期末复习填空题(共177空)
1、BJT三极管内部有个PN结，JFET三极管内部有个PN结,MOS场效应管共有种类型。
将。
2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导g
m
3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力。电子型半导体称型半导体。
4、二极管最主要的特性。温度升高时，二极管的反向饱和电流。
5、PN结加正向电压，空间电荷区将；PN结加反向电压，空间电荷区将。
6、稳压管通常工作在区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压。
7、BJT三极管是控制器件，除共射连接外还有共基和共集连接方式。场效应管是控制器件。
8、P型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是。
9、杂质半导体的导电性能决定于。
10、PN结反偏电压越大其势垒电容越。
11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 5 价元素的原子，其多数载流子是。
12、二极管的伏安特性方程为。
13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。
14、P型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。
≈；二极管的整流作用是利用了PN结的15、二极管正向导通时的交流电阻r
d
____特性。
16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结偏，集电结偏。
17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流I CEO变化的趋势是。
18、N型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是。
19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在电容。
20、一般二极管作稳压二极管使用；稳压二极管作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。
21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是电流，集电结电流是电流（填“正向”或“反向”）。
22、按结构不同场效应管分为型和型两大类。
23、温度升高时，杂质半导体中的（填“少子”或“多子”）浓度明显增加。
24、二极管在温度升高时，正向特性曲线移；反向特性曲线移。
25、稳压管是利用了二极管的反向击穿特性制成的。
26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，U
=0V时能够工作在恒流区的FET
GS
是 JFET 和耗尽型MOSFET 。
27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为
PNP 型三极管。
28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太时，易产生饱
和失真，输出电压波形被削去；饱和失真时集电结偏。
29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流I DSS= mA，夹断电
U GS(off)= V。
图1
30、图2所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。
图2
31、在NPN型单管共射放大电路中，当信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图3所示，则该电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。
图3
32、图4所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。
图4
33、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图5所示，说明电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。
图5
34、图6所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。
图6
35、在PNP型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7所示，说明电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。
图7
36、在图8所示的电路中，稳压管D
Z 的稳定电压U
Z
=6V，最小稳定电流I
Zmin
=5mA，输入
电压U
I =12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下I
L
的数值最大不应超过 mA 。
图8
37、两个电流放大系数分别为β
1和β
2
的晶体管复合，其复合管的β值约为。
38、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路频带较宽（填
“共射”、或“共基”或“共集”）。
39、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路功率放大较强（填“共射”、
