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模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
思考与习题11.1填空题1.Si或载流子；另一类是在Si或Ge是多数载流子，___单向导电性___3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______限流。
5.，其反向，正常工作电流为6.7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。
8.11.12.13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于16.W7805的输出电压为 5 V17.1.1 选择题1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C）A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。
（C）A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。
（A）A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成C ．少数载流子扩散形成D ．少数载流子漂移形成4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
（ C ）A ．大于 变宽 B. 小于 变窄C. 大于 变窄D. 小于 变宽5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。
A ．0V 电压B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降6.二极管的反向电阻（ B ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。
（ C ）A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A )A.24VB.18VC.9VD.28.2V10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
习题1 解答1.1填空题(1) 电力系统的主要作用是实现 的生产、变换、传输、分配和使用。
（2）电子系统的主要作用是实现 的产生、获取、放大、变换、传输、识别和应用等功能。
（3）信号幅度与频率的关系称为 ，信号相位与频率的关系称为 ，它们统称为信号的频谱。
（4）如果周期信号)(t v 满足 ，则可表达为正弦级数。
（5）周期电压的有效值的平方等于直流分量有效值、 、各次谐波有效值的平方和。
（6）如果非周期信号绝对可积，则存在 。
（7） 是由若干互相联接和相互作用的基本电子电路组成的、实现特定功能的电路整体。
(8) 电子学或电子技术是一门研究 、 及其应用的科学和技术。
(9) 目前，集成电路上所能容纳的晶体管数量每 将翻一番。
答案：（1）电能 （2）电信号 （3）幅度频谱；相位频谱 （4）狄里赫利条件（5）基波有效值(6) 傅里叶变换对。
(7) 电子系统（8）电子器件；电子电路（9）1.5年-2年1.2 电子系统的功能是（ ）。
A ．电能传输 B.电信号处理 C.能量转换答案： B1.3 多项选择题（1） 下面选项中，（ ）是电力系统的组成部分。
A.发电厂B.输电网C.配电网D.电力用户E.无线电发射机（2）下面选项中，（ ）可能是电子系统的组成部分。
A.传感器B.滤波器C.放大器D.信号运算电路（3）电子系统处理的信号是（ ）。
A.电压B.电流C.力D.位移E.速度（4）下面选项中，（ ）是模拟信号。
A.正弦波电压B.三角波电流C.矩形波电压（5）模拟信号处理操作包括下述哪些选项（ ）。
A.信号放大 B.信号运算 C.逻辑运算 D.频谱变换 答案：（1） ABCD （2）ABCD （3）AB （4）AB （5） ABD1.4判断题：判断下列陈述是否正确。
（1）传感器将非电信号转换为电信号（电压或电流）。
（2）模拟电路处理数字信号。
答案：（1）正确 （2）错误1.5问答题（1） 何谓信号？信号包含的重要信息是什么？解答：信号是随时间变化的某种物理量，是信息的表现形式与传送载体。
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压V 10V 1Ω10Ω10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=⨯≈⨯+=V在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示V 50V 11M ΩM Ω1M Ω1s i s i i .V R R R V =⨯+=+=扬声器上的电压V 250V 50110Ω0Ω10Ω1i vo o L L o ..V A R R R V =⨯⨯+=+=四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。
用它可以测量放大电路的哪些性能指标？答：因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再含有任何未知信息。
并且任何信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量的组合。
正因为如此，正弦波信号常作为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。
用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。
五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为10μA 和25mV ，输出端接4k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号的峰—峰值1V 。
试计算该放大电路的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ，并分别换算成dB 数表示。
解： (32dB)405mV 2V 1i o v ===v v A(28dB)25μA10V /4k Ω1i o i ===i i A(30dB)10002540i v p =⨯==A A A六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示，放大电路的带宽是多少？半功率点是哪两个点？半功率点处的增益较中频区的增益下降了多少分贝？折合百分比为多少？答：带宽 = f H - f L =2×104-20≈2×104Hz半功率点指增益较中频区增益下降3dB 的频率点（即对应f H 、f L ），其输出功率约等于中频区输出功率的一半。
增益较中频区增益下降所折合的百分比为70.7﹪。
第二章运算放大器一、填空题：1．理想运算放大器的性能参数均被理想化，即输入电阻为无穷大，输出电阻为零，开环电压增益为无穷大，输出电压为接近正负电源值。
2．运算放大器有两个工作区。
在线性区工作时，放大器放大小信号；当输入为大信号时，它工作在非线性区，输出电压扩展到饱和值。
3．运算放大器工作在线性区时，具有虚短和虚断两个特点，凡是线性电路都可利用这两个概念来分析电路的输入、输出关系。
