3 门电路

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箝位于 有 多发射极三极管
全为
每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结,并 可使三极管进入放大或饱和区。
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3.5 TTL门电路
(2)集电极开路门(OC门) 电路结构与逻辑符号
集电极 开路
5
A B
F
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3.5 TTL门电路
1.0V
1.0V
4
截 高
5
EN’
截 0 导
1
当EN’ = 1时,门电路输出端处于高阻状态。
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3.5 TTL门电路
EN’ 低电平有效 控制端低电平有效的三态
用“▽”表 示输出为 三态。
高电平有效 控制端高电平有效的三态
近似认为: VBE < VON,iB = 0; VBE ≥ VON,iB 的大小由外电路电压,电阻决定。
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3.5 TTL门电路
1. 双极性三极管(BJT, Bipolar Junction Transistor) 的开关特性(静态)
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3.5 TTL门电路
4 其他类型的TTL门电路
(1) TTL与非门
1V
2.1V
4
有 全1
5
输出1 输出0
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3.5 TTL门电路
集电 结导 通
2.1V 3.6V 0.3V
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3.5 TTL门电路
当输入低电平时, uI=0.3V , VT1 发 射 结 导 通, uB1=0.3V+0.7V=1V VT2 和VT5 均截止,VT4 和 VD导通。输出高电平 uO =VCC-IB4R2 –UBE4-UD ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V 0.3V 3.6V 1V
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
Y 0 0 0 1
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3.2 半导体二极管门电路
4. 二极管或门
设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDon=0.7V
A 0V 0V 3V 3V
B 0V 3V 0V 3V
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3.5 TTL门电路
1. 双极性三极管(BJT, Bipolar Junction Transistor) 的开关特性(静态)
(1)三极管的输入特性(NPN) VON :开启电压
硅管:0.5 ~ 0.7V 锗管:0.2 ~ 0.3V
Y 0V 2.3V 2.3V 2.3V 0V以下为0 规定2.3V以上为1
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
Y 0 1 1 1
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3.2 半导体二极管门电路
二极管门电路的缺点:
电平有偏移 带负载能力差
只用于IC内部电路
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3.5 TTL门电路
3. TTL反相器(Transistor-Transistor Logic)
(1)电路结构和工作原理
设:VCC = 5V
VIH = 3.6V VIL = 0.3V PN结导通压降VON = 0.7V
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V

R
理想开关
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3.2 半导体二极管门电路
2. 半导体二极管的开关特性
二极管具有单向导电性:正向导通,反向截止,相当于 一个受电压控制的电子开关。
+ iD vD -
二极管加正向电压时导通,伏安特性很陡、压降很小 (硅管为0.7V,锗管为0.3V),可以近似看作是一个闭合 的开关。二极管加反向电压时截止,反向电流很小(nA 级),可以近似看作是一个断开的开关。把uD<UT=0.5V看 成是硅二极管的截止条件。
2. 高低电平
高电平:数字电路中较高电平代数值的范围。 低电平:数字电路中较低电平代数值的范围。
3. 正负逻辑
正逻辑:用高电平代表1、低电平代表0。在数字电路 中,一般采用正逻辑系统。 负逻辑:用高电平代表0、低电平代表1。
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VI =V IH = 3.6V ( A = 1) VO = VOL (Y = 0)
VI =V IL= 0.3V ( A = 0) VO = VOH (Y = 1)
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3.5 TTL门电路
采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力 VT4 组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能 提高负载能力。 当输入为高电平时, 可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时,VT5截止,VT4导通(为射极输出器) ,其输出电阻很小,带负载能力很强。 可见,无论输入如何,VT4和VT5总是一管导通而另一 管截止。这种推拉式工作方式,带负载能力强。
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VT2 和 VT5 饱 和 导 通 ,
uB4=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT4和VD截止,VT4的集电极电流
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(2)TTL反相器的电压传输特性及参数 VT5截止,称关门 截止区 线性区 VT5饱和, 称开门 转折区 饱和区
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应用 1)实现“线与”逻辑;2)实现电平转
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(3)三态
4
1
EN’
5
Y=
Y=(AB)’
0

EN’ = 0时,电路为正常的与非工作状态,所以 称控制端低电平有效。
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3.2 半导体二极管门电路
3. 二极管与门
设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDon=0.7V
A 0V 0V 3V 3V
B 0V 3V 0V 3V
Y 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V 0.7V以下为0 规定3V以上为1
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输出高电平UOH 典型值为3V。 输出低电平UOL 典型值为0.3V。
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开门电平UON 一般要求UON≤1.8V 关门电平UOFF 一般要求UOFF≥0.8V 在保证输出为额 定低电平的条件下, UOFF UON 允许的最小输入高电 在保证输出为额定高电平的条件 平的数值,称为开门 下,允许的最大输入低电平的数值, 电平UON。 称为关门电平UOFF。 电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压 UTH(又称门槛电平)。通常UTH ≈1.4V。
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3. TTL反相器(Transistor-Transistor Logic)
(1)电路结构和工作原理
当输入高电平时, uI=3.6V, VT1处于倒置工作状态,集电结 正 偏 , 发 射 结 反 偏 , uB1=0.7V×3=2.1V IB2=(5-2.1)/4=0.725mA 假定 β2>10,若T2工作于放大 状态,则 IC2>7.25mA 所以 VC2<VCC-IC2R2=-6.6V 故T2不可能工作于放大状态和截 止状态,只可能是饱和状态。 因VB4=VCES2+VBE5=1V VT4 截止。VT5 导通,输出为低 电平uO=0~0.3V。
3.1 概述
Positive Logic v VH 1 VH Negative Logic v 0
VL
0
t
VL
பைடு நூலகம்
1
t
4. 集成电路
IC(Integrated Circuits):将元、器件制作在同一硅片上, 以实现电路的某些功能。 SSI(Small-Scale Integration):≤ 10个门电路。 MSI(Medium-Scale Integration):10~100个门电路。 LSI(Large-Scale Integration):100~10000个门电路。 VLSI(Very Large-Scale Integration):≥ 10000个门电路。
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3.5 TTL门电路
三态门的应用:
' D0 / D1
' D1
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