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DSP存储空间的配置在DSP的开发过程中，开发者难免会遇到DSP芯片内部存储器和片外扩展存储器的配置等问题。
本文以TMS320C54x系列DSP为例，讨论DSP存储空间的分配问题。
存储器空间'C54x系列DSP存储器分为三个独立选择的空间—程序、数据和I/O，其中程序存储器存放待执行的指令和执行中所用的系数(常数)，可使用片内或片外的RAM、ROM或EPROM等来构成；数据存储器存放指令执行中产生的数据，可使用片内或片外的RAM和ROM来构成。
I/O存储器存放与映象外围接口相关的数据，也可以作为附加的数据存储空间使用。
这三个空间的寻址范围取决于DSP芯片地址线数目。
例如，'C54x系列DSP 从'C548开始，芯片有23根地址线，具有8M字节存储空间寻址能力。
'C54x通过包含在处理器工作方式的状态寄存器(PMST)中的3个状态位，选择片内存储器作为程序空间或数据空间。
这3个状态位是：1.MP/MC位。
MP/MC=0，则片内ROM安排到程序空间；MP/MC=1，则片内ROM不安排到程序空间。
2.OVLY位。
OVLY=1，则片内RAM安排到程序和数据空间；OVLY=0，则片内RAM只安排到数据存储空间。
3.DROM位。
当DROM=1，则部分片内ROM安排到数据空间；DROM=0，则片内ROM不安排到数据空间。
程序设计者可根据不同的需求，相应的配置这3个位，使系统的存储空间满足应用要求。
同时，为了扩展'C54x系列DSP的寻址空间，还增加了一个额外的存储器映像寄存器—程序计数器扩展寄存器XPC，以及6条寻址扩展程序空间的指令。
以TMS320C5410为例，它的程序空间分成128页面，每页64K字。
该64K字程序空间分为两部分：一部分是公共的32K 字，另一部分是各自独立的32K字。
公共存储器为所有页面共享，每个页面独立的32K字存储器只能按指定的页面号寻址，这个页面号由XPC寄存器设定。
编辑本段 AT24C04 特点AT24C04，采用DIP封装方式。
存储器配置:512 x 8bit封装类型:DIP针脚数:8工作温度范围:-40°C to +85°C封装类型:DIP器件标号:24器件标记:24C04存储器容量:4Kbit存储器电压 Vcc:2.5V存储器类型:EEPROM工作温度最低:-40°C工作温度最高:+85°C接口类型:Serial, I2C电压, Vcc:5.5V电源电压最大:5.5V电源电压最小:1.8V芯片标号:24C04表面安装器件:通孔安装逻辑功能号:24C04频率:1MHz1、AT24C04介绍关于I2C的介绍，这里就不用说了，直接介绍24C04了。
24C04是4K位串行CMOS E2PROM。
引脚的认识：SCL 串行时钟引脚SDA 串行数据/地址A0、A1、A2 器件地址输入端WP 写保护（WP 管脚连接到Vcc，所有的内容都被写保护（只能读）。
当WP 管脚连接到Vss 或悬空，允许器件进行正常的读/写操作。
）2、AT24C04之准备工作首先，我们先查看一下实验板上面的接线图。
如图1所示。
图1 24c04连接图我们要注意的第一点是器件地址全部是0，即接地处理。
第二点是读写保护WP接地，意味着我们可以随意存取。
第三点是我们要用到的引脚连接到了P3^6和P3^7上。
在这里还要提醒一下，就是引脚上一定要有上拉电阻！阻值在470~1k都可以的，具体的数值可以参考相关的手册。
在程序里我们需要先做以下定义：sbit AT24C04_SCL=P3^7;sbit AT24C04_SDA=P3^6;在写这个程序的时候，要使用到键盘，不用太多按键，我们暂时只用四个。
把实验板上面的跳线JP8接到“-”端上，使第一行的按键变为独立键盘就可以了。
线路图如图2所示。
图2 键盘部分电路图键盘这部分我就不说了吧，直接附上我用到的这部分程序，在我的程序中，并没有判断按键是否松开，而是使用的延时，这样的好处是一直按着按键，数据会一直在变化，要不然，频繁的按真的很累人。
sram配置参数SRAM配置参数介绍SRAM（Static Random Access Memory）是一种用于存储和获取数据的随机访问存储器。
它与动态随机访问存储器（DRAM）相比，具有更快的访问速度和更低的功耗。
在互联网技术中，SRAM被广泛应用于高速缓存、网络交换机、微控制器等领域。
本文将详细介绍SRAM的配置参数，包括容量、速度、位宽和延迟等方面。
1. 容量：SRAM的容量是指其可以存储的数据量大小。
常见的SRAM容量有8位、16位、32位、64位等。
容量越大，SRAM能够存储的数据量就越多，但同时也会占用更多的芯片空间和功耗。
2. 速度：SRAM的速度是指其读写操作的时间。
速度越快，SRAM能够更迅速地响应CPU或其他设备的读写请求。
常见的SRAM速度有10ns、8ns、6ns等。
需要注意的是，速度与容量、功耗之间存在一定的平衡关系，提高SRAM的速度可能会增加功耗。
3. 位宽：SRAM的位宽是指一次读写操作能够同时处理的数据位数。
位宽越大，SRAM在一次读写操作中能够处理的数据位数就越多，但同时也需要更多的引脚和芯片空间。
常见的SRAM位宽有8位、16位、32位等。
4. 延迟：SRAM的延迟是指进行读写操作所需的时间。
延迟越小，SRAM能够更快地响应读写请求。
延迟受到多种因素影响，包括SRAM内部电路设计、工作频率等。
通常，快速的SRAM具有较小的延迟。
SRAM的配置参数如容量、速度、位宽和延迟等，会根据具体应用需求而变化。
在选择SRAM时，需要根据系统的处理能力、存储需求和功耗预算等进行综合考虑。
合理的SRAM配置可以提升系统性能，并满足互联网技术的要求。
总结：本文对SRAM的配置参数进行了介绍，包括容量、速度、位宽和延迟等方面。
这些参数的选择应根据具体应用需求进行综合考虑，以提升系统性能和满足互联网技术的要求。
MAX 10嵌入式存储器用户指南订阅反馈UG-M10MEMORY2015.11.02101 Innovation Drive San Jose, CA 内容MAX® 10嵌入式存储器概述..............................................................................1-1 MAX 10嵌入式存储器体系结构和功能............................................................2-1 MAX 10嵌入式存储器一般特性............................................................................................................2-1控制信号...........................................................................................................................................2-1奇偶校验位......................................................................................................................................2-2读使能...............................................................................................