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10-2静电场中的电介质-有电介质时的高斯定理解析

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静电场中的电介质

静电场中的电介质
r0
在国际单位制中，ε的单位为法拉每米（F·m–1）。
3．电介质的击穿
如果外电场足够大，电介质分子就会摆脱分子的束缚成为 自由电子，电介质的绝缘性被破坏而成为导体，这个过程称为 电介质的击穿，这个外电场的场强称为击穿场强。下表所示为 几种电介质的相对电容率和击穿场强。
1.3 电介质中的高斯定理
1.2 电介质的极化
电介质的极化是指在外电场作用下电介质表面产生极化电 荷的现象。其中，极化电荷又称束缚电荷，是指在外电场中， 均匀介质内部各处仍成电中性，但在介质表面出现的不能离开 电介质到其他带电体，也不能在电介质内部自由移动的电荷。
1．电介质极化的机理
由于组成电介质的分子结构不同，所以在外电场中极化 的微观机理也有所不同。对于无极分子，在外电场E0的作用 下，正、负电荷的中心被电场力拉开，使得正、负电荷中心 产生相对位移（这种极化称为位移极化），形成电偶极子。
由于受到外电场E0的作用，这些电偶极子的电偶极矩P 的方向将转向与外电场E0的方向一致。这样，在垂直E0方向 的介质两端表面就会出现正负电荷，如下图所示。
无外点场时，无极分子 正负电荷中心重合
外电场作用下，正负电荷 中心分离，形成电偶极子
电介质在垂直于外电场的 两端表面出现极化电荷
对于有极分子，无外电场时，虽然每个分子都有一定的电 偶极矩，但由于分子作无规则的热运动，所以各电偶极子的电 偶极矩的取向是杂乱无章的，对外不呈现出电性，如左图所示 但有外电场E0时，每个分子都受到一个力偶矩的作用。在此力 偶矩的作用下，有极分子的电偶极矩方向将转向与外电场基本 一致的方向，这种极化称为转向极化，其结果是电介质的两端 出现等量异号的电荷，如中图和右图所示。
物理学
静电场中的电介质

静电场中的电介质(2)

静电场中的电介质(2)

23
[例2]如图，两个半径分别为R1和R3的同心导体球面，带电量分 别为+Q、-Q，其中间充满相对介电常数分别为r1和r2的两层各向 同性均匀电介质，它们的分界面为一半径为R2的同心球面。求此 带电体系产生电场的能量。
解： 分析电场分布，求E。
选取球形高斯面，
则
D dS D4r2 Q
S1
D 0rE
S令
D 0rE E
称为电位移矢量
介质场中的高斯定理： D dS q0
S
说明：① D是一个辅助量，真正有意义的是场强 E。
它指出，通过闭合曲面的电位移通量，等于此闭合曲面内所 含的自由电荷。
② q0指曲面内所包含的自由电荷，与极化电荷无关，
E是由空间所有的电荷产生。
10
四、电位移矢量与电场强度的比较
E E0
r
' (1 1 ) r
介质场中的高斯定理
sD dS q0
29
三、电场的能量
e
1 2
DE
W
V edV
V
1 2
D
EdV
V
1 E2dV
2
We
Q2 2C
1 2
C(
UA
UB )2
1 2
Q(
U
A
UB)
四、电容和电容器
孤立导体:
q U
C
先设q 再求C
电容器: q C 先设q 再求C
解：两层介质中有
D1 D2 0 D
0 +
+
+
+
A
+
r1
d1
E1
D 1
0 0r1
E2

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理
3.电位移线起于正的自由电荷而止于负的自由电荷.
∬ΣD→ ⋅ dS→ = Q0
Processing math: 100%
问题分析
εr− 1
由于Q = εr Q0, 真空电容率ε = ε0εr 从而：
def
定义:点位移矢量:D = ε
从而上式简化为:
有电介质时的高斯定理
Q0
∬ΣE→ ⋅ dS→ = ε0εr
∬ ∑ ΣD→ ⋅ dS→ = i=1Q0i
说明:
1. 电位移矢量D→ = ε0εrE→ = εE→ = P→ + ε0E→ 2.公式考虑了极化电荷的影响。
以充满各向同性的电介质平行板电容器为例在正极板与电介质交界处去圆柱体高斯面利用高斯定律有
有电介质时的高斯定理
问题引入：
以充满各向同性的电介质平行板电容器为例，在正极板与电介质交界处去圆柱体高斯面, 利用高斯定律有： 1
∬ΣE→ ⋅ dS→ = ε0 (Q0 − Q′)
其中，Q0表示自由电荷，Q′表示极化电荷。 可见在电介质中计算电场与Q′有关，直接计算很困难。

