聚灿光电科技（宿迁）有限公司年产1560 万片LED 外延片、芯片
生产研发项目
可行性报告
2019 年 4 月
一、项目概述
本项目承担单位---聚灿光电科技（宿迁）有限公司（以下简称“聚灿宿迁”或“公司”），成立于2017 年 6 月 5 日，注册资本 70000 万元，总用地面积约 174,504 平方米，约合 261.8 亩。主要从事高光效、高可靠性 LED 外延片、芯片研发、生产、销售。
本项目位于宿迁经济技术开发区通湖大道西侧、东吴路南侧。宿迁光电产业园位于国家级宿迁经济技术开发区内，是宿迁市重点打造的光电、新材料、智能电网、高性能复合材料、生物科技和信息技术等六大新兴产业集聚区之一。光电产业园规划占地 8 平方公里，由光电研究中心、光电科技促进中心、中小企业聚集区和核心区 4 个部分组成，致力于建设集研发、生产、销售为一体的高科技光电产业园区，打造光电产业集群全国知名品牌。
二、项目投资的必要性、可行性
1、项目投资的必要性
（1）整体经营发展战略需求
LED 外延芯片行业是规模效应显著的技术密集型行业，目前该行业已经处于高度寡占型，产业结构向大者恒大。本项目计划新增年产能 1560 万片，逐步达产后规模效应将更为显著，更有利于降低公司生产成本，有助于提升公司在行业中的市场份额及竞争力，更快助推公司实现成为 LED 芯片行业领军企业之一的战略目标。
（2）经济利益更为显著
本项目实施地为江苏省宿迁市经济开发区，当地政府为大力推进半导体产业发展、吸引优秀公司投资建厂在政策上给予了较大扶持力度，包括项目推动决策效率、基础实施配套建设、投资补助、招收员工等方面，因此本项目经济效益更为显著，更有利于提升公司整体盈利能力。
2、项目建设的可行性
（1）市场可行性分析
十三五期间（2016-2020），国家及地方政府陆续出台多个文件，从节能、环保、促进技术创新等各个角度鼓励发展LED 产业，如《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》、《半导体照明产业“十三五”发展规划》等，不断为半导体照
明产业注入新的机遇与契机。据 CSA Research 相关数据显示，我国 LED 照明市场渗透率短短几年内即由 2011 年的 1%提升至 2017 年的 65%。
目前，国产 LED 芯片产品在光效、寿命以及可靠性等性能方面都取得较大进展，开发出图形衬底、高发光效率及倒装、高压芯片等一系列关键工艺技术。国产芯片正凭借优越的性能和极具竞争力的价格优势在诸多应用领域逐步渗透并取代进口芯片。
因此，在应用需求的驱动下，产业规模将有望进一步扩大，同时，伴随产业规模不断改善，产业集中度将进一步提高，企业战略布局将更加清晰，对供应链的深度整合将成为竞争的关键所在。
（2）企业核心竞争力分析
①技术优势：LED 外延芯片行业属资本和技术双重密集型行业，技术研发实力是资本投入能否有效转化为利润的核心。目前，企业已在 LED 外延生长和芯片制造的主要工序上拥有了核心技术，如高取光效率的图形化衬底、高发光效率的外延技术、高均匀性高取光效率的芯片工艺技术、高发光效率高散热的高压、倒装、垂直结构芯片等。
②涵盖经营全流程的精细化管理优势：企业对采购、生产、销售、人力资源等环节或要素进行信息化、系统化管理，降低生产成本，提高产品品质，提升员工收入和凝聚力，为股东、员工、客户及供应商创造最大价值。
③企业文化和团队优势: 企业秉承“诚信、创新、共建、感恩”的核心价值观，管理团队在 LED 外延芯片行业均具有多年从业经验，在战略规划、企业管理、技术研发、生产控制、市场营销等方面具备丰富经验，经过长期磨合，对于公司长期发展战略和经营理念具有了共识，形成了分工明确、配合默契、敬业奉献、勇于创新的团队精神。
④产品品质优势：公司已建立了全套的质量控制体系，从原材料供应商选择、原材料检验、员工上岗前培训、标准化生产、产成品检测、客户对产品信息反馈及公司对产品品质统计分析等方面均严格控制产品质量。
⑤品牌和客户资源优势：经过近年来的不懈努力，企业借助于产品可靠性、高亮度等优势，通过不断强化“服务型营销”理念，对重要客户提供各种技术、信息服务，建立起完善的销售服务体系，逐步树立起高品质 LED 芯片制造商的良
LED芯片知识大了解 目录 一 LED芯片基本知识 (2) 1、LED芯片的概念 (2) 2、LED芯片的组成元素 (2) 3、LED芯片的分类 (2) 二 LED衬底材料 (4) 1、LED衬底材料的概念及作用 (4) 2、LED衬底材料的种类 (4) 三 LED外延片 (6) 1、LED外延片生长的概念 (6) 2、LED外延片衬底材料的种类 (6) 3、LED外延片的检测 (6)