或“共基”或“共集”）。
40、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路带负载能力较强（填“共射”、
或“共基”或“共集”）。
41、在BJT多级放大电路中，已知第一级电压放大倍数为10，第二级电压放大倍数为（-10），第三级电压放大倍数为1，总的电压放大倍数为，第一级是组态放大电路，第二级是组态放大电路，第三级是组态放大电路。42、若三级放大电路中第一、第二及第三级的增益分别为30dB，20dB，10dB,则其总电压增益为 dB。
43、复合晶体管还称为管，其主要作用是。
44、若差分放大电路反相输入端和同相输入端的输入信号分别是u
I1=20mV,u
I2
=30mV,则该
差分放大电路的共模输入电压u
IC = mV,差模电压u
Id
= mV。
45、在差分放大电路中，发射极耦合电阻R
e
对信号的放大作用无影响，
对信号具有抑制作用。差分放大器的共模抑制比K
CMR
＝。46、产生零点漂移的主要原因温度变化引起的半导体器件参数的变化，在电路结构上采用差分放大器能够有效抑制零点漂移。
47、差分放大电路的主要功能是对差模信号，对共模信号。
48、集成运放通常将互补输出（共集）电路放置于输出级，其主要原因是输出电压线性范围宽，输出电阻小，非线性失真小。
49、集成运放通常将差分放大电路放置于输入级，其主要原因是减小温漂。
50、作低频放大器，应优先使用集成运放；作内阻为100kΩ信号源的放大器，应优先使用集成运放；作宇航仪器中所用放大器，应优先使用集成运放（填:高压型、大功率型、高精度型、通用型、高速型、低功耗型、高阻型）。
51、恒流源电路在集成运放中除了为各级放大电路提供静态电流外，还可作为共射电路或共基电路负载以提高。
52、当放大电路的输入信号频率等于截止频率时，放大电路的电压放大倍数的大小约下降到中频时的，即增益下降 dB。
53、场效管的高频特性比晶体管的高频特性要（填“好”或“差”）。
54、放大电路在提高放大倍数的同时，其频带宽度将变。
55、晶体管极间电容越，则其高频特性越好。
56、影响放大电路低频特性的电容是电容；影响放大电路高频特性的电容是电容。
57、BJT三极管的特征频率f
T 越大，说明其高频特性越；f
T
与电流放大倍数的
上限频率f 的关系近似为。
58、已知某放大电路如图9所示，电路中D
1和D
2
管的作用是消除。
图9
59、功率放大电路的两个主要性能参数是和。
60、功率放大电路的转换效率是指。
61、如图10所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态功耗为 0 ；
电路的最大输出功率约为。
图10
62、互补功率放大器，设置静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现 的
不良现象。
63、在多级耦合放大电路中阻容耦合具有 优点。
64、在多级耦合放大电路中变压器耦合具有 实现阻 优
点。
65、在多级耦合放大电路中光电耦合具有 优点。
66、理想运算放大器的差模输入电阻等于_ _，开环增益等于______。
67、同相比例运放电路中引入了 负反馈网络。
68、电压比较器以阈值来分类有 电压比较器和 电压比较器。
69、放大电路中引入 负反馈，可以实现电压—电流转换。
70、放大电路中引入 负反馈，可以实现电流—电压转换。
71、电压比较器电压传输特性的三要素是 最大和最小输出电压 ； 阀值电压： ；
电压传输特性 。
72、反相比例运放电路，引入了 负反馈网络。
73、设一阶有源滤波电路的电压传递系数为)20001/(20)f
j f A u +=（，则此滤波器为 滤波器，其通带放大倍数为 ，截止频率为 Hz 。
74、在信号处理电路中，当有用信号频率低于100Hz 时，可选用 滤波器；有用信
号频率高于10 kHz 时，可选用 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选
用 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。
75、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ = 、静态时的电源功耗P DC = 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 7 。
76、当集成运放工作于线性状态时可用 和 两个特点来分析运放电路，
而工作于非线性状态只能运用 这个特点来分析电路。
77、负反馈对放大电路的主要影响 改变输入和输出电阻 、 稳定放大倍数 、展宽频
率 、 减小非线性失真 。
78、按滤波电路的元器件分类滤波器可分 滤波器和 滤波器；按滤
波电路中有无放大电路分 滤波器和 滤波器。
79、交流电流并联负反馈放大电路，可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻；交流电压串联负反馈放大电路可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻。
80、直流电源的主要技术指标稳压系数定义r S 为 负载一定时，稳压电路输出电压相
对变化量与其输入电压相对变化量的比值 。
81、PWM 开关电源是指 开关电源。
82、集成芯片LM7805是 电路。
83、集成芯片LM7812是 电路。
84、直流电源的主要技术指标电压调整率定义为 在额定负载且输出电压产生最大
变化的条件下，输出电压产生的变化量 。
85、开关电源中DC-DC 电路是 电路。
86、集成电路LM317是 电路。
87、直流电源的主要技术指标电压调整率（以mV 为单位）定义为 在负载恒定条件下，
