电子科技大学模拟电路简答题总汇期末必备

模电简答题模电简答题1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。

2、什么是本征半导体和杂质半导体答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。

在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。

3、空穴是一种载流子吗空穴导电时电子运动吗答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。

空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。

4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂答：按百万分之一数量级的比例掺入。

5、什么是N型半导体什么是P型半导体当两种半导体制作在一起时会产生什么现象答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。

反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。

P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结。

6、PN结最主要的物理特性是什么答：单向导电能力和较为敏感的温度特性。

7、PN结还有那些名称答：空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。

8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗它为什么具有单向导电性答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。

这就是PN结的单向导电特性。

9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗答：并不是完全没有电流，少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。

10、二极管最基本的技术参数是什么I答：最大整流电流z11、二极管主要用途有哪些答：整流、检波、稳压等。

12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的答：通过电流分配关系。

13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管为什么答：否；两只二极管相互反接是通过金属电极相接，并没有形成三极管所需要的基区。

一.放大、饱和、截止区的特征以及它们的条件。

截止区1.特征：iB=0时输出曲线以下的区域为截止区。

iB=0时iC≈iE=iCE0=0，三极管CE间为开路。

2.条件：发射结、集电结均反偏。

放大区1.特征：iB=0以上多条的输出特性曲线；有放大特性，iC=βiB；有恒流特性，iC与vCE无关。

2.条件：发射结正偏，集电结反偏。

饱和区1.vCE<Von以左区域；iC<βiB，即iB不能控制iC的变化，失去放大能力。

2.条件：发射结、集电结均正偏。

二.放大区的分析(静、动态)，静态工作点，电压放大倍数。

1.静态分析，直流里电容视为断路；2.动态分析，Vcc接地，电容视为短路；3.静态工作点，计算出静态下的基极电流，集电极电流和Vce；4.电压放大倍数，输出电压与输出电流的比值；三.阻容耦合放大器的优缺点1.优点：结构简单，成本低，频率特性好，静态工作点互不影响；2.缺点：对低频信号衰减大，对缓慢变化的信号不能耦合，无法应用在集成电路中。

四.串并联，电压电流负反馈各自的优点1.输入电阻串联负反馈使输入电阻增大；并联负反馈使输入电阻减小。

2.输出电阻电压负反馈使输出电阻减小；电流负反馈使输出电阻增大。

3.放大倍数负反馈使电路的放大倍数下降。

4.稳定性负反馈使电路的稳定性提高。

5.通频带宽度负反馈使电路的通频带宽度增加。

6.波形负反馈可以改善波形失真。

五.三极管电流源类型种类及其作用1.类型1>单管电流源电路2>基本镜像电流源电路3>改进型基本镜像电流源电路4>微电流源电路5>比例电流源电路2.作用1>提供稳定的偏置电流；2>作为放大器有源负载。

六.甲类、乙类、甲乙类功率放大器的优缺点1.甲类优点：输出波形无失真，导通角为2π；缺点：效率太低仅为50％。

2.乙类优点：效率高，最大可为78.5％；缺点：输出波形失真，导通角仅有π。

3.甲乙类特点：静态工作点处于甲类和乙类之间，导通角大于π小于2π。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2010-2011学年第二学期期末考试A 卷课程名称：模拟电路基础考试形式：开卷考试日期：20 11年 6月30日考试时长：_120分钟 课程成绩构成：平时20%，期中20%，实验0%，期末60% 本试卷试题由_六_部分构成，共_4_页。

一、单项选择题（共14分，共7题，每题2分）1、晶体管工作在放大区时，电压偏置为（）。

A. 发射结正偏、集电结正偏B. 发射结正偏、集电结反偏C. 发射结反偏、集电结正偏D. 发射结反偏、集电结反偏2、放大电路在负载开路时输出电压为4V ，接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ，放大电路的输出电阻o R =（）。

