下载文档原格式
第八章习题参考答案1. 设图8.58中A 均为理想运算放大器，试求各电路的输出电压。
(a)U o2Ωk 10Ωk 20(b)2V(c)U o3图8.58 题1图1． 解答：对图（a ），根据运放虚短、虚断的特点可以得到Ω-=Ω-k 1002k 2021o U 进一步可以求得V 61o =U对图（b ），根据运放虚短、虚断的特点可以得到Ω-=Ω-k 20V2k 100V 22o U 进一步可以求得V 62o =U对图（c ），根据运放的虚短、虚断特性容易求得V 2o3=U2. 电路如图8.59所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，U i为2V 的直流信号，分别求出下列各种情况下的输出电压。
（1）R 2短路；（2）R 3短路；（3）R 4短路；（4）R 4断路。
o图8.59 题2图2． 解答：（1）02=R 时可以得到⎪⎩⎪⎨⎧-==1i3o M 0R U R U U ，求得V 4o-=U（2）03=R 时可以得到⎪⎩⎪⎨⎧=-=-=M oi 12M V4UU U R R U（3）04=R 时2R 支路无电流，放大电路相当于开环应用， V 14o -=U （4）∞=4R 时可以得到V 8i 132o -=+-=U R R R U3. 如图8.60所示电路，设A 为理想集成运算放大器。
（1） 写出U o 的表达式；（2）若R f =3k Ω，R 1=1.5k Ω，R 2=1k Ω，稳压管VZ 的稳定电压值U Z =1.5V ，求U o 的值。
图8.60 题3图3．解答：（1）图中的集成运算放大器组成了同相比例运算电路，其输出电压表达式为P 1f N 1f o 11U R R U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 当稳压管VZ 的稳定电压值V 10Z<U 时，Z P U U =，输出电压表达式为Z 1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+= 当稳压管VZ 的稳定电压值V 10Z>U 时，k P U U =，输出电压表达式为k 1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=（2）V 10V 5.1Z<=U ，故输出电压表达式为Z 1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=将Ω=k 3f R ，Ω=k 5.11R ，V 5.1Z =U 代入上式得V5.4V 5.1k 5.1k 31o =⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛ΩΩ+=U4. 如图8.61所示电路中，A 为理想运算放大器，已知R 1=R w =10k Ω，R 2=20k Ω，U i =1V ，输出电压的最大值为±12V ，试分别求出当电位器R w 的滑动端移到最上端、中间位置和最小端时的输出电压U o 的值。
习题八8-1 由三个理想运放组成的电路如图题8-1所示，i u =5t ωsin ，t =0时，积分电容上的电压为零，试画出对应的u 、u 和u 的波形，并在图上标出幅值的大小。
解：本电路由三级运放组成，第一级是反相输入比例放大电路，输入为i u =5t ωsin ，根据反相放大器的工作特性，可得：1o u ＝21i R u R -=10sin t ω- 其波形如图题解8-1（b ）所示。
第二级为过零比较器，信号由反相输入端输入，输出端用稳压管双向限幅，电压为±5V ，故2o u 的波形如图题解8-1（c ）所示。
第三级为积分电路，其输入信号2o u 为方波，积分电路的输出3o u 可分段算出：当t ＝0～0.1s ，2o u ＝5V 时，0.1s 末的3o u 为3o u ＝0.12031o u dt R C-⎰ ＝3650.1100100.510-⨯-⨯⨯⨯＝－10V当t ＝0.1～0.2s ，2o u ＝－5V 时，0.2s 时的3o u 为3o u ＝－100.220.131o u dt R C -⎰＝－10－3650.1100100.510--⨯⨯⨯⨯＝0V因此，可得3o u 的波形如图题解8-1（d ）所示。
8-2 试求图题8-2所示振荡电路的振荡频率osc f 和满足振幅起振条件所需f R 的最小值，运放为理想运放。
R f图题解8-1图8.24解：振荡器的震荡频率由RC 串并联连选项频网络确定。
在选频网络中，Ω===K R R R R 5//432，C=0.01F μ,，由此可得Hz RC f osc 3631018.31001.01052121⨯=⨯⨯÷⨯==-ππ放大器有两级构成，增益为14241)(R R R R R R R A f f f =--=•当osc f f =时，31max ==F F 为满足振幅起振条件1>••F A ，则A>3据此可以满足振幅起振条件所需的R 1的最小值，则412R R R f >3，R f >413R R =17.22k Ω R f 的最小值为17.22k Ω8-3 正弦波振荡电路如图8.25所示，已知=4k Ω，2R =5k Ω，p R 在0~5k Ω范围内可调，设运放是理想的，振幅稳定后二极1R 管的动态电阻近似为d r =500Ω，求p R 的阻值。
第8章信号处理电路一、填空题1．有源滤波电路中的集成运放工作在线性区，集成运放的作用是作为放大元件，电路中通常引入一个负反馈。
2．电压比较器中的集成运放工作在非线性区，集成运放的作用是作为开关元件，集成运放一般工作在开环状态。
3. 信号处理电路中，为了在有效信号中抑制50Hz的工频干扰，应该选用带阻滤波器；为了抑制频率高于20MHz的噪声，应该选用低通滤波器。
4. 信号处理电路中，为了保证有效信号为20Hz至200kHz的音频信号，而消除其他频率的干扰及噪声，应该选用带通滤波器；为了抑制频率低于100Hz的信号，应该选用高通滤波器。
