集成电路命名方法(介绍了中国部标规定的集成电路命名方
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半导体集成电路型号命名法1.集成电路的型号命名法集成电路现行国际规定的命名法如下:(摘自《电子工程手册系列丛书》A15,《中外集成电路简明速查手册》TTL,CMOS电路以及GB3430)。
器件的型号由五部分组成,各部分符号及意义见表1。
2.集成电路的分类集成电路是现代电子电路的重要组成部分,它具有体积小、耗电少、工作特性好等一系列优点。
概括来说,集成电路按制造工艺,可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和由二者组合而成的混合集成电路。
按功能,可分为模拟集成电路和数字集成电路。
按集成度,可分为小规模集成电路(SSI,集成度<10个门电路〉、中规模集成电路(MSI,集成度为10~100个门电路)、大规模集成电路(LSI,集成度为100~1000个门电路)以及超大规模集成电路(VLSI,集成度>1000个门电路)。
按外形,又可分为圆型(金属外壳晶体管封装型,适用于大功率),扁平型(稳定性好、体积小)和双列直插型(有利于采用大规模生产技术进行焊接,因此获得广泛的应用)。
目前,已经成熟的集成逻辑技术主要有三种:TTL逻辑(晶体管-晶体管逻辑)、CMOS 逻辑(互补金属-氧化物-半导体逻辑)和ECL逻辑(发射极耦合逻辑)。
TTL逻辑:TTL逻辑于1964年由美国德克萨斯仪器公司生产,其发展速度快,系列产品多。
有速度及功耗折中的标准型;有改进型、高速及低功耗的低功耗肖特基型。
所有TTL 电路的输出、输入电平均是兼容的。
该系列有两个常用的系列化产品,CMOS逻辑:CMOS逻辑器件的特点是功耗低,工作电源电压范围较宽,速度快(可达7MHz)。
ECL逻辑:ECL逻辑的最大特点是工作速度高。
因为在ECL电路中数字逻辑电路形式采用非饱和型,消除了三极管的存储时间,大大加快了工作速度。
MECL I系列产品是由美国摩托罗拉公司于1962年生产的,后来又生产了改进型的MECLⅡ,MECLⅢ型及MECL10000。
3.集成电路外引线的识别使用集成电路前,必须认真查对和识别集成电路的引脚,确认电源、地、输入、输出及控制等相应的引脚号,以免因错接而损坏器件。
芯片封装之多少与命名规则一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。
采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点:1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式,缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式,其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD(表面安装设备技术)将芯片与主板焊接起来。
采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔,一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP(Plastic Flat Package)方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形,而PFP既可以是正方形,也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点:1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
3.操作方便,可靠性高。
4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。
三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针,每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
集成电路型号命名国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志(详情请看IC前缀与厂家介绍),同类产品序号也不一样,有的IC型号、序号与引进的一样。
与国际同类品种一致二、日本松下公司半导体集成电路型号的命名1、双极型线性集成电路:XX XX XX X第4 部分,2个字母第3 部分,2个数字第2部分,2个数字第1部分,1个字母例:AN 12 34 S(1)、第1部分双极型集成电路有两个标志(包括AN及DN)是按照电路类型而划分的。
AN 双极型集成电路、线性集成电路(模拟电路)DN 数字集成电路MN MOS电路EP 两个字母表示微型计算机或小批量生产(2)、第2部分这部分数字与应用领域有关(有一些例外),对于专用集成电路,在数字后面加上1~2个字母作为特性的区分(常规的集成电路不用这些字母。
