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A-SiO2GlassShieldingITOB・SiO2$ITO结构示意图金属METAL 绝缘材料OGITO、、-A・SiO2METAL-x-iTO, Y-rro. OG -Glass-Shieidiw ITO・ B-SiO2XDC.AQMF.RFPOW男/•«镇原理：如上图所示，在一真空腔体内，将祀材揍阴极，丽基板揍正极或揍地，并耳入Ar V体，当两极问加入一离电压时，其Ar会解翦成Ar+和b（其Ar*和e-的第离子体谓之电浆），而Ar*今冲向阴极之祀材，尹将雹材的原子冲#岀来.而后»冲«出的原子合落在《扳上堆积形成薄膜.TARi^T后筱*久《石或可幼式K石，作用为在TARGETS面行成强犬《场・可以犬幅提高舉面电浆高子化程度。
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ito工艺流程ITO工艺流程是指将ITO膜作为导电膜，通过一系列的加工步骤制备成特定形状和规格的ITO玻璃或ITO膜。
ITO是氧化铟锡的简称，具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于LCD、触摸屏、太阳能电池等领域。
ITO工艺流程主要包括ITO膜涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
首先是ITO膜涂布，将ITO溶液通过特定的方法涂布在基底材料上，形成薄膜。
涂布过程需要控制好涂布头的喷雾粒径和速度，以及基底材料的表面状况，以保证涂布后的膜质量。
接下来就是光刻步骤，将ITO膜上的光刻胶涂覆在膜上，并利用光刻机将图案光刻到光刻胶上。
光刻胶的选择很关键，它需要满足良好的光刻性能和较高的耐蚀性。
光刻胶暴露后，通过曝光、显影等步骤，将需要保留的图案暴露出来，形成光刻胶模版。
然后是腐蚀步骤，将暴露在光刻胶模版上的ITO膜部分进行腐蚀。
腐蚀可以选择湿法腐蚀或干法腐蚀两种方式，湿法腐蚀一般采用酸性溶液进行，干法腐蚀则通过离子束刻蚀等方式进行。
腐蚀后，光刻胶模版可被去除，暴露出ITO膜的导电区域。
最后就是清洗步骤，将ITO膜表面的光刻胶残留物和腐蚀产物进行清洗。
清洗过程采用有机溶剂、超纯水或酸碱溶液进行，以确保膜表面的清洁度和平整度。
清洗后即可得到满足要求的ITO玻璃或ITO膜。
整个ITO工艺流程中，涂布、光刻和腐蚀是关键步骤，其中涂布和光刻的参数控制直接影响着膜的质量和性能。
涂布时要注意涂布头的均匀性和稳定性，避免出现表面不均匀、厚度不一的情况。
光刻时要保证光刻胶的厚度和质量，以及光刻机的曝光、显影参数的准确控制。
腐蚀时需要选择合适的腐蚀剂和腐蚀时间，以保证腐蚀均匀性和腐蚀深度的控制。
总的来说，ITO工艺流程是将ITO膜加工成特定形状和规格的过程，涵盖了涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
这些步骤的参数控制和质量保证对最后的ITO玻璃或ITO膜的性能有着重要影响，因此工艺的优化和改进是提高产品质量和工艺效率的关键。
触摸屏生产工艺及其流程一、设计规范1．产品结构1）薄膜对薄膜结构(film to film)a.FPC或Mylar引出（图一）或Mylar图一b.ITO Film直接引出（图二）图二此结构由于采用两层ITO Film，厚度较薄，最薄可做到0.45mm，但价格较贵；产品较薄，客户上机时需非常小心，不能弯折产品，否则产品导电膜会龟裂，导致产品功能不良。
在厚度允许的情况下不建议客户选用此结构。
2）薄膜对玻璃结构(film to glass)a.FPC或Mylar引出（图三）或Mylar图三b.ITO玻璃直接引出（图四）c.ITO Film直接引出（图五）图五此结构成本低，工艺成熟，透明度高，引出线可随意选择，厚度可调整。
b、c两类型采用点胶形式比压合形式好，因上线材料较厚，采用压合时效果不太好；而压头大小也要合适，如果比实际压合面积大会压坏材料。
3）薄膜对薄膜含承托板结构(film to film+PC or glass )或Mylar此结构成本高，结构多，透明度低，OCA与Film贴合时良率低，此结构不建议客户使用。
引出线可采用Mylar或FPC。
或Mylar图七线路部分设计原则1）常用术语a. 外形尺寸(Out dimension)：产品的外形面积b. 可视区(View dimension)：透明区，装机后可看到的区域。
此区域不能出现不透明的走线及键片等c. 驱动面积(Active dimension)：实际可操作的区域。
