晶圆制造工艺ETCH

半导体制造工艺流程
半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。

由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。

在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程所需要的设备和材料。

集成电路产业链
IC晶圆生产线的主要生产区域及所需设备和材料：晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo-lithography）、刻蚀（Etch）、
离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。

这7个主要的生产区域和相关步骤以及测量等都是在晶圆洁净厂房进行的。

在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。

例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。

先进封装技术及中道（Middle-End）技术
IC晶圆制造流程图
IC晶圆生产线的主要生产区域及所需设备和材料传统封装工艺流程：传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。

与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求也低于晶圆制造。

传统封装的主要步骤及所需设备和材料。

晶圆（Wafer）制程工藝學習晶圆（Wafer）的临盆由砂即（二氧化硅）开端,经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分化进程,制成棒状或粒状的「多晶硅」.一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再应用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒.一支85公分长,重76.6公斤的8吋硅晶棒,约需2天半时光长成.经研磨.拋光.切片后,即成半导体之原料晶圆片.光学显影光学显影是在光阻上经由曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上.光学显影重要包含了光阻涂布.烘烤.光罩瞄准.曝光和显影等程序.小尺寸之显像分辩率,更在 IC 制程的进步上,扮演着最症结的脚色.因为光学上的须要,此段制程之照明采取偏黄色的可见光.是以俗称此区为黄光区.干式蚀刻技巧在半导体的制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆概况上移除.干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是今朝最经常应用的蚀刻方法,其以气体作为重要的蚀刻序言,并藉由电浆能量来驱动反响.电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响.起首,电浆会将蚀刻气体分子分化,产生可以或许快速蚀去材料的高活性分子.此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷.晶圆系置于带负电的阴极之上,是以当带正电荷的离子被阴极吸引并加快向阴极偏向进步时,会以垂直角度撞击到晶圆概况.芯片制造商等于应用此特征来获得绝佳的垂直蚀刻,尔后者也是干式蚀刻的重要脚色.根本上,跟着所欲去除的材质与所应用的蚀刻化学物资之不合,蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：1. 电浆内部所产生的活性反响离子与自由基在撞击晶圆概况后,将与某特定成份之概况材质起化学反响而使之气化.如斯即可将概况材质移出晶圆概况,并透过抽气动作将其排出.2. 电浆离子可因加快而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆概况材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来.化学气相沉积技巧化学气相沉积是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜(film)的技巧,所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics).导体.或半导体.在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子的气体,会被导入受到周密控制的制程反响室内.当这些原子在受热的昌圆概况上起化学反响时,会在晶圆概况产生一层固态薄膜.而此一化学反响平日必须应用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率).CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有,不过最重要的是其厚度都必须足够平均.较为罕有的CVD薄膜包含有：■二气化硅（平日直接称为氧化层）■ 氮化硅■ 多晶硅■耐火金属与这类金属之其硅化物可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层（plasmas nitride dielectrics）是今朝CVD技巧最普遍的应用.这类薄膜材料可以在芯片内部组成三种重要的介质薄膜：内层介电层（ILD）.内金属介电层（IMD）.以及呵护层.此外.金层化学气相沉积（包含钨.铝.氮化钛.以及其它金属等）也是一种热点的CVD应用.物理气相沉积技巧如其名称所示,物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）主如果一种物理制程而非化学制程.此技巧一般应用氩等钝气,藉由在高真空中将氩离子加快以撞击溅镀靶材后,可将靶材原子一个个溅击出来,并使被溅击出来的材质（平日为铝.钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆概况.制程反响室内部的高温与高真空情形,可使这些金属原子结成晶粒,再透过微影图案化（patterned）与蚀刻,来得到半导体组件所要的导电电路.