4．反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地点，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对地的电压基本上相等。
5．同相比例运算电路的输入电流等于零，而反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻的电流。
6．同相运算电路的电压增益A u≥1；反相运算电路的电压增益A u＜0。
7．反相求和运算电路中集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流等于各输入端电流的和。
8．同相比例运算电路的输入电阻大，而反相比例运算电路的输入电阻小。
9．反相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
10．微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压；积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
二、选择题：1. 现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用D。
（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用E。
（3）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用A。
（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用C。
（5）A中集成运放反相输入端为虚地，而B中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
2. 集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（ A ）。
A. 反馈网络电阻B. 开环输入电阻C. 开环电压放大倍数三、计算题：1．电路如图所示，其中R1=10kΩ，R2= R3= R4=51kΩ。
试求：（1）输入电阻R i；（2）v o与v i之间的比例系数。
（3）平衡电阻R 。
解：（1） R i =R 1=10k Ω(2) ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧-=--=-+-24n 1n i3o44424n 0 R v v R v v R v v R v R v v i4o i i 124315315v .v v v .v R R v -==-=-=(3) ()k Ω84823214321.R //R R //R R //R R ==+=' 2．电路如图所示，图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，试将计算结果填如表2.1中。
解：v O 1＝(－R f /R ) v I ＝－10 v I ，v O 2＝(1+R f /R ) v I ＝11 v I 。
当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是＋14V ，就是－14V 。
表2.1v I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 v O 1/V －1 －5 －10 －14 v O 2/V1.15.511143．求解图示电路中v O与v I之间的运算关系。
解：图示电路的A 1组成同相比例运算电路，A 2组成差动运算电路。
先求解v O1，再求解v O 。
()I 45I2I145I245I11345I245O145O I113O111 11 11v R R v v R R v R R v R R R R v R R v R R v v R R v ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛++-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=4．一高输入电阻的桥式放大电路如图所示，试写出v o= f (δ)的表达式（δ=ΔR /R ）。
解： i12o221212o112o i i B o2i A o1241 22 2v R R v R R R R R v R R v v R R Rv v v v v v ⎪⎭⎫⎝⎛+-=+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=+=+====δδδδ5．图示电路中，A1，A2，A3均为理想运放。
（1）A1，A2，A3分别组成何种基本运算电路；（2）列出vO1，vO2，vO 的表达式。
解：（1）同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
（2）)23(2)(215010050100122 3i3i2i1o2o1o2o1o i3i2o2i1o1v v v v v v v v v v v v v ++-=--=⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=--== 6．试写出图示加法器对v I1、v I2、vI3 的运算结果：v O = f (v I1、v I2、v I3)。
解：A 2的输出v O2=-(10/5)v I2-(10/100)v I3=-2v I2-0.1v I3 v O =-(100/20)v I1-(100/100)v O2=-5v I1+2v I2+0.1v I37．在图示电路中，已知输入电压v i 的波形如图（b ）所示，当t ＝0时，电容C 上的电压v C ＝0。
试画出输出电压v o 的波形。
解：V52)52(1010(-5)-100 15ms -2.5V, 5ms, V521055100 ms 5 ,0 ,0 ) ()- ( -100) () (1) (1 3o 2C 13o 2C 11C 12i 1C 12i o i 1C i o 21..v t v t .v t v t t v t t v t v t t v RCv v t v dt v RC v t t =-+⨯⨯⨯====-=⨯⨯⨯-====+=+--=+-=--⎰时若时若为常数时当8．设计一反相放大器，电路如图所示，要求电压增益A v =v o /v i =-10，当输入电压v i =-1V时，流过R 1和R 2的电流小于2mA ，求R 1和R 2的最小值。
解：5.1k Ω 510Ω 5k Ω k Ω50 mA 2V 1 01 1021211ii 1212i o v ==>><-==-=-==R R R .R R v v R R R Rv v A ，取，，时，有当第三章 二极管及其基本电路一、填空题：1．制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。
2．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
3．本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。
P 型半导体中的少子是 电子 ，多子是 空穴 ， N 型半导体中的少子是 空穴 ，多子是 电子 。
4．半导体中参与导电的有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参与导电的有 一 种载流子，是 电子 。