A. Ωk 10B.Ωk 2C.Ωk 1D.Ωk 5.03、差分放大电路的共模抑制比CMR K 越大，表明电路的（）。

A.放大倍数越稳定B. 放大倍数越大 C.放大倍数越小D. 抑制零漂的能力越强4、多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成，在组成它的单级放大电路的截止频率处，幅值下降了（）。

A. 3dBB. 6dBC. 20dBD. 40dB5、负反馈放大电路以降低电路的（）为代价来提高电路的其他性能指标。

A. 通频带宽B. 放大倍数C. 输入电阻D.输出电阻6、当要求输入电阻大，输出电阻小时，应选用负反馈放大电路的反馈类型为（）。

A. 电压串联负反馈B.电流串联负反馈 C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈………密………封………线………以………内………答………题………无………效……7、（ ）不是使乙类互补推挽电路转换效率达到%5.78的假设条件。

A. 忽略饱和电压B. 静态工作点处于负载线中点 C. 合适的偏置电压D. 输入满激励 二、填空题（共26分，共13空，每空2分）1、NPN 管共射放大电路在测试时出现电压削顶，这是失真，要消除该失真，应将静态工作电流。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

1.场效应管主要有哪些类型？场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，结型场效应管可以分为N沟道JEET和P 沟道JEET，绝缘栅型场效应管可以分为N沟道增强型和P沟道增强型，N沟道耗尽型和P 沟道耗尽型6.电路中常用一个大的电解电容和一个小的无极性电容进行并联，一般情况下，电解电容的误差远大雨无极性电容的容量，为什么这样做？电解电容的容量很大，对高频截至的电感7.乙类功率放大器的主要特点是什么？ICQ设置在截止点上，导通角为pi，最大效率78.5%，采用互补对称结构消除交越失真8.画出桥式整流滤波电路的原理图以及关键点的输入输出波形9.什么是理想反馈？1）反馈网络的接入对基本放大器增益A V无影响2）从输入端口向输出端口的信号传递主要通过基本放大器进行，而反向传递主要通过反馈网络进行10.什么是MOS管阈值电压？当栅极加上正向电压时，栅极下面的硅片的表面将会感应出电子，VGS越大，感生电子越多，VGS达到某一个值时，表面层将会变成电子导电为主，即从P型转成N型，此时电压为VT11.一般来说，电路中都存在负反馈网络，请介绍一下负反馈网络的作用1）能提高放大器增益的稳定性2）减小放大器的非线性失真。

展宽频带。

3）改变输入输出电阻12.什么是理想放大器？给出它的5个参数？1）开环差模增益2）差模输入电阻3）输出电阻4）共模抑制比5）上限截止频率9.二极管和绝缘栅型场效应管饱和区漏极的电流表达式1)2)10.在实际调试一个电路时，发现一个npn三极管的发射结正偏，集电结反偏，则该三极管一定处在放大区么？为什么？不一定，实际调试电路时，发现发射结正偏，但UBE＜0.7时尽管发射结正偏，但三极管不一定处在放大区11.放大电路输入阻抗的大小对整个电路的影响是什么？举例说明提高双极晶体管放大电路输入阻抗的方法。

影响电路的放大倍数可采用串接射级电阻的方法12.对于甲类乙类和甲乙类功率放大器，他们的静态工作点、波形失真和效率有什么特点？甲类集电极静态电流ICQ＞集电极的交流信号电流幅度，输入信号整体周期内部导通，导通角为360，最大效率25%，乙类ICQ设置在截止点上，导通角180，最大效率78.5%，存在交越失真，甲乙类ICQ略高于截止点，导通角大于180，可以消除交越失真13.说明负反馈对电路性能的影响。

2009-2010 第一学期期末试卷一、（30分）问答题（共30分，共6小题，每小题5分）1.求解放大电路静态工作点有哪三种方法，在模拟电路课程中以哪种方法为主？2.在计算放大电路中场效应管的静态工作点时，为什么没有输入特性曲线（或方程）可用？而可以用什么特性曲线（或方程）？3.为什么BJT比FET的输出特性曲线更容易受温度影响？4.放大电路中，你认为稳定静态工作点的措施有哪些？5.放大电路中，负载电容会影响上转折频率还是下转折频率？6.与甲类功放相比较，从效率和失真两方面给出乙类功放的特点？它有哪些方面需要改进？改进后的功放电路称为什么类型功放？二、放大电路如图1所示。

