扩散电流与复合电流之比与 V 有关
J扩 exp qV
Jr
2KT
V ,J扩/Jr 迅速 ,低 V时, Jr > J扩
V ,J扩/Jr 迅速 ,高 V时, Jr < J扩
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J/Js
实际pn结的电流电压特性
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大注入情况
正向偏压较大时,注入的非平衡少子浓度接近 或超过该区多子浓度的情况
玻耳兹曼边界条件 -在耗尽层两端,载流子分布满足玻氏分布
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2.正偏时载流子的运动和电流成分
J Jp
Jn
x
xp’
xp
xn
xn’
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通过pn结的总 J: J = Jp扩(n 区边界)+ Jn扩( p 区边界)
3.正偏下的电流密度 (推导自学)
qV
J Js e KT 1
Ge: Eg 小,ni2大,反向电流中扩散电流主要 Si: Eg 大, ni2小,反向电流中势垒产生电流主要
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势垒区的复合电流
正向偏压,从n区注入p区的电子和从p区注入
n区的空穴,在势垒区内复合了一部分,构成
了另一股正向电流。
P
N
+
-
总正向电流密度
J正 = J扩+ Jr
Ε内
复合电流密度 Jr
pn结的正向电 流电压关系式
其中:
Js
qDp Lp
pno
qDn Ln
npo
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对于p+n结:
J
q
Dp pn0
qV
(e KT
1)
Lp
对于pn+结: