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目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
自强不息知行合一模拟电子技术笔记Part 1 绪论&常用半导体器件1. 绪论：讲解了主要介绍的内容。
1.1 电子元器件（包括二极管，三极管，集成电路）1.2 电子电路及其应用（放大，滤波，电源）1.3 参考书：《模拟电子技术》刘润华主编2. 常用半导体器件2.1 基本概念半导体的导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗，硅，砷化镓等；完全纯净，结构完整的半导体晶体成为本征半导体，常温下其自由电子（即载流子，包括自由电子和空穴）很少，因此导电能力很弱；空穴的迁移是依靠吸引临近的电子来填补，从而实现空穴的移动的目的。
温度越高其载流子浓度越高，导电能力也就越强。
半导体材料的外部特性：受到外界的热和光作用时，导电能力有明显变化；在半导体中掺入某些杂质则会改变其导电能力（载流子浓度增加）。
当掺入的杂质使自由电子浓度大大增加的半导体称为N（negative）型半导体（掺入五价的磷）；自由电子（多子）的浓度远远大于空穴（少子）的浓度。
使空穴浓度增加的半导体成为P（positive）型半导体（掺入三价的硼）；空穴（多子）的浓度远远大于自由电子（少子）的浓度。
Part 22.2 PN结及其导电性P型半导体和N型半导体的交界面处由于空穴和电子的扩散运动会形成内电场（方向由N到P，会抑制扩散运动，加强漂移运动），该区域为空间电荷区。
单向导电性：PN结加上正向电压（正向偏置），P区加正电压，N区加负电压，会有正向电流流过；反向偏置正好相反，没有电流在PN结流过。
PN结的伏安特性：当PN结加正向电压时，有电流流过，PN结两端有电压，此时电压与电流的关系为指数关系；当PN结接反向电压时，当方向电压小于U BR(方向击穿电压)时反向电流很小，但是当大于U BR时，会出现击穿电流。
下图为PN结的伏安特性曲线图。
其电压与电流的关系满足下式：I=Is(e u/U T-1)=Is(e qu/kT-1)势垒电容C T是在PN结反向偏置时起作用；扩散电容C D则是在PN结正向偏置是起作用。
模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。
数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。
模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。
2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。
保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。
3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。
通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。
4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。
常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。
二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。
放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。
放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。
2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。
比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。
3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。
常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。
4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。
常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。
5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。
模拟电子技术重点笔记说到模拟电子技术，那可真是让我又爱又恨啊！回想起当初学习这门课的时候，真的是有一箩筐的事儿能跟大家唠唠。
记得刚开始接触模拟电子技术这门课，看着那一本本厚厚的教材，我心里直发怵。
特别是那些密密麻麻的电路图，各种晶体管、放大器、反馈电路啥的，简直就像一团乱麻，让我摸不着头脑。
但没办法，硬着头皮也得上啊！我清楚地记得有一次上课，老师在黑板上画了一个复杂的共射极放大电路。
那线条纵横交错，元件一个挨着一个，我眼睛都快看花了。
老师在讲台上讲得口沫横飞，我在下面听得云里雾里。
好不容易熬到下课，我赶紧抱着书去找老师请教。
老师倒是很耐心，拿着笔在我的书上又画又写，给我一点点解释。
可我当时那个脑子啊，就像被糨糊给糊住了，怎么都转不过弯来。