二、选择题1. 某一滤波电路，只允许频率低于200Hz或者高于300kHz的信号通过，则该电路是（D ）A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器2. 某一滤波电路，能够将频率高于800KHz的信号全部过滤掉，则该电路是（B ）A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器3. 某一滤波电路，只有频率在80Hz至120kHz之间的信号才能通过，则该电路是（C ）A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器4. 某一滤波电路，能够将频率低于50MHz的信号全部过滤掉，则该电路是（A ）A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器三、判断题1、电压比较器的输出只有两种状态:高电平和低电平。
（对）2、在电压比较器中，集成运算放大器常工作在非线性区。
（对）3、在电压比较器中，集成运算放大器常工作在线性区。
（错）4、从电路结构看，电压比较器中的集成运算放大器常处于开环状态。
（对）5、从电路结构看，电压比较器中的集成运算放大器常处于闭环状态。
（错）6、过零比较器的门限电平等于零。
（对）7、单限比较器是指只有一个门限电平的比较器。
（对）8、为了使电压比较器输出状态的转换更加快速，可以在电路中引入正反馈。
（对）9、为了使电压比较器输出状态的转换更加快速，可以在电路中引入负反馈。
第八章波形的发生和信号的转换自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）在图T8.1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（）图T8.1（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）（3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）（4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（）解：（1）√（2）×（3）×（4）×二、改错：改正图T8.2所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
图T8.2解：（a）加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
（b）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.3解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
如解图T8.3所示。
解图T8.3四、已知图T8.4（a）所示方框图各点的波形如图（b）所示，填写各电路的名称。
电路1为，电路2为，电路3为，电路4为。
图T8.4解：正弦波振荡电路，同相输入过零比较器，反相输入积分运算电路，同相输入滞回比较器。
五、试分别求出图T8.5所示各电路的电压传输特性。
图T8.5解：图（a）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b）所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T＝±0.5U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示解图T8.5六、电路如图T8.6所示。
图T8.6（1）分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；（2）求出u O1与u O的关系曲线u O1＝f（u O）；（3）求出u O与u O1的运算关系式u O＝f（u O1）；（4）定性画出u O 1与u O 的波形； （5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学齐鲁工业大学第一章测试1.P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子，少子是空穴。
（）A:对 B:错答案:错2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。
A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度答案:杂质浓度3.PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
（）A:错 B:对答案:对4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
（）A:对 B:错答案:对5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。
（）A:错 B:对答案:错6.如图所示电路中，设二极管特性理想，则UO为（）。
A:－9V B:9V C:－12V D:12V答案:－9V7.如图所示，设二极管的导通电压U D＝0.7V，则U O＝（）V。
A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V答案:1.3V8.PN结正向偏置时，其内电场被（）。
A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定答案:削弱9.半导体二极管加正向电压时，有（）。
A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小答案:电流大电阻小10.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
（）A:对 B:错答案:错第二章测试1.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b =0.5V，V c= 3.6V，试问该三极管是（）型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的（）。
