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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH –fL ），（1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模电总复习(二)模电总复习（二）1.晶体管工作在放大区时的偏置状态为（）A. b与e极，b与c极间均正向偏置B. b与e极，b与c极间均反偏C. b与e极间正偏，b与c极间反偏D. b与e极间反偏，b与c极间正偏2.放大电路中的晶体管应工作在（）A. 饱和区B. 放大区C. 载止区D. 夹断区3．电子电路里常用的双极型三极管是（）A. 电压控制器件B. 电流控制器件C. 其它物理量控制器件D. 以上各项都不是4.在单管共射放大器中（）A. i o与v i反相B. v o与i o同相C. v o与v i同相D. v o与v i反相5. 某放大电路中的一只三极管，三个引线的标号分别为1、2、3，它们对公共端的电位分别是V1= - 4V，V2= -3.3V，V3= - 8V，该三极管是（）A. NPN型硅管B. NPN型锗管C. PNP型硅管D. PNP型锗管6.分压式共射放大电路如下图所示。
若更换晶体管使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（）A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍8. 晶体管中电流分配关系为（）A. I B=I C+I EB. I C=I B+I EC. I E=I C+I BD. I B≥I C+I E9.某放大电路如下图所示。
设V CC=12V，I CEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。
A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 区域不定10.运算放大器理想化条件为（）。
A. A vo=∞r i=∞r o=∞K CMR= 0B. A vo=0 r i=∞r o=0 K CMR=∞C. A vo=∞r i=∞r o= 0 K CMR=∞D. A vo=∞r i=0 r o=∞K CMR=011.要想稳定放大器的输出电压，并同时提高其输入电阻，则需引的负反馈应为（）。
A. 电流串联B. 电压串联C. 电流并联D. 电压并联12.射极输出器不具备以下哪一个特点（）A. 输入电阻高B. 输出电阻低C. 电压放大倍数大于1D. 输出电压与输入电压同相13.若要求仅在输入电压过零时，输出电压发生跳变，除此之外输出电压保持不变，则应当选用（）。
一填空题 (15分)1、BJT用来放大时，应使发射结处于，集电结处于；工作在饱和区时，发射结处于，集电结处于。
2、FET是通过改变来改变漏极电流的，所以它是一个器件。
3、小功率直流稳压电源由________、________、________、________四部分组成。
4、若三极放大电路的A1u＝A2u＝30dB,A3u=20dB,则其总电压增益为 dB,折合为倍。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。
二、计算画图题 (85分)1、两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。
(8分)（a） (b)2、下图所示电路中，设Ｄ为理想二极管，试画出其传输特性曲线Ｖo＝f（Ｖi）。
（8分）3、电路如图所示，已知三极管的β=100，VBE=-0.7V （15分）（1）试计算该电路的静态工作点；（2）画出简化的H参数小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益A V, 输入电阻R i, 输出电阻Ro。
（4）若V O中的交流成分出现如图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？4、电路如图，A为理想运放，输入波形如图。
已知R=10kΩ，C=0.5μF,Vz=±6V，试画出Vo波形。
（10分）5、电路如图，在深度负反馈条件，估计电压放大倍数Ａvf=Ｖo/Ｖs （10分）6、差分式放大器如图，已知 Vcc=6V，Rb=6KΩ，Rc=6KΩ，Re=5.1KΩ，（14分）ＶBE=0.7V，ｒbb'=100Ω，β=100。
计算：（1）电路静态工作点。
（2）差模电压放大倍数。
（3）差模输入电阻、输出电阻。
7、倍压整流电路如图，简述其工作原理，当R L＝∞时，输出电压Vo为多少？（10分）8、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问（10分）（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M应该如何连接？（2）R2应该选多大才能振荡？（3）振荡的频率是多少？（4）R2使用热敏电阻时，应该具有何种温度系数？一填空题1、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
共射极电路电压放大共集电极电路共射极电路和共集电极电路是电子电路中常见的两种放大电路结构。
它们在电子设备中起到了重要的作用，特别是在信号放大方面。