已知R c=1kΩ，R1=R f1=R f2=20kΩ，R s=10 kΩ，r be=1kΩ，β=100。

下转折频率f L=100Hz。

（共15分）1．确定电容C D的值；（8分）2．求源电压增益A vs=V o/V s（7分）三、电路如图2所示。

已知R c=100kΩ，R3=50 kΩ，R z=1.8 kΩ，V CC=V EE=12V，所有三极管均为硅管，且β=50，V BE=0.7V，r ce3=200 kΩ，二极管稳定电压V z=6.8V，r z很小。

（共15分）1．求Q1的静态工作点；（4分）2．求差模电压增益A vd=v od/v id和共模电压增益A vc=v oc/v ic (式中v id=v1-v2，v ic=(v1+v2)/2)；（8分）3．求共模抑制比CMRR。

（3分）四、负反馈放大器如图3所示。

已知β=50，r be=1 kΩ。

（共25分）1．判断交流反馈类型；（3分）2．画出A电路和B电路；（5分）3．求基本放大器的增益A和反馈系数B；(8分)4．计算输入电阻R in和输出电阻R out；（4分）5．计算闭环源电压增益A vsf=v o/v s；（3分）6．若假定该负反馈为深度负反馈，估算闭环源电压增益A vsf=v o/v s。

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？二（10分）、电路如图1所示。

已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。

1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。

2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1三（10分）、电路如图2所示。

已知差模电压增益为10。

A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。

求电阻R E和R G。

图2四（10分）、电路如图3所示。

已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。

1．判断反馈类型；2．画出A电路和B电路；3．求反馈系数B；4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。

图3五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。

已知R1=1MΩ，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4= R5= R6=1MΩ，C1=C2=1μF。

图4参考答案及评分标准一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

1 画出BJT管输出特性曲线，简述各个区域的特点及偏置条件截止区：ic几乎为0，电路不工作。

发射结电压小于开启电压；集电结反偏；放大区：ic=βib，ic几乎只与ib有关，与uCE无关，表现出ib对ic的控制作用。

发射结电压大于开启电压；集电结反偏。

饱和区：ic不仅与ib有关，还随uCE增大而明显增大，ic＜βib。

发射结和集电结正偏。

BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。

2为什么BJT称为双极性晶体管，而FET称为单极晶体管，他们各自是哪种控制型器件。

BJT管工作时两种载流子都参与导电；FET管仅有多数载流子参与导电；BJT管是电流控制器件；FET管是电压控制器件。

3 BJT管输出电压产生截止失真（饱和失真）的原因是什么，如何减小。

产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。

输出电压产生截止失真的原因是Q点过低，负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区；适当减小RB以增大IB即可；输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高，正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区；适当增大RB以减小IB即可Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大，产生双向失真。

通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。

4 直流电源在放大电路的作用是什么①为晶体管正常工作提供偏置电压；②为电路提供能源5 为什么要稳定静态工作点，有哪些方法静态工作点不但决定电路是否会产生失真，还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。

引入直流负反馈或者使用温度补偿（靠温度敏感器件直接对IB产生影响）。

6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈，简述稳Q过程。

见67 有哪些耦合方式，各有什么特点？直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。

直接耦合：可放大直流信号、低频特性好、利于集成；静态工作点相互影响，存在零点漂移现象。

阻容耦合：各级静态工作点相互独立；只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗，不利于集成。

电子科技大学2001至2002学年第2学期模拟电路根底课程考试题〔120分钟〕考试日期：2002年7月11日一、一、填空题1、充分导通的PN结,其电流I与电压v的关系式为。

