集成电路测试原理及方法资料

集成电路芯片电参数测试集成电路芯片的电参数测试是评估芯片性能和质量的重要步骤之一。

电参数测试可以帮助设计工程师和制造工程师了解芯片的工作条件，优化芯片设计和制造过程。

本文将介绍集成电路芯片的电参数测试的基本原理、测试方法和常见测试指标。

一、电参数测试的基本原理电参数测试是通过将待测芯片接入测试设备，对芯片进行各项电性能指标的测试。

通常，芯片的接口与测试仪器相连接，测试仪器通过向芯片施加电压、电流等信号，测量芯片的电压、电流等响应信号。

通过对这些响应信号的分析，可以得到芯片的电参数信息。

二、电参数测试的方法1. 直流电性能测试直流电性能测试是测试芯片在直流工作状态下的电压、电流等基本电性能指标。

其中包括：(1) 静态电压测量：测量芯片的电源电压、管脚电压等；(2) 静态电流测量：测量芯片的静态工作电流；(3) 动态电流测量：测量芯片在不同工作状态下的动态电流变化。

2. 交流电性能测试交流电性能测试是测试芯片在交流信号下的电性能，用于评估芯片的信号处理能力和频率响应特性。

其中包括：(1) 频率特性测试：测量芯片在不同频率下的增益、相位等指标；(2) 时域响应测试：测量芯片对快速变化信号的响应能力；(3) 噪声测试：测量芯片在不同频率范围内的噪声水平。

3. 温度特性测试温度特性测试用来评估芯片在不同温度环境下的电性能变化，以确定芯片的工作温度范围和温度稳定性。

其中包括：(1) 温度漂移测试：测量芯片在不同温度下的电性能漂移；(2) 温度稳定性测试：测量芯片在恒定温度条件下的电性能稳定性。

4. 功耗测试功耗测试是测试芯片在不同工作模式下的功耗消耗，用于评估芯片的能耗性能和电池寿命。

其中包括：(1) 静态功耗测试：测量芯片在待机模式下的功耗消耗；(2) 动态功耗测试：测量芯片在不同工作负载下的功耗消耗。

三、常见的电参数测试指标1. 电源电压：芯片的工作电压范围和电压稳定性；2. 静态电流：芯片的工作电流和功耗；3. 输出电压范围和电流驱动能力；4. 时钟频率和时钟精度；5. 噪声水平和信噪比；6. 时延、上升时间和下降时间。

集成电路原理与设计重点内容总结第一章绪论摩尔定律：（P4）集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。

集成度提高原因：一是特征尺寸不断缩小，大约每三年缩小一2倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。

等比例缩小定律：（种类优缺点）（P7-8）1. 恒定电场等比例缩小规律（简称CE定律）a. 器件的所有尺寸都等比例缩小K倍，电源电压也要缩小K倍，衬底掺杂浓度增大K倍,保证器件内部的电场不变。

b. 集成度提高忆倍，速度提高K倍，功耗降低K2倍。

c. 改变电源电压标准，使用不方便。

阈值电压降低，增加了泄漏功耗。

2. 恒定电压等比例缩小规律（简称CV定律）a. 保持电源电压和阈值电压不变，器件的所有几何尺寸都缩小K倍，衬底掺杂浓度增加忆倍。

b. 集成度提高忆倍，速度提高K2倍。

c. 功耗增大K倍。

内部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。

3. 准恒定电场等比例缩小规则（QCE）器件尺寸将缩小K倍，衬底掺杂浓度增加K（1< <K）倍，而电源电压则只变为原来的/K倍。

是CV和CE的折中。

需要高性能取接近于K,需要低功耗取接近于1。

写出电路的网表：A BJT AMPVCC 1 0 6Q1 2 3 0 MQRC 1 2 680RB 2 3 20KRL 5 0 1KC1 4 3 10UC2 2 5 10UVI 4 0 AC 1.MODEL MQ NPN IS=1E-14+BF=80 RB=50 VAF=100.OP.END其中.MODEL为模型语句，用来定义BJT晶体管Q1的类型和参数。