对于稳压电源,根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母,例:AN78L04。
对于三极管阵列,根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母,例ANB00。
第2部分的数字与其应用领域有关,例:第2部分数字应用领域10~19 运算放大器、比较电路20~25 摄像机26~29 电视唱片30~39 录像机40~49 运算放大器50~59 电视机60~64 录像机及音响65 运算放大器及它66~68 工业用及家用电器69 比较器及其它70~76 音响方面的用途78~80 稳压器81~83 工业用及家用电器90 三极管阵列(3)、第3部分用二位数字,其范围一般为00~99,例如AN4321(4)、第4部分一般不用这部分,但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型,这种情况下大致用大致字母S、P、N。
AN××××S:字母S是指小型扁平封装;AN××××K:使用收缩双列直插式封装;AN××××P:使用普通塑料封装;AN××××N:字母N表示改进型(5)、其它:OM200:(助听器)是上述线性集成电路标志的例外。
PCB元件封装库命名规则简介1、集成电路(直插)用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mmW为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2 、集成电路(贴片)用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mmM为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm3、电阻3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装4、电容4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C如:6032C表示封装为6032的电容封装4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装5、二极管整流器件命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N41486 、晶体管命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名7、晶振HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装8、电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装9、光电器件9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如:0805D表示封装为0805的发光二极管9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管9.3 数码管使用器件自有名称命名10、接插10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针,引脚间距为两种:2mm,2.54mm如:SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针10.2 DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针,引脚间距为两种:2mm,2.54mm如:DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针10.3 其他接插件均按E3命名封装库元件命名一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在AD7.1元器件封装库中的命名含义。
一、国标集成电路的型号命名方法
一、国标集成电路的型号命名方法
国标(GB3431—82)集成电路的型号命名由五部分组成,各部分的含义见表25。
第一部分用字母“C”表示该集成电路为中国制造,符合国家标准。
第二部分用字母表示集成电路类型。
第三部分用数字表示集成电路系列和代号。
第四部分用字母表示电路温度范围。
第五部分用字母表示电路的封装形式。
表25 国标(一)集成电路型号命名及含义
表26 国标(二)集成电路型号命名及含义
表27 东芝集成电路的型号命名及含义
表29 日立集成电路的型号命名及含义
表32 日本三菱集成电路的型号命名及含义
表31 索尼集成电路的型号命名及含义。