................................................2-2Read-During-Write..........................................................................................................................2-3字节使能...........................................................................................................................................2-3Packed模式支持.............................................................................................................................2-4地址时钟使能支持.........................................................................................................................2-5异步清零...........................................................................................................................................2-6 MAX 10嵌入式存储器操作模式............................................................................................................2-7支持的存储器操作模式.................................................................................................................2-8 MAX 10嵌入式存储器时钟模式............................................................................................................2-9时钟模式中的异步清零..............................................................................................................2-10同时的读和写中的输出读数据.................................................................................................2-10时钟模式的独立时钟使能..........................................................................................................2-10 MAX 10嵌入式存储器配置...................................................................................................................2-11端口宽度配置................................................................................................................................2-11双端口模式的存储器配置..........................................................................................................2-11最大模块深度配置.......................................................................................................................2-12 MAX 10嵌入式存储器设计考量........................................................................3-1实现外部冲突解决.....................................................................................................................................3-1定制Read-During-Write行为..................................................................................................................3-1相同端口Read-During-Write模式.............................................................................................3-2混合端口Read-During-Write模式.............................................................................................3-3考虑上电状态和存储器初始化...............................................................................................................3-4控制时钟以降低功耗.................................................................................................................................3-5选择Read-During-Write输出..................................................................................................................3-6 RAM：1-Port IP内核参考.................................................................................4-1 RAM：MAX 10器件的1-Port IP 内核信号.........................................................................................4-2MAX 10器件的RAM: 1-Port