常用器件的端口电极符号器件名称端口付号缩与Q （双极型晶体管） C （集电极），B （基极），E （发射极），S （衬底）M （MO场效应管） D （漏极），G （栅极），S （源极），B （衬底）J （结型场效应管） D （漏极），G （栅极），S （源极）B （砷化镓场效应管） D （漏极），G （栅极），S （源极）电路分析类型.OP直流工作点分析.TRAN瞬态分析• DC直流扫描分析• FOUR傅里叶分析•TF传输函数计算.MC豕特卡罗分析•SENS灵敏度分析•STEP参数扫描分析.AC交流小信号分析•WCASE最坏情况分析• NOISE噪声分析•TEMP温度设置第二章集成电路制作工艺集成电路加工过程中的薄膜：（P15）热氧化膜、电介质层、外延层、多晶硅、金属薄膜。

1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。

共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。

差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。

对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。

6.理想集成运放的基本条件。

1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。

代表的实际物理意义。

其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。

IDDQ测试技术及其实现方法Iddq testing techniqure and its implementation谭超元　钟征宇(电子部五所　广州1501信箱05分箱　510610)摘要:IDDQ(即静态电源电流)测试是近几年来国外比较流行的CMOS集成电路测试技术。

IDDQ测试能够检测出传统的固定值故障电压测试(即SAF功能测试)所无法检测的CMOS集成电路内部的缺陷(如氧化层短路,穿通等),所以,能够明显提高CMOS集成电路的使用可靠性。

本文叙述了IDDQ测试的基本原理和IDDQ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。

主题词:IDDQ　电流测试　CMOS　缺陷　可靠性1　前　言IDDQ测试技术是在CMOS集成电路静态功耗电流参数测试的基础上发展来的一种测试技术,它将电流测试与电压测试有机地结合在一起,大大提高了故障覆盖率[1]。

然而,由于电流测试的速度远远低于电压测试的速度,如果对大规模CMOS集成电路的每一个功能测试向量都进行一次IDDQ测试,将需要很长的测试时间。

为了使IDDQ 测试技术实用化,缩短IDDQ测试的时间, 1990年前后国外在精简IDDQ测试向量的IDDQ测试算法研究方面和提高IDDQ测试的速度和精度方面做了大量的工作,并取得了明显的进展,如QU IETEST能够将ID2 DQ测试向量精简到SAF功能测试向量的1%[2],而在电流检测方面已经达到15kHz-1MHz的电流检测速度,1μA的电流检测精度[3]。

21IDDQ测试原理传统的电压测试是将测试图形加到基本输入端,并在基本输出端与期望值相比较,如果结果一致,则电路合格,结果不一致,则电路不合格。

如果缺陷出现在电路内部,则必须把它“传递”到基本输出端才能被检测出来。

IDDQ是指当CMOS集成电路中的所有节点都处于静止状态时的电源电流。

IDDQ 测试与电压测试一样将测试图形加到基本输入端,与电压测试的不同之处在于它不是在基本输出端进行电压测试,而是在电源端或地端进行电流测试。

第一章衬底材料1、三种单晶制备方法的特点和用途比较直拉法（引晶，缩颈，放肩，等径生长，收晶）基本原理：将多晶硅在真空或惰性气体保护下加热，使多晶硅熔化，然后利用籽晶来拉制单-固相界面附近存在温度梯度(dT/dz)。

区熔法（悬浮区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后竖直固定在区溶炉上、下轴之间；水平区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后水平固定在区溶炉左、右轴之间）基本原理：将籽晶与多晶硅棒紧粘在一起，利用分段熔融多晶棒，在溶区由籽晶移向多晶硅棒另一端的过程中，使多晶硅转变成单晶硅。