（）A:b B:a C:NPN D:c E:PNP答案:NPN;c2.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正偏。
（）A:对 B:错答案:错3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
（）A:增大 B:交越失真 C:截止失真 D:减小。
E:饱和失真答案:截止失真;减小。
4.在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态，共基组态的频率响应好。
模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新黑龙江八一农垦大学第一章测试1.在信号分析中，为了简化信号特征参数的提取，通常将信号从时域变换到频域。
（）参考答案:对2.信号从来都不是孤立存在的，它总是由某个系统产生又被另外的系统所处理。
（）参考答案:对3.信号的放大是最基本的模拟信号处理功能，是通过放大电路来实现的。
（）参考答案:对4.对放大电路的动态研究主要是针对电压增益而言的。
（）参考答案:错5.信号通过放大电路后产生失真的类型主要是线性失真。
（）参考答案:错第二章测试1.理想的集成运算放大器主要特征有（）。
参考答案:开环带宽BW趋近于无穷大;开环增益无穷大;输出电压的饱和极限值等于运放的电源电压;输入电阻无穷大，输出电阻为零2.在带有负反馈的运算放大器应用电路中，我们多数认为其输入端的电位相同，这是利用了（）。
参考答案:虚短3.在带有负反馈的运算放大器应用电路中，我们认为放大器的输入端不取电流，这是利用了（）。
参考答案:虚断4.集成运算放大器是模拟集成电路中应用极为广泛的一种器件，它不仅用于信号的放大、运算、处理、变换、测量、信号的产生和电源电路，而且还可以用于开关电路中。
（）参考答案:对5.在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）。
参考答案:-2.5V第三章测试1.半导体二极管的重要特性之一是（）。
参考答案:单向导电性2.当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。
参考答案:增大3.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
参考答案:变窄4.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（）参考答案:对5.设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）参考答案:D1截止，D2导通第四章测试1.场效应管可分为绝缘栅型场效应管和结型场效应管两种类型。
（）参考答案:对2.场效应管的输出伏安特性曲线主要包括哪几个区域（）。
参考答案:击穿区;饱和区;可变电阻区;截止区3.增强型场效应管在没有栅源电压的情况下就存在导电沟道。
绪论单元测试1.常用电子仪器的使用方法体现了模拟电子技术课程的实践性。
A:对B:错答案:A2.掌握基本观念，基本电路和基本分析方法是学好模拟电子技术课程的要求。
A:对B:错答案:A第一章测试1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A:掺杂工艺B:杂质浓度C:温度D:晶体缺陷答案:B2.在N型半导体中，多数载流子是（）。
A:正离子B:空穴C:电子D:负离子答案:C3.二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（）。
A:右移B:左移C:上移D:下移答案:D4.双极型晶体管本质上是一个（）。
A:电压控制的电压源B:电压控制的电流源C:电流控制的电压源D:电流控制的电流源答案:D5.晶体管的导电机理为两种载流子（电子和空穴）参与导电，（）A:错B:对答案:B第二章测试1.放大电路的静态是指（）。
A:输入交流信号频率不变时的电路状态；B:输入交流信号幅值不变时的电路状态C:输入端开路时的状态D:输入交流信号幅值为0时的电路状态；答案:D2.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明电路的输出电阻为（）。
A:3 kΩB:4 kΩC:2 kΩD:1 kΩ答案:D3.工作在放大区的双极型三极管，如果当IB从10μA增大到20μA时，IC从1.1mA变为1.9mA，那么它的β约为（）。
A:80B:90C:100D:70答案:A4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）A:错B:对答案:B5.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，它与静态工作点无关。
（）A:错B:对答案:A第三章测试1.场效应管工作时参与导电的是（）。
A:多子B:少子C:负离子D:正离子答案:A2.场效应管本质上是一个（）。
A:电压控制的电流源B:电压控制的电压源C:电流控制的电流源D:电流控制的电压源答案:A3.下列对场效应管的描述中，不正确的是（）。
A:场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点B:场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFETC:场效应管工作时多子、少子均参与导电D:场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器答案:C4.场效应管是一种载流子（即多子）参与导电。
第八章习题参考答案1. 设图8.58中A 均为理想运算放大器，试求各电路的输出电压。
