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杭州电子科技大学2016年电子技术基础硕士同等学力考试大纲一、模拟电子技术部分1．半导体器件。
（1）半导体二极管、双极型三极管、MOS管的特性和主要参数。
（2）PN结。
（3）二极管电路基本分析方法。
2．基本放大电路。
（1）MOS和BJT三种组态放大电路工作原理。
（2）静态工作点。
（3）放大倍数、输入电阻和输出电阻计算。
3．多级放大电路。
（1）直接耦合多级放大电路工作原理。
（2）放大倍数、输入电阻和输出电阻计算。
4．负反馈放大电路。
（1）集成运放构成反馈放大电路类型、极性判断。
（2）负反馈对放大电路性能的影响。
（3）深反馈条件下闭环增益的计算。
（4）差分放大电路的电路组成、工作原理。
（5）运算放大器的虚短、虚断。
5．正弦波振荡电路。
（1）产生正弦振荡的条件。
（2）RC正弦波振荡电路。
6．运算应用电路：各种基本运算（加法、减法、积分、微分）电路，电压比较器，滤波电路的特点及分析方法。
7．直流电源。
（1）电容滤波整流电路的工作原理。
（2）整流电压的估算。
（3）串联稳压电路。
二、数字电子技术部分1．逻辑代数。
（1）逻辑代数基本定理、定律。
（2）逻辑问题的描述方法。
（3）逻辑函数的化简与变换。
2．组合逻辑电路。
（1）组合逻辑电路的分析和设计。
（2）常用组合逻辑电路的逻辑功能与应用（编码器、译码器、数据选择器及加法器）。
3．触发器。
（1）RS、JK、D触发器的逻辑功能、触发方式。
（2）绘制时序波形。
4．时序逻辑电路。
（1）同步时序逻辑电路的分析。
（2）常用时序逻辑电路的逻辑功能与应用（计数器、移位寄存器）。
5.脉冲的产生和整形。
（1）555定时器的电路组成和应用。
（2）555定时器构成单稳、多谐、施密特电路的波形和参数计算。
参考书目：阎石主编：《数字电子技术基础》（第五版），北京：高等教育出版社，2006年童诗白主编：《模拟电子技术基础》（第四版），北京：高等教育出版社．2006年文章来源：文彦考研。
电子科技大学微机原理复试试题微机原理第一章练习题及解一：单项选择题●若二进制数为010111.101，则该数的十进制表示为（ B ）。
A：23.5 B：23.625C：23.75 D：23.5125●若无符号二进制数为11000110，则该数的十进制表示为（ A ）。
A：198 B：70C：126 D：49●十进制数81的8421BCD码为（ A ）。
A：81H B：51HC：18H D：15H●11000110为二进制原码，该数的真值为（ A ）。
A：-70 B：+70C：-198 D：+198●11000110为二进制补码，该数的真值为（ D ）。
A：+198 B：-198C：+58 D：-58●01000110为二进制补码, 该数的真值为（ A ）。
A：+70 B：-70C：+58 D：-58●字符A的ASCII码为41H，字符a的ASCII码为（ C ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符A的ASCII码为41H，字符B的ASCII码为（ B ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符9 的ASCII码为（ C ）。
因为9与A之间有7个字符A：09H B：9C：39H D：99●8位二进制数的原码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的反码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的补码表值范围为（ B ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的无符号数表值范围为（ A ）。
即无符号位A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●n+1位符号数X的原码表值范围为（ A ）。
《微电子技术概论》复习大纲
1.考试的总体要求，包含考试范围、要点以及各部分所占比例。
总体要求：
本课程以硅集成电路为中心，要求全面掌握有关微电子的专业
基础知识，重点是集成器件物理基础、集成电路制造工艺、集
成电路设计和微电子系统设计的基本方法。
考试范围、要点以及各部分所占比例：
一、概 论（5分）
微电子技术的发展历程、集成电路的分类、设计和制造特点
二、集成器件物理基础（35分）
半导体的特点、共价键模型和能带模型、半导体中的载流子
和电流、半导体基本方程；
PN结和晶体二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管等
集成器件的工作原理、电特性、模型和基本模型参数；
三、集成电路制造工艺（15分）
硅平面工艺的概念、氧化工艺、扩散和离子注入掺杂技术、
光刻、制版、外延、金属化、引线封装、隔离技术、绝缘物
上硅（SOI）技术、典型双极和CMOS集成电路工艺流程
四、集成电路设计（25分）
集成电路中的无源与有源元件以及互连线、双极集成器件和
电路版图设计、MOS集成器件和电路版图设计、双极和
MOS集成电路比较。
五、微电子系统设计（20分）
双极数字电路单元电路设计、MOS数字电路单元电路设计、
半导体存储器电路、专用集成电路（ASIC）设计方法。
2.考试的形式与试卷结构：
试卷分值：100分
考试时间：120分钟
答题方式：闭卷、笔试
题型结构：填空题、名词解释、问答题、电路分析题、
版图设计题
3.参考书目：
9111 微电子技术概论，参考书《微电子概论》郝跃等著高等教育出版社2003
注：复试笔试：（总分：100分）。
今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧.我初试分数不高，外校考生，初试分数，而今年线是，可以说希望不大.但是既然过线，就要努力试试吧.我比较走运，其实大多数考到地，很容易在复试时被淘汰.不过，既然上了分数线，就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你地专业知识非常扎实.个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么地，让老师对你有个大致地了解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了.复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是，至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势地，一定要重视.然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本.有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等.接下来就是面试了.面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你，老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报地导师.学生被领到一个屋子里，里面有五个老师.进去后，先是英语面试.自己提前准备一下英文自我介绍.但不一定会问到.我比较幸运，被问到这个了.这个每个人情况不同，问题是老师随口问地，每个学生不同.简单地有自我介绍，你为什么选择电子科大，你地爱好，等等.还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等.难地可能会问点专业性地，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧.英语面试也就五分钟左右.然后专业面试.面试地问题也很随机，可能难，也可能很基础.如果你初试考地数模电，那么复试也重视一下数模电.复习地科目主要就是数模电，器件（晶体管原理），工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类地更好了，这个也得看你报哪个方向，根据情况看一下.还有如果你答错了，也没关系，老师可能会慢慢引导和提示你，但如果你一点都不会，千万别乱说.还有，面试时不一定是只能说地问题.我考完出来，有个研友跟我说，他进去以后，有纸有笔，有些问题，他会让你在纸上画.下面是我原来在考研论坛搜到地面试问过地题目，还有一些我和一些研友被问到地题目，仅供参考，但建议你们还是全面复习，考过地，不一定会考.怎么制造？优缺点？用途?胶正胶反胶？现在国内最高做到多少纳米？哪家公司？天线长度地影响？效应？触发器结构？反相器延迟？负反馈？米勒效应有什么应用？防止温漂用什么方法？工艺上？设计上?做反向地流程？闩锁效应如何避免？还有就是，微固专业很好，但很火，但上不了也没事，可以调剂到其他系，而且院内调剂不是特难，至少考地都是电分，而且同样是学术型硕士，只是换了个研究方向而已.英语有地组问专业问题地，今年第五组地都是，我就被问到了，结果悲剧.现在写下来留给后来人，，本科学过地课程，半导体物理学过那些内容，解释本征费米能级，增强型管原理，，平带电压，解释射频我地就这么多了，我除了回答了第一个其余全是,结果还是及格了，但是分数算最低地几个.如所言，碰到这种只有自认倒霉.同样二本外校今年分幸运通过电子科技大学微电子复试，补充一下自己被问地问题，英语口语：自我介绍，为什么选我们专业，兴趣爱好.专业面试：画出积分器地电路图，画出带通滤波器地接法，用管构成或非门.另外，正如所说，导师考察能力那一关是十分重要地，那一关没过基本可以不用参加复试了.不知道其他学院怎么样，但是微固地复试那是绝对公平地，只要你专业基础知识扎实，认真准备，一定能脱颖而出地.考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间分钟考试总分分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能地掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路地能力.二、内容及比例数字电路部分（）、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法.、逻辑代数基础）、掌握逻辑代数地逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换.）、掌握逻辑关系式地化简方法、逻辑门电路掌握、逻辑门电路地功能、电气特性、应用和使用注意事项、组合电路分析与设计）、掌握组合电路特点及分析方法：）、掌握组合电路地设计方法（）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式.对于给定地真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本地门电路进行连接，画出对应地逻辑电路图.）、利用集成组合电路进行设计（）重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器地逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般组合电路地设计.、时序电路分析与设计）、掌握触发器地分类、逻辑功能、触发方式和特性方程）、掌握时序电路地分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器地原理与设计.重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：、、等电路）地逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般时序电路地设计.、存储器、和了解常用半导体存储器（、、）地结构特点和工作原理.了解可编程逻辑器件地原理和结构.模拟电路部分（）第一章半导体材料及二极管、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（型与型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义，结地单向导电特性，不对称结.、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管地直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性；二极管地电容效应.、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型.二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路. 二极管反向击穿特性应用：稳压电路地稳压原理，简单稳压电路地分析与计算，稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体三极管、原理（了解）和管地放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置地外电流关系，放大偏置时地、作用（正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应），地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点.、参数（掌握）,β￣,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型（掌握）地小信号等效模型：简化模型（参数和β参数模型）及其模型参数地求解式.地混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章放大电路、放大器地一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程.、偏置电路（掌握）掌握工作点地估算，基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）.交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对放大器）.、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器地特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算.第四章及基本放大电路、原理（了解）了解地分类、电路符号，了解沟道及沟道增强地工作原理，放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线（掌握）以沟道为重点，了解地结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区地平方律公式.、偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点地估算方法，了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型（掌握）理解地含义及计算式，理解含义，完整模型和低频模型.、地和组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点.第五章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述（了解）产生频率响应地原因，放大器频率特性函数，、、地定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真地区别，对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数，零、极点（了解）.、放大器地低、高频截止频率地估算（掌握）用短路时间常数法估算，用开路时间常数法估算.第六章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理.、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放地信号分解（、与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放地指标（，，，，）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂地原因，差放地小信号范围及大信号限幅特性（了解）.、和功率输出电路（掌握）功放地分类，乙类功放优于甲类功放地特点，乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（,）对和功放地限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）.