模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。

3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真.5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2，则输出电压为V;若u i1=1500µV， ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响.10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最;组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为().A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B。

β和ICBO增加,uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D。

β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。

击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（)来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。

利用参数对称的对管子 D。

利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(）. A。

变大 B. 变小 C。

不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共1基组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

《模拟电子线路》题库一、判断题（每题2分，共20分）1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（）4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（）6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（）7、运算放大电路中一般引入正反馈。

（）8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

（）9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。

（）11、晶体管的参数不随温度变化。

（）12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（）13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（）14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

（）16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（）17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（）18、理想运放的共模抑制比为无穷大。

（）19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。

（）20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

（）21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。

（）23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（）24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。

（）26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。

（）27、通常采用图解法分析功率放大电路。

（）28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。

(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。

(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。

(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。

(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。

(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。

(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。

(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。

A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。

A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。

A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。

A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。

2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。

3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。

4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。

5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。

6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。

7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。

8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。

二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。

[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。

[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。

[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。

[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。

7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。

8. 一个理想的电压源的内阻是_________。

9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。

10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。

三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。

12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。

13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。

四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。

假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。

15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。

答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。

模电期末考试题目及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的基本应用不包括以下哪一项？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 逻辑门答案：D2. 理想运算放大器的开环增益是：A. 有限的B. 非常大的C. 非常小的D. 零答案：B3. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字形式C. 可以是模拟形式D. 可以是周期性变化答案：B4. 负反馈在运算放大器电路中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 减少噪声答案：C5. 一个理想二极管的正向导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 3.3VD. 5V答案：B...二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的非线性应用有哪些，并举例说明。

答案：运算放大器的非线性应用包括比较器、振荡器、调制器等。

例如，比较器可以将输入信号与参考电压比较，输出高电平或低电平，常用于过压保护电路。

2. 解释什么是负反馈，并说明负反馈在电路设计中的作用。

答案：负反馈是指将输出信号的一部分反馈到输入端，与输入信号相减。

负反馈可以增加电路的稳定性，降低噪声，减小非线性失真，提高增益精度。

3. 什么是共模抑制比（CMRR）？它在模拟电路设计中的重要性是什么？答案：共模抑制比（CMRR）是指运算放大器对差模信号增益与对共模信号增益的比值。

CMRR高意味着运算放大器对差模信号的放大能力强，对共模信号的放大能力弱，这在模拟电路设计中非常重要，因为它可以减少共模干扰，提高电路的抗干扰能力。

...三、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个理想运算放大器电路，输入信号为Vin，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求输出电压Vout。

答案：由于是理想运算放大器，所以输入端的电压差为零，即Vin+ = Vin-。

根据虚短原理，Vin+ = Vout/Rf * Ri。

代入Rf和Ri的值，得到Vout = Vin * (Rf/Ri) = Vin * 10。

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案（试卷总分值为100分，考试时间为120分钟，闭卷考试）姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题：（每空1分，共30分）1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。

2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。

常用的模拟调制方式可以分为、和三种。

3．小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。

4．高频功率放大器主要用来放大高频信号，为了提高效率，一般工作在类状态。

5．产生正弦波振荡的条件，。

6.无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率_ ，波长越长。

7．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路；画交流通路时，把视为短路。

8．调幅的就是用信号去控制，使载波的随大小变化而变化。

9．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。

10．通常将携带有信息的电信号称为，未调制的高频振荡信号称为，通过调制后的高频振荡信号称为。

11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的，其频率稳定度很高，通常可分为和两种。

12．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。

二、单项选择题：（每小题2分、共30分）1．石英晶体谐振于fp时，相当于LC回路的（）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象2．丙类高频功率放大器的导通角（）A．360 ° B．180°-360° C．＜180°3．在高频放大器中，多用调谐回路作为负载，其作用不包括（）A．选出有用频率 B．滤除谐波成分 C．阻抗匹配 D．产生新的频率成分4．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振 B．振幅稳定 C．频率稳定度高 D．减小谐波分量5．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器 B．谐振功率放大器 C．检波器 D．鉴频器6．振荡器与放大器的区别是（）A．振荡器比放大器电源电压高B．振荡器比放大器失真小C．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号7．在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为（）A．NPN型、bec B．NPN型、ebcC．NPN型、ecb D．NPN型、bce8．判断下图是哪一类振荡器（）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时，其极间电压的设置，首先应该保证( )。

(1)在半导体内部；只有电子是载流子。

(2)在N型半导体中；多数载流子是空穴；少数载流子是自由电子。

(3）一般来说；硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。

(4)在外电场作用下；半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。

(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时；插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极；另一电极是负极。

(7)三极管放大电路工作时；电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点；交流分量表示信号的变化情况。

(8)在单管放大电路中；若V G不变；只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。

(9)两个放大器单独使用时；电压放大倍数分别为A v1、A v2；这两个放大器连成两级放大器后；总的放大倍数为A v；A v= A v1+A v2。

(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时；反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后；反向电流会迅速增大。

(1)当晶体二极管的PN结导通后；则参加导电的是( )。

A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中；输出电压应视为( )。

A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时；应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区；而且所受正向电压大于其门槛电压时；则晶体二极管相当于()。

A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时；它的I C将( )。

A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关；只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。

