素之一。
在二次筛选中，需要对元器件的外观进行严格检查，包括外观是否完整，是否有变形、裂纹、氧化等情况。
只有外观完好的元器件才能继续进行后续的测试和筛选工作。
其次，元器件的参数测试是二次筛选的重点内容之一。
在参数测试中，需要对元器件的关键参数进行测试，确保元器件的性能符合要求。
例如，对于电阻器来说，需要测试其阻值是否在允许范围内；对于电容器来说，需要测试其容值和损耗因子等参数。
只有在参数测试合格的情况下，元器件才能被认定为合格品。
此外，元器件的可靠性测试也是二次筛选的重要内容之一。
通过可靠性测试，可以评估元器件在长期使用过程中的稳定性和可靠性。
可靠性测试包括高温老化测试、低温测试、温度循环测试、湿热循环测试等。
只有通过可靠性测试的元器件才能确保在各种恶劣环境下都能正常工作，不会因环境变化而导致性能下降或损坏。
最后，元器件的包装和标识也是二次筛选的重要内容之一。
包装和标识的完整性和准确性直接影响着元器件的使用和管理。
在二次筛选中，需要对元器件的包装进行检查，确保包装完好无损；同时，还需要检查元器件的标识是否清晰、准确，以便于后续的使用和管理。
总的来说，元器件二次筛选标准涉及到外观质量、参数测试、可靠性测试、包装和标识等多个方面。
只有严格按照标准进行二次筛选，才能确保元器件的质量和可靠性，为产品的稳定性和长期可靠性提供保障。
因此，制定合理的元器件二次筛选标准对于提高产品质量、降低故障率具有重要意义。
军用电子元器件二次筛选试验当前，世界正在进行着一场新的军事变革，信息化是这场新军事变革的本质和核心，实现军事装备信息化的必要条件是高水平、高可靠的军用电子元器件。
电子元器件尤其是微电子器件在军事装备上的应用越来越广泛，电子元器件的选型和应用就日益显得重要。
本文着重就军用电子元器件选型和使用过程中的采购、筛选、破坏性物理分析以及失效分析进行探讨，列出了元器件的选择和使用准则以及全过程流程图。
电子元器件是电子系统的基础部件，是能够完成预定功能且不能再分割的电路基本单元。
由于电子元器件的数量、品种众多，因此它们的性能、可靠性等参数对整个军用电子产品的系统性能、可靠性、寿命周期等技术指标的影响极大。
所以正确有效地选择和使用电子元器件是提高军用产品可靠性水平的一项重要工作。
电子元器件的可靠性分为固有可靠性和使用可靠性固有可靠性主要由设计和制造工作来保证，这是元器件生产厂的任务。
但是国内外失效分析资料表明，有近一半的元器件失效并非由于元器件的固有可靠性不高，而是由于使用者对元器件的选择不当或使用有误造成的。
因此为了保证军用电子产品的可靠性，就必须对电子元器件的选择和应用加以严格控制。
1、电子元器件的分类顾名思义，元器件可分为元件和器件2大类。
元件中有电阻、电容、电感、继电器和开关等；器件可分为半导体分立器件、集成电路以及电真空器件等。
表1为元器件分类表。
2、电子元器件的质量等级元器件的质量等级是指元器件装机使用之前，按产品执行标准或供需双方的技术协议，在制造、检验及筛选过程中对其质量的控制等级。
质量等级越高，其可靠性等级就越高。
为了保证军用元器件的质量，我国制订了一系列的元器件标准，在八十年代初期制订的“七专”8406 技术条件（以下统称“七专”条件），“七专”技术条件是建立我国军用元器件标准的基础，目前按“七专”条件或其加严条件控制生产的元器件仍是航天等部门使用的主要品种。
（注：“七专”指专人、专机、专料、专批、专检、专技、专卡）。
电子元器件有效贮存期、超期复验及装机前筛选要求1范围本要求规定了XXX有限公司型号产品用电气、电子、机电元器件（以下简称元器件）在规定环境条件下的贮存期限（有效贮存期）及超过有效贮存期的复验方法和条件，并在装机前应通过筛选试验。
本要求适用于XXX有限公司型号产品用元器件，对于未列入本要求的元器件可参照与该类元器件有相同或相似特征（如制造工艺、结构特点等）的列入要求准元器件执行。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本要求的引用而成为本要求的条款。