解离金属电浆（IMP）物理气相沉积技巧解离金属电浆是比来成长出来的物理气相沉积技巧,它是在目标区与晶圆之间,应用电浆,针对从目标区溅击出来的金属原子,在其到达晶圆之前,加以离子化.离子化这些金属原子的目标是,让这些原子带有电价,进而使其行进偏向受到控制,让这些原子得以垂直的偏神往晶圆行进,就像电浆蚀刻及化学气相沉积制程.如许做可以让这些金属原子针对极窄.极深的构造进行沟填,以形成极平均的表层,尤其是在最底层的部分.高温制程多晶硅（poly）通经常应用来形容半导体晶体管之部分构造：至于在某些半导体组件上罕有的磊晶硅（epi）则是长在平均的晶圆结晶概况上的一层纯硅结晶.多晶硅与磊晶硅两种薄膜的应用状态固然不合,却都是在相似的制程反响室中经高温（600℃至1200℃）沉积而得.即使快速高温制程（Rapid Thermal Processing, RTP）之工作温度规模与多晶硅及磊晶硅制程有部分重叠,其本质差别却极大.RTP其实不必来沈积薄膜,而是用来修改薄膜性质与制程成果.RTP将使晶圆历经极为短暂且准确控制高温处理进程,这个进程使晶圆温度在短短的10至20秒内可自室温升到1000℃.RTP通经常应用于回火制程（annealing）,负责控制组件内掺质原子之平均度.此外RTP也可用来硅化金属,及透过高温来产生含硅化之化合物与硅化钛等.最新的成长包含,应用快速高温制程装备在晶极重要的区域上,准确地沉积氧及氮薄膜.离子植入技巧离子植入技巧可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上,以获得准确的电子特征.这些离子必须先被加快至具有足够能量与速度,以穿透（植入）薄膜,到达预定的植入深度.离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以周详控制.根本上,此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶圆经由过程离子束之次数）来控制,而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决议.化学机械研磨技巧化学机械研磨技巧（Chemical Mechanical Polishing, CMP）兼其有研磨性物资的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种感化,可以使晶圆概况达到周全性的平展化,以利后续薄膜沉积之进行.在CMP制程的硬装备中,研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆扭转,至于研磨垫则以相反的偏向扭转.在进行研磨时,由研磨颗粒所组成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间.影响CMP制程的变量包含有：研磨头所施的压力与晶圆的平展度.晶圆与研磨垫的扭转速度.研浆与研磨颗粒的化学成份.温度.以及研磨垫的材质与磨损性等等.制程监控鄙人个制程阶段中,半导体商用CD-SEM来量测芯片内次微米电路之微距,以确保制程之准确性.一般而言,只有在微影图案（photolithographic patterning）与后续之蚀刻制程履行后,才会进行微距的量测.光罩检测（Retical Inspection）光罩是高周详度的石英平板,是用来制造晶圆上电子电路图像,以利集成电路的制造.光罩必须是完善无缺,才干呈现完全的电路图像,不然不完全的图像会被复制到晶圆上.光罩检测机台则是联合影像扫描技巧与先辈的影像处理技巧,捕获图像上的缺掉.当晶圆从一个制程往下个制程进行时,图案晶圆检测体系可用来检测出晶圆上是否有瑕疵包含有微尘粒子.断线.短路.以及其它林林总总的问题.此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则须要进行深次微米规模之瑕疵检测.一般来说,图案晶圆检测体系系以白光或雷射光来照耀晶圆概况.再由一或多组侦测器吸收自晶圆概况绕射出来的光线,并将该影像交由高功效软件进行底层图案清除,以辨识并发明瑕疵.切割晶圆经由所有的制程处理及测试后,切割成壹颗颗的IC.举例来说：以0.2 微米制程技巧临盆,每片八吋晶圆上可制造近六百颗以上的64M DRAM.封装制程处理的最后一道手续,平日还包含了打线的进程.以金线衔接芯片与导线架的线路,再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳,并测试IC功效是否正常.因为切割与封装所需技巧层面比较不高,是以常成为一般业者用以介入半导体工业之切入点.300mm为协助晶圆制造厂战胜300mm晶圆临盆的挑衅,应用材料供给了业界最完全的解决计划.不单失去种类齐备的300mm晶圆制造体系,供给最好的办事与支撑组织,还控制先辈制程与制程整合的技巧经验;从下降风险.增长成效,加快量产时程,到协助达成最大临盆力,将营运成本减到最低等,以知足晶圆制造厂所有的需求.应用材料的300mm全方位解决计划,完全的产品线为：高温处理及离子植入装备(Thermal Processes and Implant)介质化学气相沉积(DCVD：Dielectric Chemical Vapor Deposition)金属沉积(Metal Deposition)蚀刻(Etch)化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)检视与量测(Inspection & Metrology)制造履行体系(MES：Manufacturing Execution System)办事与支撑(Service & Support)铜制程技巧在传统铝金属导线无法冲破瓶颈之情形下,经由多年的研讨成长,铜导线已经开端成为半导体材料的主流,因为铜的电阻值比铝还小,是以可在较小的面积上承载较大的电流,让厂商得以临盆速度更快.电路更密集,且效能可晋升约30-40％的芯片.亦因为铜的抗电子迁徙（electro-migration）才能比铝好,是以可减轻其电移感化,进步芯片的靠得住度.在半导体系体例程装备供货商中,只有应用材料公司能供给完全的铜制程全方位解决计划与技巧,包含薄膜沉积.蚀刻.电化学电镀及化学机械研磨等.应用材料公司的铜制程全方位解决计划在半导体组件中制造铜导线,牵扯不但是铜的沉积,还须要一系列完全的制程步调,并加以细心计划,以便施展最大的效能.应用材料公司为成长铜制程相干技巧,已与重要客户合作多年,具有丰硕的经验;此外在半导体系体例程装备所有供货商中,也只有应用材料公司可以或许供给铜导线构造的完全制程技巧,包含薄膜沉积.蚀刻.电化学电镀及化学机械研磨等.。