电介质的极化和介质中的高斯定理

电介质的极化和介质中的高斯定理

串联 1 1 1 C C1 C2
C C1C2 C1 C2
0S d1 d2 r1 r2
②.已知 U，求0、E、D。
0
q S
CU S
0SU
S d1 d 2
0U
r1 r2
d1 d2
r1 r2
d1 d2
r1 r2 d
22
E1
Байду номын сангаас
0 0r1
d1
r1
0U
d2
r2
0r1
1）不管是位移极化还是取向极化，其最后的宏观 效果都是产生了极化电荷。
综 2）两种极化都是外场越强，极化越厉害，所产生 述：的分子电矩的矢量和也越大。
3）极化电荷被束缚在介质表面，不能离开电介质 到其它带电体，也不能在电介质内部自由移动。它 不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。
7
二、极化强度矢量
r
r 称为相对
介电常数或
电容率。
从电学性质看电介质的分子可分为两类：无极分子、
有极分子。
每个分子负电荷对外影响均可等效为 单独一个静止的负电荷 的作用。其大小为 分子中所有负电之和，这个等效负电荷的 作用位置称为分子的“负电作用中心”。
-
3
同样，所有正电荷的作用也可等效一
个静止的正电荷的作用，这个等效正电 荷作用的位置称为“正电作用中心”。
电场 E有如下关系：Pe0E
e 称为电极化率或极化率， 在各向同性线性电介质
中它是一个纯数。
14
D 在均匀0各E 向同P 性介0质E 中P e0E e 0(1 Ee)0E
r0E
r (1e) 称为相对介电常数或电
容率。
在各向同E性介质中D.rE0关称系为：介D 电常数r，0E E

有介质时的高斯定理

有介质时的高斯定理
（1）分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 重合的称为无极分子（如H2、 CH4、CO2）
无极分子在电场中, 正负电荷中心会被
拉开一段距离,产生 感应电偶极矩，这
称为位移极化。
无极分子
l
q q
p ql
感应电偶极矩
（2）分子中的正电荷等效中心 与负电荷等效中心 不重合的称为有极分子（如 HCl、H2O、NH3 ）
例如左图的左右表面 上就有极化电荷。
正是这些极化电荷 的电场削弱了电介 质中的电场。
电介质的击穿
当外电场很强时，电介质的正负电中心 有可能进一步被拉开,出现可以自由移动的 电荷,电介质就变为导体了，这称为击穿。
电介质能承受的最大 电场强度称为该电介质 的击穿场强, 或介电强度。
例如. 空气的击穿场强 约 3 kV/mm.
介质中的高斯定理又写为： sD dS q内
… 的高斯定理
即通过任意封闭面的电位移的通量等于 该封闭面所包围的自由电荷的代数和。
说明： 1.它比真空中的E 的高斯定律更普遍,当没有电介质
时, 即r=1, 就过渡到真空中的高斯定律了。
2.如果电场有一定的对称性,我们就可以先从 D 的高
斯定理求出 D 来；然后再求出 来。
实验：插入电介质后，电压变小
U U0
r
Q Q Q Q
r>1……介质的
相对介电常数 （相对电容率）
r 随介质种类和
状
U
为什么插入电介质 会使电场减弱？
1电介质的极化
电介质这类物质中，没有自由电子, 不导电， 但可以极化。 电介质分子可分为有极和无极两类:
有极分子在电场中， 固有电偶极矩会转向 电场的方向，这称为 转向极化。

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理

有电介质时的高斯定理
有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理，它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

此定理的公式表述为：电场穿过一个封闭曲面的通量等于该曲面内部的电荷总量的比例，即ΦE=Q/ε0，其中ΦE为电场的通量，Q为曲面内部的电荷总量，ε0为真空中的电介质常数。