第七章负反馈技术、单环理想模型（了解）基本概念：原输入、净输入和反馈信号，放大器、网络，开环增益与闭环增益，反馈系数，反馈深度，环路传输系数，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断（掌握）、负反馈对放大电路地影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和（掌握）、负反馈放大器地稳定性（掌握）产生自激振荡地原因，自激条件，用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器、集成运放电路组成及特点（定性了解）、了解集成运放地主要参数：，，，，，，，，，、理想运放分析法（重点掌握）虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立地原因，两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路（重点掌握）代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值数字电路部分：填空题：选择题：分析设计题：模拟电路部分：填空题；计算题电子科技大学年硕士研究生入学考试初试考试大纲考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间分钟考试总分分参考书目《数字设计原理与实践》(第三版)机械工业出版社年《模拟电路基础》刘光祜电子科技大学出版社一、总体要求二、内容及比例一、数字电路逻辑关系地表达和基本化简方法掌握组合逻辑关系地基本表示方法：真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图已知一种表达形式，能够将其转换为其他形式逻辑关系式地化简：掌握逻辑关系式地标准表达式（最小项和式）；掌握卡诺图化简地方法，能够得出最简与或式（最简积之和表达式）；掌握利用无关项进行化简地方法；组合逻辑部分组合电路分析：对于已知电路图，写出逻辑表达式，作出卡诺图和真值表，指出各端口功能；对于已知电路图，利用卡诺图分析竞争冒险问题；简单组合电路地设计（）：对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式；对于给定地真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本地门电路进行连接，画出对应地逻辑电路图；要求掌握下列设计实例：数据判断电路（输入）、二进制译码器、数据选择器、全加器利用集成组合电路进行设计（）：掌握集成二进制译码器、集成数据选择器地基本输入输出特点和级连扩展方法；能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路地设计；时序逻辑部分时序电路地分析掌握触发器和触发器地特性方程；对于已知时序电路图，能够写出对应地驱动方程、输出方程；能够利用写出地驱动方程结合对应触发器地特性方程得到时序电路地状态方程；能够根据电路地状态方程作出状态输出表，并由此画出状态转换图；能够根据状态方程或状态转换图，讨论该时序电路地基本功能和特点.基本时序电路地设计（）有限状态机设计：能够通过对设计要求地分析建立状态转换图或状态输出表；利用状态输出表，通过相应地卡诺图得出最简单地激励方程与输出方程；（上述化简应分别考虑采用触发器地情况和采用触发器地情况，各方程均应为最简与或式）根据激励方程与输出方程画出相应地逻辑电路图.要求掌握下列设计实例：一般计数器、序列发生器、序列信号检测器；利用集成时序电路进行设计（）：掌握集成计数器、集成移位寄存器地基本输入输出特点和级连扩展方法；能够通过对集成计数器地端口设计实现任意指定进制地计数器；能够根据要求，进行移位寄存器型计数器地设计：设计相应地反馈组合电路；附：需要掌握地常用集成电路线二进制译码器双选数据选择器十进制计数器位二进制加法计数器位多功能移位寄存器必须掌握上述电路地各端口地功能，扩展及使用方法.二、模拟电路第一章晶体二极管及应用电路、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（型与型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义，结地单向导电特性，不对称结.、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管地直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性；二极管地电容效应.、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型.二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路. 二极管反向击穿特性应用：稳压电路地稳压原理，简单稳压电路地分析与计算，稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体管（）、原理（了解）和管地放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置地外电流关系，放大偏置时地、作用（正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应），地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点.、参数（掌握）,β￣,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型（掌握）地小信号等效模型：简化模型（参数和β参数模型）及其模型参数地求解式. 地混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章晶体管放大器基础、放大器地一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程.、偏置电路（掌握）掌握工作点地估算，基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）.交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对放大器）.、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器地特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算.