输入电压产生的最大变化时输出电压的变化量。
88、直流电源的主要技术指标电流调整率（以mV为单位）定义为在输入电压稳定的条件下，输出电流变化最大时输出电压的变化量。
89、直流电源以调整管的工作状态分为线性稳态电源和开关型稳压型电源两种，两种电源中开关型稳压型电源的效率要高。
90、集成三端稳压器的输入电压比输出电压最低应高 3 V。
91、为消除互补功率放大器交越失真现象，一般采取保护措施。
92、集成三端稳压器LM7909的输出电压为 -9 V。LM7824的输出电压 24 V。
93、直流电源通常采用电容元件滤除高频噪声信号。
94、在图11所示电路中，输出电压最大值的表达式为。
图11
95、为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用直接耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的匹配，放大电路应采用变压器 _ 耦合方式。
96、对于单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V，则整流后的输出电压平均值等于___9_ ___V；整流滤波以后的输出电压平均值约等于 13 V。97、开关电源稳压电路按电路连接方式分为串联型稳压电路和并联型稳压电路，前者为
降压型开关电源，后者为升压型开关稳压电源。
98、PFM开关电源是指脉冲频率调制型开关电源。
99、开关电源比线性电源应用广，是因为电路工作效率高。
100、直流电源一般由电源变压器；整流电路；滤波电路及稳压电路四部分组成。
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 网络高等教育《模拟电子线路》实验报告 学习中心：农垦河西分校 层次：高中起点专科 专业：电力系统自动化技术 年级：年春/秋季 学号： 8 学生姓名：陈爱明 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法 2、了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法 3、了解并掌握TDS1002型数字储存示波器和信号源的基本操作方法. 二、基本知识 1．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的. 2．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 1、输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号 2、输出频率：10Hz～1MHz连续可调 3、幅值调节范围：0～10VP-P连续可调 4、波形衰减：20dB、40dB；字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表， 也可以作外侧频率计用 5、带有6位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频 率计用 3．试述使用万用表时应注意的问题。 使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则 已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 如果被测参数的范围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。 如屏幕显示“1”，表明已超过量程范围，须将量程开关转至相应档位上 4．试述TDS1002型示波器进行自动测量的方法。 按下“测量”按钮可以进行自动测量。共有十一种测量类型。一次最多可显 、填空 1. 在8086/8088的计算机中，存储单元的20位物理地址由两部分组成，即16 位的 段地址 和16位的 偏移地址，物理地址=段地址X 10H+偏移量。 2. 段的起始地址必须是某小段的首地址，它能被 10H 整除。 3. 已知01020H 字单元的内容为6A58H 请分别写出它的两个字节单元的地址和 内容： (01020H =58H, ( 01021H =6AH 4. 指令执行后，若标志寄存器的ZF=0,则表示结果不为0;若SF=0,则表示结 果的符号是正号，即结果为正数。 5. 控制器从存储器取出一条指令后，指令指针寄存器IP 的内容是 将要执行的下 一条指令开始的偏移地址。 6. 段地址和偏移地址为1000: 127B 的存储单元的物理地址是1127BH 解：由物理地址=段地址X 10H+偏移量的公式可得 物理地址=1000HX 10H+127BH=10000H+127BH=1127BH 、选择 1. 与CS 寄存器组合才能形成代码段的物理地址的寄存器是 解：16K 个字单元，即为32K 个字节单元。由于2的15次方为32K,因此至 少需要15位二进制数才能表示16K 个字单元。 3. 已知一数据段的段地址是0100H,这个段的第6个字单元的物理地址是（B ） o 解：由于一个字单元占用两个字节，第一个字单元的偏移地址为 0000H,因 此第一个字单元的物理地址为 01000H 。以后每一个字单元的地址在前一个的基 C )。 A. SP 寄存器 B. BP 寄存器 C. IP 寄存器 D. BX 寄存器 2.如果存储器分段时, 的二进制数至少是（ 一个段最多允许16K 个字单元，那么表示该段内偏移地址 A ）o A.15 位 位 B.16 位 C.17 位 D.18 A. 01010H B. 0100AH C.01012H D.01006H 第3章自测练习 一、选择题（四选一） 1.表示一条处理器指令所在存储单元的符号地址是 C 。 