………………驱动面积比可视面积小………………d. 键片（Spacer）：用于粘合上、下线路的双面胶。
e. 承托板：粘于下线背面，起支撑产品的作用。
由于材料增多，产品透明度有所降低f. 敏感区：驱动面积与键片内框的距离。
由于存在键片高度落差，当使用不当，很容易在此区域造成ITO膜断裂导致产品功能不良。
在产品设计上必须考虑周详。
此区域虽小，但不容忽视。
g. 蚀刻：把多余的ITO用酸腐蚀掉。
电容触摸屏工艺流程
一、电容触摸屏制造流程
1、衬底处理：衬底清洗→衬底干燥→衬底打磨→衬底洗涤。
2、开孔工艺：衬底对位→孔洞定位→孔洞切割→孔洞清洗。
3、ITO膜处理：ITO膜去除保护膜→ITO膜洗涤→ITO膜温热固化
→ITO膜清洗→ITO膜柔性熔接→ITO膜干燥。
4、衬底金手指处理：金手指铺展→金手指加热固化→金手指干燥→金手指定位→金手指回流焊接。
5、衬底元件封装：元件定位→元件焊接→元件焊锡→元件焊接→元件清洗。
6、衬底电容片处理：电容片定位→电容片焊接→电容片清洗→电容片焊接→电容片柔性熔接→电容片热压定型→电容片清洗→电容片抛光。
7、衬底电容片测试：电容片计算→电容片电路测试→电容片图像测试→电容片性能测试。
8、衬底成品检测：衬底外观检测→衬底触摸测试→衬底静电测试→衬底电容测试。
二、生产缺陷预防
1、避免衬底起皱：衬底在高温热处理时容易产生起皱，因此应采取积极措施，在适当位置使用合适的能量密度，对衬底进行多道温热处理来确保衬底的规则性，确保衬底成品的质量。
2、避免衬底斑点：衬底在安装过程中容易产生斑点，应采取一定的措施来避免这种情况的出现。
ito导电玻璃制备流程
ITO导电玻璃制备流程是一种基于真空蒸镀技术的制备方法，其主要步骤包括以下几个方面：
1. 玻璃基片清洗：在制备ITO导电玻璃之前，需要对玻璃基片进行彻底的清洗，以去除表面的油污、灰尘等杂质。
2. 真空蒸镀金属氧化物：在真空环境下，将金属和氧气一同输入，使金属与氧气发生化学反应，生成金属氧化物，如氧化铟、氧化锡等。
3. 制备ITO导电层：将金属氧化物蒸镀到玻璃基片表面，形成ITO导电层。
4. 退火：将制备好的ITO导电玻璃进行退火处理，使其晶体结构更加完整，提高其导电性能。
5. 光刻：使用光刻技术制备导电图案，如电极、线路等。
6. 除膜：使用化学方法去除光刻胶膜，得到完整的ITO导电玻璃。
以上就是ITO导电玻璃制备流程的主要步骤。
这种方法制备的ITO导电玻璃具有导电性能好、透明度高等优点，被广泛应用于液晶显示器、太阳能电池、触摸屏等领域。
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Touch Panel 生产流程说明ITO 生产管制流程图Mylar耐酸油墨网板酸的配置碱的配置纯水 (引出线) 网版油墨镭射裁切检验 FILM+GLASS贴合注 :制程项目检验站质量控制站(接受或退回)注:现在触摸屏生产很少用冲床机冲外形,都是采用先大片贴合后然后采用激光切割,这样能大大提高生产产能及提高生产工时减少生产程序.所有工序在制作时先通过按检验标准操作者的自检、制造带班及品管制程人员进行首件检验后方进行批量的生产, 并生产中除操作者自检外还有品管制程进行定期的巡检, 保证生产的质量.²Touch Panel生产工序如下:一. 蚀刻ITO Film/ITO GLASS耐酸油墨、网版按进料检验规范检验.1.ITO FILM/ITO GLASS印刷耐酸油墨并过UV干燥油墨.。
检验项目: 需网版、印刷图案，耐酸层的硬度、厚度、附着力，等见下表二(印刷检验规范)蚀刻线的准备: 蚀刻前对酸的浓度、碱的浓度、纯水的质量进行检验, 符合要求则可进行蚀刻.将印好耐酸油墨的ITO FILM /ITO GLASS进行蚀刻以去掉不需要的导电膜.检验项目:见下表一(蚀刻检验规范)制程区域检验内容检验方法、工具检验标准备注外观检查目测1)经蚀刻烘干后的材料应无变形.2)导电面无刮伤, 无水渍 ,污点.3)蚀刻干净无蓝点 ,蚀刻良好.4) Glass透明度良好蚀刻面正确蚀刻电气检查绝缘表(100V)万用表1)用绝缘表检查材料蚀刻区是否蚀刻干净,方法为:红黑表笔尽量靠近,但不接触各导电膜,导电膜间阻抗≧100MΩ100V.2)万用表测量各段导电膜阻值符合工程规格书要求.蚀刻液浓度检测酸碱滴定实验 每次开机蚀刻前须由品管人员检测酸碱度是否符合要求,若不符要求,需在品管指导下添加酸碱量, 蚀刻中途品管须定时抽测酸碱度以保证酸碱度符合要求.表一(蚀刻检验规范)二. 印刷1. 对引出线MYLAR 材料、网版、油墨按进料检验规范检验.2. 对ITO FILM/ITO GLASS /引出线MYLAR 进行印刷导电油墨、绝缘等油墨. 最好能用全自动印刷机及半自动印刷机, 以确保高质量及高速度的印刷。
