下载文档原格式
第3章存储器系统题库和答案第3章存储器系统一．选择题1．计算机工作中只读不写的存储器是( )。
(A) DRAM (B) ROM (C) SRAM (D) EEPROM2．下面关于主存储器（也称为内存)的叙述中，不正确的是( )。
(A) 当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内，否则处理器不能进行处理(B) 存储器的读、写操作，一次仅读出或写入一个字节 (C) 字节是主存储器中信息的基本编址单位(D) 从程序设计的角度来看，cache（高速缓存）也是主存储器3．CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个( )周期。
(A) 指令 (B) 总线 (C) 时钟 (D) 读写 4．存取周期是指( )。
(A)存储器的写入时间 (B) 存储器的读出时间(C) 存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔 (D)存储器进行连续读/写操作允许的最短时间3间隔5．下面的说法中，( )是正确的。
(A) EPROM是不能改写的 (B) EPROM是可改写的，所以也是一种读写存储器(C) EPROM是可改写的，但它不能作为读写存储器 (D) EPROM只能改写一次 6．主存和CPU之间增加高速缓存的目的是( )。
(A) 解决CPU和主存间的速度匹配问题 (B) 扩大主存容量(C) 既扩大主存容量，又提高存取速度 (D) 增强CPU的运算能力 7．采用虚拟存储器的目的是( )。
(A) 提高主存速度 (B) 扩大外存的容量 (C) 扩大内存的寻址空间 (D) 提高外存的速度 8．某数据段位于以70000起始的存储区，若该段的长度为64KB，其末地址是( )。
(A) 70FFFH (B) 80000H (C) 7FFFFH (D) 8FFFFH9．微机系统中的存储器可分为四级，其中存储容量最大的是( )。
(A) 内存 (B) 内部寄存器 (C) 高速缓冲存储器 (D) 外存10．下面的说法中，( )是正确的。
西北师范大学计算机科学系http:// 版权声明本电子教案内容为西北师范大学计算机科学系微机原理与汇编语言课讲义，大家可以自己个人使用。
但由于本教案同时也部分使用了其他人所写讲义或CAI课件的内容，因此禁止使用本材料进行任何商业性或赢利性活动。
同时作者不承担由于使用本教案而引发的其他连带责任。
转载时请保留本版权声明。
-索国瑞suogr@存储器❑存储器概述❑随机存取存储器❑只读存储器❑半导体存储器与CPU的连接❑微机内存储器组织1 存储器概述❑存储器概述❑半导体存储器的分类❑半导体存储芯片的一般结构❑半导体存储器的主要技术指标1.1 存储器概述存储器概述1.二级存储体系存储器由内存储器和外存储器组成。
内存储器在主机内部，通过CPU系统总线直接与CPU 相连，主要用来存放当前机器运行的程序和数据。
也是CPU可以在指令中，或者说通过机器指令可以直接访问的存储器。
外存储器通过I/O接口与CPU相连，主要用来存放机器暂不用的程序和数据。
根据需要，可以随时调用。
也是CPU不能在指令中直接访问的存储器。
主存和辅存所构成的二级存储体系形成了计算机的存储器系统：内存能即时为CPU提供存放信息的空间，而外存则提供了存放大量的计算机后备数据的存储空间。
2.三级存储体系由高速缓冲存储器(Cache)、内存、外存组成的三级存储体系在存储器系统的整体性能上得到了更好的体现。
也有人将CPU内的寄存器和海量存储器加入后称为5级存储体系存储器分类按存储器在计算机系统中的地位，可分为内存储器和外存储器。
按存储特性，可分为易失性存储器和非易失性存储器； 按寻址特征，可分为随机访问存储器、顺序访问存储器和直接访问存储器。
按存储介质和存储器的工作原理，则可分为半导体存储器、磁介质存储器和光碟存储器。
按制造工艺分1、双极性（TTL：Transister-Transister Logic）:速度快，集成度低，功耗大，价格高，作Cache2、MOS ( Motel－Oxide-Semiconductor )型：特点与TTL相反。