A 变量 B 常量 C 标号 D 偏移量 2.汇编语言中的变量有多种类型属性,但错误的类型是 B 。 A 字节型byte B 字符型char C 字型word D 双字型dword 3.执行mov bx,seg var指令，BX得到变量var的 B 。 A 物理地址 B 段地址 C 偏移地址 D 内容 4.MASM语句中，采用 C 分隔标号和指令。 A 逗号 B 分号 C 冒号 D 空格 5.欲设定从偏移地址100H开始安排程序，可使用 A 伪指令。 A org 100h B start=100h C start db 100h D start equ 100h 6.与“mov bx,offset var”指令等效的指令是 D 。 A mov bx,var B 1ds bx,var C les bx,var D 1ea bx,var． 7.下条语句 buf db l0 dup(3 dup(?,10),3,10) 汇编后，变量buf占有的存储单元字节数是 B 。 A 100 B 80 C 40 D 20 8.数据定义语句“numl dw(12 or 6 and 2) ge 0eh”，定义的num1单元的内容是 B 。 A 0 B 0FFFFH C 1 D 0FFH 9.要求将A、B两个字符的ASCII码41H和42H顺序存放在连续两个字节存储单元中，可选用的语句是 A 。 A db｀AB＇ B dw ｀AB＇ C db 0ABH D dw 0ABH 10.在汇编语言程序中，对END语句叙述正确的是 C 。 A END语句是一可执行语句 B END语句表示程序执行到此结束 C END语句表示源程序到此结束 D END语句在汇编后要产生机器码 11.下面的数据传送指令中，错误的操作是 D 。 A mov ss:[bx+di],byte ptr 10h B mov dx,l000h C mov word ptr[bx],1000h D mov ds,2000h 12.下面指令执行后，变量dab中的内容是 C 。 daw dw 2A05h dab db 0Fah … mov al,byte ptr daw sub dab,al A 0DAH B 0FAH C 0F5H D 0D0H 第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -） 该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3 《汇编语言》考试复习题及答案 一、单项选择题（共20小题，每小题1分，共20分）在每题列出的四个备选项中只有一个是符合要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．CPU要访问的某一存储单元的实际地址称（） A．段地址B．偏移地址 C．物理地址D．逻辑地址 2．某存储单元的物理地址是12345H，可以作为它的段地址有（）A．2345H B．12345H C．12340H D．1234H 3．执行后使BX=0的同时也使CF=0，OF=0的指令是（）A．XORBX，BX B．ORBX，BX C．ANDBX，BX D．CMPBX，BX 4．循环控制指令LoopNZ/LoopNE控制循环继续执行的条件是（）A．CX≠0且ZF=1B．CX≠0且ZF=0 C．CX≠0或ZF=1D．CX≠0或ZF=0 5．在执行DAA指令，当高四位BCD码校正时产生进位，如要把此进位值送入AH中，对这进位值的操作应是（） A．DAA校正指令的功能已自动加在AH中 B．进位值在AF中，校正后根据AF内容再加在AH中 C．进位值在CF中，校正后根据CF内容再加在AH中 D．进位值在AL最高位上，校正后根据AL最高位内容再加在AH中6．AND，OR，XOR，NOT为四条逻辑运算指令，下面的解释正确的是（）A．指令XORAX，AX执行后，AX内容不变，但设置了标志位 B．指令ORDX，1000H执行后，将DX最高位置1，其余各位置0 C．指令ANDAX，OFH执行后，分离出AL低四位 D．NOTAX，执行后，将AX清0 7．在执行下列指令时，需要使用段寄存器DS的指令是（）A．STOSW B．ADDAL，CL C．NEGBX D．INCDA[BX] 8．无论BH中原有的数是奇数或偶数，若要使BH中的数一定为奇数，应执行的指令是（） A．ADDBH，01H B．ORBH，01H C．XORBH，01H D．TESTBH，01H 9．完成对CL寄存器的内容乘以4的正确操作是（） A．ROLCL，1B．MUL4 ROLCL，1 C．SHLCL，1D．MOVCL，2 SHLCL，1SHLCL，CL 10．下面各传送指令中，正确的是（） A．MOV[DI]，[SI]B．MOV[DX+DI]，AL C．MOVWORDPTR[BX]，0100H D．MOV AL，BX 11．汇编语言语句格式中对名字项的规定如下，请找出其中错误的说法（） 模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模拟电子线路实验实验 报告 Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT 网络高等教育 《模拟电子线路》实验报告 学习中心：浙江建设职业技术学院奥鹏学习中心层次：高中起点专科 专业：电力系统自动化技术 年级： 12 年秋季 学号： 学生姓名： 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1.了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 2.了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 3.