晶圆制造工艺流程晶圆制造是指通过一系列工艺步骤来制作半导体芯片的过程。

以下是典型的晶圆制造工艺流程。

1.单晶片生长：晶圆制造的第一步是将纯度很高的硅材料通过化学气相沉积或其他方法生长为单晶片。

这个步骤是整个工艺流程的基础。

2.晶圆切割：在单晶片生长完成后，将其切割成薄片，即晶圆。

通常使用金刚石刀进行切割，切割后的晶圆具有相对平整的表面和一定的厚度。

3.光刻：光刻是晶圆制造中关键的步骤之一、在此步骤中，通过光刻机将需要形成的图案转移到晶圆表面。

这通常涉及到在晶圆表面涂覆光刻胶，然后通过光刻机的曝光和显影过程来形成所需的图案。

4.晶圆清洗：在光刻步骤完成后，晶圆需要进行清洗，以去除光刻胶的残留物和其他杂质。

晶圆清洗通常会使用化学溶液和超声波的作用来清洁晶圆表面。

5.电镀：在一些情况下，需要对晶圆进行电镀，以增加其表面的导电性和减小电阻。

这个步骤通常涉及将晶圆浸入含有金属离子的溶液中，在电流作用下使金属离子沉积在晶圆表面。

6.氧化：氧化是将晶圆表面涂覆一层氧化物的过程。

这个步骤可以在大气中进行，也可以通过化学气相沉积来完成。

氧化的目的是改善晶圆表面的质量，并为后续步骤提供一定的保护。

7.形成电极和连线：在晶圆上制作电极和连线是将芯片的不同部分连接起来的关键步骤。

这个步骤通常涉及使用光刻和电镀等技术，将导电材料沉积在晶圆表面，并通过化学蚀刻来形成所需的电极和连线。

8.打磨和抛光：在制造晶圆过程中，由于一些原因，晶圆表面可能会有一些不平整和缺陷。

为了修复这些问题，晶圆需要经过打磨和抛光，使其表面更加平整和光滑。

9.测试和封装：在晶圆制造完毕后，需要对芯片进行测试，以确保其正常工作。

测试通常会使用特定的测试设备和测试程序来进行，包括电性能测试、可靠性测试等。

然后，芯片会进行封装，即将其放入塑料或金属封装中，以保护芯片并为其提供适当的引脚。

以上是晶圆制造的典型工艺流程。

当然，实际的晶圆制造可能会因不同应用领域和制造工艺的差异而略有不同。

晶圆制造工艺及管控要求一、初识晶圆制造工艺1.1 什么是晶圆制造工艺晶圆制造工艺，是指将硅片（即晶圆）通过一系列的工艺加工和处理，制作成集成电路芯片的过程。

1.2 晶圆制造工艺的重要性晶圆制造工艺是整个集成电路生产过程中非常重要的环节，它直接决定了芯片的品质和性能。

二、晶圆制造工艺流程2.1 清洗和去杂质处理1.用超声波清洗机将晶圆放入去离子水中，去除表面的杂质和氧化物。

2.在酸性溶液中浸泡，去除晶圆表面的金属离子和有机物质。

2.2 氧化和扩散1.将晶圆放入高温炉中，在氧气或蒸汽中进行氧化处理，生成一层氧化硅。

2.将掺杂源固态扩散到氧化硅层中，调整晶圆的电性能。

2.3 光刻和曝光1.在光刻机中涂覆光刻胶到晶圆表面。

2.利用掩膜和紫外线曝光，将光刻胶在某些区域暴露出来，形成芯片的图形。

3.使用化学溶解光刻胶的方法，去除未暴露的部分。

2.4 蚀刻和沉积1.将晶圆放入蚀刻池中，用化学液体去除暴露的氧化硅或金属。

2.通过物理或化学反应，在芯片上沉积一层新的材料。

2.5 电镀和铺膜1.将晶圆浸入电镀液，使其表面镀上一层金属。

2.使用化学气相沉积法，将薄膜均匀覆盖在晶圆上。

2.6 制程控制和检测1.对制程参数进行监控和调整，确保每个工艺步骤的稳定性和一致性。

2.使用显微镜、扫描电镜等检测设备，对晶圆进行质量检测和缺陷分析。

三、晶圆制造管控要求3.1 温度控制要求1.不同工艺步骤对温度的要求不同，需要精确控制每个步骤的温度。

2.温度的波动范围应控制在允许范围内，以保证制程的稳定性和芯片品质。

3.2 时间控制要求1.每个工艺步骤所需的时间应精确掌握，以确保整个制程的时效性。

2.不同步骤的时间间隔也需要合理安排，以避免工艺步骤之间的冲突和干扰。

3.3 成本控制要求1.合理规划工艺流程，最大程度节约原材料和能源的使用。