《微型计算机原理与接口技术》习题与思考答案第１章微型计算机概论1.1 A B C 1.2 B 1.3 B 1.4 C 1.5 A B C 1.6 B D1.7 00000111B=7D=07H 11010100B=212D=D4H01101010B=106D=6AH 10110.101B=22.625D=16.AH11001.011B=25.375D=19.6H1.8 127D=11111111B=FFH 12.625D=1100.101B=C.AH225.9375D=11100001.1111B=E1.FH 18.3l25D=10010.0101B=12.5H206.125=11001110.001B=CE.2H1.9 10H=10000B=16D 0.A8H=0.10101B=0.65625D28.9H=101000.1001B=40.5625D 4B.2AH=1001011.0010101B=75.6762D20E.4H=1000001110.01B=526.25D1.10 [+37]原=00100101B [+37]反=00100101B [+37]补=00100101B [+37]过余=10100101B[+94]原=01011110B [+94]反=01011110B [+94]补=01011110B [+94]过余=11011110B[-11]原=10001011B [-11]反=11110100B [-11]补=11110101B [-11]过余=01110101B[-125]原=11111101B [-125]反=10000010B [-125]补=10000011B [-125]过余=00000011B 1.11补码00010101B的真值为+21D 补码41H的真值为+65D补码9BH的真值为-101D 补码FFH的真值为-1D补码11110101B的真值为-11D1.12 A的ASCII码为41H a的ASCII码为61Hg的ASCII码为67H z的ASCII码为7AH0的ASCII码为30H 9的ASCII码为39H*的ASCII码为2AH +的ASCII码为2BHCR的ASCII码为0DH ％的ASCII码为25H1.12一个16×16字形点阵占用存储空间32B一个24×24字形点阵占用存储空间72B一个32×32字形点阵占用存储空间128B1.14 （以8位补码为例）[X]补+[Y]补=[+38]补+[+100]补=0001010B，溢出[X]补+[Z]补=[+38]补+[-20]补=00010010B，未溢出[Y]补- [Z]补=[+100]补- [-20]补=01111000B，未溢出[Z]补- [X]补=[-20]补- [+38]补=11000110B，未溢出1.15 X与Y=0100B X或Z=1111B Y异或Z=1101B 非Y=1001B1.16微型计算机具有体积小、重量轻、功耗低；功能强；可靠性高；价格低廉；结构灵活、适应性强；使用方便、维护容易等特点。
存储器的种类、特性和结构一、分类按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），激光存储器按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K〜8Gbyte）外存储器：速度慢，容量大（20MB〜640GB）二、半导体存储分类RAMSRAM 静态DRAM 动态IRAM 集成动态ROM掩膜ROMPROM 可编程EPROM 可改写E PROM 可电擦除三、内存储器性能指标1. 容量M可容纳的二进制信息量，总位数。
总位数=字数×字长bit，byte，word2. 存取速度内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它取出或存入数据为止所需的时间，T A。
T A越小，计算机内存工作速度愈高，半导体M存储时间为几十ns〜几百ns ns=mus3.功耗维持功耗操作功耗CMOS NMOS TTL ECL（低功耗.集成度高）（高速.昂贵.功耗高）4、可靠性平均故障间隔时间MTBF（Mean Time Between Failures）越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度位/片1K位/片〜1M位/片在一块芯片上能集成多少个基本存储电路（即一个二进制位）四、存储器的基本结构随机存储器RAM 或读写存储器一、基本组成结构存储矩阵寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本存储单元都排列成一定的阵列，且进行编址。
N×1—位结构：常用于较大容量的SRAM，DRAMN×4N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM2、地址译码器它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。
选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作两种编址方式：单译码编址方式. 双译码编址方式（字结构M）（复合译码）存储容量。
