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常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
2002.5半导体器件4.61第四章MOSFET4.6 MOSFET 模型2002.5半导体器件4.624.6 MOSFET 模型本节内容MOSFET 模型简介MOS1和MOS2模型及模型参数介绍 电容模型（介绍Meyer 电容模型）模型参数提取2002.5半导体器件4.634.6.1 MOSFET 模型简介MOSFET 模型发展至今，已有五十多个模型。
下面简单介绍几个有代表性的模型：Level 1 ——MOS1模型（Shichman-Hodges 模型），该模型是Berkley SPICE 最早的MOST 模型，适用于精度要求不高的长沟道MOST 。
电容模型为Meyer 模型，不考虑电荷贮存效应Level 2 ——MOS2模型，该模型考虑了部分短沟道效应，电容模型为Meyer 模型或Ward-Dutton 模型。
Ward-Dutton 模型考虑了电荷贮存效应。
2002.5半导体器件4.644.6.1 MOSFET 模型简介Level 3 ——MOS3模型，为半经验模型，广泛用于数字电路设计中，适用于短沟道器件，对于沟道长度≥2µm 的器件所得模拟结果很精确。
BSIM 模型——B erkeley S hort-Channel I GFET M odel 。
BSIM 模型是专门为短沟道MOST 而开发的模型。
目前已经发展到BSIM4模型。
Level 4 ——BSIM1模型，适合于L ≈1µm ，t ox ≈15nm 的MOSFET 。
4.6.1 MOSFET 模型简介BSIM1模型考虑了小尺寸MOST 的二阶效应包括 垂直电场对载流子迁移率的影响； 速度饱和效应；DIBL （漏场感应势垒下降）效应； 电荷共享；离子注入器件的杂质非均匀分布； 沟道长度调制效应； 亚阈值导电；参数随几何尺寸的变化基本公式是萨方程的修正4.6.1 MOSFET 模型简介HSPICE Level 28 ——改进的BSIM1模型，适用于模拟电路设计，目前仍有广泛应用。
•无源器件：电阻、电感、电容1、电阻RXXX n1 n2 <mname> <R=>resistance <AC=val> 电阻值可以是表达式。
例：R1 1 2 10KRac 9 8 1 AC=1e10Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’2、电容CXXX n1 n2 <mname> <C=>capacitance例：C1 1 2 1pF3、电感LXXX n1 n2 <L=>inductance例：L1 1 2 1nH•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET1、Diode（二极管）DXXX N+ N- MNAME<AREA> <OFF> <IC=VD>可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT（双极性晶体管）QXXX NC NB NE <NS> MNAME<AREA> <OFF> <IC=VBE,VCE>NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。
后面与二极管相同。
3、JFET（结型场效应晶体管）JXXX ND NG NS MNAME<AREA> <OFF> <IC=VDS,VGS>4、MOSFET（MOS场效应晶体管）MXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL> <Other options>M为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。
MNAME 是模型名，L沟道长，W为沟道宽。
•子电路1、子电路定义开始语句.SUBCKT SUBNAM <node1 node2…>其中，SUBNAM为子电路名，n ode1…为子电路外部节点号，不能为零。
常用电阻二极管三极管参数资料常用电阻、二极管、三极管等元件是电子电路中常见的器件，它们有各自的参数资料。
以下是这些元件的一些常用参数：一、电阻参数资料：1. 额定功率（Rated Power）：电阻能稳定工作的最大功率。
2. 额定电阻值（Resistance Value）：指电阻在标准环境下的电阻值。
3. 电阻精度（Tolerance）：指电阻实际值与额定值之间的偏差范围。
4. 温度系数（Temperature Coefficient）：指电阻在不同温度下电阻值的变化程度。
5. 最大工作电压（Maximum Working Voltage）：电阻能够承受的最大电压。
6. 储能（Energy Storage）：指电阻在通过电流时所消耗或储存的能量。
7. 偏移电阻（Offset Resistance）：指电阻两端电压为零时对电流引起的电压偏移。
8. 序列电阻（Series Resistance）：指电阻的序列电阻值，即电阻两端连接的电阻。
9. 绝缘电阻（Insulation Resistance）：指电阻两端之间的绝缘电阻能力。
10. 频率特性（Frequency Characteristics）：指电阻在不同频率下电阻值的变化情况。
二、二极管参数资料：1. 额定反向电压（Reverse Voltage）：指二极管能够承受的最大反向电压。
2. 额定电流（Forward Current）：指二极管能够稳定工作的最大正向电流。
3. 额定功率（Rated Power）：指二极管能够稳定工作的最大功率。
4. 额定正向电压降（Forward Voltage Drop）：指二极管正向工作时的电压降。
5. 耗散功率（Power Dissipation）：指二极管消耗的功率。
6. 转导纳（Transconductance）：指二极管的输入电流变化对于输出电流变化的敏感程度。
7. 反向串扰（Reverse Crossover）：指二极管在反向工作时对周围的元件产生的影响。
常用二极管三极管参数1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：即二极管在正向导通时的电压降。
不同类型和材料的二极管正向电压降不同，一般为0.1V到1V之间。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：即二极管在反向施加电压时可以承受的最大电压，超过该电压则会发生击穿。
3. 正向电流（Forward Current）：即二极管在正向导通时通过的电流。
不同类型和材料的二极管正向电流不同，一般为几十mA到几百mA。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：即二极管在反向施加电压时的漏电流。
一般来说，漏电流越小，二极管的质量越好。
5. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：即二极管在反向施加电压时发生击穿的最小电压。
不同类型的二极管反向击穿电压不同。
常用三极管参数：1. 最大正向电流增益（Max Forward Current Gain）：即三极管在正向工作状态下电流放大的倍数。
这个数值越大，三极管的放大效果越好。
2. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：即三极管在反向工作状态下的漏电流。
这个数值越小，三极管的质量越好。
3. 最大集电结（Collector Junction）饱和电压（VCEsat）：即三极管在饱和状态下集电极和发射极之间的电压降。
通常情况下，饱和电压应尽可能低，以确保三极管能够有效地导通。
4. 最大集电极电流（Max Collector Current）：即三极管所能承受的最大集电电流。
超过这个数值将导致三极管的击穿和损坏。
5. 最大功耗（Max Power Dissipation）：即三极管所能承受的最大功率。
超过这个数值将导致三极管过热并可能损坏。
以上介绍了二极管和三极管的常见参数，这些参数的理解和掌握对于选择合适的二极管和三极管，以及正确设计和应用电路非常重要。
常用电阻二极管三极管参数资料常用电阻、二极管、三极管参数资料1．固定电阻器的主要参数固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。
（1）标称阻值和允许误差电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫电阻的误差，它反映了电阻器的精度。
不同的精度有一个相应的误差，表1列出了常用电阻器的允许误差等级（精度等级）。
表1 常用电阻器允许误差的等级目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而且III级很少，能满足一般应用的要求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。
国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准，表2是普通电阻器系列表。
表中的标称值可以乘以10 n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7KΩ……。
选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。
表2 电阻器系列及允许误差（2）电阻器的额定功率电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。
电阻器的额定功率，通常有1/8、1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。
表示电阻器额定功率的通用符号见图1。
大于1W的则用阿拉伯数字表示。
2．固定电阻器的主要参数的标志方法（1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。
额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。
额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，一般0.1 25w、0.25w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；0．5W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。
（2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。
直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。
允许误差用符号、J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。