学习并掌握TDS1002型数字存储示波器和信号源的基本操作方 法。 二、基本知识 1．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 2．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 ①输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号； ②输出频率：10Hz~1MHz连续可调； ③幅值调节范围：0~10V P-P连续可调； ④波形衰减：20dB、40dB； ⑤带有6位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频率计用。 注意：信号源输出端不能短路。 3．试述使用万用表时应注意的问题。 使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则： ①若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 ②如果被测参数的范围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。 如屏幕显示“1”，表明已超过量程范围，须将量程开关转至相应档位上。 4．试述TDS1002型示波器进行自动测量的方法。 按下“测量”按钮可以进行自动测量。共有十一种测量类型。一次最多可显示五种。 按下顶部的选项按钮可以显示“测量1”菜单。可以在“信源”中选择在其上进行测量的通道。可以在“类型”中选择测量类型。 测量类型有：频率、周期、平均值、峰-峰值、均方根值、最小值、最大值、上升时间、下降时间、正频宽、负频宽。 三、预习题 1．正弦交流信号的峰-峰值=_2__×峰值，峰值=__根号2__×有效值。 2．交流信号的周期和频率是什么关系 两者是倒数关系。 周期大也就是频率小，频率大也就是周期长 更多精品文档 考点 一 进制转换 1、（11101001）2=（ 233 ）10=（ E9 ）16 2、二进制码11100001表示的十进制数为 （ 225 ） ，相应的8421BCD 码为 （001000100101 ）。 3．（406）10= （ 010*********）8421BCD 十进制数(75)10的8421BCD 编码是 01110101 。 4．(00101101)2 = ( 45 )10 = ( 01000101 )8421BCD 。 5、(1001.0110)B=( 9.6 )H 6．（01101001）2=（ 105 ）10=（ 69 ）16 7、十六进制数（7E.5C ）16等值的二进制数为（01111110.01011100）2,等值的八 进制数为（176.270）8 8（37）10=（100101）2=（ 25 ）16 9.(B4)16 ，（178）10， (10110000)2中最大数为(B4)16，最小数为_(10110000)2 10将十进制数287转换成二进制数是100011111；十六进制数是11F 。、 11位十六进制数转化为二进制数有_20_位 12十进制数238转换成二进制数是_11101110_；十六进制数是_ EE _。 13．(33)10=( 21 )16=( 100001 )2 14. 将十进制数45转换成十六进制为 (2D)16 。 15二进制数A=1011010，B=10111，则A-B= 1000011 。 16十进制数228转换成二进制数是＿(11100100)2＿；十六进制数是＿(E4)16 ＿. 考点2 触发器的种类及特征方程 重点 1．根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是 RS 触发器、 JK 触发器、 T 触发器和 D 触发器。对于上升沿触发的D 触发器，它的 次态仅取决于CP__上升_沿到达时___D___的状态。 2、D 触发器的特征方程为（ n n D Q =+1 ） ，JK 触发器的特征方程为 触发器的特征方程为 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 大工15秋《模拟电子线路实验》实验报告参考答案 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 3、学习并掌握TDS1002型数字存储示波器和信号源的基本操作方法 二、基本知识 1．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答：模拟电子技术试验箱布线区：用来插接元件和导线，搭建实验电路。配有2只8脚集成电路插座和1只14脚集成电路插座。结构及导电机制：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 2．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答：NEEL-03A型信号源的主要技术特性： ①输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号；②输出频率：10Hz~1MHz连续可调； ③幅值调节范围：0~10VP-P连续可调； ④波形衰减：20dB、40dB； ⑤带有6位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频率计用。 3．试述使用万用表时应注意的问题。 答：应注意使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则： ①若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 ②如果被测参数的范围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。