一、LED芯片基本知识 1、LED芯片的概念 LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料 ，LED主要依靠芯片来发光。 LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流 程，最终完成如右图的成品-芯片。 外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→ 平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→ SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→ N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→ P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→ 芯片→成品测试。图1 外延片成品示意图 2、LED芯片的组成元素 LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。 3、LED芯片的分类 1）按发光亮度分 A、一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、 Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等 B、高亮度：VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)、 SR(较亮红色GaA/AS 660nm)； C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
LED基础知识培训-外延、芯片王立 2009-3-16 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation 内容提要 1 2 3 4 LED器件基础知识 LED器件基础知识 LED材料生长 LED材料生长 LED芯片制造芯片制造高效率LED芯片设计芯片设计高效率 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 1、半导体发光的概念发光是物体内部以某种方式吸收的能量转化为光辐射的过程。发光是一种非平衡辐射。区分各种非平衡辐射的宏观光学参量是辐射期间—去掉激发后辐射还可延续的时间。发光的辐射期间在10-11秒以上。 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识半导体发光的不同形态粉末发光。薄膜发光。结型发光。通常所说的半导体发光是指结型发光——器件的核心在于p-n结。半导体照明技术是结型电致发光和粉末光致发光的结合。 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 2、半导体发光的研究历史 1907 ! Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 1923, O.W. Lossev of Russia reported electroluminescent light emission in silicon carbide crystals. 1937, F. Destriau of France reported (field-excited electroluminescence of zinc sulfide powders. 1939 – 1944 World War II 1951 – Solid State Lighting potential resurfaced when a team of researchers led by Kurt Lehovec started to investigate the electroluminescent potential of silicon carbide. 1962 – Nick Holonyak Jr, working at General Electric, gave the first practical demonstration of LEDs. 1968 – HP Labs develops the first commercially available light-emitting diode. GE, Bell Labs make the same claim. LEDs were first invented in England, Korea and China as well, depending upon who you talk to. …… 1994 –高亮度蓝光LED实现产业化，半
