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贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
瓷片电容封装尺寸瓷片电容是一种常见的电子元器件，其封装尺寸有多种规格，包括0603、0805、1206等。
本文将从不同封装尺寸的瓷片电容的特点、应用领域以及使用注意事项等方面进行介绍。
一、0603封装瓷片电容0603封装瓷片电容是一种尺寸较小的电容器，其尺寸为0.06英寸×0.03英寸。
它具有以下特点：1. 尺寸小巧，适合在空间有限的电路板上使用；2. 电容值较小，一般在pF到nF级别，适用于高频应用；3. 由于尺寸小，焊接难度较大，需要使用专用焊接工具和技术。
0603封装瓷片电容广泛应用于通信设备、计算机、移动设备等领域，常见的应用包括：1. 滤波器：在通信设备中，0603封装瓷片电容常用于构建滤波电路，用于去除信号中的噪声和干扰；2. 耦合电容：在放大器和集成电路中，0603封装瓷片电容用于耦合两个电路，实现信号的传递和放大；3. 电源稳压：在电源电路中，0603封装瓷片电容用于平滑电源电压，提供稳定的电源供电。
使用0603封装瓷片电容时需要注意以下事项：1. 正确选择电容值，根据电路设计要求选择合适的电容值；2. 注意电容的极性，瓷片电容一般无极性，但在使用过程中仍需注意极性标识；3. 焊接时要注意温度控制，避免瓷片电容受热过度而损坏。
二、0805封装瓷片电容0805封装瓷片电容是一种尺寸稍大的电容器，其尺寸为0.08英寸×0.05英寸。
它与0603封装瓷片电容相比，具有以下特点：1. 尺寸适中，易于焊接和安装；2. 电容值范围广，适用于各种应用场景；3. 耐高温性能好，适用于工业环境。
0805封装瓷片电容的应用领域较广，常见的应用包括：1. 电源滤波：在电源电路中，0805封装瓷片电容用于去除电源中的高频噪声，提供稳定的电源供电；2. 模拟电路：在模拟电路中，0805封装瓷片电容用于构建滤波器、耦合电路等，实现信号的处理和传递；3. 通信设备：在通信设备中，0805封装瓷片电容用于构建射频（RF）电路，实现信号的放大和传输。
常见电容值【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2常用电容技术参数值大全：1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量：0.47～10000u额定电压：6.3～450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等3、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
三星阻容料盘读法CL03B104K Q8N N N C12345678910111系列编码：CL=积层陶瓷电容2尺寸编码03=0201(0603)01=0306(0816)05=0402(1005)10=0603(1608)14=0504(1410)21=0805(2012)31=1206(3216)32=1210(3225)42=1808(4520)43=1812(4532)55=2220(5750)12=0508(1220)3介质：I类II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4容量电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"0"的位数,如：104=100000（单位pF）如果中间一位为R则表示"."如：4R7=4.7pF5电容的误差：B=±0.1pf C=±0.25pf D=±0.5pf F=±1pf±1%G=±2%J=±5%M=±20%K=±10%Z=+80/-20%6额定电压：R=4V O=16V B=50V E=250V I=1000VQ=6.3V A=25V C=100V G=500V J=2000VP=10V L=35V D=200V H=630V K=3000V7厚度：3=0.30毫米A=0.65毫米M=1.15毫米I=2.00毫米Q=1.25毫米5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米L=3.20毫米8内电极A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%9产品编码A=阵列(2-元素)L=LICCB=阵列(4-元素)N=常规P=自动C=高频10特殊编码11包装编码B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘TDK贴片电容型号C2012X7R1H104K T系列名称体积材料电压容量误差包装积层贴片陶瓷片式电容器0603=0201CH0J=6.3V C=0.25T=卷带1005=0402COG1A=10V D=0.5B=袋装1608=0603JB1C=16V J=5%2012=0805JF1E=25V K=10%3216=1206X7R1H=50V M=20%3225=1210X5R2A=100V Z=+80-20%4532=1812Y5V2E=250V5650=22202J=630V4520=18083A=1KV3D=2KV3F=3KV1.