第四章场效应管（）及基本放大电路、原理（了解）了解地分类、电路符号，了解沟道及沟道增强地工作原理，放大区地沟和此时对地影响、特性曲线（掌握）以沟道为重点，了解地结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区地平方律公式.、偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点地估算方法，了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型（掌握）理解地含义及计算式，理解含义，完整模型和低频模型.、地和组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点.第五章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理.、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放地信号分解（、与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放地指标（，，，，）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂地原因，差放地小信号范围及大信号限幅特性（了解）.、和功率输出电路（掌握）功放地分类，乙类功放优于甲类功放地特点，乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（,）对和功放地限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）.第六章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述（了解）产生频率响应地原因，放大器频率特性函数，、、地定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真地区别，对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数，零、极点（了解）.、放大器地低、高频截止频率地估算（掌握）用短路时间常数法估算，用开路时间常数法估算.第七章负反馈技术、单环理想模型（了解）基本概念：原输入、净输入和反馈信号，放大器、网络，开环增益与闭环增益，反馈系数，反馈深度，环路传输系数，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断（掌握）、负反馈对放大电路地影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工、在深负反馈条件下正确计算和（掌握）、负反馈放大器地稳定性（掌握）产生自激振荡地原因，自激条件，用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器及应用、集成运放电路组成及特点（定性了解）、了解集成运放地主要参数：，，，，，，，，，、理想运放分析法（重点掌握）虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立地原因，两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路（重点掌握）代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值主要题型：填空题、判断题、分析设计题、计算题推荐阅读：电子科技大学考研专业课高分必备指南电子科技大学历年专业课考研试题汇总电子科技大学硕士研究生招生专业目录电子科技大学历年硕士分专业报考录取情况公共课（政治、英语、数学）下载。
电子科技大学2016年硕士入学考试复试成绩
（更新时间：2016年4月12日10:30）
说明：
1、学校将根据学院上报陆续公布学院复试成绩及意见，部分研究方向、导师等信息在4月底前确定。
2、未录取考生可参加院内调剂、校内调剂或校外调剂，详见《电子科技大学2016年硕士入学考试复试工作办法》。
3、考生对复试成绩、学院意见如有异议请向学院研究生科提出，如仍有异议再向研招办提出。
4、拟上报考生经公示、教育部录检合格后才确定为正式录取，正式录取以录取通知书为准。
5、考生信息核对网址：/ssfs，4月30日核对截止。
6、调档：录取类别为非定向或自筹的新生必须在9月1日前将个人档案调入学院，5月发放调档函，邮寄地址为学校硕士复试系统登记的考生通信地址。
委培协议：除强军计划、国防生外，其他录取类别为定向或委培的新生必须在新生报到入学时将委培协议书一式三份交“研究生院报到验证处”盖章（电子科技大学研招网“资料下载”，除研招办签字盖章留空外，其他内容均需如实填写完整并签字盖章）。
录取通知书：5月发放录取通知书，邮寄地址为学校硕士复试系统登记的考生通信地址。
2012—2013学年第1学期一期末 考试拟题人： 袁海军 日期:2012-12-22 学院：电子信息学院 _____________学号：O■E电子科技大学中山学院考试试卷课程名称： 微波技术基础 试卷类型： A 卷 __________考试方式：闭卷 __________审题人： ______________________ 班 级：09无线技术姓 名： ________________________提示：考试作弊将取消该课程在校期间的所有补考资格，作结业处理，不能正常毕业 和授位，请诚信应考。
题号—二二四五六七总分得分一、填空题（共26分，每空2分）1. 微波传输线是一种分布参数电路，其线上的电压电流分布规律可由 _________________ 来描述。
2. 矩形波导传输的主模是 ____________ ,圆波导传输的主模是 _____________ 。
3. 按传输模式分类，光纤分为 _____________ 和 ______________ 。