中子嬗变掺杂法：利用热中子（即低能中子）对高阻单晶进行辐照，从而使其电阻率发生改变的方法。

主要用来对高阻区熔单晶电阻率的均匀性进行调整。

三种单晶制备方法的比较方法C、O含量直径电阻率大小电阻率均匀性用途直拉法较高大低径向、轴向均匀性很差制作VLSI区熔法较低较小高径向、轴向均匀性较差制作PowerDevice中子嬗变法不变不变可调较好调整电阻率2、硅中有害杂质的分类、存在形式及其影响非金属主要有C、O、H原子。

重金属主要有Au、Cu、Fe、Ni原子。

金属主要有Na 、K、Ca、Al、Li、Mg、Ba 原子等。

分类种类存在形式主要影响影响器件的特性参数(UT,β,Usat,fT)；影响硅单晶的力O 间隙位置学性质(降低其机械强度)；有源区外的氧有利于吸收附非金属近的重金属杂质,增强硅器件抗α粒子辐射的能力。

C 替位位置影响硅器件的电学性质(IR↑，UB↓)；会减小硅的晶格常数，引起晶格畸变；间隙90% 有多个能级和双重电活性(受主或施主)或复合重金属Au 替位10% 中心, 影响硅的电阻率(ρ)和寿命(τ)；有效的复合中心影响较严重，除影响τ, ρ外，易在缺陷处形成杂Cu Fe 深能级质线和沉积微粒，使器件产生等离子击穿、PN结漏电“管道”等现象金属Na,K 间隙位置参与导电、影响器件的电学特性；Al Al会对N型材料的掺杂起补偿作用,使ρ↑3、硅中杂质吸除技术的分类，四种非本征杂质吸除方法的原理。

《集成电路测试》实验指导书南通大学集成电路重点实验室2009年6月实验一 测试图形生成及验证一、实验目的熟悉对被测电路给定故障生成测试图形的过程，掌握异或法和D 算法的具体运用。

二、实验原理参考教材P74 4.2.1 异或法， P82 4.4 D 算法三、实验内容abcd(1) 用异或法对5/0故障生成测试图形；(2) 用D 算法对6/0故障生成测试图形；(3) 对以上所产生的测试图形进行验证；（在Quartus II 中进行验证）四、实验报告写出测试图形生成的具体过程，给出整个实验的原理图和运行结果，分析实验结果的正确性。

f实验二伪随机序列生成一、实验目的了解随机测试和伪随机测试的基本概念；掌握LFSR的基本结构和M序列的基本特性。

二、实验原理基于故障的确定性测试方法是指用专门的算法对给定的故障生成测试图形，优点是生成的测试图形长度短，但生成过程比较复杂，测试施加比较困难。

由微处理器的测试软件算法或者专用的测试电路可容易生成随机的或伪随机的测试图形，并具有较高的故障覆盖率，因此在集成电路测试中得以广泛应用。

如果一个序列，一方面它是可以预先确定的，并且是可以重复地生产和复制的；一方面它又具有某种随机序列的随机特性（即统计特性），我们便称这种序列为伪随机序列。

因此可以说，伪随机序列是具有某种随机特性的确定的序列。

它们是由移位寄存器产生确定序列，然而他们却具有某种随机序列的随机特性。

因为同样具有随机特性，无法从一个已经产生的序列的特性中判断是真随机序列还是伪随机序列，只能根据序列的产生办法来判断。

伪随机序列系列具有良好的随机性和接近于白噪声的相关函数，并且有预先的可确定性和可重复性。

伪随机序列的电路为一个反馈移位寄存器，它可分为线性反馈移位寄存器（简称LFSR 计数器）和非线性反馈移位寄存器，由线性反馈移位寄存器（LFSR）产生的周期最长的二进制数字序列称为最大长度线性反馈移位寄存器序列，通常简称为M序列。

集成电路测试基本原理
集成电路测试的基本原理是：被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入X和网络功能集F（X），确定原始输出回应Y，并分析Y是否表达了电路网络的实际输出。