维库小知识:集成电路的命名1 国产集成电路的命名方法我国集成电路的型号命名采用与国际接轨的准则,一般由五部分组成,其各部分组成如图1所示,各部分含义如表1所示。
图1 国产集成电路命名的组成表1 国产集成电路型号命名各组成部分含义例如:2 国外集成电路的命名方法2.1 日本生产的集成电路型号命名方法(1)日本东芝公司生产的集成电路型号由三部分组成,各部分的含义如表2所示。
表2 日本东芝公司生产的集成电路各组成部分的含义2)日本三洋公司生产的集成电路型号由两部分组成,各部分含义如表3所示。
表3 日本三洋公司生产的集成电路各组成部分含义(3)日本日立公司生产的集成电路由四部分组成,各部分的含义如表4所示。
表4 日本日立公司生产的集成电路各组成部分含义(4)日本索尼公司生产的集成电路由三部分组成,各部分的含义如表5所示。
表5 日本索尼公司生产的集成电路各组成部分含义5)日本松下公司生产的集成电路由四部分组成,各部分的含义如表6所示。
表6 日本松下公司生产的集成电路各组成部分含义6)日本三菱公司生产的集成电路由五部分组成,各部分的含义如表7所示。
表7 日本三菱公司生产的集成电路各组成部分含义2.2 美国生产的集成电路型号命名方法美国半导体集成电路型号命名由四部分组成,各部分的含义如表8所示。
表8 美国产集成电路型号命名及含义2.3 集成电路国外部分公司及产品代号集成电路国外部分公司及产品代号如表9所示。
表9 集成电路国外部分公司及产品代号集成稳压器的型号由两部分组成。
第一部分是字母,国标用“CW”表示,其中“C”表示中国,“W”表示稳压器;国外产品有LM、pA、MC、μPC等。
第二部分是数字,表示不同的输出电压。
国内外同类产品的数字意义完全一样。
集成电路的型号一般都在表面印刷(或者激光刻蚀)出来。
集成电路有各种型号,命名有一定规律,一般由前缀、数字编号和后缀组成。
绝大部分国内外厂商生产的同一种集成电路,采用基本相同的数字编号,而以不同的字头代表不同的厂商,例如,NE555、LM555、;μPC555、56555分别是由不同国家和厂商生产的定时器电路,但它们的功能、性能和封装、引脚排列都一致,可以相互替换。
焊盘类型简称标准图示命名S M D | P A D 表面贴装方焊盘SMDS命名方法:SMDS + 边长命名举例:SMDS30表面贴装长方焊盘SMDR命名方法:SMDR + 宽(Y) X 长(X)(mil)命名举例:SMDR21X27, SMDR10X40表面贴装圆焊盘SMDC命名方法:SMDC + 焊盘直径C(mil)命名举例:SMDC20,SMDC18,SMDC14表面贴装椭圆焊盘SMDO命名方法:SMDO + 宽(Y)X长(X)命名举例:SMDO28X165, SMDO37X280 ,SMDO50X280P T H | P A D 金属化通孔圆焊盘PADC命名方法:PADC +焊盘外径C(mil)+ D +孔径(mil)+(P)P表示压接孔,公差为+/-0.05mm命名举例:PADC45D30, PADC60D37金属化通孔方焊盘PADS命名方法:PADS+焊盘边长(P)(mil)+D+孔径(mil)命名举例:PADS45D30, PADS80D60金属化通孔椭圆焊盘PADO命名方法:PADO + 宽(Y)(mil)X长(X)(mil)-焊环宽度(mil)命名举例:PADO70X100-10金属化矩形焊盘椭圆通孔PADOS命名方法:PADOS+盘宽(Y)(mil)X长(X)(mil)-椭圆的宽(Y)(mil)X长(X)(mil)命名举例:PADOS100X120-70X100N P T H | P A D非金属化通孔圆焊盘PADNC命名方法:PADNC + 孔径(mil)命名举例:PADNC122, PADNC62非金属化方孔PADNS命名方法:PADNS + 边长(mil)命名举例:PADNS60非金属化长方孔PADNR命名方法:PADNR + 宽(mil)X长(mil命名举例:PADNR100X200非金属化通孔椭圆焊盘PADNo命名方法:PADNo + 宽(mil)X长(mil)命名举例:PADNo71X96热焊盘TH圆热焊盘命名方法:TH + 孔环外径命名举例:TH68椭圆热焊盘命名方法:TH +宽(mil)X长(mil)命名举例:TH68X96不规则焊盘PADSPD 命名方法:PADSPD+宽(mil)X长(mil)X高(mil)过孔VIA命名方法:VIA+孔径(mil)X焊盘外径(mil)命名举例:VIA10X20C_TH 插装瓷片电容C_TH_Pin间距C_TH_5r08C_TH_22r5TH=插装CE_SM 贴片电解电容CE_SM_Pin边距_元件主体直径单位:mmCE_SM_2r5_8CE_SM_4_10常用直径:6.3,8,10,12.5,16,18等CE_RA 径向引线插装电解电容CE_RA_Pin间距_元件体直径单位:mmCE_RA_2_5CE_RA_3r5_8CE_RA_2_5r5RA: Radial径向引脚常用直径:6.3,8,10,12.5,16,等CE_AX (暂不用) 