在有电介质时，电场的分布受到电介质的影响。

电介质的存在会使电场强度发生改变，这是因为电介质的分子会被电场极化，从而产生极化电荷。

这些极化电荷会改变电场的分布，使电场在电介质中的强度比在真空中的强度小。

因此，在有电介质时，要考虑电介质对电场的影响，才能准确地计算电荷的分布。

在应用高斯定理时，通常需要选择一个适当的曲面来计算电场的通量。

曲面的选择应当考虑到电荷分布的对称性，以便简化计算。

在有电介质时，曲面的选择也需要考虑到电介质的影响。

如果曲面穿过电介质，那么在计算电荷总量时，需要将电介质中的极化电荷也计算在内。

高斯定理的应用范围很广，包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

在电场的计算中，高斯定理可以用来求解各种电场分布，例如电偶极子、均匀带电球面等。

在电容器的设计中，高斯定理可以用来计算电容器的电容量，从而确定电容器的电荷储存能
力。

在电荷分布的测量中，高斯定理可以用来测量电荷的总量，从而确定电荷的分布情况。

有电介质时的高斯定理是电学中的一个重要定理，它描述了电场的分布与电荷分布的关系。

在应用该定理时，需要考虑到电介质的影响，并选择适当的曲面来计算电场的通量。

高斯定理的应用范围很广，包括电场的计算、电容器的设计、电荷分布的测量等。

2.静电场中的电介质


自由电荷 束缚电荷
1 E dS
S
0
q
S
0

1
0
P dS
S
( 0 E P) dS q0
S S
电位移矢量定义：
D 0E P
( 0 E P) dS q0
S S
自由电荷
3、极化（束缚）电荷与极化强度的关系： 对于均匀的电介质，极化电荷集中在它的表面。电介质 产生的一切宏观效果都是通过未抵消的束缚电荷来体现。
如图，在平板电容器两极板间的介 质内沿着方向取一长度为dl，横截面为 dS的小圆柱体，在其内部极化可视为 是均匀的。
dl
' dS
' dS
P
点的总场强为：
' 退极化场 是电介质中的总电场强度。 E E E 0 E0 是自由电荷产生的电场。
' E 是极化电荷产生的退极化场
E E0 E'
' '
2.电极化强度矢量
宏观上，电介质极化程度用电极化强度矢量来描述， 其定义式为：
P lim
pi
S S S in
Pn '
P dS dS
'
极化强度力线
在任一曲面内极化电荷的负值等于极化强度的通量。
四、电介质中的高斯定理
根据介质极化和 真空中高斯定律 ' P d S q
S S
S
电位移矢量
0
' ( q q 0 ) S
1 E dS
(2)对各向同性电介质( P e 0 E)

电介质中高斯定理


1
r r 1 Q Q r 0 0
)
Q Q0 (1
1
)
⑤极化电荷密度 与
E 0 rE
1 0 P ( 1 ) ( r 1 ) 0 0 0E 0 ( r 1 ) 0E 0E
r
r
R2
R1

r
R2
解（1）
R1

d S l D
S
D 2 π rl l
D
E ( R r R ) 1 2 r 2 π rr 0 0
D 2π r
r
R2
R1

( R r R ) （2）由（１）可知 E 1 2 2π 0r r R R d r 2 U E d r ln R 2 π r 2 π 0r R 0 r 1
2.极化电荷与电极化强度之间的关系 （以位移极化为例） 电场中每个分子产生电矩：
++++-
++++-
++++-
++++-
均匀介质
E
++++-
pe ql
单位体积中分子电矩 的矢量和为：
p P V
nql
e
npe
式中 n 为介质中单位体积的分子数。
电极化强度和极化电荷面密度的关系
6 2 P ( ε 1 ) ε E 5 . 89 10 C m r 0 6 2 σ ε E 8 . 85 10 C m 0 00 6 2 σ ' P 5 . 89 10 C m 6 2 D ε ε E ε E σ 8 . 85 10 C m 0 r 0 0 0

有电介质时静电场的高斯定理


E1d1 E2d2
Q ( d1 d2 )
0S r1 r2
C Q0 0 r1 r2S U r1d2 r2d1
d1 d2
+- + +-
-+ -
+ S- + 1 +-
-+-
0
+-+ +-
+-+-E+1--++
E2
-+-+--
+-
0