IP内核参数............................................................................................4-3RAM: 2-PORT IP内核参考................................................................................5-1 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(简单双端口RAM)........................................................5-5 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(真双端口RAM) ...........................................................5-7 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核参数............................................................................................5-9 ROM：1-PORT IP内核参考..............................................................................6-1 MAX 10器件的ROM：1-PORT IP内核信号......................................................................................6-2 MAX 10器件的ROM：1-PORT IP内核参数......................................................................................6-4 ROM: 2-PORT IP内核参考................................................................................7-1 ROM: MAX 10器件的2-PORT IP内核信号........................................................................................7-3 MAX 10器件的ROM:2-Port IP内核参数 ...........................................................................................7-4移位寄存器（基于RAM）IP内核参考............................................................8-1 MAX 10器件的移位寄存器(基于RAM)IP内核信号........................................................................8-1 MAX 10器件的移位寄存器(基于RAM) IP内核参数.......................................................................8-2 FIFO IP内核参考................................................................................................9-1 MAX 10器件的FIFO IP内核信号 ........................................................................................................9-2 MAX 10器件的FIFO IP内核参数 ........................................................................................................9-4ALTMEMMULT IP内核参考...........................................................................10-1 MAX 10器件的ALTMEMMULT IP内核信号..................................................................................10-1 MAX 10器件的ALTMEMMULT IP内核参数..................................................................................10-2 MAX 10嵌入式存储器用户指南的附加信息...................................................A-1 MAX 10嵌入式存储器用户指南的文档修订历史.............................................................................A-1MAX® 10嵌入式存储器模块已被优化，以用于诸如高吞吐量数据包处理、嵌入式处理器编程和嵌入式数据存储的应用程序。
在DSP的开发过程中，开发者难免会遇到DSP芯片内部存储器和片外扩展存储器的配置等问题。
本文以TMS320C54x系列DSP为例，讨论DSP存储空间的分配问题。
存储器空间'C54x系列DSP存储器分为三个独立选择的空间—程序、数据和I/O，其中程序存储器存放待执行的指令和执行中所用的系数(常数)，可使用片内或片外的RAM、ROM或EPROM等来构成；数据存储器存放指令执行中产生的数据，可使用片内或片外的RAM和ROM来构成。
I/O存储器存放与映象外围接口相关的数据，也可以作为附加的数据存储空间使用。
这三个空间的寻址范围取决于DSP芯片地址线数目。
例如，'C54x系列 DSP 从'C548开始，芯片有23根地址线，具有8M字节存储空间寻址能力。
'C54x通过包含在处理器工作方式的状态寄存器(PMST)中的3个状态位，选择片内存储器作为程序空间或数据空间。
这3个状态位是：(1)MP/MC位。
MP/MC=0，则片内ROM安排到程序空间；MP/MC=1，则片内ROM不安排到程序空间。
(2)OVLY位。
OVLY=1，则片内RAM安排到程序和数据空间；OVLY=0，则片内RAM只安排到数据存储空间。
(3)DROM位。
当DROM=1，则部分片内ROM安排到数据空间；DROM=0，则片内ROM不安排到数据空间。
程序设计者可根据不同的需求，相应的配置这3个位，使系统的存储空间满足应用要求。
同时，为了扩展'C54x系列DSP的寻址空间，还增加了一个额外的存储器映像寄存器—程序计数器扩展寄存器XPC，以及6条寻址扩展程序空间的指令。
以TMS320C5410为例，它的程序空间分成128页面，每页64K字。
该64K字程序空间分为两部分：一部分是公共的32K字，另一部分是各自独立的32K字。
公共存储器为所有页面共享，每个页面独立的32K字存储器只能按指定的页面号寻址，这个页面号由XPC寄存器设定。