凡是注明日期的的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本要求，然而，鼓励根据本要求达成协议的各方面研究是否可使用这些文件最新版本。
凡是注明日期的引用文件，其最新版本适用于要求。
GJB 128A─1997 半导体分立器件试验方法GJB 360A─1996 电子及电气元件试验方法GJB 548A─1996 微电子器件件试验方法和程序QJ 1693─1989 电子元器件防静电要求Q/N 446─2008 电子元器件有效贮存期和超期复验要求Q/N 465 元器件外观检验要求Q/N 466 型号产品电子元器件筛选通用规范3术语和定义3．1 贮存期元器件从生产完成并在生产厂检验合格后至装机前在一定的环境条件下存放的时间。
贮存期的计算按4.2的规定。
注：本要求中的贮存期，均以月计算。
3．2 有效贮存期一定质量等级的元器件在规定的贮存环境下存放，装机前其批质量能满足要求的期限。
3．3 基本有效贮存期未考虑元器件质量等级的有效贮存期。
3．4 贮存质量等级根据元器件在制造、检验过程中质量控制严格程度，对元器件贮存后性能的影响而确定的等级。
在本要求中规定了四个贮存质量等级，分别以Q1、Q2、Q3、Q4表示。
3．5 贮存期调整系数根据元器件不同的质量等级和用途，对基本有效贮存期调整的系数。
3．6 超期复验超过有效贮存期的元器件，应进行的一系列检验。
3．7 继续有效期超期复验合格的元器件在规定的贮存环境条件下存放，其批质量能满足规定要求的期限。
附录D元器件二次筛选试验指南D1 筛选与二次筛选试验的基本概念D1.1 筛选试验的定义与目的筛选试验是指为选择具有一定特性的产品或剔除早期失效的产品而进行的试验。
本《指南》提出的筛选试验主要是指剔除早期失效的产品而进行的试验。
它是一种对产品进行全数检验的非破坏性试验，通过按照一定的程序施加环境应力，激发出产品潜在的设计和制造缺陷，以便剔除早期失效产品，降低失效率。
元器件的筛选一般应由元器件生产方按照军用电子元器件规范或供需双方签定的合同进行。
一般将元器件生产方进行的筛选称为“一次筛选”，如果当“一次筛选”的技术条件不能完全满足使用方对元器件的质量要求时，使用方或其委托单位可以进行再筛选以补充生产方筛选的不足。
一般将使用方或委托单位进行的筛选称为“二次筛选”或称“补充筛选”。
即二次筛选是指已采购的元器件在“一次筛选”试验没有满足使用方规定的项目要求的技术条件时，由使用方进行的筛选。
元器件的“一次筛选”和“二次筛选”的目的与试验方法基本相同，但应强调“二次筛选”应是在“一次筛选”的基础上剪裁而成的。
筛选试验一般是对元器件成品而进行的，但也可以在生产过程中对元器件的半成品进行，例如，质量保证等级较高的半导体器件封帽前的非破坏性键合拉力试验、内部目检等筛选都属于半成品筛选。
在一定条件下，虽然二次筛选是提高元器件批质量的有效措施之一，但它也有其局限性和风险性，并不是所有的元器件都要进行二次筛选，也不能把二次筛选看作是任何情况下都是必须的，根据国外的经验只有少数采购不到高质量等级的元器件才需要进行二次筛选。
因为筛选只能提高批产品的使用可靠性，不能提高产品的固有可靠性。
也就是说，产品的固有可靠性是设计进去的，制造出来的，而不是筛选出来的。
因此，在选择元器件时，应根据整机、设备的质量与可靠性要求，选择相应的高质量等级的元器件。
特别是电子整机、设备的关键件、重要件，一定要选择最高质量等级的元器件。
为有效剔除有缺陷的元器件，减少系统或设备的早期失效，本《指南》主要提出了对军用电子元器件成品进行二次筛选试验的基本原则、要求、项目和方法供参考。
D1.2 二次筛选的适应范围二次筛选 (或补充筛选)主要适用于下列四种情况的元器件：a. 元器件生产方未进行“一次筛选”，或使用方对“一次筛选”的项目和应力不具体了解的；b. 元器件生产方已进行了“一次筛选”，但“一次筛选”的项目或应力还不能满足使用附132方对元器件质量要求的；c. 在元器件的产品规范中未作具体规定、元器件生产方也不具备筛选条件的特殊筛选项目；d. 对元器件生产方是否已按合同或规范的要求进行了“一次筛选”或对承制方“一次筛选”的有效性有疑问需要进行验证的元器件。
