模拟电子技术习题答案(房国志)

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。

晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。

2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。

两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。

图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。

（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。

1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。

[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。

输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。

输入负半周时，D 2导通，D 1截止。

输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。

（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。

两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。

[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。

O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。

（b）VD截止，U AB=-12 V。

（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。

（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。

图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

专升本《模拟电子技术》一、（共61题,共150分）1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。

此时耗尽层 ( )。

（2分）A.大于变宽。

B.小于变窄。

C.等于不变。

D.大于变窄。

标准答案：D2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。

因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。

（2分）A.多子少子大。

B.多子两种载流子小。

C.少子多子小。

D.多子多子差不多。

标准答案：B3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。

（2分）A.交流信号不能输入。

B.没有交流信号输出。

C.没有合适的静态工作点。

D.发射结和集电结的偏置不正确。

标准答案：B4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。

（2分）A.高通滤波器B.带阻滤波器C.带通滤波器D.低通滤波器标准答案：D5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。

（2分）A.由两种不同材料的硅和锗制成。

B.掺入的杂质元素不同。

区和N区的位置不同。

D.载流子的浓度不同。

标准答案：C6. 某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据（）（2分）=，U2=， U3=12V。

=3V，U2=， U3=12V。

=6V，U2=，U3=12V。

=6V，U2=，U3=12V。

标准答案：A7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为，则输出电压为：（）。

（2分）标准答案：D8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：（）。

（2分）A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b。

B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b。

C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b。

D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b。

标准答案：A9. 下列电路中能正常放大的是：( )。

模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。

（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。

（3）如果要用单个运放实现：A＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将u正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。

A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。

（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗（不会）加1000V的交流电压呢（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。

（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。

（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。

（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。

（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。

〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

〔 〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

〔 〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

〔 〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。

〔 〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。

〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

模拟电子技术习题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、等腰三角波;B、仍为正弦波。

C、矩形方波;D、正弦半波;正确答案：D2.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

正确答案：A3.基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A4.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

（）A、对 :B、错正确答案：B5.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为（）失真。

B、交越C、截止D、频率正确答案：C6.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于( )A、50B、60C、61D、100正确答案：B7.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。

（）A、对 :B、错正确答案：B8.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、克服交越失真B、稳定放大倍数C、提高输入电阻D、抑制零漂正确答案：D9.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.9B、0.5C、0.4正确答案：D10.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。

A、四价B、三价C、五价正确答案：B11.晶体三极管的极是它的( )。

A、基极B、集电极C、栅极D、发射极正确答案：D12.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。

（）A、对 :B、错正确答案：B13.理想集成运放的两个重要结论是( )。

A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。

正确答案：A14.晶体三极管的输出特性曲线上可分为 ( )A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区正确答案：B15.NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于 ( )。

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解：波形如题8解图所示。

题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。

《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5A µ和5 mV 。

输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V 。

试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ，并分别换算成dB 数表⽰。

解：（1）电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴（2）电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴（3）功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动，放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。

求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ，并分别转换成dB 数表⽰。

解：Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2（a ）所⽰，其输⼊电压u I1和u I2的波形如图（b ）所⽰，⼆极管导通电压U D ＝0.7V 。

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

习 题 答 案〖题1.1〗 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。

〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压O U 。

设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。

图 T1.2(a )(b )(d )(c)解：（a ）U O =U A －U D =－5V －0.7V=－5.7V （b ）U O =U B =U C =－5V （c ）U O =U A =－0.7V （d ）U O =U A =－9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知(m V )sin 10i t u ω= ，V 2.1=E ，+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ，电容C 和直流电源E 对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示，求二极管两端的电压和流过二极管的电流。

解： m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

(a)(b)图 T1.4解：(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通；(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。

〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中，已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

模拟电子技术试题一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，二极管的正向导通电压通常为（）。

A. 0.2VB. 0.7VC. 1.5VD. 3V2. 放大电路中，输入信号与输出信号相位关系取决于（）。

A. 电源电压B. 电路类型C. 负载电阻D. 输入信号频率3. 下列哪个元件不是构成运算放大器的基本元件？（）A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 三极管D. 电容器4. 在共发射极放大电路中，若要使输出电压增大，应采取的措施是（）。

A. 减小集电极电阻B. 增大集电极电阻C. 减小基极电阻D. 增大基极电阻5. 差分放大电路的主要作用是（）。

A. 放大差模信号B. 放大共模信号C. 抑制差模信号D. 抑制共模信号6. 正弦波振荡电路中，振荡频率主要由哪个元件决定？（）A. 电感B. 电容C. 电阻D. 二极管7. 负反馈可以提高放大电路的（）。

A. 增益B. 稳定性C. 带宽D. 线性8. 在模拟电子技术中，场效应晶体管的控制极是（）。

A. 栅极B. 漏极C. 源极D. 基极9. 桥式整流电路中，四个整流二极管的连接方式是（）。

A. 串联B. 并联C. 混联D. 交叉连接10. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 信号放大B. 信号滤波C. 信号调制D. 信号解调二、填空题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，三极管的放大作用是通过改变三极管的______来实现的。

2. 运算放大器的两个输入端分别是______和______。

3. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗______。

4. 差分放大电路的输出信号只与两个输入信号的______有关。

5. 正弦波振荡电路的振荡条件是______。

6. 负反馈可以提高放大电路的______和______。

7. 场效应晶体管的导电沟道是由______形成的。

8. 桥式整流电路的输出电压是单相整流电路输出电压的______倍。