电子电工第一章练习题

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本章练习题
一、单项选择题
1.P型半导体中的多数载流子是B,N型半导体中多数载流子是 A。

A.电子B.宽穴C.正离子D.负离子
2.杂质半导体中少数载流子的浓度C本征半导体中载流子浓度。

A.大于B.等于C.小于
3.室温附近,当温度升高时,杂质半导体中C浓度明显增加。

A.载流子B.多数载流子C.少数载流子
4.硅二极管的正方向导通压降比锗二极管 A ,反向饱和电流比锗二极管 B 。

A.大B.小C.相等
BA5.温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压B,反向电流C。

A.增大B.减小C.不变
6.工作在放大状态的晶体管,流入发射结的是A电流,流过集电结的是 B 电流。

A.扩散B.漂移
7.当晶体管工作在放大区时,各极电位关系为:
NPN管的U C A U B A U E,PNP管的U C B U B B U E;工作在饱和区时i C Bβi B;工作在截止区时,若忽略I CBO 和I CEO,则i B C 0,i C C0。

A.>B.<C.=
8.晶体管通过改变 A 来控制 C 。

A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流
D.漏极电流E.电压F.电流
9.晶体管电流由 B形成,而场效应管的电流由 A 形成,因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C。

A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小
10.空穴为少子的半导体称为___B_____,空穴为多子的半导体称为A。

A.P型半导体
B.N型半导体
C.纯净半导体
D.金属导体
11.已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定,此二极管的最大整流电压为C。

A. 20V
B. 15V
C. 10V
D. 5V
二、填空题
1.物质按导电能力分为:导体,半导体和绝缘体。

2.常用的半导体材料有硅,砷和锗。

3.半导体的特点是导电性能随外界条件的改变有较大变化。

4.空穴也是一种载流子,但带正电荷。

5.复合是激发的反过程。

6.载流子的运动形式有两种:扩散运动与漂移运动。

7.N型半导体中电子为多数载流子,空穴是少数载流子; P 型半导体中空穴为多数载流子,电子是少数载流子;
8.本征半导体中掺入5价元素磷,成为N型半导体;本征半导体中掺入3价元素硼,成为P 型半导体;
9.载流子浓度差越大,扩散电流越大。

10.空间电荷区形成后,流过PN结的电流有两种:多数载流子形成的集电极电流和少数载流子形成的放射极电流。

11.当PN结外加正向电压(正向偏置)时,耗尽区变窄,有电流通过;而当外加反向电压(反向偏置)时,耗尽区变宽,没有电流流过或电流极小。

12.PN结的反向击穿又叫热击穿,分为雪崩击穿和齐纳击穿。

13.二极管用途:整流、稳压、检波、开关、变容。

14.齐纳二极管又叫稳压管
15.二极管的主要参数之一反向峰值电流IRM,其值愈小,说明二极管的单向导电性能愈好。

三、判断题
1.半导体中的空穴带正电。

(√)
2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

(√)3.P型半导体带正电,N型半导体带负电。

(×)4.未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

(×)
5.稳压管工作在反向击穿状态时,其两端电压恒为U Z。

(×)
6. 若晶体管将集电极和发射极互换,则仍有较大的电流放大作用。

(×)
四、计算题
1. 稳压值为7.5V和8.5V的两只稳压管串联使用时,可得到几种不同的稳压值?各为多少伏?设稳压管正向导通压降为0.7V。

2. 稳压管接成图题4-2所示电路。

已知稳压管的稳压值为6V,在下述4种情况下:
(1)V I =12V,R1=4KΩ,R2=8kΩ;
(2)V I =12V,R1=4KΩ,R2=4kΩ;
(3)V I =24V,R1=4KΩ,R 2=2kΩ;
图题4-2
(4)V I =24V,R1=4KΩ,R2=1kΩ。

试确定输出电压V O的值。

3. 图题4-3所示电路中,设v I =(3+10sinωt)V,稳压管
D z1和D z2的反向击穿电压分别为V Z1=5V,V Z2=7V,正向压降为0.7V。

试画出i Z和v O的波形(要求时间坐标对齐)。

图题4-3
4. 图题4-4所示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9伏,耗散功率允许值250mW,稳压管电流小于1mA 时不能稳压,且动态电阻不大于20Ω。

试按电路中的参数计算:
(1)当R L=1kΩ时,电流I R、I Z、I L的大小;
(2)当电源电压V I变化±20%时,V O最多变化几伏?(3)稳压管在V I和R L变化至何值时功耗最大?其值是否已超过允许值?(V的变化范围不超过±20%,R L可任意变化。


(4)按照图中的参数,分析该电路在I L大于何值时将失去稳压能力?
图题4-4
五、分析设计题
1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题5-1(a)所示。

(1)若将其按正向接法直接与1.5V电池相连,估计会出现什么问题?
(2)若将其按反向接法直接与30V电源相连,又会出现什么问题?
(3)分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。

(4)画出两只2AP9二极管[图题5-1(a)]在:同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。

图题5-1
2 当用万用表电阻档测量二极管[参见图题5-1(b)],分析:(1)所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态(微变)电阻?
(2)设万用表内电池电压为1.5V,R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω,R×100Ω档的内阻R iˊ=2.4kΩ。

试用图解分析法估算:
a)用R×10Ω档测得的正向电阻值;
b)用R×100Ω档测得的正向电阻值。

从概念上说明,为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊?
3 二极管的伏安特性曲线如图题5-3所示。

(1)二极管承受的反向电压V RM为多少?
(2)若温度升高20°C,则二极管的反向电流I S应为多大?
(3)当温度升高20°C时,定性画出变化后的伏安特性曲线。

图题5-3
4 二极管的正向伏安特性曲线如图题5-4所示,室温下测得二极管中的电流为20mA。

试确定二极管的直流电阻R D和动态电阻r d的大小。

图题5-4
5 分析图题5-5电路中,各二极管是导通还是截止?并求出
A、O两端的电压V AO(设D为理想二极管)。

图题5-5
6 二极管接成图题5-6所示的电路,分析在下述条件下各二极管的通断情况。

图题5-6
(1)V CC1 =6V,V CC2=6V,R1=2kΩ,R2=3kΩ
(2)V CC1 =6V,V CC2=6V,R1= R2=3kΩ
(3)V CC1 =6V,V CC2=6V,R1=3kΩ,R2=2kΩ
设二极管D的导通压降V D=0.7V,求出D导通时电流I D的大小。

7 图题5-7电路中,设v i=12sinωt V,分别画出i D、v D 和v O的波形(要求时间坐标对齐),并将二极管电流i D的峰值和其所承受的反向峰值标于图中(假定D为理想二极管)。

图题5-7
8 图题5-8(a)所示电路中,D1、D2为硅管,导通压降V D 均为0.7V,图题5-8(b)为输入v A、v B的波形,试画出v O 的波形。

图题5-8
9 图题5-8电路中,输入端v A、v B如按下述各种方法连接:(1)v A接+ 2V,v B接+ 5V;
(2)v A接+ 2V,v B接-2V;
(3)v A悬空,v B接+ 5V;
(4)v A经3kΩ电阻接地,v B悬空。

试确定相应的输出v O =?。