Photocoupler基本知识及制程重点

目录第一章清洗各步骤原理 (1)1.1超声波清洗 (1)1.1.1 超声波清洗的原理 (1)1.1.3 影响超声清洗效果的因素 (2)1.2制绒工艺 (2)1.2.1 硅片表面机械损伤层的腐蚀 (3)1.2.2 制绒腐蚀的原理 (3)1.2.3 角锥体形成的原理 (4)1.2.4 陷光原理 (7)1.2.5 制绒的因素分析 (9)1.2.6 化学清洗原理 (12)第二章清洗设备及操作 (13)2.1超声清洗槽分布列表 (13)2.2制绒槽的分布列表及添加液 (13)2.3NAOH添加量与硅片厚度的关系 (16)第三章清洗出现的问题 (17)第一章清洗各步骤原理1.1 超声波清洗1.1.1超声波清洗的原理超声波清洗机理是：换能器将功率超声频源的声能转换成机械振动并通过清洗槽壁向槽子中的清洗液辐射超声波，槽内液体中的微气泡在声波的作用下振动，当声压或声强达到一定值时，气泡迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合的瞬间产生冲击波使气泡周围产生1012-1013pa的压力及局部调温，这种超声波空化所产生的巨大压力能破坏不溶性污物而使他们分化于溶液中，蒸汽型空化对污垢的直接反复冲击，一方面破坏污物与清洗件表面的吸附，另一方面能引起污物层的疲劳破坏而被驳离，气体型气泡的振动对固体表面进行擦洗，污层一旦有缝可钻，气泡立即“钻入”振动使污层脱落，由于空化作用，两种液体在界面迅速分散而乳化，当固体粒子被油污裹着而粘附在清洗件表面时，油被乳化、固体粒子自行脱落，超声在清洗液中传播时会产生正负交变的声压，形成射流，冲击清洗件，同时由于非线性效应会产生声流和微声流，而超声空化在固体和液体界面会产生高速的微射流，所有这些作用，能够破坏污物，除去或削弱边界污层，增加搅拌、扩散作用，加速可溶性污物的溶解，强化化学清洗剂的清洗作用。

由此可见，凡是液体能浸到且声场存在的地方都有清洗作用，尤其是采用这一技术后，可减少化学溶剂的用量，从而大大降低环境污染。

在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随 输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动 作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号 及杂讯进行隔离。
2、Photoelectric isolation in power drive circuit
功率驱动电路中的光电隔离
光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原 理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的 电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。
(2) between photoelectric coupler input circuit and output circuit without electrical contact, nor altogether; distributed capacitance between the minimum, and the insulation resistance and a large, so various interference noise on one side of the circuit are difficult by photoelectric coupler which feeds to get to the other side, to avoid the common impedance coupling interference signal generated.
ห้องสมุดไป่ตู้（2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而 绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共 阻抗耦合的干扰信号的产生。

光耦合器特徵
1.輸入端與輸出端之間在電氣上完全絕緣. 2.無迴授現象,信號單方向傳5.體積小,重量輕,可提高組裝密度.
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電性規格
Absolute Maximum Ratings Electro-optical Characteristics VF max (V) VCE (sat) max (V) 0.2 Tr (us) Tf (us)
EL817
AC Input
EL816
EL815
尺寸小型化
EL356 EL357 EL355 EL354 Mini-flat Type SSOP Half –Pitch Type
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Q&A
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1.4 1.4 1.4
50 ~ 600 50 ~ 600 50 ~ 600
0.2 0.2 0.2
4 4 4
3 3 3
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電性規格
Current Transfer Ratio －CTR
IF C IC
VCE
E
Input
Galvanic Separation
Model Number
Internal Connection Diagram
IF (mA)
VCEO (V)
IC (mA)
Viso (Vrms)
CTR%
RL=100 4 3
EL816

Humility （湿度）
第10页，共70页。
涂胶机）
Equipment module and special feature
Pre-bake and HMDS --- Hot/Cold plate
Resist dispense --- Resist pump
RPM accuracy --- Motor EBR --- Top/bottom Hot plate --- soft bake temperature accuracy Exhaust Waste collection Temperature/Humidity control hood Transfer system --- Particle and reliability Process step and process program --- Flexible
Thickness（厚度）0.7u – 2.0u (3.0以上for Pad layer)
Uniformity（均匀度）+ 50A – +200A
Size of EBR （去胶边尺寸）
Particle（颗粒）<20 per wafer
Backside contamination(背后污染）
三个主要因数影响涂胶的结果
3. Exposure . Develop (显影)
Post e-bake, Hard bake, backside rinse
5. Develop inspection (显检)
第8页，共70页。
4.1 Prebake and HMDS treatment
Purpose of Pre-bake and HMDS treatment is to improve the resist adhesion on oxide wafer. HMDS is adhesion promoter especially designed for positive resist.