Ωk 10Ωk 20(a)U o2(b)Ωk 202V(c)U o3图8.58 题1图1．解答：对图（a ），根据运放虚短、虚断的特点可以得到Ω-=Ω-k 1002k 2021o U 进一步可以求得V61o =U 对图（b ），根据运放虚短、虚断的特点可以得到Ω-=Ω-k 20V2k 100V 22o U 进一步可以求得V62o =U 对图（c ），根据运放的虚短、虚断特性容易求得V2o3=U 2. 电路如图8.59所示，集成运放输出电压的最大幅值为14V，U i 为2V 的直流信号，分别求出下列各种情况下的输出电压。
±（1）R 2短路；（2）R 3短路；（3）R 4短路；（4）R 4断路。
o图8.59 题2图2．解答：（1）时可以得到，求得02=R ⎪⎩⎪⎨⎧-==1i3o M 0R U R U U V4o-=U （2）时可以得到03=R ⎪⎩⎪⎨⎧=-=-=M oi 12M V4UU U R R U （3）时支路无电流，放大电路相当于开环应用， 04=R 2R V14o -=U （4）时可以得到∞=4R V 8i 132o -=+-=U R R R U 3. 如图8.60所示电路，设A 为理想集成运算放大器。
（1）写出U o 的表达式；（2）若R f =3k ，R 1=1.5k ，R 2=1k ，稳压管VZ 的稳定电压值U Z =1.5V ，求U o 的值。
ΩΩΩ图8.60 题3图3．解答：（1）图中的集成运算放大器组成了同相比例运算电路，其输出电压表达式为P 1f N 1f o 11U R R U R R U ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=当稳压管VZ 的稳定电压值时，，输出电压表达式为V 10Z<U Z P U U =Z 1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=当稳压管VZ 的稳定电压值时，，输出电压表达式为V 10Z>U k P U U =k1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=（2），故输出电压表达式为V 10V 5.1Z<=U Z 1f o 1U R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=将，，代入上式得Ω=k 3fR Ω=k 5.11R V 5.1Z =U V5.4V 5.1k 5.1k 31o =⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛ΩΩ+=U 4. 如图8.61所示电路中，A 为理想运算放大器，已知R 1=R w =10k ，R 2=20k ，U i =1V ，输出电压的最大值为12V ，试分ΩΩ±别求出当电位器R w 的滑动端移到最上端、中间位置和最小端时的输出电压U o 的值。
习题8-1 如图8-26所示电路，要求输出电压24V ，电流40mA ，试计算流过二极管的电流。
和二极管承受的最高反向工作电压。
解：V 7.269.0249.0o 2≈==U U mA 202oD ==I IV 5.75222D M ≈=U U8-2 如图8-27所示电路，用四只二极管组成桥式整流电路，在a 、b 两图的端点上接入交流电源和负载，画出接线图。
解： ab 8-3 如图8-28所示电路，改正图中的错误，使其能正常输出直流电压U o 。
解： 如图。
8-4 单相桥式整流电路接成图8-29所示的形式，将会出现什么后果？为什么？试改正。
解：图8-26 习题8-1图2图8-27 习题8-2图ab接负载接负载R图8-28 习题8-3图R变压器副边短路。
因为当u 2为负半周，即b 端为正， a 端为负时，VD 2、VD 1导通，VD 3、VD 4导通。
将VD 1及VD 3正负极换方向。
8-5 在图8-6所示单相桥式整流电路中，试分析产生下列故障时的后果。
（1）VD 1正负极接反。
（2）VD 2击穿。
（3）负载R L 短路。
（4）任一只二极管开路或脱焊。
解：（1）变压器副边短路。
（2）变压器副边短路。
（3）变压器副边短路。
（4）桥式整流电路变半波整流电路。
8-6 如图8-30所示电路，计算U 21= U 22= 24V 时，负载R L1和R L2上输出的电压？ 解：U L1= U L2=0.9U 21=21.6V8-7 一桥式整流电容滤波电路，已知变压器二次侧电压频率50Hz ，负载电阻50Ω，要求负载电压为20V ，试选择整流二极管型号，并选择滤波电容。
解：V 7.162.1202.1o 2===U U A 4.0Loo ==R U I A 2.02oD ==I I V 6.2322D M ==U U查半导体手册可以选择2CZ55B ，其最大整流电流为1A ，最高反向工作电压为50V 。
解: (1) UO （AV ）＝ U2 ＝9 V (2) 将成为半波整流，UO （AV ）＝ U2 ＝ V(4)如果四个二极管全部接反，则UO （AV ）＝－ U2 ＝－9 V解：在图（a ）所示电路中，C 1上电压极性为上“＋”下“－”，数值为一倍压；C 2上电压极性为右“＋”左“－”，数值为二倍压；C 3上电压极性为上“＋”下“－”，数值为三倍压。
负载电阻上为三倍压。
在图（b ）所示电路中，C 1上电压极性为上“－”下“＋”，数值为一倍压；C 2上电压极性为上“＋”下“－”，数值为一倍压；C 3、C 4上电压极性均为右“＋”左“－”，数值均为二倍压。
负载电阻上为四倍压。
解：R 1中的电流和稳压管中的最大电流为mA 40mA 50~39ZMmax 1ZI 1==≈-=ZZ R U P I R U U I（1） 为保证空载时稳压管能够安全工作 Ω=-=600)(max max 12Z R ZI I U R（2） 负载电流的最大值m A 24min 2min 1Lmax =-=Z R R I I I I － 负载电阻的变化范围∞=Ω==Lmin Lmax Lmin 250R I U R Z解：（1）T 1的c 、e 短路； （2）R c 短路； （3）R 2短路； （4）T 2的b 、c 短路； （5）R 1短路。