电子线路cad期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑与门的输出为高电平的条件是：A. 所有输入都为高电平B. 至少有一个输入为高电平C. 所有输入都为低电平D. 至少有一个输入为低电平答案：A2. 下列哪个元件不是模拟电路的基本元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D3. 在模拟电路中，放大器的主要功能是：A. 减小信号B. 转换信号C. 放大信号D. 过滤信号答案：C4. 以下哪个选项不是数字电路的特点？A. 离散信号B. 连续信号C. 逻辑运算D. 布尔代数答案：B5. 在电子线路CAD中，PCB设计通常不包括以下哪个步骤？A. 原理图绘制B. 布线C. 3D打印D. 钻孔答案：C6. 下列哪个不是电子线路CAD软件的功能？A. 电路仿真B. 电路优化C. 电路测试D. 电路生产答案：D7. 在电子线路设计中，电源滤波器的主要作用是：A. 提高电源电压B. 降低电源电压C. 减少电源噪声D. 增加电源电流答案：C8. 以下哪个元件不是用来进行信号放大的？A. 晶体管B. 运算放大器C. 电阻器D. 场效应管答案：C9. 在数字电路设计中，触发器的主要功能是：A. 存储一位二进制信息B. 进行算术运算C. 进行逻辑运算D. 进行信号放大答案：A10. 下列哪个不是电子线路CAD软件的输出文件格式？A. .schB. .dxfC. .pdfD. .brd答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，一个基本的逻辑门至少需要________个输入信号。

答案：22. 模拟电路中的信号是________的。

答案：连续3. 在电子线路CAD中，PCB布局设计的主要目的是________。

答案：优化电路性能和减少成本4. 电路仿真软件通常用来模拟电路的________。

答案：工作状态5. 在电子线路设计中，电源滤波器通常由________和电容器组成。

模电(模拟电子线路)试卷及答案( 共4 页 )上海大学全文结束》》～xx 学年秋季学期试卷课程名：模拟电子线路课程号：学分：5 应试人声明：我保证遵守《上海大学学生手册》中的《上海大学考场规则》，如有考试违纪、作弊行为，愿意接受《上海大学学生考试违纪、作弊行为界定及处分规定》的纪律处分。

应试人应试人学号应试人所在院系题号一二三四五六七八九得分一、填充题（22分）1、（3分）、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 0、7 倍。

即增益下降3 dB。

2、（3分）在放大电路中，温度上升，三极管参数b上升UBE_下降_ ICBO_上升（上升、下降、不变）3、（2分）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差，共模信号是两个输入端信号的平均值。

4、（8分）已知交流负反馈有四种组态：A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。

①欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；②欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 C ；③欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 A ；④欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 D 。

成绩5、（6分）在单管放大电路的三种基本接法中：A、共射电路B、共集电路C、共基电路①既能放大电压，又能放大电流的电路为_A_ 。

②输入电阻最大、输出电阻最小的电路为 _B_ 。

③频带最宽但只能放大电流的电路为 _C_ 。

二、计算题1、试判断以下电路能否正常放大，并写明理由。

（7分）解：不能正常放大，原因：（1）缺基极电阻Rb（2）缺集电极电阻Rc;（3）交流通路中，信号ui被短路第2 页 ( 共4 页 )2、单入单出差动放大电路如图所示。

已知 b1=b2=50，b3=80，rbb=100W，UBE1=UBE2=0、7V，UBE3=－0、2V，VCC=12V, 当输入信号Ui为零时，测得输出Uo =0V。

电子线路试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在电路中，电流的参考方向与实际方向相反时，电流的值为：A. 正值B. 负值C. 零D. 无法确定2. 欧姆定律表达式为：A. V = IRB. V = IR + V0C. I = V/RD. R = V/I3. 一个电路的总电阻为10Ω，当并联一个5Ω的电阻后，总电阻将：A. 增加B. 减小C. 保持不变D. 无法确定4. 电容元件在直流电路中相当于：A. 开路B. 短路C. 电阻D. 电感5. 正弦波信号的频率为50Hz，其周期为：A. 0.01秒B. 0.02秒C. 0.1秒D. 1秒二、填空题（每空2分，共20分）6. 根据基尔霍夫电压定律，一个闭合电路中，沿任一闭合路径的电压之和等于______。

7. 串联电路中，总电阻等于各个分电阻的______。

8. 电感元件在交流电路中会产生______。

9. 理想电容元件的电流与电压相位差为______。

10. 一个电路的功率因数是______与有功功率的比值。

三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是叠加定理，并给出一个应用叠加定理的例子。

12. 什么是戴维南定理？它在电路分析中有何应用？13. 说明什么是谐振频率，并解释LC谐振电路的工作过程。

四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个由三个电阻串联组成的电路，R1=100Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，求电路的总电阻。

15. 一个RLC串联电路，R=1000Ω，L=100mH，C=10μF，信号频率为50Hz，求电路的阻抗和相位角。

电子线路试题答案一、选择题1. B（负值）2. A（V = IR）3. B（减小）4. A（开路）5. B（0.02秒）二、填空题6. 零7. 总和8. 感抗9. -90度10. 视在功率三、简答题11. 叠加定理是指在一个线性电路中，任何一条支路的电压或电流都可以看作是由电路中每一个独立电源单独作用时在该支路产生的电压或电流的代数和。

第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm 3-。

（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。

（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。

（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。

（4）若D N =1610cm 3-，A N =1410cm 3-，重复（1）。

解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。

（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。

（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。

（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm 3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。

1.3 二极管电路如图1.3所示。

已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。

（1） 试求流过二极管的直流电流。

（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。

第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm3-。

（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。

（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。

（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。

（4）若D N =1610cm3-，A N =1410cm3-，重复（1）。

解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。

（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。

（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。

（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。

1.3 二极管电路如图1.3所示。

已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。

（1） 试求流过二极管的直流电流。

（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。