元器件字母标识所对应误差列表(1)电容列表字母C D F J K M Z误差±0.25PF±0.5PF±1.0PF±5%±10%±20%+80%-20%(2)电阻列表字母D F G J K M Z误差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%+80%-20%2.元器件值识别标记(1)电阻标记值电阻值2R2=2.2Ω5R6=5.6Ω102=1KΩ682=6800Ω=6.8kΩ333=33KΩ104=100KΩ564=560KΩ(2)电容标记值电容量0R5=0.5PF010=1PF110=11PF471=470PF332=3300PF223=22000PF=0.022uF3.各公司表面贴装电阻．电容型号规格表示实例(1)KYOCERA公司电容CM21X7R105K0A T①②③④⑤⑥⑦⑧(2)KYOCERA公司电阻CR10—562J—T②④⑤⑧(3)ROHM公司电阻MCR01MZS G562①②⑧⑤④(4)ROHM公司电容MCH212F104Z K①②⑥③④⑤⑧(5)MuRata公司电容GRM36X7R472K25PT①②③④⑤⑥⑧(6)TDK电容C1005COG1E100D T①②③⑥④⑤⑧①：表示系列编号②：表示元器件尺寸③：表示元器件温度特性④：表示元器件的值⑤：表示元器件值允许误差⑥：表示元器额定电压⑦：表示元器件终端类型⑧：表示包装编号国巨贴片电容。
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
风华高科电容多层片式陶瓷电容0805 CG 104 J 500 N T1 2 3 4 5 6 71、尺寸2、介质种类3、标称电容量（PF）4、误差级别5、工作电压6、端头类别7、包装方式型号英寸毫米代码介质材料表示方法实际值代码误差表示方法实际电压标记端头材料标记包装0402 0.04*0.02 1.00*0.5 CG COG和NPO 100 10*100J ±5% 6R3 6.3V S 纯银T 编带0603 0.06*0.03 1.6*0.8 101 10*101G ±2% 100 10V C 纯铜 B 散装0805 0.08*0.05 2.00*1.25 102 10*102 C ±0.25PF 250 25V N 三层电镀1206 0.12*0.06 3.2*1.6 500 50V三星电容多层片式陶瓷电容CL 10 C 101 J B 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11CL表示：多层陶瓷贴片电容2、尺寸3介质种类4、标称电容量（PF）5、误差级别6、工作电压7、厚度8端头类别型号英寸毫米代码介质材料表示方法实际值代码误差表示方法实际电压标记尺寸(mm)标记端头材料0402 0.04*0.02 1.00*0.5 CPRSTUL COGP2HR2HS2HT2HU2JS2L100 10*100 J ±5% R 4V 3 0.3 N 三层电镀0603 0.06*0.03 1.6*0.8 101 10*101 G ±2% Q 6.3V 4 0.50805 0.08*0.05 2.00*1.25 102 10*102 C ±0.25PF P 10V 89ACD0.8 0.9 0.650.851.001206 0.12*0.06 3.2*1.6 OALB 16V 25V 35V 50VAB Y F X X5RX7RX7SY5VX6SKMZ±10%±20%+80/-20%CDEFGHIJK100V200V250V350V500V630V1000V2000V3000V国巨（YAGEO）电容多层片式陶瓷电容CC ×××× × ×NPO ×BN ×××1 2 3 4 51、尺寸2、误差精度3、包装形式4、实际电压值5、标称电容量型号英制型号公制代码误差表示方法实际值代码电压代码实际值0201 0603 BCDFGJ±0.1PF±0.25PF±0.5PF±1%±2%±5%R 纸卷盘7inch 7 16V 100 10*1000402 1005 K 吸塑卷盘7inch 8 25V 101 10*101 0603 1608 P 纸卷盘13inch 9 50V 102 10*102 0805 2012 F 吸塑卷盘13inch1206 3216 C 散装1210 32251812 4532TDK贴片电容型号TDK贴片电容的参数识别C 2012 X7R 1H 104 K T系列名称体积材料电压容量误差包装0603=0201 CH 0J=6.3V C=0.25 T=卷带1005=0402 COG 1A=10V D=0.5 B=袋装1608=0603 JB 1C=16V J=5%2012=0805 JF 1E=25V K=10%3216=1206 X7R 1H=50V M=20%3225=1210 X5R 2A=100V Z=+80-20%4532=1812 Y5V 2E=250V5650=2220 2J=630V4520=1808 3A=1KV3D=2KV3F=3KV。