因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。

测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。

集成电路测试的作用包括：
1. 检测：确定被测器件DUT是否具有或者不具有某些故障。

2. 诊断：识别表现于DUT的特性故障。

3. 器件特性的描述：确定和校正设计和/或者测试中的错误。

4. 失效模式分析（FMA）：确定引起DUT缺陷制造中的错误。

以上信息仅供参考，如有需要，建议咨询专业技术人员。

集成电路的工作原理及可靠性分析摘要：集成电路是现代电子技术中的重要组成部分，其工作原理涉及到多种物理原理和技术方法。

本文将对集成电路的工作原理进行深入分析，并探讨其可靠性问题。

首先，本文将简要介绍集成电路的基本结构和分类，并详细介绍CMOS技术在集成电路中的应用。

然后，本文将分析集成电路的工作原理，包括数字电路和模拟电路两个方面，并介绍集成电路中常见的逻辑门和模拟电路。

最后，本文将探讨集成电路的可靠性问题，包括热稳定性、电子迁移效应、辐射效应等，以及集成电路的可靠性评估方法。

关键词：集成电路，工作原理，可靠性评估方法。

引言：集成电路是现代电子技术的核心之一，其广泛应用于计算机、通信、娱乐等各个领域。

集成电路的发展经历了数十年的探索和实践，逐步从简单的门电路发展到了复杂的微处理器和存储芯片。

在集成电路的发展过程中，CMOS技术成为了最为成熟和广泛应用的技术之一。

与此同时，随着集成电路规模的不断增大和工艺的不断进步，集成电路的可靠性问题也逐渐引起人们的关注。

因此，本文将深入分析集成电路的工作原理和可靠性问题，以期为相关研究提供参考。

一、集成电路的基本结构和分类集成电路是指将多个电子器件（晶体管、电容、电阻等）以一定的规律和方法集成到一块半导体晶片上，形成一个完整的电路系统。

根据功能和结构的不同，集成电路可以分为数字电路和模拟电路两种类型。

数字电路主要用于数字信号的处理和计算，包括逻辑门、存储器、微处理器等；模拟电路主要用于模拟信号的处理和放大，包括放大器、滤波器、电源管理芯片等。

此外，根据集成度的不同，集成电路还可以分为SSI（小规模集成电路）、MSI（中规模集成电路）、LSI（大规模集成电路）和VLSI（超大规模集成电路）等不同类型。

二、集成电路的工作原理1.数字电路的工作原理数字电路主要是处理离散的数字信号，其中最基本的逻辑门包括与门、或门、非门等。

这些逻辑门的输出取决于其输入信号的状态，可以用真值表来描述其逻辑功能。

半导体集成电路ttl电路测试方法的基本原理TTL（Transistor-Transistor Logic）电路是一种常见的数字逻辑电路，用于处理和传输数字信号。

在测试TTL电路之前，我们需要了解其基本原理。

首先，TTL电路通过使用晶体管来控制电路中的电流流动。

TTL电路中的晶体管有两个状态：饱和和截止。

在饱和状态下，电流可以沿着TTL电路的路径流动，表示逻辑“1”，而在截止状态下电流被截断，表示逻辑“0”。

针对TTL电路的测试，常用的方法包括以下几个步骤：1. 电源供应：确保TTL电路接收到正确的电源供应。

通常，TTL电路需要3.3V或5V的电源供应，这个应该根据具体的电路规格来确定。