本文将分别介绍这两种电路的原理和特点。
共射极电路是一种常见的放大电路结构，它由一个NPN型晶体管组成。
在这种电路中，输入信号通过基极输入，输出信号通过集电极输出。
共射极电路的工作原理是通过控制输入信号的电流，改变晶体管的输出电流，从而实现信号的放大。
共射极电路的特点是输入电阻较低，输出电阻较高。
这意味着它可以很好地适应不同的输入信号源，并且可以驱动较高的负载电阻。
此外，共射极电路还具有较高的电压增益和较低的失真。
因此，它常用于要求较高增益和较低失真的放大器电路中。
与之相对的是共集电极电路，它也是一种常见的放大电路结构，由一个PNP型晶体管组成。
在这种电路中，输入信号通过基极输入，输出信号通过发射极输出。
共集电极电路的工作原理是通过控制输入信号的电流，改变晶体管的输出电流，从而实现信号的放大。
共集电极电路的特点是输入电阻较高，输出电阻较低。
这意味着它可以很好地适应高阻抗信号源，并且可以驱动较低的负载电阻。
此外，共集电极电路还具有较低的电压增益和较高的带宽。
因此，它常用于要求较低增益和较高带宽的放大器电路中。
共射极电路和共集电极电路在放大电路中起到了不同的作用。
共射极电路适用于需要较高增益和较低失真的场合，而共集电极电路适用于需要较低增益和较高带宽的场合。
因此，在电子设备的设计中，根据不同的需求选择合适的电路结构非常重要。
总结起来，共射极电路和共集电极电路是电子电路中常见的两种放大电路结构。
它们分别具有不同的特点和应用场合。
在电子设备的设计中，根据具体需求选择合适的电路结构非常重要。
通过合理的选择和设计，可以实现信号的有效放大和传输，从而满足不同应用场景的需求。
通达13级期末模电填空题选择题整理一、填空题整理1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2.利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入 5价元素可形成N型半导体，加入3价—元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是自由电子；P型半导体中的多子是―空穴。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5.通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为（你猜），这两种状态相当于一个______ 开关。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.1.压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
8.2.极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20R A时，集电极电流等于2mA,则§=__100__。
12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。
13.晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。
14.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。
15.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。
16.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻低（高、低）；电压放大倍数约为 J。
17.多级放大器由输入级、中间级__________ 和输出级组成；其耦合方式有—阻容耦合和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。
习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V>>，于是T V V s e I I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
一、领会、理解下列名词、术语及间答题1.支路：电路中的每一个分支。
一条支路流过一个电流，称为支路电流。
2.结点：三条或三条以上支路的联接点。
3.回路：由支路组成的闭合路径。
4.网孔：内部不含支路的回路。
5.电压源：由电动势E和内阻R0串联的电源的电路模型。
6.电流源：由电流I S和内阻R0并联的电源的电路模型。
7.瞬时功率p：瞬时电压与瞬时电流的乘积8.平均功率(有功功率)P：瞬时功率在一个周期内的平均值9.相电压：端线与中性线间（发电机每相绕组）的电压10.线电压：端线与端线间的电压11.相电流：流过每相负载的电流12.线电流：流过端线的电流13.零输入响应: 无电源激励, 输入信号为零, 仅由元件的初始储能所产生的电路的响应。
14.零状态响应: 储能元件的初始能量为零，仅由电源激励所产生的电路的响应。
15.全响应: 电源激励、储能元件的初始能量均不为零时，电路中的响应。
16.软磁材料：具有较小的矫顽磁力，磁滞回线较窄。
一般用来制造电机、电器及变压器等的铁心。
常用的有铸铁、硅钢、坡莫合金即铁氧体等。
17.永磁材料：具有较大的矫顽磁力，磁滞回线较宽。
一般用来制造永久磁铁。
常用的有碳钢及铁镍铝钴合金等。
18.矩磁材料：具有较小的矫顽磁力和较大的剩磁，磁滞回线接近矩形，稳定性良好。