片状瓷介电容器的标注对照片状瓷介电容器有多种标注方法。
同一特性的产品，有不一样的标注。
下面介绍一些片状瓷介电容器的标注方法。
1 常见的瓷介电容器型号和规格的标注顺序国产电容器：“型号-尺寸代号-温度系数或特性-额定电压-标称容量-允许偏差-（其他）”国外电容器（或按国外方法标注的国产电容器）：“型号-尺寸代号-温度系数或特性-标称容量-允许偏差-额定电压-（其他）”风华片状陶瓷电容器：“尺寸代号-温度系数或特性-标称容量-允许偏差-额定电压-（其他）”KEMET片状陶瓷电容器：“C-尺寸代号-规格-标称容量-允许偏差-额定电压-温度系数或特性-（其他）”2型号国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。
例如——CC4表示1类多层（独石）瓷介电容器——CT4表示2类多层（独石）瓷介电容器——CC41表示片状1类多层（独石）瓷介电容器——CT41表示片状2类多层（独石）瓷介电容器高压电容器也有标注为CC48、CT48的。
由于生产厂家不同，特别是国外厂家，标注方法不一样，应参考厂家的技术手册。
3 尺寸代号片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示，这是按英寸（0.01in）计的表示法。
还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示，这是按毫米（0.1mm）计的表示法。
4 温度系数或特性本公司常用的瓷介电容器的温度系数或特性的各种代码见表1。
表15 额定电压额定电压表示方法见表2。
表2 额定电压Edc6 标称值（略）。
7 允许偏差（略）。
2009.4.21。
MLCC—搜狗百科MLCC是片式多层陶瓷电容器英文缩写.(Multi-layer ceramic capacitors)一、瓷介的分类陶瓷电容一般是以其温度系数作为主要分类。
Class I - 一类陶瓷（超稳定）EIA称之为COG或NPO。
工作温度范围 -55℃~+125℃，容量变化不超过±30ppm/℃。
电容温度变化时，容值很稳定，被称作具有温度补偿功能，适用于要求容值在温度变化范围内稳定和高Q值的线路以及各种谐振线路。
Class II/III - 二/三类陶瓷（稳定）EIA标称的X7R表示温度下限为-55℃；上限温度为+125℃的工作温度范围内，容量最大的变化为±15%，Z5U、Y5V分别表示工作温度10~+85℃和-30~+85℃；容量最大变化为+22~-56%和30~82%，同属于二类陶瓷。
优点是体积利用率高，即在外型尺寸相同时能提供更高的容值，适用于高容值和稳定性能要求不太高的线路。
二、瓷介代号陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。
目前国际上通用美国EIA标准的叫法，用字母来表示。
常用的几种陶瓷材料的含义如下：Y5V：温度特性Y代表－25℃； 5代表＋85℃；温度系数V代表－80％～＋30％Z5U：温度特性Z代表＋10℃； 5代表＋85℃；温度系数U代表－56％～＋22％X7R：温度特性X代表－55℃； 7代表＋125℃温度系数R代表± 15％NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）三、一般电性能1、介电常数不同介质的类别有不同的表现效果。
环境因素，包括温度、电压、频率和时间（老化），对不同介质的电容有不同的影响。
介质常数（K 值）越高，稳定性能、可靠性能和耐用性能便越差。
现代多层陶瓷电容器介质最常用有以下三类。
· COG或NPO（超稳定） K值10~100· X7R（稳定）K值2000~4000· Y5V或Z5U（一般用途）K值5000~250002、绝缘电阻（IR）即介质直流电阻，通常测量方法是以额定电压将电容充电一分钟，电容充电以后测量其漏电电流。
一、特性
III类瓷，也叫做半导体型（Semiconductor Type ），是一种具有半导体特徵的陶瓷电容器。
该类电容器适用於作旁路和耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。
其特性符合GB 11305 - 89 标准的要求。
用途：(1). 晶体管化的电路；(2). 低压电路的旁路耦合；(3). 对损耗、绝缘电阻及容量稳定性要求一般的鉴定电路。
二、温度系数、额定电压、静电容量关系表：
温度特性Y5P Y5V Y5U Y5R 额定电压(VDC) 10-50 10-16 25 50 10-50 10-50
标称容量
范围332-104 103-474 103-334 103-224 103-224 102-104 测试条件 1 K Hz±20%, 0.1 Vrms + 0.2Vrms at 25± 1℃
容量误差± 10% ± 20% +80/-20% ± 20% ± 10% 使用温度范围-25~+ 85 ℃
