国际集成电路的命名方法及定义

集成电路符号认识及查找集成电路大全目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。

下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。

（只写了前缀〕1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕AD：A/D技术'>转换器；DA：D/A 转换器；CD：CMOS数字电路；LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。

2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路；CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。

3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路；MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。

4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。

A：组合元件；B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路；D：单极型数字电路。

例：uPC、uPA等。

5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路；LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路；STK：厚膜电路。

6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路；TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路；TM：MOS 电路。

7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路；HD：数字电路；HM：RAM电路；HN：ROM电路；8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路；H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。

例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。

缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明TL728首标器件编号首标温度范围首标符号意义AC：改进的双极电路；TIEF：跨导放大器；JANB：军用B级IC；TMS：MOS存储器/微处理器；SNC：IV马赫3级双极电路；TC：CCD摄像器件；RSN：抗辐射电路；TIL：光电电路；TAC：CMOS逻辑阵列；TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。

同时采用仿制厂家的首标。

封装符号J、JT、JW、JG：陶瓷双列；LP：塑料三线；DBB、DGV：薄的超小型封装；RA：陶瓷扁平封装；P：塑料双列；N、NT、NW、NE、NF：塑封双列；PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装；FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片载体。

数字电路系列符号GTL：Gunning Transceiver Logic；CBT：Crossbar Technology；ABTE：先进BiCMOS技术/增强收发逻辑；没标者为标准系列；H：高速系列；S：肖特基二极管箝位系列；AS：先进肖特基系列；ALS：先进低功耗肖特基系列；ABT：先时BiCMOS技术。

速度标志（MOS电路用）15：150ns MAX取数；25：250 ns MAX取数；2：200 ns MAX取数；温度范围数字和接口电路系列：55、54：（-55~125）℃；75、74：（0~70）℃；CMOS电路74表示（-40~85）℃；76：（-40~85）℃。

E温度范围LS系列SN：标准的数字电路；TIES：红外光源；TAT：STTL逻辑阵列；JBP：双极PMOS 883C产品；TBP：双极存储器；SNM：IV马赫1级电路；TIED：经外探测器；SMJ：MIL-STD-883B MOS电路；TIFPLA：双极扫描编程逻辑阵列；PH、PQ、RC：塑料四列扁平封装；D、DW：小引线封装；DBV：小引线封装；KA、KC、KD、KF：塑料功率封装；JD：黄铜引线框陶瓷双列；MC：芯片；L：低功耗系列；AHC/AHCT：先进高速CMOS逻辑；LS：低功耗肖特基系列；F：F系列（FAST）；HC/HCT：高速CMOS逻辑；17：170 ns MAX取数；35：350 ns MAX取数；3：350 ns MAX取数；双极线性电路：M：（-55~125）℃；E：（-40~85）℃；I：（-25~85）℃；C：（0~70）℃。

部分国际公司TTL集成电路型号命名规则(1)(美国)德克萨斯公司(TEXAS)例：SN 74 LS 20 J①②③④⑤说明：①表示德克萨斯公司标准电路②表示工作温度范围54系列：(一55～+125) ℃，74系列：(0～+70)℃③表示系列LS：低功耗肖特基系列ALS：先进的低功耗肖特基系列AS：先进的肖特基系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。

⑤表示封装形式J：陶瓷双列直插N：塑料双列直插T：金属扁平W：陶瓷扁平(2)(美国)摩托罗拉公司(MOTOROLA)例：MC 74 194 P（注）①②③④说明：①表示摩托罗拉公司封装的集成电路②表示工作温度范围4，20，30，40，72，74，83：(0～+75)℃5，2l，3l，43，82，54，93：(－55～+125)℃③表示品种代号，表征了逻辑功能。

④表示封装形式F：陶瓷扁平L：陶瓷双列直插P：塑料双列直插(注：LS—TTL的型号同德克萨斯公司一致，如：SN74LSl94J)(3)(美国)国家半导体公司(NATIONAL SEMICONDUCTOR)例：DM 74 LS 161 N①②③④⑤说明：①表示国家半导体公司单片数字电路②表示工作温度74，80，8l，82，85，87，88：(0～+70)℃54，70，7l，72，75，77，78，93，96：(－55～+125) ℃83，96：(0～+75) ℃③表示系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。

