(完整版)模电总结复习资料

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。

4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。

6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。

15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。

模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。

具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。

Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。

第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅Si 、锗Ge)。

2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。

3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5. 杂质半导体---- *P 型半导体: *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

* 转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN 结* PN 结的接触电位差* PN 结的单向导电性8. PN 结的伏安特性--- 硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为。

0.2~0.3V--- 正偏导通，反偏截止。

二. * * * *半导体二极管单向导电性------二极管伏安特性正向导通，反向截止。

---- 同ＰＮ结。

正向导通压降------ 硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。

死区电压------ 硅管0.5V ，锗管0.1V 。

3. 分析方法------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V 阴( 正偏) ，二极管导通( 短路);若V <V 阴( 反偏) ，二极管截止( 开路) 。

阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若若V 阳V 阳阴( 正偏阴( 反偏) ，二极管导通) ，二极管截止( 短路);( 开路) 。

>V<V* 三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路* 稳压二极管的特性接。

判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。

(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。

(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。

(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。

模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。

- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。

- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。

- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。

- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。

2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。

- 直流电路：电流方向不变的电路。

- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。

- 数字电路：用于处理数字信号的电路。

- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。

3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。

- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。

- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。

- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。

- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。

4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。

- 放大器：用于增强信号幅度的电路。

- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。

- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。

第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。

- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。

- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。

2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。

- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。

- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。

3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。

- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。

第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件：模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

其中，电阻用于限制电流，电容用于储存电荷，电感用于储存能量，二极管用于整流、开关等，晶体管用于放大、开关等。

2. 信号：在模拟电子技术中，信号是指随时间或空间变化的电压或电流。

常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。

3. 放大器：放大器是模拟电子技术中的重要元件，用于放大输入信号的幅度。

常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。

4. 滤波器：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号，常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。

5. 调制解调：调制是将基带信号调制到载波上，解调是将载波信号解调还原为基带信号。

调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。

二、基本电路1. 电阻电路：电阻是最基本的电路元件之一，常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。

常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。

2. 电容电路：电容是能存储电荷的元件，常用于滤波、积分、微分等。

常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。

3. 电感电路：电感是储存能量的元件，常用于振荡器、磁耦合放大器等。

常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。

4. 滤波器电路：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路，常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。

5. 放大器电路：放大器是用于放大电压、电流信号的电路，常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。

常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。

6. 混频器电路：混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路，常用于调频收音机、超外差接收机等。

常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。

7. 调制解调电路：调制解调电路是用于调制解调信号的电路，常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。

模电总结知识点复习资料大全第一章节半导体二极管的基本原理一.半导体的基础知识讲解1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性定理*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析算法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路算法?直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

*三种模型?微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础（1）电子学的基本概念：电子、电荷、电流、电压等。

（2）半导体物理学：半导体材料的性质、PN结的特性等。

2. 电路基础（1）电路分析方法：基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。

（2）电路中的元件：电阻、电容、电感等实际应用。

二、模拟信号处理1. 信号与系统（1）信号的分类：连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。

（2）系统的分类：线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。

2. 模拟滤波（1）滤波器的分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。

（2）滤波器的设计：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。

三、放大电路1. 放大器的基本概念（1）放大器的分类：按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。

（2）放大器的性能参数：增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。

2. 放大电路设计（1）基本放大电路：共射放大器、共集放大器、共基放大器等。

（2）放大电路稳定性分析：稳定性条件、负反馈、电容耦合等。

四、信号发生与调制1. 信号发生器（1）基本信号源：RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。

（2）信号源的稳定性分析：频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。

2. 调制技术（1）调制原理：调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。

（2）调制电路设计：频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。

五、反馈电路1. 反馈的基本概念（1）反馈电路的分类：正反馈、负反馈。

（2）反馈电路的性能：增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。

2. 反馈网络设计（1）反馈网络结构：电流负反馈、电压负反馈。

（2）反馈网络应用：放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。

六、运算放大器1. 运算放大器的特性（1）运算放大器的基本原理：差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。

（2）运算放大器的理想模型：无输入偏置电流、无输入偏置电压等。

2. 运算放大器的应用（1）运算放大器在电路中的基本应用：比较器、积分器、微分器等。

（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。

6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。

8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。

*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。

第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。

1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。

2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。

3、杂质半导体（1）N型半导体——掺入五价元素（2）P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。

二极管的特性对温度很敏感。

其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。

（2）主要参数1）最大整流电流I：最大正向平均电流2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。

（1）稳压管的伏安特性（2）主要参数1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。

电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。