在计算机和控制系统中用作记忆元件、开关元件和逻辑元件。
常用的有镁锰铁氧体等。
19.铜损：在交流铁心线圈中, 线圈电阻R上的功率损耗称铜损。
20.铁损：在交流铁心线圈中，处于交变磁通下的铁心内的功率损耗称铁损。
21.磁滞损耗：由磁滞所产生的能量损耗称为磁滞损耗。
22.涡流损耗：由涡流所产生的功率损耗。
23.高压：1KV及以上的电压称为高压。
有1, 3, 6, 10, 35, 110, 330, 550KV等。
24.低压：1KV及以下的电压称为低压。
有220，380V。
25.安全电压：36V以下的电压称为低压。
我国规定的安全电压等级有：12V、24V、36V等。
模电实验单级共射放⼤电路单极共射放⼤电路⼀、实验⽬的（1）掌握⽤Multisim 13 仿真软件分析单极放⼤电路主要性能指标的⽅法。
（2）熟悉掌握常⽤电⼦仪器的使⽤⽅法，熟悉基本电⼦元器件的作⽤。
（3）学会并熟悉“先静态后动态”的电⼦线路的基本调试⽅法。
（4）分析静态⼯作点对放⼤器性能的影响，学会调试放⼤器的静态⼯作点。
（5）掌握放⼤器的放⼤倍数、输⼊电阻、输出电阻及最⼤不失真输出电压的测试⽅法。
（5）测量放⼤电路的频率特性。
⼆、实验原理1.基本电路电路在接通直流电源CC V ⽽未加⼊输⼊信号时（通过隔直流电容1C 将输⼊端接地），电路中产⽣的电流、电压为直流量，记为BEQ V ，CEQ V ，BQ I ，CQ I ，由它们确定了电路的⼀个⼯作点，称为静态⼯作的Q 。
三极管的静态⼯作点可⽤下式近似估算：)7.0~6.0(=BEQ V V 硅管；（0.2~0.3）V 锗管()e c CQ CC CEQ R R I V V +-=CC P BQ V R R R R V 212++= EBEQBQ EQ CQ R V V I I -=≈βCQ BQ I I =2.静态⼯作点的选择放⼤器静态⼯作点的选择是指对三极管集电极电流C I （或CE V ）的调整与测试。
在晶体管低频放⼤电路中，静态⼯作点的选择及稳定具有举⾜轻重的作⽤，直接关系到放⼤电路能否正常可靠地⼯作。
若⼯作点偏⾼（C I 放⼤），则放⼤器在加⼊交流信号以后易产⽣饱和失真，此时输出信号o u 的负半周将被削底；若⼯作点偏低，则易产⽣截⽌失真，即o u 的正半周被削顶（⼀般截⽌失真不如饱和失真明显）。
这些情况都不符合不失真放⼤的要求。
所以在选定⼯作点以后还必须进⾏动态调试，即在放⼤电路的输⼊端加⼊⼀定的输⼊电压i u ，并检查输出电压o u 的⼤⼩和波形是否满⾜要求。
如不满⾜，则应调节静态⼯作点的位置。
还应说明的是，上⾯所说的⼯作点“偏⾼”或“偏低”不是绝对的，应该是相对信号的幅度⽽⾔。
模拟电子技术与项目实训练习——填空题一、填空题(每题1分)1.理想二极管的正向电阻为（0 ），反向电阻为（∞）2.在N型半导体中，多子是（自由电子），少子是（空穴）；在P型半导体中，多子是（空穴），少子是（自由电子）。
3.二极管具有（单向导电性）；当（正向偏置）时，二极管呈（低阻导通）状态；当（反向偏置）时，二极管呈（高阻截止）状态。
4.半导体中有（空穴）和（自由电子）两种载流子参与导电，其中（空穴）带正电，而（自由电子）带负电。
5.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（大）。
6.普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（0.6~0.8 ）V，在工程估算中一般取（0.7 ）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（0.2~0.3 ）V，在工程估算中一般取（0.2 ）V。
发光二极管的正向导通压降范围大约为（1~2.5 ）V。
7.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（0.7 ）V , 锗二极管的正向导通电压取（0.2 ）V。
8.在桥式整流电路中，未接入滤波电容时，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（0.9 ）倍；接入滤波电容后，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（ 1.1~1.2 ）倍9.如用交流电压表测得变压器次级的交流电压为20V，经桥式整流后，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为（18V ）；经桥式整流电容后，直流电压表测出的电压值约为（22~24V ）。
10.稳压管通常工作在（反向击穿区），当其正向导通时，相当于一只（普通二极管）。
11.发光二极管工作在（正向）偏置条件下；导通电压的范围为（1~2.5 ）V。
光电二极管工作在（反向）偏置条件下; 变容二极管工作在（反向）偏置条件下。
12.三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（高）、基区宽度（窄）且杂质浓度（低）、集电结面积（大）；外部条件是：发射结处于（正向）偏置，集电结处于（反向）偏置。
13.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，既能放大电流，又能放大电压的组态是（共射）电路；只放大电流，不放大电压的组态是（共集）电路；只放大电压，不放大电流的组态是（共基）电路。