1' 1' 2'
1
rr

9 – 3 有电介质时静电场的高斯定理
r
R2
R1
第九章静电场中的导体和电介质

（２）由上题可知
D

E
0 r 2π 0 rr
E1 2π 0 r R1
E2 2π 0 r R2
(r R1)
(r R2 )
1' 2'
( r ( r
R1 2π 0 r r 2π 0 r R1
C Q 2π U
单位长度电容
0 rl
C l
ln R2 R1
2π 0
r

ln
r C0
R2 R1
真空圆柱形 电容器电容
9 – 3 有电介质时静电场的高斯定理 第九章静电场中的导体和电介质
的电介例质3 ，一它平们行的平相板对电电容容器率充分满别两为层厚r度1和各为r2d1,和极d板2
+-

电位移矢量 D 0 r E E （均匀各相同性介质）

大学物理下册第10章课后题答案

习题10-3图第10章 静电场中的导体和电介质习 题一 选择题10-1当一个带电导体达到静电平衡时，[ ] (A) 表面上电荷密度较大处电势较高 (B) 表面曲率较大处电势较高(C) 导体内部的电势比导体表面的电势高(D) 导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零 答案：D解析：处于静电平衡的导体是一个等势体，表面是一个等势面，并且导体内部与表面的电势相等。

10-2将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B 附近，导体B 的电势将[ ](A) 升高 (B)降低 (C)不会发生变化 (D)无法确定 答案：A解析：不带电的导体B 相对无穷远处为零电势。

由于带正电的带电体A 移到不带电的导体B 附近的近端感应负电荷；在远端感应正电荷，不带电导体的电势将高于无穷远处，因而正确答案为（A ）。

10-3将一带负电的物体M 靠近一不带电的导体N ，在N 的左端感应出正电荷，右端感应出负电荷。

若将导体N 的左端接地（如图10-3所示），则[ ](A) N 上的负电荷入地 (B) N 上的正电荷入地 (C) N 上的所有电荷入地 (D) N 上所有的感应电荷入地 答案：A解析：带负电的带电体M移到不带电的导体N附近的近端感应正电荷；在远端感应负电荷，不带电导体的电势将低于无穷远处，因此导体N的电势小于0，即小于大地的电势，因而大地的正电荷将流入导体N，或导体N的负电荷入地。

故正确答案为（A）。

10-4 如图10-4所示，将一个电荷量为q电的导体球附近，点电荷距导体球球心为d。

设无穷远处为零电势，则在导体球球心O点有[ ](A)0E，4πε=qVd(B)24πε=qEd，4πε=qVd(C) 0E，0V(D)24πε=qEd，4πε=qVR答案：A解析：导体球处于静电平衡状态，导体球内部电场强度为零，因此0E。

导体球球心O点的电势为点电荷q及感应电荷所产生的电势叠加。

感应电荷分布于导体球表面，至球心O的距离皆为半径R，并且感应电荷量代数和q∑为0，因此4qVRπε==∑感应电荷。

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若为不均匀极化，介质内有极化电荷的积累。
4. 电介质极化的定量描述
（1）电极化强度 P
用来量度电介质极化状态（极化的程度和方向）
P
单位：C/m²
pi V
物理意义：大量分子电偶极矩的统计平均值. 外场越强，极化越厉害，所产生的分子电矩的 矢量和也越大。 P E 如果电介质中各点的极化强度矢量大小和方向都 相同，则该极化是均匀的，否则极化是不均匀的.
Q
+++++++
U
Q
+++++++
-------
Q
U
-------
Q
r
U0
说明：
E0
E
r E0
ห้องสมุดไป่ตู้U0
（1）相对电容率 r 1 （2）电介质内附加电场方向与原电场相反（退极化场）。
r
E0
2.电介质对电场的影响
极化电荷 （产生附加电场 E ） ↑ 相互 电介质（绝缘体） 静电场（E0） 作用 ↓ 静电场重新分布 E E0 E

n
（ ） PP ( (r 1) E QQ P E Q 1) 1) E 0 r 00 r
选－1 根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移 矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面 所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是
A. 若通过该曲面的电位移通量为零，曲面内一
E E0 E ' 0 E0 0
q ' 和 q 的关系。 2. D 、E、 P、 P 0 E P E
' P en
E'
' E' 0
' (q' )
3. 若自由电荷（电介质）分布有高度对称性