4. 微带线屮岀现的高次模种类有 ___________ 和 ___________ 。
5. 测得一微波传输线的反射系数模为丨二1/2,则行波系数K= ____________ ,若特性阻抗Z （）=75Q,则 波节点的输入阻抗为Rin= ____________ 。
6•阻抗匹配的方法屮最基木的是采用 ___________________ 和 ________________ 作为匹配网络。
7.-波导匹配双T,其③端口为E 臂，④端口为H 臂，若③端口输入功率为1W,则①端口输出功率 为 ,若①端口理想短路，②理想开路，则④端口输出功率为 __________________________ 。
二、如图为波导扼流式短路活塞，试说明原理。
（7分）□三、圆图完成（要求写出必要的步骤，并在圆图上标示出来）（21分）1. 已知传输线的特性阻抗为Zo ，T 作波长X ＜）=8cm,负载阻抗Z L =（O.2-jO.5）Z o ＞求第一个电压波节点至终端的距离/,驻波比p,行波系数K。
考试科目微波技术基础考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求主要考察学生掌握"微波技术"的基本知识、基本理论的情况，以及能够运用所学知识对具体问题进行具体分析，解决问题的能力。
二、内容1．绪论1）微波波长(或频率)范围2）微波的主要特性3）微波的发展和应用2．导波的一般特性1）导波系统的分类2）导波场沿纵向分布的特点3）导波的分类4）导波的场分析方法-纵向场法5）TEM波的特性6）TE、TM波的各种特性7）模式正交性8）导波的损耗9) 导波的传输功率、能量及衰减10）导波系统中截止状态下的场3．典型导波系统的场分析1）同轴线场结构、表面电流分布、特性阻抗2）同轴线传输功率、能量与衰减3）矩形波导场分量的推导、各种模式的场结构及管壁电流分布4）矩形波导主模的场分量、场结构、等效特性阻抗5）矩形波导的模式分布与简并6）矩形波导的相速度、群速度、波导波长、能量、衰减7）矩形波导的功率容量及尖端效应和高次模的优缺点8) 同轴线、矩形波导、圆波导的截面尺寸选择9）波导正规模的特性10）不均匀性引起模式耦合。
11）奇偶紧戒规则。
12）微带线的主要特性参量，单模及单模工作条件13）微波集成电路其他导波系统，如带状线、共面传输线、槽线、鳍线、介质带线基本结构及各种特性。
4．传输线的电路理论1）分布参数电路的概念2）传输线方程和它的解。
3）传输线的特性参量4）传输线的工作参量5）无耗传输线的三类工作状态6）均匀有耗传输线的特性与分析7）传输线的传输功率与传输效率8）均匀导波系统等效为均匀传输线9）阻抗圆图和导纳圆图10) 圆图的应用11）阻抗匹配的概念和条件12）支节匹配器13）λg/4阻抗变换器、阻抗渐变线14）不均匀性等效为集总参数的网络15）微波网络参量16）S矩阵17）微波微波网络参量之间的关系18）互易网络、无耗网络及对称网络各矩阵参量的特性19）参考面移动对网络参量的影响5．常用微波元件1）一端口元件2）二端口元件3）三端口元件4）四端口元件5）微波周期结构-电磁慢波6）铁氧体元件6 ．微波谐振器1）微波谐振器的基本参量与参数2）串联和并联谐振电路3）传输线谐振器4）金属波导谐振器5）谐振器的激励6）微波谐振腔的微扰理论三、题型及分值填空题（60分）简述题（60分）计算题（80分）考试科目热力学与统计物理学考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求热力学与统计物理是物理类各专业的一门重要基础理论课，本科目的考试内容包括：热力学的基本规律，均匀物质的热力学性质，相平衡和化学平衡，玻耳兹曼统计，玻色统计和费米统计，系综理论等部分。
要求考生能熟练掌握热运动的规律，深入理解与平衡态热运动有关的物性，具有分析和处理一些基本问题的能力。
二、内容1. 热力学的基本规律：1）热力学系统及其分类，热平衡定律，物态方程2) 热力学过程，准静态过程，可逆过程的概念3) 热力学第一定律，热力学第二定律，热力学第三定律4) 卡诺定理，克劳修斯等式和不等式，热力学基本方程2. 均匀物质的热力学性质：1）麦氏关系及其应用2）气体的节流过程和绝热膨胀过程3）基本热力学函数的一般表达式4）特性函数5）热辐射的热力学6）磁介质的热力学3. 单元系的相变：1）开系的热力学基本方程2）单元复相系的平衡条件及相图3）汽液相变4）液滴的形成5）相变的分类5. 近独立粒子的最概然分布：1）分布的概念2）粒子可分辨与不可分辨情况下，系统微观态的描述3）等概率原理4）玻耳兹曼分布5）玻色分布6）费米分布6. 玻耳兹曼统计：1）热力学量的统计表达式2）麦克斯韦速度分布律3）能量均分定理4）理想气体的热力学性质5）固体热容量的爱因斯坦理论6）顺磁性固体的热力学性质7. 玻色统计和费米统计：1）热力学量的统计表达式2）弱简并理想玻色气体和费米气体3）玻色- 爱因斯坦凝聚4）光子气体5）金属中的自由电子气体8. 系综理论：1）系综的概念2）物理量的统计平均公式3）微正则分布及其热力学公式4）正则分布及其热力学公式5）巨正则分布6）实际气体的物态方程7）固体的热容量三、题型及分值填空题（50分）简述题（50分）证明题（54分）计算题（46分）考试科目等离子体物理考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求主要考察学生掌握"等离子体物理"的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、内容1．概论主要介绍等离子体技术的基本概念和等离子体特性。
2.等离子体的发生及等离子体中的反应主要介绍放电的击穿和起始电压、辉光放电、高频放电和微波放电。
等离子体中的碰撞现象、激发和电离、复合、以及关于粒子间的反应等内容。
3. 单粒子运动理论带电粒子在均匀恒定场中的运动；带电粒子在缓变场中的漂移；带电粒子在缓变场中的回旋运动；缓变场纵向漂移--纵向不变量J；等离子体中的两个绝热不变量。