2、硅二极管的工作点电流l D=0.5Ma,在常温下，二极管在该点交流电阻约为欧姆。

3、图7所示CE放大器的交流负载线的斜率是mA/V。

4、放大器存在非线性失真的根本原因是。

5、差动放大器共模抑制比K CMR的定义是o6、图1所示的理想反应模型的输出电压v o与输入电压v s之比与A、B的关系为。

7、用集成运放构成电压跟随器，其电路为：〔画出原理电路〕8、差动放大器两输入口的增量电压VI=— 1mV,v2= — 3mV,那么v id=mV, v ic= mV。

9、BJT的特征频率是指时的频率。

10、负反应的环路自动调节作用使信号的变化受到制约。

11、假设负载变化时，放大器的输出电压不变，由此可判定该放大器的电阻为零。

12、对丁正常工作的甲类功放，当输入信号幅度增加时，电源提供的频率。

13、偏置丁放大区的耗尽型FET,其漏源电流i D与栅源电压V DS满足关系式。

14、共射放大器比共基和共集放大器使用更多的原因之一是。

15、在BJT混合完整模型的七个参数中，参数r ce和旧是BJT 效应的反映。

二、单项选择题1、任何正常工作的放大器，其〔〕增益应该大丁1。

A、功率B、电压C、电流D、闭环2、在下述关丁射极输出器特点的论述中，〔〕是错误的。

A、射极输出器带负载能力较强；B、射极输出器的输入电阻较大；C、设计输出器输入动态范围较小；D、以C E放大器作根本放大器，那么设计输出器是负反应放大器。

3、图2所示BJT偏置电路当温度变化时，电流〔〕变化最小。

A、I BB、I CC、I ED、I CCA 、 放大器通频带太窄可能引起频率失真；B 、 频率失真使输出的频率成份增多，从而使输出波形畸变;C 、 产生频率失真的原因是放大器模型中的电抗元件所致；D 、频率失真可能引起输入信号各频率分量在输出口的时延不同6、 一支N 沟道JEFT 要偏置丁放大区，对 V DS 和V GS 的要求是〔〕。

1.（10分）对交流小信号放大器而言，被放大的信号源有哪两种类型？负载有哪两种类型？根据信号源和负载的类型，放大器有哪四种类型？对交流小信号放大器而言，信号源有两种类型：电流型和电压型―――――――――――――――――――――2分负载有两种类型：电流型和电压型――――――――――――――――――――――2分因此，放大器有四种类型：电压放大器，电流放大器，互阻放大器和跨导放大器－－6分2.（10分）双极性结型晶体管（BJT）可能工作在哪三个区？作为放大器的主要元件，它应该工作在哪个区？此时，它的发射结和集电结的偏置状态如何？三个区：放大区，饱和区和截止区――――――――――――――――――――――3分作为放大器的主要元件，它应该工作在放大区―――――――――――――――――3分此时，发射结应该正偏，集电结反偏―――――――――――――――――――――4分3.（10分）分别画出工作在放大区的BJT直流等效模型和最简交流小信号模型。

若考虑BJT的输出电阻，试重新画出它的交流小信号模型。

直流等效模型（略）――――――――――――――――――――――――――――3分最简交流小信号等效模型（略）―――――――――――――――――――――――3分考虑BJT输出电阻的简化交流小信号等效模型―――――――――――――――――4分4.（10分）在BJT输出特性曲线中的放大区域，“曲线微微上扬”的这个特点可以通过什么参数来描述？试给出这个参数的定义，并说明在BJT交流小信号模型中如何体现它的影响。

厄利电压VA 以及定义（略）――――――――――――――――――――――― 6分BJT输出电阻―――――――――――――――――――――――――――――――4分5.（10分）在对BJT放大器的静态工作点和交流小信号参数的分析时，我们分别采用直流通路和交流通路单独进行分析。

请说明这样做的理由及条件。

非线性特性在静态工作点的邻域内线性化，――――――――――――――――――3分线性化后的等效电路就是线性电路，可以运用线性电路的叠加原理分析电路，―――3分因此，可以用直流通路和交流通路单独进行分析与设计。