2.优化制程参数，提高生产效率，降低生产成本。

3.4 质量控制要求1.建立严格的质量管理体系，确保每个工艺步骤的质量符合要求。

构成晶圆制造的五大工艺晶圆制造是半导体工业中最关键的环节之一，它涉及到许多复杂的工艺和技术。

晶圆制造的五大工艺包括晶圆切割、晶圆清洗、光刻、离子注入和薄膜沉积。

下面将对这五大工艺进行详细介绍。

1. 晶圆切割晶圆切割是将硅单晶棒切成薄片，即晶圆的过程。

通常使用钻石锯片进行切割，但由于硅单晶非常硬，因此需要用到高压水流或者磨料来辅助切割。

在切割过程中，还需要进行去毛边和去角处理，以确保最后得到的晶圆表面平整光滑。

2. 晶圆清洗在晶圆制造过程中，需要对晶片进行多次清洗以确保其表面干净无尘。

清洗过程通常包括化学溶解、超声波振荡和离心等步骤。

其中化学溶解可以去除表面污垢和有机物质；超声波振荡可以将难以去除的颗粒和污垢震落；离心可以将液体和固体分离，以便于后续处理。

3. 光刻光刻是一种利用光敏材料制作图形的技术。

在晶圆制造中，光刻通常用于制作电路图案。

首先，在晶圆上涂覆一层感光胶，然后使用掩模板对感光胶进行曝光，使得只有被曝光的部分会发生化学反应。

最后，使用化学溶解剂将未曝光的感光胶去除，留下所需的电路图案。

4. 离子注入离子注入是一种将材料中的离子注入到另一种材料中的技术。

在晶圆制造中，离子注入通常用于改变硅片的电学性质。

具体来说，通过向硅片中注入不同类型的离子（如磷、硼等），可以改变硅片中自由电子和空穴浓度，从而控制其导电性能。

5. 薄膜沉积薄膜沉积是一种将材料沉积到另一种材料表面上形成薄层的技术。

在晶圆制造中，薄膜沉积通常用于制作金属线路和绝缘层等。

常用的沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溅射等。

其中，物理气相沉积是将固态材料加热到高温后，在真空环境下使其蒸发并在晶片表面形成薄层；化学气相沉积是通过化学反应在晶片表面形成薄层；溅射则是利用离子轰击材料表面将其溅射到晶片表面上。

总之，晶圆制造的五大工艺涵盖了许多复杂的技术和过程。

这些工艺不仅需要精密的设备和仪器，还需要高度专业化的技术人员来操作和控制。

晶圆制造十大工艺
晶圆制造是集成电路（IC）制造的关键步骤之一。

下面是晶圆制造中的十大工艺步骤：
1.晶圆生长（Czochralski Process）：
•将单晶硅从熔融硅中拉出，形成长而纯净的单晶圆柱，用于后续的加工。

2.切割（Wafering）：
•将长的单晶圆柱切割成薄片，形成晶圆。

这些薄片通常有200毫米或300毫米的直径。

3.化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）：
•对晶圆表面进行机械磨削和化学腐蚀，以获得平整的表面。

4.清洗（Cleaning）：
•使用特殊的清洗过程去除晶圆表面的杂质，确保表面干净。

5.氧化（Oxidation）：
•在晶圆表面形成氧化层，通常是二氧化硅（SiO2），用于隔离不同的区域。

6.光刻（Photolithography）：
•利用光学光刻技术在晶圆表面敷设光阻，然后使用光掩模形成图案。

7.蚀刻（Etching）：
•使用化学或物理方法将光刻过程中未被保护的区域去除，形成所需的图案结构。

8.离子注入（Ion Implantation）：
•将离子注入晶圆，改变晶体结构，用于形成电子器件的特定区域。

9.金属化（Metallization）：
•在晶圆表面涂覆金属层，用于连接电子器件和形成电路。

10.封装（Packaging）：
•将晶圆上的芯片封装在塑料或陶瓷封装中，以提供电气和机械保护。

这些步骤是在晶圆制造的不同阶段进行的，最终形成成熟的集成电路芯片。

这些步骤的每一步都需要高度精密和精确的设备和工艺控制，以确保最终产品的性能和可靠性。

晶圆制造工艺E T C H 集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD) 。

（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)（6）外延生长法?(LPE)4、涂敷光刻胶?（1）光刻胶的涂敷?（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6?、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N?型阱9、退火处理，然后用HF?去除SiO2?层10、干法氧化法生成一层SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2?层，形成PN?之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。

14、LPCVD?沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2?保护层。

15、表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS?的源漏极。

用同样的方法，在N?阱区，注入B?离子形成PMOS?的源漏极。

16、利用PECVD?沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

晶圆制造工艺E T C H 集团标准化办公室：[VV986T-J682P28-JP266L8-68PNN]晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。

（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)（6）外延生长法?(LPE)4、涂敷光刻胶?（1）光刻胶的涂敷?（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6?、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N?型阱9、退火处理，然后用HF?去除SiO2?层10、干法氧化法生成一层SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2?层，形成PN?之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。

14、LPCVD?沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2?保护层。

15、表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS?的源漏极。

用同样的方法，在N?阱区，注入B?离子形成PMOS?的源漏极。

16、利用PECVD?沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。

（1）常压CVD (Normal Pressure CVD)（2）低压CVD (Low Pressure CVD)（3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。

14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。

15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。

用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。

16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。