轴向引线插装电解电容CE_AX_Pin间距_元件体直径单位:mmCE_AX_2_5CE_AX_5_10CE_AX_2_5r5常用直径:6.3,8,10,12.5,16,18等5.7.3 IC类(见表8)分类封装图示中文名称实例实体图及备注O PSOP小外形封装集成电路SOP5_50_173SOP6_50_300SOP16_50_150SOP20_50_200标准脚间距= 1.27mm SSOP 缩小外形封装集成电路SSOP8_25_100SSOP24_25_150SSOP28_25_150Pin间距< 1.27mm TSOP 薄小外形封装集成电路TSOP6_39_66TSOP28_22_450TSOP48_20_700装配高度≤ 1.27mm分类封装图示中文名称实例实体图及备注SOJ “J”形引脚小外形集成电路SOJ32_50_300SOJ32_50_400SOJ42_50_400标准脚间距= 1.27mmSEN 集成传感器电路SEN8_100_THSEN14_50_SM_TOPSEN14_50_SM_BOTTH: 插件SM:表贴DIP 双列直插式封装DIP6_100_300SIP 单列直插式封装SIP7_100SIP7_100_DOWN(卧装)Q F PQFP四侧引脚方形扁平封装命名规则:QFP+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述(L=Left,M=Mid)QFP44_r8_10X10QFP64_1_20X26MP5=中间带有五个孔的散热Pin封装本体厚度:(2.0~3.6mm)LQFP四侧引脚薄方形扁平封装命名规则:QFP+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述(L=Left,M=Mid)LQFP100_r65_20X26MLQFP40P5_r5_6r5X6r5封装本体厚度:(1.4mm)TQFP四侧引脚超簿方形扁平封装命名规则:QFP+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述(L=Left,M=Mid)TQFP128_r5_19X25MTQFP216_r5_34X34M封装本体厚度:(1.0mm)QFN方形扁平无引脚封装命名规则:QFN+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述QFN48P1_r5_8r2X8r2 P1特指带散热盘L PLCC塑封有引线芯片载体命名规则:PLCC+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述PLCC84_1r27_26X26PLCC32_1r27_18X20r5_BIOS含插座CCCLCC无引线陶瓷芯片载体命名原则:CLCC+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述CLCC16_r5_3X3(目前还未用到)JLCC“J”形引线陶瓷芯片载体命名规则:JLCC+Pin数_Pin间距_实体面积_补充描述JLCC16_r5_3X3(目前还未用到)BGA球形栅格触点阵列命名原则:BGA+Pin数_Pin间距_阵列大小_补充描述BGA160_40_1414BGA92_32_0921BGA300对于Pin不是按规则排列的则用封装代号直接加Pin CBGA陶瓷球形栅格触点阵列命名原则:CBGA+Pin数_Pin间距_阵列大小_补充描述CBGA256_40_1616CBGA350PGA塑封插针栅格触点阵列命名原则:PGA+Pin数_Pin间距_阵列大小_补充描述PGA370_32_3737PGA370_50_2626PGA400。
一、国标集成电路的型号命名方法
一、国标集成电路的型号命名方法
国标(GB3431—82)集成电路的型号命名由五部分组成,各部分的含义见表25。
第一部分用字母“C”表示该集成电路为中国制造,符合国家标准。
第二部分用字母表示集成电路类型。
第三部分用数字表示集成电路系列和代号。
第四部分用字母表示电路温度范围。
第五部分用字母表示电路的封装形式。
表25 国标(一)集成电路型号命名及含义
表26 国标(二)集成电路型号命名及含义
表27 东芝集成电路的型号命名及含义
表29 日立集成电路的型号命名及含义
表32 日本三菱集成电路的型号命名及含义
表31 索尼集成电路的型号命名及含义。
国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)器件型号举例说明ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD:模拟器件编号A:第二代产品;I、J、K、L、M:D:陶瓷或金属气MIL-STD- HA:混合DI:介质隔离产(0-70)℃;密双列封装883B级。
A/D;品;A、B、C:(多层陶瓷);HD:混合Z:工作在+12V (-25-85)℃;E:芯片载体;D/A。
的产品。