MOCVD设备和外延生长 2007．01 外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在。气相外延（VPE），液相外延（LPE），分子束外延（MBE）和金属有机化合物气相外延（MOCVD）都是常用的外延技术。当前，MOCVD工艺已成为制造绝大多数光电子材料的基本技术。 （气相外延-在含有外延生长所需原子的化合物的气相环境中，通过一定方法获取外延生长所需原子，使其按规定要求排列而生成外延层的外延生长过程。（V apor P hase E pitaxy）液相外延-衬底片的待生长面浸入外延生长的液体环境中生长外延层的外延生长过程。(L iquid P hase E pitaxy) 分子束外延-在高真空中，外延生长所需原子（无中间化学反应过程）由源直接转移到待生长表面上，按规定要求排列生成外延层的外延生长过程。(M olecular B eam E pitaxy） MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）设备作为化合物半导体材料研究和生产的手段，特别是作为工业化生产的设备，它的高质量、稳定性、重复性及规模化是其它的半导体材料生长设备无法替代的。它是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、探测器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等，是光电子等产业不可缺少的设备。但我国至今没有生产该设备的专业厂家，各单位都是花费大量外汇从国外购买，使用过程中的维护和零配件的采购都存在很多的不便，且价格昂贵。 全球最大的MOCVD 设备制造商AIXTRON, 美国Veeco 公司. 一，MOCVD设备 1.发展史：国际上起源于80年代初，我国在80年代中（85年）。 国际上发展特点：专业化分工，我国发展特点：小而全，小作坊式。 技术条件：a.MO源：难合成，操作困难。 b.设备控制精度：流量及压力控制 c.反应室设计：Vecco:高速旋转 Aixtron:气浮式旋转 Tomax Swan :CCS系统（结合前两种设备特点） Nichia:双流式 2.MOCVD组成
外延基础知识 一、基本概念 能级：电子是不连续的，其值主要由主量子数N决定，每一确定能量值称为一个能级。 能带：大量孤立原子结合成晶体后，周期场中电子能量状态出现新特点：孤立原子原来一个能级将分裂成大量密集的能级，构成一相应的能带。（晶体中电子能量状态可用能带描述） 导带：对未填满电子的能带，能带中电子在外场作用下，将参与导电，形成宏观电流，这样的能带称为导带。价带：由价电子能级分裂形成的能带，称为价带。（价带可能是满带，也可能是电子未填满的能带） 直接带隙：导带底和价带顶位于K空间同一位置。 间接带隙：导带底和价带顶位于K空间不同位置。 同质结：组成PN结的P型区和N型区是同种材料。（如红黄光中的：GaAs上生长GaAs,蓝绿光中：U(undope)－GaN上生长N(dope)－ GaN） 异质结：两种晶体结构相同，晶格常数相近，但带隙宽度不同的半导体材料生长在一起形成的结，称为异质结。（如蓝绿光中：GaN上生长Al GaN） 超晶格（superlatic）：由两种或两种以上组分不同或导电类型各异的超薄层（相邻势阱内电子波函数发生交迭）的材料，交替生长形成的人工周期性结构，称为超晶格材料。 量子阱(QW)：通常把势垒较厚，以致于相邻电子波函数不发生交迭的周期性结构，称为量子阱（它是超晶格的一种）。 二、半导体 1.分类：元素半导体：Si 、Ge 化合物半导体：GaAs、InP、GaN(Ⅲ-Ⅴ)、ZnSe(Ⅱ-Ⅵ)、SiC 2.化合物半导体优点： a.调节材料组分易形成直接带隙材料，有高的光电转换效率。（光电器件一般选用直接带隙材料） b.高电子迁移率。 c.可制成异质结，进行能带裁减，易形成新器件。 3.半导体杂质和缺陷 杂质：替位式杂质（有效掺杂） 间隙式杂质 缺陷：点缺陷：如空位、间隙原子 线缺陷：如位错 面缺陷：（即立方密积结构里夹杂着少量六角密积）如层错 4.外延技术 LPE：液相外延，生长速率快，产量大，但晶体生长难以精确控制。（普亮LED常用此生长方法） MOCVD（也称MOVPE）：Metal Organic Chemical Vapour Deposition金属有机汽相淀积,精确控制晶体生长，重复性好，产量大，适合工业化大生产。 HVPE：氢化物汽相外延，是近几年在MOCVD基础上发展起来的，适应于Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体薄膜和超晶格外延生长的一种新技术。生长速率快，但晶格质量较差。 MBE：分子束外延，可精确控制晶体生长，生长出的晶体异常光滑，晶格质量非常好，但生长速率慢，难以用于工业化大生产。 三、MOCVD设备 1.发展史：国际上起源于80年代初，我国在80年代中（85年）。 国际上发展特点：专业化分工，我国发展特点：小而全，小作坊式。 技术条件：a.MO源：难合成，操作困难。 b.设备控制精度：流量及压力控制 c.反应室设计：Vecco:高速旋转