电子科技大学网络教育一、选择题（每小题2，共10分）1．BJT 依靠（）控制漏极电流íc 的器件。

A 电压B 电流C 电阻D 电场2.电流求和负反馈使输人电阻（）。

A 增加B 不变C 减少D 不清楚3.NPN 管放大偏值电路中，若V C 增加，则I B （）。

A 略有增加B 略有减小C 几乎不变D 不定4.集成运放采用有源负载的目的是（）。

A 提高电压增益B 减少温度漂移C 稳定工作点D 提高电流强度5.若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将()。

A.R c 增大B.R c 减小C.V C C 减小D V C C 增大二、判断题（每题2分，共20分）1、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

（）2、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。

（）3、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。

（）4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。

（）5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。

（）6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

（）7、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。

（）8、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。

（）10、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

（）三、填空题（每空2分，共20分）1．差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV，则输入的共模电压是mV 。

2.反馈方程式AB AA f +=1中，A、B 符号时为负反馈，A，B 符号时，为正反馈。

3．在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容。

4.运算放大器的输入级是。

5．一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将。

电子科技大学考试试卷及标准答案20XX— 20XX学年第一学期课程名称：模拟电路┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）（7）半导体中的空穴带正电。

（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零 五 至二零零 六 学年第 一 学期期 末 考试模拟电路基础 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2006 年 1月 12 日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60分1．（8答：（2（2（22．（3答：（1（13．（34．（6f 。

3．直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o ，带宽为f BW 。

试求：4．带宽BWf ′………密………封………线………以………内………答………题………无………效……si R 阻oR图2解：22()4( 1.5)D GS T GS k V V V I =−=−————————————（1分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……28.90.7512R VV I R I GS DD D s D R R =−=−+——————（1分） 7.97, 2.91DGSmA V V I——————————————－—（2分）gRi RBEV =b R 1． 2．解：1. 3cc R T RV e 、、D、、z 构成固定VBE的恒流源——————————（2分）2. 36B EE Z V V V V =−+=−———————————————————（1分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……30.13V V V B BE EEImA E R e −−——————————————（1分）110.0523E II I mA E E ≈=————————————————（1分）1． 2． 3．解：1.由57R R 、构成直流负反馈，稳定静态工作点————————————————（2分）由462C R R 、、构成交流电压串联负反馈，提高输入电阻，稳定输出电压————（3分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2. 244122v v R R R o o A vf v v R R i f +=≈==+————————————————（2分） 3．去掉上述交流反馈支路44C R 、以及6C ———————————————————（1分）A。

电子科技大学《模拟电路基础》20春期末考试
功率放大电路中的转换效率是指（）。

A:输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B:最大输出功率与电流提供的平均功率之比
C:晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比
D:输出功率与输入功率之比
参考选项：B
为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入( ) 。

A:电流负反馈
B:电压负反馈
C:直流负反馈
D:交流负反馈
参考选项：A
锗材料二极管的 PN 结导通电压典型值为（）。

A:0.5V
B:0.1V
C:0.3V
D:0.7V
参考选项：C
在下面四种基本放大器组态中，电路（）的小信号范围最小。

A:CE 放大器
B:CS 放大器
C:CE 差动放大器
D:CS 差动放大器
参考选项：A
场效应管是一种（）的器件。

A:电压控制电压
B:电压控制电流
C:电流控制电压
D:电流控制电流
参考选项：B
当加在二极管上的电压增加10%时，流过二极管的电流( )。

A:增加 10 %
B:增加大于10 %
C:增加小于10 %
D:几乎不增加
参考选项：B
1。

模电简答题一、简答题：1、P/N型材料的掺杂特点？多数载流子和少数载流子分别是什么？受什么因素影响？（P型在硅晶体内掺入少量三价元素杂质，空穴为多子，自由电子为少子N型在硅晶体内掺入少量五价元素杂质，自由电子为多子，空穴为少子都受到掺入杂质的浓度影响。