2. 输入信号：根据要测试的TTL电路的输入要求，提供相应的输入信号。

输入信号可以是逻辑“0”或逻辑“1”，可以通过按钮、开关或信号发生器来产生。

3. 观察输出：连接示波器或数字逻辑分析仪来观察TTL电路的输出信号。

将TTL电路的输出信号与其预期输出进行比较，以确定TTL电路的工作情况。

4. 测试逻辑功能：对TTL电路进行逻辑功能测试，包括测试逻辑门、触发器等组件的正常工作。

5. 测试延迟时间：通过测量输入信号到输出信号的延迟时间，来评估TTL电路的性能。

延迟时间越短，TTL电路的工作速度越快。

6. 测试特殊功能：TTL电路可能具有特殊功能，例如三态缓冲器、多路选择器等。

需要测试这些特殊功能，确保其按照设计目标进行工作。

总而言之，测试TTL电路的基本原理是通过提供适当的输入信号，观察输出信号，并评估TTL电路的逻辑功能、延迟时间以及特殊功能。

这些测试方法可以帮助确保TTL电路按照预期工作，以确保电路的可靠性和性能。

集成电路测试和可测性设计IC Testing and Design for Testability教学大纲课程名称：集成电路测试和可测性设计课程编号：M702004课程学分：3适用学科：集成电路工程、电子科学与技术一、课程性质本课程的授课对象为集成电路工程专业研究生和电子与科学技术专业研究生，课程属性为专业基础必修课（对电子与科学技术专业研究生为专业选修课）。

本课程主要讲授集成电路测试尤其是大规模集成电路测试的基本概念、基本方法，数字集成电路测试向量生成算法、可测试性设计、可测试性度量、数模混合信号电路测试方法以及测试设备和测试过程等内容。

通过基本思想、基本算法的引入、推导并配以大量的实例进行分析，使学生能够对测试相关理论有全面的理解，并能够利用所学的方法解决实际的电路测试及可测试性设计方面的问题。

二、课程教学目的学生通过本课程的学习，应能够理解集成电路测试及可测性的基本概念、基本思想；掌握重要的测试向量生成算法以及典型的可测性设计的结构；了解集成电路测试的发展趋势及面临的主要问题。

通过利用可测性设计方法构建实际的可测性方案，锻炼培养解决测试问题的实践动手能力。

同时通过对主要算法的发展历程、思想演变等的学习，培养发现问题、解决问题的能力以及创新思维。

为今后从事集成电路测试方面的工程或研究工作打下基础。

三、教学基本内容及基本要求第一章测试理论基础教学内容：1.1 引言1.2 VLSI测试过程和设备教学要求：1、掌握：集成电路测试的工作原理和工作过程。

2、理解：集成电路测试的基本概念。

3、了解：集成电路测试的特点，测试技术的发展及现状。

第二章测试经济学故障和故障模拟教学内容：2.1 测试经济学和产品质量2.2 故障模型教学要求：1、掌握：测试的经济性和故障定义。

2、理解：故障的含义和分类方法。

3、了解：测试与产品质量间的关系。

第三章逻辑与故障模型教学内容：3.1 用于设计验证的模拟3.2 用于设计评估的模拟3.3 用于模拟的模型电路3.4 用于真值模拟的算法3.5 故障模拟算法3.6 故障模拟的统计学方法教学要求：1、掌握：模型电路概念及类型，真值模拟的算法和故障模拟算法。

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理1.引言半导体集成电路是现代电子技术的核心组成部分，而电压比较器是其中常见且重要的电路之一。