如屏幕显示“1”，表明已超过量程范围，须将量程开关转至相应档位上。2、了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 三、预习题 1．正弦交流信号的峰-峰值×峰值，峰值×有效值。 2．交流信号的周期和频率是什么关系？答：互为倒数，f=1/T，T=1/f 汇编期末考试复习题 一填空题： 1．完成将累加器AL清零，并使进位标志CF清零，可以使用______指令。2．完成同指令XCHG AX ，BX 相同功能的指令序列可以用。3．表示宏定义结束的命令是___________________________________________________。4报警中断的中断类型为4AH，它的中断向量在中断向量表中的物理地址是 ____________________________________________________________________________。5指令JMP WORD PTR [BX][SI]的寻址方式是 ____________________________________________________________________________。6．8086 8088中两个变址寄存器是______________________________________________。 7 执行下列程序，设（SS）=3000H，则AL中的数据所在的内存地址（物理地址）是 _____________________________________________________________________________。MOV SP，2000H MOV AX，1234H PUSH AX … 8 完成无符号数乘2的逻辑移位指令是___________________________________________。 9 若用数据定义伪指令定义数据：BUF 4 DUP（0，2 DUP(1，0)），问：定义后，存储单元中有数据0100H的字单元个数是__________________________________________________。10．在DEBUG中修改寄存器AX的命令形式为：R AX ，修改偏移地址为100H处内存单元的内容命令为：E 100 在DEBUG 中，汇编命令：A起始地址，反汇编命令：U起始地址结束地址， 标志位显示 1 0 CF CY NC ZF ZR NZ SF NG PL AF AC NA OF OV NV PF PE PO DF DN UP IF EI DI 11．可否随意在DEBUG 提示符“_”后不带参数发出命令G？什么情况下使用时，可不用“=”给出执行的首地址？ _______________________________________________________________________________ 二单选题 1．下面表示段定义结束的命令是（） A、ENDP B、ENDS C、ENDM D、END 2．8086 CPU在基址变址寻址方式中，基址寄存器可以是（） A、AX或CX B、BX或BP C、SI或BX D、DX或DI 3．执行CALL FAR PTR SUB1指令后，在堆栈区域中应（） A、压入4个字节的内容 B、弹出4个字节的内容 语法填空（2020全国1卷）China has become the first country to land a spacecraft on the far side of the moon. The unmanned Chang’e-4 probe (探测器) - the name was inspired by an ancient Chinese moon goddess ___61 (touch) down last week in the South Pole-Aitken basin. Landing on t he moon’s far side is ___62 (extreme) challenging. Because the moon’s body blocks direct radio communication with a probe, China first had to put a satellite in orbit above the moon in a spot 63 it could send signals to the spacecraft and to Earth. The far side of the moon is of particular 64 (interesting) to scientists because it has a lot of deep craters (环形山)，more so 65 the familiar near side. Chinese researchers hope to use the instruments onboard Chang’e-4 66 (find) and study areas of the South Pole-Aitken basin. ＂This really excites scientists,＂Carle Pieters, a scientist at Brown University, says, ＂because it 67 (mean) we have the chance to obtain information about how the moon 68 (construct)＂Data about the moon’s composi tion, such as how 69 ice and other treasures it contains, could help China decide whether 70 (it) plans for a future lunar (月球的) base are practical. 