(E:ECL)S、T、U:F:陶瓷扁平;(-55-125)℃。
G:PGA封装(针栅阵列);H:金属圆壳气密封装;M:金属壳双列密封计算机部件;N:塑料双列直插;Q:陶瓷浸渍双列(黑陶瓷);CHIPS:单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)通用器件型号举例说明模拟器件产品型号举例说明首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L:M:铜焊金属壳封装; Q:高可靠产品;(0-70)℃;P:塑封;/QM:MIL-STD-A、B、C:(-25-85)℃; G:陶瓷。
883产品。
R、S、T、V:(-55-125)℃。
军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC)首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V:(-55-125)℃;M:金属的;MIL-STD-883B。
U:(-25-85)℃;L:芯片载体。
W:(-55-125)℃。
DAC的型号举例说明首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示V:(-55-125)℃;CBI:互补二进制V:电压输出;U:(-25-85)℃。
输入;I:电流输出。
COB:互补余码补偿二进制输入;CSB:互补直接二进制输入;CTC:互补的两余码输入。
首标的意义::A/D转换器;OPA:运算放大器;ADS:有采样/保持的A/D转换器;INA:仪用放大器;DAC:D/A转换器;PGA:可编程控增益放大器;MPC:多路转换器;ISO:隔离放大器。
集成电路型号的命名方法概述集成电路的品种、型号浩如烟海,难以计数。
面对世界上如此飞跃发展的电子产业,至今国际上对集成电路型号的命名无统一标准,各厂商或公司都按自己的一套命名方法进行生产,这给识别集成电路型号带来了极大的困难。
尤其是初学者手头有一些集成电路,想查查手册,了解其是什么电路及主要参数,可是集成电路上面字母多,不知哪几个字母与数字表示型号。
下面介绍一种按集成电路型号主要特征来查找手册的方法。
纵观集成电路的型号,大体上包含这些内容:公司代号、电路系列或种类代号、电路序号、封装形式代号、温度范围代号和其他一些代号。
这些内容均用字母或数字来代表。
一般情况下,世界上很多集成电路制造公司将自己公司名称的缩写字母或者公司的产品代号放在型号的开头,表示该公司的集成电路产品。
例如:日本东芝公司产品型号用字母T开头,如图9-4(a)所示,TA7687AP即为型号。
三菱公司的产品型号开头字母为M,M50560即为型号,如图9-4(b)所示。
美国摩托罗拉公司产品型号的开头字母为MC,如图9-4(c)所示,MC14017BCP为型号。
对于此类集成电路,只要知道了该集成电路是哪个国家、哪个公司的产品,按相应的集成电路手册去查找即可。
图9-4 集成电路型号标注法(一)此外,识别集成电路还可用先找出产品公司商标的办法。
因为有不少厂商或公司的集成电路,其型号的开头字母不表示厂商或公司的缩写、代号,而是表示功能、封装或种类等。
例如,以生产计算机芯片著称于世的美国英特尔公司,其型号的第一个字母表示使用范围,如M表示军用,I表示工业用,不标则为商业用;第二个字母表示封装,如P为塑封,D为密封等。
图9-5(a)所示为塑封8031单片微处理器芯片;图9-5(b)中集成电路为日本松下公司的产品,它的开头字母表示器件类型,AN 表示模拟电路,DN 表示数字电路。
对于此类集成电路,可以先找到芯片上的商标,确定生产厂商或公司后,再查找相应的手册。
集成电路 213 第 9 章
按导电类型不同分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。
前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL 、ECL 、HTL 、LST-TL 、STTL 型属于这一类。
后者工作速度低,但输入阻抗高,功耗小,制作工艺简单,易于大规模集成,其主要产品为MOS 型集成电路。
如果仅单独采用上面的某一种分类方法来划分集成电路,对于集成电路的型号命名来说显得很不够。
因而,半导体集成电路的分类还有混合分类法,即按制造工艺及功能综合考虑进行分类,如图9-3所示。
图9-3 集成电路混合分类法
顺便指出,在集成电路制作工艺中,由于技术上的原因,目前尚不能制作大数值的电容和电感,更不能制作变压器。
另外,为节省芯片面积,总是想办法避免制作高阻值的电阻和200pF 以上的 电容。
9.1.2 型号命名方法
1.概述
集成电路的品种、型号浩如烟海,难以计数。
面对世界上如此飞跃发展的电子产业,至今国际上对集成电路型号的命名无统一标准,各厂商或公司都按自己的一套命名方法进行生产,这给识别集成电路型号带来了极大的困难。
尤其是初学者手头有一些集成电路,想查查。