电压比较器用于比较两个电压输入，根据比较结果输出高电平或低电平信号。

本文将介绍半导体集成电路中电压比较器的测试方法，包括基本原理、测试步骤和测量指标。

2.电压比较器的基本原理电压比较器是一种基本的运算放大器。

它可以将输入电压与参考电压进行比较，并根据比较结果输出不同的电平信号。

电压比较器通常由放大器和一个或多个阈值电压参考组成。

2.1放大器电压比较器中的放大器起到放大输入信号的作用。

主要有两种类型的电压比较器放大器：开环放大器和闭环放大器。

开环放大器通常具有高增益和大的输入阻抗，能够放大微弱的输入信号。

闭环放大器通过负反馈方式将输出信号与输入信号进行比较，调整增益以得到所需的输出。

2.2阈值电压参考电压比较器中的阈值电压参考决定了输入电压与参考电压的比较结果。

通常使用稳定的参考电源以及电压分压电路实现。

根据比较结果，阈值电压参考可以分为单阈值和双阈值电压参考。

3.电压比较器的测试方法3.1测量输入偏置电流输入偏置电流是电压比较器一个重要的性能指标，表示当输入为零时，放大器输入端的电流。

测试输入偏置电流的方法包括使用恒流源、压差法和零漂技术。

3.2测量输入失配电压输入失配电压是电压比较器另一个重要的性能指标，表示两个输入之间的电压差。

测试输入失配电压的方法包括使用零漂技术、记录其差别以及使用等效电路模型进行测量。

3.3测量输入失配电流输入失配电流是电压比较器的性能指标之一，表示两个输入之间的电流差异。

测试输入失配电流的方法包括使用差分电压源和记录其差异。

3.4测量输出高电平和低电平信号输出高电平和低电平信号的测量是电压比较器的重要测试项目。

通常使用示波器或逻辑分析仪来测量输出信号的上升时间、下降时间、峰值电压和持续时间等参数。

4.结论本文介绍了半导体集成电路中电压比较器的测试方法，包括测量输入偏置电流、输入失配电压、输入失配电流和输出高低电平信号等关键项目。

集成电路测试原理及方法一、测试原理：1.组件级测试：集成电路是由多个组件和连线组成的，组件级测试主要是对每个组件的功能进行测试，以确保组件的正常工作。

这些组件可以是逻辑门、存储器、运算单元等，测试方法主要是通过输入不同的信号，观察输出是否符合预期结果。

2.系统级测试：系统级测试是对整个集成电路进行测试，将多个组件和连线连接在一起，模拟真实的工作环境进行测试。

系统级测试主要是验证整个电路是否能够正常工作，并满足设计要求。

测试方法主要是通过输入一系列的测试用例，观察输出结果是否符合预期。

3.可靠性测试：可靠性测试是为了评估集成电路的寿命和稳定性，测试电路在长时间运行和极端环境下的性能表现。

可靠性测试主要是通过对电路施加特定压力和环境条件，观察电路的响应和损坏情况，以评估其可靠性。

测试方法主要是通过加速老化、温度循环、湿度变化等方式进行测试。

二、测试方法：1.逻辑测试：逻辑测试是对逻辑功能进行测试，主要是验证电路的正确性。

逻辑测试方法主要有程序测试、仿真测试和扫描链测试等。

程序测试是通过编写测试程序，输入一系列的测试数据，观察输出结果是否符合预期。

仿真测试是通过建立电路模型，以软件仿真的方式进行测试，模拟电路的工作过程。

扫描链测试是通过引入扫描链，实现对电路内部状态的观测和控制，提高测试效率和覆盖率。

2.功能测试：功能测试是对电路的功能进行全面测试，以验证电路是否能够正常工作。

功能测试方法主要有输入/输出测试、边界测试和故障注入等。

输入/输出测试是通过输入一系列的测试用例，观察输出结果是否符合预期，以测试电路的输入和输出能力。

边界测试是在输入信号的边界值处进行测试，以验证电路在极端情况下的性能表现。

故障注入是通过在电路中注入故障，观察电路的响应和恢复情况，以评估其容错能力和可靠性。

3.性能测试：性能测试是对电路的性能进行评估和验证，以测试电路的性能指标是否满足设计要求。

性能测试方法主要有时序测试、信号完整性测试和功耗测试等。

第1篇一、实验目的1. 了解集成电路封装知识，熟悉集成电路封装类型。

2. 掌握集成电路工艺流程，了解其基本原理。

3. 掌握化学去封装的方法，为后续芯片检测和维修提供技术支持。

二、实验仪器与设备1. 烧杯、镊子、电炉2. 发烟硝酸、浓硫酸、芯片3. 超纯水、防护手套、实验台等三、实验原理与内容1. 传统封装（1）塑料封装：双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装QFP、具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ。