LED外延片及芯片(LED行业核心部件)行业概况 LED外延片及芯片（LED行业LED外延片及芯片（LED行业外延片及芯片核心部件）核心部件）行业概况安溪陈利学校2011-11-27 2011-11- ? 一、LED外延片、芯片是整个外延片、外延片芯片是整个LED产业链产业链的上游部分，约占LED行业利润行业利润70% 的上游部分，约占行业利润? 外延片、芯片、等核心器件是LED 行业中技术层次最高，代表行业发展水平的重要部分，是整个LED产业链的上游部分。其制造技术的发展水平直接决定了LED 行业的产业结构和市场地位。具有技术优势的国家如美国、日本等在核心器件的原材料生产和器件设计上均处于世界领先水平，可见其地位在LED 行业发展中十分重要。在LED利润分布中占约70% ? 二、LED外延片主要生产技术：MOCVD 被国外外延片主要生产技术：外延片主要生产技术被国外垄断，垄断，国内生产企业需高额进口? 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法（MOCVD），其供给由国际巨头爱思强（德国）、维易科（美国）以及日本酸素垄断。目前，国内所有生产LED外延片、芯片的企业均需从国外高额进口MOCVD设备，而此类设备每台约需1500万元，购置成本约占整个LED 1500 LED 生产线成本的2/3。? 2010年1月，国产LED MOCVD设备在广东昭信半导体装备制造有限公司成功下线。但是，国产MOCVD设备的成功下线能否改变LED外延芯片核心装备市场格局还有待市场的检验。? 三、我国的LED 芯片相对薄弱但芯片企业稳步增我国的加? 从芯片的制造流程可以看到，其成本的大部分为外延片的生产，其它部分的加工以及封装成本较少仅占到30%。? 目前我国的LED 芯片制造成本虽然相对外资产品较低，但在外延片技术上的投入比例依然很大，并没有摆脱各国的共性。不过随着外延片生产技术和工艺的提升，我国LED 芯片的制造成本有望继续降低。? 据LED 产业研究机构LEDinside 统计，至2009年8月，中国大陆现存LED 芯片生产企业达62个，近几年呈快速上涨的势头。? 四、LED外延片、芯片生产企业毛利率约外延片、外延片为40% ? 目前LED 上游外延片及芯片制造的毛利率水平普遍在40%以上，个别优势企业甚至超过50%，中游封装和下游应用领域的技术含量相对较低，但毛利率仍能达到30%。名词解释? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? LED：Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光：的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。HB LED：高亮度发光二极管。：GaN: 氮化镓，属第三代半导体材料。禁带宽度在T=300K时为3.2-3.3eV，晶格常数为0.452nm。MOCVD：是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor ：DePosition)的英文缩写，是在LED外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。蓝宝石：蓝宝石：是刚玉宝石中除红色的红宝石之外，其它颜色刚玉宝石的通称，主要成分是氧化铝（Al2O3）。LCD TV：可以接受TV信号的液晶显示器。：mcd：光通量的空间密度，即单位立体角的光通量，叫发光强度，是衡量光：源发光强弱的量，其中文名称为“坎德拉”，符号就是“cd”。InGaAlP：磷化铝镓铟，是四元系化合物半导体材料，是制造红色和黄色超：高亮度发光二极管的最佳材料。lGaInN：氮化物半导体材料，是制备白光LED的基石。：OLED：即有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode），又称为有机电：激光显示（Organic Electroluminesence Display, OELD），OLED屏幕具备许多LCD不可比拟的优势。AMOLED: （Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。? 1 LED行业基本情况行业基本情况? LED（Light Emitting Diode），即发光二极体，是一种能够将电能转化为可见光的半导体。与传统光源，如白炽灯和节能灯不同，LED采用电场发光和低压供电。它具有寿命长、光效高、光色纯、稳定性高、安全性好、无辐射、低功耗、抗震、耐击打等一家族优点，被誉为21世纪新固体光源时代的革命性技术。? 进入20