语法填空（2020全国2卷）Decorating with Plants, Fruits and Flowers for Chinese New Year Chinese New Year is a 61 (celebrate) marking the end of the winter season and the beginning of spring. This is why decorating with plants, fruits and flowers 62 (carry) special significance. They represent the earth___63___ (come) back to life and best wishes for new beginnings. These are some of the most popular in many parts of the country: Oranges: Orange trees are more 64 decoration; they are a symbol of good fortune and wealth. They make great gifs and you see them many times 65 (decorate) with red envelopes and messages of good fortune. Bamboo: Chinese love their “Lucky Bamboo” plants and you will see them often in their homes and office. 66 (certain) during the holiday period, this plant is a must. Bamboo plants are associated 67 health, abundance and a happy home. They are easy 68 (care) for and make great presents. Branches of Plum Blossoms (梅花): The 69 (beauty) long branches covered with pink-colored buds (蓓蕾) make fantastic decorations. The plum trees are 70 first to flower even as the snow is melting(融化). They represent the promise of spring and a renewal of life. 语法填空（2020全国3卷）In ancient China lived an artist 61.________ paintings were almost lifelike. The artist's reputation had made him proud. One day the emperor wanted to get his portrait (画像) done so he called all great artists to come and present their 62.________ (fine) work, so that he could choose the best. The artist was sure he would. 63.___________ (choose), but when he presented his masterpiece to the emperor's chief minister, the old man laughed. The wise old man told him to travel to the Li River - perhaps he could learn a little from the 模拟电子线路 实验指导书 莆田学院自编 目录 晶体管单管放大器 (3) 二、场效应管放大器 (9) 三、晶体管多级放大器 (13) 四、多级放大电路中的负反馈 (17) 五、差动放大器 (21) 六、集成运算放大器的参数测试 (26) 七、集成运算放大器（Ⅰ）模拟运算电路 (31) 八、集成运算放大器（Ⅱ）波形发生器 (36) 九、OTL功率放大器 (40) 十、集成功率放大器 (44) 十一、串联型晶体管稳压电源 (49) 十二、集成稳压器 (55) 十三、LC正弦振荡器 (61) 十四、晶闸管可控整流电路 (64) -- １ -- ２ 实验一 晶体管单管放大器 一、实验目的 1．学习放大器静态工作点调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 2．学习放大器电压放大倍数及最大不失真输出电压的测量方法。 3．测量放大器输入、输出电阻。 4．进一步熟悉各种电子仪器的使用。 二、实验原理 图1－1为电阻分压式静态工作点稳定放大电路，它的偏置电路采用R B1 = R W1 + R 3和R B2 = R W2 + R 4组成的分压电路，并在发射级中接有电阻R E = R 6，用来稳定静态工作点。当在主和大器输入端输入信号U i 后，在放大器输出端便可得到与U i 相位相反、被放大了的输出信号U 0，实现了电压放大。