以上a、b、c三种情况元器件的二次筛选(补充筛选)是很难用其它措施替代的。
对于情况d则除了进行二次筛选(补充筛选)外，还可采取对元器件生产方“一次筛选”进行监督等措施来替代二次筛选(补充筛选)。
D2 筛选试验方法及筛选项目的确定D2.1 筛选试验方法筛选试验可分为常规筛选(如密封性筛选)和特殊环境筛选(如抗辐射、盐雾等)。
本《指南》主要介绍常规筛选方法。
常规筛选方法主要有如下几种：a. 检查筛选检查筛选可采取镜检、红外线筛选、X射线筛选。
红外线筛选可以剔除体内或表面热缺陷严重的器件，X射线筛选主要用于检查管壳内有无外来物和装片、键合或封装工序的缺陷以及芯片裂纹。
b. 密封性筛选(如气泡法、氦质谱仪法、放射性气体、示踪检漏法)，用于剔除管壳及密封工艺中所在的缺陷（如裂纹、微小漏孔、气孔以及封装对位欠佳）。
c. 环境应力筛选(如振动加速度、冲击加速度、离心加速度、温度循环和热冲击等)；d. 寿命筛选(高温贮存、低温贮存、老练筛选、精密筛选、线性判别)；e. 电测试筛选(对晶体管的补充手段)。
在实际中也常采用物理筛选(非破坏性的)和老练筛选(破坏性的)相结合的方式进行。
老练筛选效果好但成本高，物理筛选虽成本低，但效果差。
D2.2 筛选的有效性与筛选项目及条件D2.2.1 筛选的有效性根据以往产品筛选的试验数据积累，确定对剔除早期失效品筛选有效（在非破坏性应力作用下，淘汰率较高的）的试验项目。
对筛选淘汰率极低或根本不能把有缺陷产品筛选出来的试验项目应不列入筛选试验中。
评价一个筛选方案是否有效，可以用筛选效果和筛选淘汰率等指标来衡量，而筛选的有效性又主要取决于筛选项目和应力的选取是否合理，要获得完全理想的筛选效果绝非易事。
同样要获得筛选效果的数据也需要做大量的摸底试验，人们经过大量的实验积累了丰富的经验，现已对这些实践经验进行了总结，形成了标准。
因此一般产品均根据其质量与可靠性保证等级所规定的筛选要求进行筛选，但当某种产品经筛选后经常出现质量一致性检验不合格时，则应考虑采用的筛选方案是否合适。
附133D2.2.2 筛选试验的应力的确定原则筛选试验的应力条件首要是非破坏性的，即通过筛选不能对产品的质量与可靠性产生影响，但试验应力也不能偏低，低了起不到筛选作用。
原则上，确定筛选项目和应力条件应依据相应的标准。
对于新研制的元器件产品，筛选试验应力的大小可通过摸底试验或类似产品的现场使用信息来确定。
选择筛选应力的主要原则是：a. 筛选应力类型应选择能激发早期失效的应力，根据不同产品所掌握的信息及失效机理来确定；b. 筛选应力应以能激发出早期失效为宗旨，使产品各种隐患和缺陷尽快暴露出来；c. 筛选应力不应使正常产品失效；d. 筛选应力去掉后，不应使产品留下残余应力或影响产品的使用寿命；e. 应力筛选试验持续时间应以能充分暴露早期失效为原则。
表D2-1是集成电路常见的缺陷与主要筛选试验项目的相关性分析。
表D2-1 主要筛选项目与缺陷关系D3 基本要求D3.1 标准适用于元器件的要求对产品进行筛选试验时，应根据产品的总规范中的要求来选择试验项目。
以下是几种主要的试验方法及元器件的适用范围。
GJB360A－96(电子及电气元件试验方法)适用于电阻器、附134电容器、电感器、连接器、开关、继电器、变压器、等电子及电气元件。
如无特殊规定，GJB 360A－96只适用于重量小于136kg或试验电压低于50000V(有效值)的电子及电气元件。
GJB128-97(半导体分立器件试验方法)适用于各种军用半导体分立器件。
GJB548A－96(微电子器件试验方法和程序)适应于微电子器件。
筛选试验标准在执行过程中不能随意改动。
如需改动，应经型号总师批准，标准归口部门签发临时更改单。
对静电敏感器件，在筛选、测试时应按有关规定进行防静电处理。
D3.2 筛选环境要求D3.2.1 一般环境条件若无其它规定，筛选在下列环境条件下进行：温度15～35℃；相对湿度20％～80％；气压筛选所在场所的气压。