（2）陶瓷封装：具有气密性好、高可靠性或大功率的特点。

2. 集成电路工艺（1）标准双极性工艺（2）CMOS工艺（3）BiCMOS工艺3. 去封装（1）陶瓷封装：一般用刀片划开。

（2）塑料封装：化学方法腐蚀，沸煮。

四、实验步骤1. 打开抽风柜电源，打开抽风柜。

2. 将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。

3. 戴上防护手套，确保实验安全。

4. 将烧杯放入电炉中，加入适量的发烟硝酸，用小火加热20~30分钟。

5. 观察芯片表面变化，待芯片表面出现裂纹后，取出烧杯。

6. 将烧杯放入冷水中冷却，防止芯片损坏。

7. 取出芯片，用镊子轻轻敲打芯片，使封装材料脱落。

8. 清洗芯片，去除残留的化学物质。

9. 完成实验。

五、实验结果与分析1. 实验结果通过本次实验，成功去除了芯片的封装材料，暴露出芯片内部结构，为后续检测和维修提供了便利。

2. 实验分析（1）实验过程中，严格控制了加热时间和温度，避免了芯片损坏。

（2）化学去封装方法操作简便，成本低廉，适用于批量处理。

（3）本次实验成功掌握了化学去封装的基本原理和操作步骤，为后续芯片检测和维修提供了技术支持。

六、实验总结1. 本次实验使我们对集成电路封装知识有了更深入的了解，熟悉了不同封装类型的特点。

2. 掌握了化学去封装的基本原理和操作步骤，为后续芯片检测和维修提供了技术支持。

3. 通过本次实验，提高了我们的实验操作能力和团队协作精神。

芯片失效模式及影响分析集成电路常见的失效（续）雷鑑铭1、聚焦离子束（FIB）介绍与应用在去封胶、打线或封装后必须再次测试建议提供GDSII电路图文件以利导引指定区块线路•电子束探测系统(E-Beam Prober)是利用极精准的聚焦电子束来取代一般的机械式探针，以VC4、新型FIB电路修正技术也面临同样的定位问题。

面对IC表面没有高低起伏而无法成像，FIB 必须配合IC设计布局图数据(GDSII)及自动定位系统来找到工作点。

先进的FIB机型皆配备有CAD 导航迭图的软件(CAD Navigation) 可以将IC表面与IC设计者提供的线路布局图作重去大量扫瞄IC表面造成的离子轰击伤害，有效的减少IC特性漂移，提高FIB的2、信号引出: 藉由金属导线将目标点信号引出进行验证测试。

因为整个联机路径的电阻、电感较使用探针小而且稳定度较雷鑑铭1、超音波扫瞄检测•超音波显微镜(SAT)是指Scanning AcousticTomography的简称，而Tomography 的意思即是”断层扫瞄摄影”。

又称为SAM (Scanning Acoustic Microscope)，应用于电子产品之超音波频率是指高于20KHz者，可以穿透一定厚度的固态与液态物质，以检测其结构组成之变异。

目前使用之介质，通常为纯水，为最便宜与安全之物质。

•超音波检测之基本原理系利用超音波信号发射源(Transducer，俗称探头)并以纯水为介质而传导到待测物体上，经由超音波的回声反射或穿透等的动作，让此信号在机台经过特定软件处理呈现影像。

Transducer的选择会因为待测物之厚度与材质而有不同选择。

•电子产品主要使用SAT来进行结构脱层(Delamination)或裂缝(Crack)等的检测之用X光射线(以下简称X-RAY) 是利用一阴极射线管，发出高能量的电子，使其撞击到金属靶上，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能芯片尺寸量测，打线线弧量测，组件吃锡面积比例量测。

H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y集成电路测试原理及方法简介院系：电气工程及自动化学院姓名： XXXXXX 学号： XXXXXXXXX 指导教师： XXXXXX 设计时间： XXXXXXXXXX摘要随着经济发展和技术的进步，集成电路产业取得了突飞猛进的发展。

集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。

集成电路基础设计是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路是实现集成电路测试必不可少的工具。

本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。

逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。

关键词：集成电路；研究现状；测试原理；测试方法目录一、引言 (4)二、集成电路测试重要性 (4)三、集成电路测试分类 (5)四、集成电路测试原理和方法 (6)4.1.数字器件的逻辑功能测试 (6)4.1.1测试周期及输入数据 (8)4.1.2输出数据 (10)4.2 集成电路生产测试的流程 (12)五、集成电路自动测试面临的挑战 (13)参考文献 (14)一、引言随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。

电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。

2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。

因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。

集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。

而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。

在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。