解：（1）整流电路：D 1～D 4；滤波电路：C 1；调整管：T 1、T 2；基准电压电路：'Z 'D 、R 、R 、D Z ；比较放大电路：A ；取样电路：R 1、R 2、R 3。
（2）为了使电路引入负反馈，集成运放的输入端上为“－”下为“＋”。
（3）输出电压的表达式为Z 3321O Z 32321U R R R R U U R R R R R ⋅++≤≤⋅+++解：因为E C 2'O 2'I 2D 1E D EB I I R I R I R I R I U U ≈≈≈≈≈，，，I C ≈I E ，所以A5.4)1( 'O 12L 'O 12C =⋅+≈⋅≈I R R I I R R I解：（1）设图（b ）中W7805的输出电压为‘O U 。
模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。
（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。
A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。
A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。
（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。
A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。
A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。
（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。
第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
(a) (b)图解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。
二、试将图所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图解：④、⑤与⑨相连，③与⑧ 相连，①与⑥ 相连，②与⑦相连。
如解图所示。
解图三、已知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器，电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图四、试分别求出图所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z。
两个电路的电压传输特性如解图所示。
解图五、电路如图所示。
图(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路； (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )； (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)； (4)定性画出u O1与u O 的波形；(5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++可得：8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图(b)所示。
绪论单元测试1.工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。
A:VC<VB<VEB:VC<VEVB>VED:VC>VE>VB答案:C2.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
A:电源电压太高B:晶体管参数随环境温度的变化而变化C:电压放大倍数太高D:晶体管的电流放大系数太大答案:B3.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。
当CB电路时，，ui和uo的相位________。
A:不确定B:反相C:相差90ºD:同相答案:D4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。
A:抑制共模信号能力增强B:差模输入电阻增大C:差模放大倍数数值增大D:抑制共模信号能力减小答案:A5.多级放大电路的初级一般采用（）A:分压偏置式放大电路B:功率放大电路C:差动放大电路D:共射极放大电路答案:C第一章测试1.二极管的重要特点之一为（）A:导电性能一般B:单向导通性C:导电性能强D:不导电答案:B2.稳压二极管主要用途是（）A:稳压B:限流C:放大D:稳流答案:A3.常见的彩灯采用的是（）管A:光电耦合器件B:光敏三极管C:发光二极管D:激光二极管答案:C4.三极管是（）器件A:电压控制电压B:电流控制电流C:电压控制电流D:电流控制电压答案:B5.三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真A:截止B:饱和C:大信号D:交越答案:B6.场效应管是A:电压控制电压B:电流控制电流C:电压控制电流D:电流控制电压答案:C7.场效应管三个电极分别为（）A:G,S,DB:B,E,CC:B,E,D答案:A8.场效应管是单极性载流子参与导电A:对B:错答案:A9.场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路A:错B:对答案:B10.场效应管和三极管工作原理相同A:错B:对答案:A第二章测试1.在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同A:错B:对答案:B2.理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是A:理想直流电流源B:电容C:理想直流电压源D:电感答案:B3.直流负载线的斜率是（）。