D3.2.2 仲裁环境条件当筛选结果有争议时，应在下列环境条件下进行仲裁试验或检验：温度25±1℃；相对湿度48％～52％；气压86～106kPa。
D3.3 操作人员与设备要求D3.3.1 操作人员的基本要求a. 按规定参加培训，通过考核取得合格资格；b. 了解和掌握有关标准、规范和试验或检验的基本原理；c. 能够熟练使用有关仪器设备，并具备基本的维护、保养知识；d. 能对试验结果作出正确的分析和评价。
D3.3.2 仪器设备的管理和使用仪器设备的管理和使用应符合以下要求：a. 仪器设备有专人管理，关键仪器设备由专人操作和检查；b. 仪器设备应按规定定期检定合格，并在有效的计量检定周期内使用；c. 仪器设备的精度应满足试验或检验的要求；d. 使用仪器设备应按规定做好记录。
D3.4 筛选记录要求筛选记录应符合以下要求：a. 负责筛选的单位应制定包括：筛选项目名称、筛选条件、筛选合格判据、筛选结果等内容的工序表或流程表以及有关检测参数的数据记录表格；并按附表1(电子元器件二次筛选附135信息收集)的要求进行信息收集；b. 操作人员应在数据记录表上如实记录有关数据、在工序表的有关工序上填写明确的结论，并签名对数据及结论的准确性负责；c. 根据筛选的工序表及有关数据，按规定的格式填写筛选试验报告，提交给有关单位；d. 负责筛选的单位在规定的期限内，应妥善保存筛选报告及有关记录。
D3.5 筛选试验中质量问题的处理要求a. 筛选中元器件出现个别严重失效或筛选淘汰率超过PDA规范值，经分析不属于批次性质量问题的，可靠性主管部门与委托单位主管部门协商后由委托单位型号总师确定能否使用；b. 筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过PDA规范值，经分析属于批次性质量问题，应整批淘汰；同时附有分析报告，报告一式两份，一份随元器件交委托单位，另一份留分析中心存档；c. 失效元器件的失效分析按有关规定执行；d. 对筛选中出现的不合格品应按GJB571－88(不合格品管理)中的要求进行处理。
D4 元器件二次筛选的基本程序D4.1 确定补充筛选二次筛选(补充筛选)程序的原则对各类元器件“一次筛选”的项目应根据具体情况进行适当地剪裁，并按先后顺序有机地组合在一起，即组成了二次筛选(补充筛选)程序。
需要说明的是：器件的“一次筛选”项目包括部分半成品筛选，而器件的二次筛选(补充筛选)则都是成品筛选，所以二次筛选(补充筛选)的程序中必须删除“一次筛选”中对半成品的筛选项目；应根据二次筛选(补充筛选)适用元器件的四种情况，将二次筛选(补充筛选)程序分为A、B、C、D四类，以下分别说明其确定的原则。
D4.1.1 确定A类二次筛选(补充筛选)程序的原则对于未进行“一次筛选”或对“一次筛选”的应力或项目不具体了解的元器件应进行A 类二次筛选(补充筛选)。
对于这类元器件二次筛选(补充筛选)的程序，原则上应与产品规范规定的“一次筛选”的程序相同。
对于产品规范未确定筛选程序的元件可参考本指南的相应示例，进行二次筛选(补充筛选)。
D4.1.2 确定B类二次筛选(补充筛选)程序的原则对于“一次筛选”的应力或项目还不能满足整机质量要求的元器件，应进行B类二次筛选(补充筛选)。
对于这类元器件应根据整机对元器件的质量要求确定二次筛选(补充筛选)程序。
例如：在整机上应采用质量等为B级的集成电路的部位，而实际上仅有“七专”集成电路可用，则原则上应按B质量等级集成电路的筛选项目和应力(时间)，除去“七专”集成电路筛选已作的项目和应力(时间)，并对老练的时间增加必要的余量进行二次筛选(补充筛选)。
附136对于产品规范未确定筛选程序的元件可参照本指南的相应示例进行二次筛选(补充筛选)。
对于“一次筛选”中已做了“高温贮存”筛选的器件，则二次筛选(补充筛选)就不必再做。
实践表明在“一次筛选”中，“高温贮存”对器件的筛选效果不显著，如果二次筛选(补充筛选)再次进行“高温贮存”，有可能造成元器件标志模糊、引出端可焊性差以及内引线强度(包括键合强度)降低等不利因素。