）2、PN结扩散运动和漂移运动？（扩散运动：基于载流子的浓度差异和随机热运动，载流子会从高浓度区域向低浓度区域运动的现象叫扩散。

漂移：由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移。

）3、PN结内电场的方向？（从带正电的N区指向带负电的P区）4、二极管根据材料分，可分为哪两种？各自正向导通电压是多少？（硅材料二极管，正向导通电压0.7V锗材料二极管，正向导通电压0.2V）5、二极管的特性？二极管的正偏和反偏？（单向导向性：正向导通，反向截止。

正偏：外加电压的正端接半导体P区，负端接N区。

反偏：外加电压的正端接半导体N区，负端接P区。

）6、三极管在结构上包含有哪三个区？有哪几种放大组态？（基区、发射区、集电区共射极、共基极、共集电极）7、三极管有几种工作状态，在每种工作状态下，三极管的两个PN结处于什么状态？（截至区：集电结反偏、发射结不正偏饱和区：集电结不反偏、发射结正偏放大区：集电结反偏、发射结正偏）8、三极管的饱和失真和截止失真的波形特点？（P176）（饱和失真：如果静态工作点Q过高，V B E Q、I B Q过大，则BJT会在交流信号v b e正半周的峰值附近的部分时间内进入饱和区，引起i C、v C E及v c e 的波形失真。

截止失真：如果静态工作点Q过低，V B E Q、I B Q过小，则BJT会在交流信号v b e负半周的峰值附近的部分时间内进入截止区，引起i B、i C、v C E及v c e的波形失真。

）9、集成运算放大器由几部分组成?作用？（输入级由差分式放大电路组成，利用它的电路对称性可提高整个电路的性能中间电压放大级的主要作用是提高电压增益，输出级的电压增益为1，但能为负载提供一定的功率）10、理想运算放大器的特点？（AV趋近无穷大/Ri趋近无穷大/Ro趋近零）11、理想运算放大器工作在线性区时的两个特点？（虚短V p—V N虚断i+=i—=0）12、同相输入端和反相输入端的定义？（输入信号与输出信号符号相同为同相输入端，反之为反向输入端）13、零点漂移的产生原因？什么样的结构能够有效减小零点漂移？（P275）（环境温度变化、电源电压不稳导致半导体器件参数的变化最终导致放大电路静态工作点产生偏移。

1.功率放大电路中的转换效率是指（）。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D.输出功率与输入功率之比【参考答案】: B2.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入( ) 。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈【参考答案】: A3.锗材料二极管的 PN 结导通电压典型值为（）。

A.0.5VB.0.1VC.0.3VD.0.7V【参考答案】: C4.在下面四种基本放大器组态中，电路（）的小信号范围最小。

A.CE 放大器B.CS 放大器C.CE 差动放大器D.CS 差动放大器【参考答案】: A5.场效应管是一种（）的器件。

A.电压控制电压B.电压控制电流C.电流控制电压D.电流控制电流【参考答案】: B6.当加在二极管上的电压增加10%时，流过二极管的电流( )。

A.增加 10 %B.增加大于10 %C.增加小于10 %D.几乎不增加【参考答案】: B7.有两个放大器 A1 和 A2 分别对同一电压信号进行放大。

当输出端开路时，A1和 A2的输出电压相同( |vo1| = |vo2|); 接入相同的负载电阻后，|vo1|> |vo2|。

由此可知，A1比A2 的( )。

A.输出电阻大B.输出电阻小C.输入电阻大D.输入电阻小【参考答案】: B8.在下面四种电路中，中频段既有电压放大能力又有电流放大能力的反相放大器是（）放大器。

A.共射B.共基C.共集D.共集－共基【参考答案】: A9.向放大器输入正弦电压。

当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了（）。

A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真【参考答案】: D10.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）。

A.AF=0B.AF=1C.AF=∞D.AF=-1【参考答案】: D11.通用集成运算放大器内部电路不具有（）的特点。

A.开环增益高B.输入电阻大C.深度负反馈D.输出电阻小【参考答案】: C12.在以下关于深负反馈的论述中，（）是错误的。