损耗正切值(%) 5.0 max
绝缘电阻U R＜25VDC：200MΩ 或10ΩF 取小者，U R (U R≤16VDC测试电压为16V DC ) 充电60S
U R＝25VD：500MΩ 或10ΩF 取小者，U R充电60S
U R＞25VDC：1000MΩ 或20ΩF 取小者，U R充电60S
耐电压测试 1 .5U R
尺寸说明：
1. 上图为标准引线长度、形式图形，但也可根据客户要求进行生产。
2. C 尺寸要求为：1.5mm 最大。
3. D 与T 尺寸根据标称容量与额定电压大小决定，一般来说：同材质情况
下，容量越大，D 尺寸越大；额定电压越高，T 尺寸越厚。
4. 可根据客户要求生产散件与适合A/I 自动插件的编带( 带装) 产品。
三、编带尺寸规格
弯脚型：
直脚型：
编带尺寸规格表：
项目标记
特征值
备注标称值(mm) 允许误差(mm)
本体直径 D 11.0 max
本体厚度T 3.5 max
引脚直径 d 0.6 +0.06/-0.05 元件中心间距P 12.7 +/-1.0
编带孔中心间距P0 12.7 +/-0.3
编带孔中心与元件引脚间距P1 3.85 +/-0.7
编带孔中心与元件中心间距P2 6.35 +/-1.3 元件脚距 F 5.0 +0.8/-0.2
△H 0 +/-2.0 编带宽度W 18.0 +1.0/-0.5
胶纸宽度W0 5.0 min
胶纸内边距W19.0 +/-0.5
胶纸外边距W2 3.0 max
元件下沿到编带孔中心之高度H 20.0 +1.5/-1.0 弯脚底部到编带孔中心之高度H016.0 +/-0.5 元件上沿到编带孔中心之高度H132.25 max
元件底部引脚允许超出编带长度l 1.0 max 编带孔直径D0 4.0 +/-0.2
编带厚度t 0.7 +/-0.2
L 11.0 max
四、电性能
4.1静电容量
电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则，依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内，并在室温25℃之状态下进行。
4.2 损耗角(tanδ)及Q 值
与静电容量之测量同一条件下进行，并以下式计算时满足下表。
损失角(tanδ)=ωCxRx
ω:2πf(f 为测试频率，Hz) (C1-C2)Q1Q2 Cx:供试电容器之静电容量（F ） Q=
Rx:供试电容器之等效电阻（Ω） C1(Q1-Q2)
五、特殊试验 5.1折曲试验
保持受测电容器之道线与其正规引出轴垂直，若无特别之规定，在道线之末端悬以0.5Kg
之重量，将电容器本体做90。
之弯曲，然后返回原位置，再以同样的速度作向后90。
之弯曲，仍还回原来位置，如此反复一次道线不致折断。
5.2抗张强度试验
将受测体固定，在道线引出方向末端悬以0.5Kg 之重量保持10S ，道线不致与本体脱离或折 线。
5.3焊接性试验
将受测体之道线浸于洁焊接剂至离本体切线4.5mm 处后，浸人温度约230℃±5℃锡溶液中 致道线跟部4mm 直到2±0.5s ，取出后道线周围没有裂痕。
5.4高温负荷测试
特性
Q 规定值
静电容量 Q 值 A-U 30pF 以上 Q ≧10000 及SL 30pF 未满 Q ≧400+20C V-Z 30pF 以上 Q ≧500 及YH 30pF 未满 Q ≧200+10C
将温度保持在受测体之最高使用温度开始在两引线间加以工作电压2倍之直流电压500±12 小时，若进行中有短路时，取出不良之受测体，其余继续试验，试验后之特性必须满足如下记： 静电容量变化率为±30%以内，Q 或tanδ为7.5%以下，IR 为1000MΩ以上。
5.5耐温负荷试验
将受测之本体转于温度40±20℃湿度90-95%之状态中继续加以工作电压1000±1小时以后， 取出置于常温、常湿中1小时，再测其电特性，其值必须在规定容量范围内。
六、代号标识 6.1应表示事项
(1)种类(2)形状(3)特性 (4)工作电压(5)公称静电容量(6)静电容量允许误差(7)生产日期 6.2特性
6.2.1工作电压
(1)工作电压25V 之制品，无标识印记（容量）
(2)工作电压为50V 、100V 之制品，在静电容量值之下加以横线表示。
(3)工作电压1000V 以上之制品，以KV 单位表示。
6.2.3公称静电容量
(1)公称静电容量未满100pF ，以有效数字表示。
例如1pF=1，10pF=10 (2)公称静电容量在100pF 以上的如下表所示。
6.2.4静电容量允许误差如下表所示。
本司规格 EIA 规格 数字表示 未满1000pF 以pF 表示
1000pF 以上以uF 表示
例：100pF=101 1000pF=102 10000pF=103 例：100pF=100
1000pF=0.001
10000pF=0.01
记号 静电容量允许误差 记号
静电容量允许误差
B ±0.1pF J
±5% C ±0.25pF K ±10% D ±0.5pF M ±20% F ±1% Z
-20%/+80%。