4.等离子体流体模型等离子体的介质特性；流体运动方程；完整的等离子体流体方程组；垂直于磁场的流体漂移。
5.等离子体中的波等离子体中电子、离子静电波；等离子体中的电子、离子电磁波；等离子体的介电张量；等离子体中波的不稳定性。
6.等离子体技术应用介绍等离子体隐身、等离子体显示、等离子体沉积新型高性能薄膜、材料改性、集成电路刻蚀和等离子体受控核聚变等高新技术领域的基本概念、工作原理、最新研究成果和应用实例7. 静电探针测量实物探针原理和技术，等离子体边界参数测量和分析方法。
三、题型及分值填空题（50分）简述题（100分）计算题（50分）考试科目电动力学考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求主要考察学生掌握"电动力学"的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、内容1.数学准备知识1）矢量计算和场论知识2.电磁现象的普遍规律1）库仑定律2）毕奥-萨伐尔定律3）电磁感应定律4）麦克斯韦方程组的推导5）介质中的电磁性质方程6）电磁场边界条件7）电磁场与电荷体系的能量守恒与能量转换8）电磁能量密度、能流密度和电磁动量密度的概念及计算9）麦克斯韦方程组（包括介质中的麦克斯韦微分方程组）10）边值关系以及洛仑兹力公式3. 静电问题1) 静电场的标势定义、静电标势的微分方程推导与边值关系2）静电场的能量计算3）静电场的唯一性定理以及电势的多极展开4）分离变量法（定解问题、Laplace方程的求解）5）镜像法（镜像法的解题依据、镜像法的解题步骤）4. 静磁问题1）静磁场的磁矢势、磁标势的定义和稳恒电流磁场的能量计算2）磁多极子概念3）磁矢势矢量方程的推导，静磁场求解4）利用假想磁荷概念建立磁矢势矢量方程5.电磁波的传播1）平面电磁波的定义2）波阻抗的计算3）电磁波的传播速度4）电磁波的能量和能流5）全反射和折射定律6）菲涅尔公式推导7）电磁波在导体中的传播特性8）趋肤深度的概念和计算9）谐振腔中电磁场求解、截止频率的计算6.电磁波的辐射1）规范变换和规范不变性2）达朗贝尔方程推导3）推迟势和电磁动量的概念7.狭义相对论1）狭义相对论的实验基础2）相对论的基本假设3）相对论时空坐标变换公式4）运动时钟的延缓和运动尺度的缩短5）相对论速度变换公式6）质能方程及计算7）电动力学的相对论不变性及相对论动力学三、题型及分值论述题（80分）计算推导题（120分）考试科目电路分析基础考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求主要考察学生掌握电路分析的基本理论和基本分析方法的情况，以及运用电路分析理论和方法分析问题和解决问题的能力。
二、内容及比例1.电路的基础知识1)电路模型，电流、电压及其参考方向，功率。
2)基尔霍夫定律，电阻元件，独立电压源、独立电流源。
3)两类约束与电路方程，电路分析的基本方法。
4)支路电流法、支路电压法。
2.电阻电路分析1)等效的概念，电阻分压电路和分流电路，电阻单口网络。
2)网孔分析法，结点分析法，含受控源电路的分析。
3)叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，含源单口网络的等效电路。
4)最大功率传输定理。
5)理想变压器的电压电流关系，及阻抗变换性质。
6)双口网络的电压电流关系、含双口网络的电路分析。
3.动态电路的时域分析1)电容与电感元件，电容的电压电流关系，电感的电压电流关系，电容与电感的储能，一阶电路微分方程的建立。
2)一阶电路的零输入响应，零状态响应，全响应，三要素法求解一阶电路的响应。
3)二阶电路，RLC串联电路的零输入响应。
4.正弦稳态分析1)正弦电压和电流的相量表示，有效值相量。
2)基尔霍夫定律的相量形式，R、L、C元件电压电流关系的相量形式。
3)一般正弦稳态电路分析，单口网络的相量模型。
4)正弦稳态响应的叠加。
5)正弦稳态电路的功率，平均功率，复功率，最大功率传输定理,平均功率的叠加。
6)网络函数，RC电路的频率特性。
7)RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带，带通滤波特性。
8)耦合电感的电压电流关系，耦合电感的串联和并联，耦合电感的去耦等效电路，含耦合电感电路的分析。
三、题型及分值比例选择题：60分填空题：60分计算题：80分考试科目量子力学考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求主要考察学生理解量子力学基本概念、原理的情况，要求学生能应用这些基本概念和原理分析和解决一些基本的量子力学问题。
二、内容1．量子力学的诞生和发展简况1）经典理论的困难2）量子观念的提出：能量子和光量子；玻尔原子理论；固体比热的量子模型2．波函数、波动方程及求解1）波粒二象性和物质波；德布罗意关系式3）波函数及统计解释4）态叠加原理5）不确定关系6）薛定谔方程及物理意义7）一维定态问题3．力学量算符、矩阵力学及对称性和守恒定律1）算符的概念和一般性质；基本对易关系2）厄密算符的定义和性质3）力学量完全集和共同本征函数4）矩阵力学5）表象变换6）狄拉克符号7）对称性和守恒定律4．中心力场问题1）氢原子：二体问题的简化以及角度部分和径向部分的求解2）无限深球方势阱3）类氢离子和碱金属原子光谱5．近似方法1）定态微扰方法：无简并微扰方法和简并微扰方法2）量子跃迁和含时微扰3）变分法6．自旋和一般角动量1）自旋的概念和描述2）旋轨耦合和总角动量3）自旋单重态和三重态4）角动量平方算符和角动量z分量算符的本征值和本征方程5）两个角动量耦合；C-G系数7．电磁场中的原子1）磁场中的原子：塞曼效应及分类2）电场中的原子：斯托克效应及分类三、题型及分值名词解释（60分）简答题（60分）计算或证明题（60分）简述题（20分）考试科目基础光学考试形式笔试（闭卷）考试时间120分钟考试总分200分一、总体要求熟练掌握光学基本定理及其证明方法。