D D dS q0iD E S 0 r i 1
（3）电位移线始于正自由电荷，终于负自由电荷， 在无自由电荷处连续； + + + + + + +++++ 电场线始于正电荷终止于 - - P E r 负电荷（包括自由电荷和 D + + + + + + 与束缚电荷）。 -----------
对于各向同性的材料，在 E0 不太强的情况下
讨论：
S S
q'

q'


电位移矢量 D P 0 E
S i
i


物理意义
D dS q0i

q0


通过任一闭合曲面的电位移通量，等于 该曲面内所包围的自由电荷的代数和。
讨论：
1. D 和 E 联系和区别。
NO. 10－3
静电场中的导体和电介质
（第三讲）
内容概述
1. 理解两种电介质极化的微观机制 2. 理解电极化强度及其与电场强度、
极化电荷的关系 3. 理解电位移矢量及其与电场强度的关系
4. 掌握有电介质时的高斯定理，并用其
求解电介质中的电场。
二、静电场中的电介质
1. 电介质（Dielectrics）
定没有自由电荷； B. 若通过该曲面的电位移通量为零，曲面内电 荷的代数和一定为零； C. 电介质中的高斯定理表明电位移矢量仅与 自由电荷的分布有关； D. 介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷 的分布有关。 （ ）
均匀介质球在均匀外场中的极化：
物理图像： 介质表面出现
外电场 E0
附加场 E
总电场 E
3.电介质的极化 （1）电介质分为

有极分子电介质 无极分子电介质
（2）电介质的极化
有极分子转向极化
无极分子感应极化
极化面 电荷
（位移极化）
3.电介质的极化 （3）极化面电荷
电介质产生的一切宏观效果都是通过未抵消 的束缚电荷来体现。 若为均匀极化，极化电荷被束缚在介质表面， 不能离开电介质到其它带电体， 也不能在电介质内部自由移动， 它不象导体中的自由电荷能用传导方法将其引走。
4. 电介质极化的定量描述 （2）极化电荷面密度 '
电介质对外电场的响 应（电极化强度）与 外电场成线性关系 P
0 E
Case1: 在平板电容器中充满均匀且各向同性的 电介质
r
- - - - - -
+++++++++++
P
σ 0 σ'
dl
dl d l
- - - - - - - - - - - σ 0
q'

q'




在介质中作高斯面， 由高斯定理得：

q0


E dS
S
q q'
0i i
i
0
i
如何得出电场和自由电荷的显性关系？
三、有电介质时的高斯定理
2. 问题的解决 ——有电介质时的高斯定理
q ' ' d S P dS
p P
+ +
+
+ + + σ'
dS
dS
P
P
σ ' dS dl σ' dS dl V
i
pi 'dSdl
i
4. 电介质极化的定量描述 （2）极化电荷面密度 '
Case2: 在各向同性的电介质中取一个斜柱体， 使极化强度的方向与斜柱体轴线平行。 e n en dS

dl
P
P
O
pi 'dSdl
i
P dl dS cos
' P en
介质表面某处极化电荷面密度等于该处电极化强度在 表面法向上的分量。
三、有电介质时的高斯定理
1. 问题的引出 电介质中的电场强度.是所有自由电荷和 极化电荷共同作用的结果。
除导体外，凡在电场中能与电场发生相互作用 的物质。 （氢、氧，水、油，玻璃、云母、陶瓷、塑料） 导体 电结构
自由电子 电荷在整个导体上重 新分布,平衡时电荷 只分布在外表面；
电介质
电荷被束缚在分子内
在 电场中 的表现 内部场强为零
电荷如何分布？
对电场有何影响？
2.电介质对电场的影响 实验结果：
U0
（1）都取决于空间所有极化电荷和自由电荷。 （2） D 是一有用的辅助量，无物理意义；
P 0 E ( ）— 电极化率 （实验公式，有条件） （定义式，无条件） D P 0E D (1 ) 0 E r 0 E E （实验＋定义，有条件）