第四章 存储器和高速缓存技术
§4.1 存储器和存储器件 §4.2 存储器的连接 §4.3 虚拟存储器 §4.4 高档微机中的高速缓存技术
§4.1存储器和存储器件
▪ 除采用磁、光原理 的辅存外,其它存 储器主要都是采用 半导体存储器
▪ 本章介绍采用半导 体存储器及其组成 主存的方法
CPU
CACHE 主存(内存) 辅存(外存)
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1.读写存储器RAM
组成单元 速度 集成度
应用
SRAM 触发器 快 低 小容量系统
DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统
NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易 失
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2.只读存储器ROM
▪ 掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 ▪ PROM:允许一次编程,此后不可更改 ▪ EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许
芯片读出,缺点是芯片外引
D0 1 2 3
线较多,成本高.适合容量小 127
的静态RAM.
字结构
1022
➢ 位结构:同一芯片存放多个字的同一位.
优点是芯片的外引线少,缺点是需要多个芯片组和 1023
工作.适合动态RAM 和大容量静态RAM
位结构17
2、地址译码器
▪ 功能:接收系统总线传来的地址信号,产生地址 译码信号后,选中存储矩阵中的某个或几个基 本存储单元.
➢ 为解决cpu和主存之间的速度差距,提高整机的 运算速度,在cpu和主存之间插入的由高速电子 器件组成的容量不大,但速度很高的存储器作 为缓冲区。
▪ Cache特点
➢ 存取速度最快,容量小,存储控制和管理由硬 件实现。
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Cache工作原理——程序访问的局部性
▪ 在较短时间内由程序产生的地址往往集中在存储 器逻辑地址空间的很小范围内。(指令分布的连 续性和循环程序及子程序的多次执行)这种对局 部的存储器地址频繁访问,而对此范围以外的地 址范围甚少的现象就成为程序访问的局部性。