⑤表示封装形式D：玻璃——金属双列直插F：玻璃——金属扁平J：低温陶瓷双列直插N：塑料双列直插W：低温陶瓷扁平(4)(日本)日立公司(HITACHI)例：HD 74 LS 191 P①②③④⑤说明：①表示日立公司数字集成电路②表示工作温度范围74：(－20～+75)℃③表示系列<空白>：标准系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。

国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD- HA：混合DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。

A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V （-25-85）℃；E：芯片载体；D/A。

的产品。

（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）℃。

G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；P：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。

同时采用其它厂家编号出厂产品。

缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明模拟器件产品型号举例说明首标 器件编号 温度范围 封装 筛选水平H 、J 、K 、L ： M ：铜焊金属壳封装； Q ：高可靠产品； （0-70）℃；P ：塑封；/QM ：MIL-STD- A 、B 、C ：（-25-85）℃； G ：陶瓷。

883产品。

R 、S 、T 、V ：（-55-125）℃。

军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC ）首标 器件编号 温度范围封装 高可靠性等级V ：（-55-125）℃； M ：金属的； MIL-STD-883B 。

U ：（-25-85）℃； L ：芯片载体。

W ：（-55-125）℃。

DAC 的型号举例说明首标 器件编号 温度范围 输入代码 输出MIL-STD-883B 表示 V:(-55-125)℃； CBI ：互补二进制 V ：电压输出； U ：（-25-85）℃。

输入；I ：电流输出。

COB ：互补余码补偿 二进制输入；CSB ：互补直接二进制 输入；CTC ：互补的两余码输入。

首标的意义：：A/D 转换器；OPA ：运算放大器；：有采样/保持的A/D 转换器； INA ：仪用放大器；：D/A 转换器； PGA ：可编程控增益放大器；：多路转换器；ISO ：隔离放大器。

1、日本松下电器公司集成电路命名方法（PANASONIC）AN（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：AN：模拟，DN：数字M．J：研制型号，MN：MOS电路2、日本三洋公司命名方法（SANYO）LA（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：LA：双极线性电路，LB：双极数字电路LD：CMOS电路，STK：厚膜电路3、日本东芝公司集成电路命名方法（TOSHIBA）TA（电路种类）XXXX（电路序号）A（是否改进型）P（封装形式）电路种类：TA：双极线性电路，TC：CMOS电路TD：双极数字电路，TM：MOS电路4、日本电气公司集成电路命名方法（NEC）UP（微型器件）C（电路种类）XXXX（电路序号）C（封装形式）X（改进型）电路种类：A：分立器件B：数字双极器件C：线性电路，D：数字CMOS封装形式：C：塑料封装，陶瓷或陶瓷双列直插5、欧洲电子联盟荷兰飞利浦公司（PHILIPS）TDA（模拟电路）XXXX（电路序号）P（封装形式）6、德克萨斯仪器公司（TEXAS INSTRUMENTS CO）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：N，NE—塑封DIP AC—先进双极IC NT—塑封DIP，24脚SN—标准IC FN—塑料单层四方芯片载体TAC—CMOS逻辑阵列DJ—小外形封装TL—线性电路TMS—MOS存储器/微处理器TC—CCD图像器7、仙童公司（FAIRCHILD CO.）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：F—扁平封装F—仙童P—塑封DIPSH—混合T—小型DIPuA—线性D—陶瓷DIP8、RCA公司商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：E—双列直插CA—线性IC EN—窄双列直插CD —CMOS数字IC M—小型外塑封PA—门阵列D—陶瓷双列直插SC—标准单元9、国家半导体公司10、模拟器件公司（）11、摩托罗拉公司（）来自于93年无线电合订本522页。

国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明
缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司
缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）
器件型号举例说明
缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）
缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明。

国外集成电路命名方法器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)器件型号举例说明( 缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）)通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司)缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）80C86系列型号举例说明缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）器件型号举例说明缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）器件型号举例说明缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明缩写字符：TOSJ译名：东芝公司（日）器件型号举例说明缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明。