R 1和R 2组成输入信号的分压电路，其目的是防止输入信号过大，损坏三极管。在电路中静态工作点为： 图1－1 CC B B B B U R R R U 2 12 += -- ３ E E E BE B E R U R U U I = ?= )(E C C CC CE R R I U U +?= 动态参数： 电压放大倍数k 3.3//50==?==R R R R U U A C be L C i U γβ&&& 其中) mA () mv (26) 1(300E be I r β++= 输入电阻：若开关合上，即R 7短接 be B B i r R R r ////21= 输出电阻：5R R r C i == 放大器输入电阻测试方法：若输入信号源U S 经R 1 = 5.1k 与C 1串联后再接到三极管V 1 的基极，测得U S 和'i U ，即可计算出1'' R U U U r i S i i ??= 输出电阻可用下式计算：L R U U r )1(0 ' 00?= 其中' 0U 为R L 未接入时（R L = ∞）U 0之值，U 0为接入R L 时U 0之值。 1．静态工作点的测试 1）静态工作点的测量 放大器的静态工作点是指在放大器输入端不加输入信号U i 时，在电源电压V CC 作用下，三极管的基极电流I B ，集电极电流I C 以及集成极与发射极之间的电压U CE 等。测量静态工作点时，应使放大器输入信号U i = 0，即将信号源输出旋钮旋至零（通常需将放大器输入端与地短接）。然后测出I C ，或测出R E 两端电压，间接计算出I C 来，I B = I C / β, U BE , U CE 用数字式直流电压表进行测量，在测试中应注意： a) 测量电压U BE 、U CE 时，为防止引入干扰，应采用先测量B 、C 、E 对地的电位后进行计算，即： U BE = U B – U E U CE = U C – U E b) 为了测量I B 、I C 和I E ，为了方便起见，一般先直接测量出U E 后，再由计算得到： E E E C R U I I == β C B I I = 总之，为了测量静态工作点只需用直流电压表测出U C 、U B 、U E 即可推算出。 2）静态工作点的调试： 一、选择题 1. CPU发出的访问存储器的地址是（）。 A. 物理地址 B. 偏移地址 C. 逻辑地址 D. 段地址 2. 要实现使BETA的值为56，应采用语句为（）。 A. BETA DB 56 B. BETA DB 56H C. BETA EQU 56 D. BETA EQU 56H 3. CPU要访问的某一存储单元的实际地址称（）。 A. 段地址 B. 偏移地址 C. 物理地址 D. 逻辑地址 4. 在执行下列指令时，需要使用段寄存器DS的指令是（）。 A. STOSW B. ADD AL, CL C. NEG BX D. INC [BX] 5. 下面各传送指令中，正确的是（）。 A. MOV [DI], [SI] B. MOV [DX+DI], AL C. MOV WORD PTR [BX], 0100H D. MOV AL, BXX 6.表示过程定义结束的伪指令是（）。 A.ENDP B.ENDS C.END D.ENDM 7. 将高级语言的程序翻译成机器语言的实用程序是（）。 A. 编译程序 B. 汇编程序 C. 解释程序 D. 目标程序 8. 存储器分段，每个段不超过（）。 A.64K 个字 B.32K 个字节 C.1 兆个字节 D.64K 个字节 9. 无论BH中原有的数是奇数或是偶数，若要使BH中的数一定为奇数，应执行的指令是（）。 A. ADD BH, 01H B. OR BH, 01H C. XOR BH, 01H D. TEST BH,01H 10. INC BYTE PTR[BX] 指令中的操作数的数据类型是（）。 A. 字 B. 双字 C. 字节 D. 四字 11. 物理地址（10FF0H ）=10H，（10FF1H ）=20H，（10FF2H ）=30H，从地址10FF1H 中取一个字的内容是（）。 A.1020H B.3020H C.2030H D.2010H 12. 使用DOS系统功能调用时，使用的软中断指令是（）。 A. INT 21 B. INT 10H C. INT 16H D. INT 21H 13. 在下列语句中，BUFFER称为（）。 BUFFER DB 01, 0AH A. 符号 B. 变量 C. 助记符 D. 标号 14. 将AX 清零，下列指令错误的是（）。 A.SUB AX，AX B.XOR AX，AX C.OR AX，00H D.AND AX，00H 15. AND, OR, XOR, NOT为四条逻辑运算指令，下面的解释正确的是（）。 A. 指令XOR AX, AX执行后，AX内容不变，但设置了标志位 B. 指令OR DX, 1000H执行后，将DX最高位置1，其余位置0 绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如：V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如：v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如：v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如：等。 二．信号 （1）模型的转换 （2）分类 （3）频谱 二.放大电路 （1）模型 （2）增益 如何确定电路的输出电阻r o？ 三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:模拟电子线路实验
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