回到宿舍，我不甘心就这样被这个电路给打败，于是决定自己好好钻研一番。
我把台灯开到最亮，摊开书本，拿出纸笔，准备大干一场。
我先从最基本的元件开始，一点点分析它们的作用。
三极管，这个小小的东西，居然能有那么大的能耐，控制电流的放大和缩小，真是神奇。
我对照着书上的原理图，自己在纸上反复画了好几遍，试图理解每一个节点的电流和电压变化。
然后是偏置电路，为了让三极管能正常工作，这偏置电路可太重要了。
我一会儿算算电阻的值，一会儿又想想电容的作用，脑袋里就像有一群小蜜蜂在嗡嗡乱飞。
不知不觉，几个小时过去了，我面前的草稿纸已经堆了厚厚一沓，可我还是感觉没有完全搞明白。
这时候，宿舍的哥们儿回来了，看到我一脸苦大仇深的样子，就凑过来问我咋回事。
我把书往他面前一推，说：“这破电路，我弄了半天也没整明白。
”他看了看，笑着说：“别急别急，咱们一起研究研究。
”于是，我俩就开始了一场“电路攻坚战”。
我们从三极管的特性开始，一点点梳理，互相交流自己的理解。
有时候我觉得他说得不对，就争得面红耳赤；有时候他又被我的想法给逗乐了，说我钻了牛角尖。
就这样，在我俩的“争吵”和“合作”中，这个电路渐渐变得清晰起来。
第8章 波形的发生器和信号的转换8.1 复习笔记一、正弦波振荡电路1．产生正弦波振荡的条件（1）振幅平衡条件：（2）相位平衡条件：（3）起振条件：2．正弦波振荡电路的组成（1）放大电路：保证电路有从起振到动态平衡的过程，使电路获得一定幅值的输出量，实现能量的控制。
（2）选频网络：确定电路的振荡频率，使电路产生单一频率的振荡，即保证电路产生正弦波振荡。
（3）正反馈网络：引入正反馈，使放大电路的输入信号等于反馈信号。
（4）稳幅环节：也是非线性环节，使输出信号幅值稳定。
在不少实用电路中，常将选频网络和正反馈网络“合二而一”，且对于分立元件放大电路，也不再另加稳幅环节，而依靠晶体管特性的非线性来起到稳幅作用。
3．判断电路能否震荡的方法（1）观察电路是否包含了放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节四个组成部分。
（2）判断电路是否有合适的静态工作点且动态信号是否能够输入、输出和放大。
（3）判断电路是否满足振荡的相位条件、幅值条件。
3．RC 正弦波振荡电路（1）振荡条件：反馈系数，电压放大倍数。
（2）起振条件：，即。
12f R R （3）振荡频率：。
（4）典型的RC 正弦波振荡电路：文氏电桥正弦波振荡电路，如图8.1所示。
图8.1 RC 文氏电桥正弦波振荡电路4．LC正弦波振荡电路（1）谐振时，回路等效阻抗为纯阻性，阻值最大，值为：其中，为品质因数；为谐振频率。
（2）如图8.2所示，LC并联谐振回路等效阻抗为：图8.2 LC 并联网络（3）变压器反馈式振荡电路的振荡频率为：（4）三点式LC 正弦波振荡器（1MHz 以上频率），典型电路如图8.3所示。
(a)电感三点式振荡器(b)电容三点式振荡器图8.3 典型三点式LC正弦波振荡器①组成原则：与晶体管发射极相联的电抗是相反性质的，不与发射极相联的另一电抗是相同性质的。
②振荡频率：计算振荡频率时，只需分离出LC总回路求谐振频率即可。
电容式：电感式：5．石英晶体振荡器（1）石英晶体等效电路：R、C、L串联后与Co并联，如图8.4所示。
第一章常用半导体器件 (1)Q&A: (1)1.1 半导体基础知识 (1)1.1.1 本征半导体 (1)1.1.2 杂质半导体 (2)1.1.3 PN结 (2)1.2 半导体二极管 (4)1.2.1 二极管常见结构 (4)1.2.3 二极管的主要参数 (5)1.2.5 稳压二极管 (5)1.2.6 其他类型二极管 (5)1.3 晶体三极管 (6)1.3.1 晶体管的结构和类型 (6)1.3.2 晶体管的放大作用 (6)1.3.3 晶体管的共射特性曲线 (7)1.3.4 晶体管的主要参数 (7)1.4 场效应管 (8)1.4.1结型场效应管 (8)1.4.2 绝缘栅型场效应管 (10)第二章基本放大电路 (13)2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 (13)2.3 放大电路的分析方法 (14)Q&A:1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体导体形成电流：导体一般为低价元素，最外层的点子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子，在外电场的作用下产生定向移动而产生电流。
高价元素对电子的束缚力强，外层电子很难挣脱，所以是绝缘体。
半导体用的硅和锗属于4价元素，介于导体和绝缘体中间。
共价键：共价键中的电子跑出来之后就成为自由电子，在原位置形成空穴。
空穴电流和电子电流，自由电子的定向移动形成电子电流，电子的移动过程中，电子将以一定的方向依次的填补空穴导致空穴也定向产生移动，故而产生空穴电流，半导体相比导体的一个特殊性就是半导体有两种载流子，空穴和电子，而导体只有电子。
本征半导体载流子的浓度公式：ni=pi=K1T32e−E G02kT其中：ni和pi为电子和空穴的浓度k为波尔兹曼常数（8.63*10-5eV/K）E G0为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁断宽度（硅为1.21eV，锗为0.785eV）K1是与半导体材料载流子有效质量，有效能级密度有关的常量（硅为1.87*1016cm-3*k-3/2, 锗为1.76*~~~）常温时（T=300K），硅材料ni=pi=1.43*1010cm-3，锗材料ni=pi=2.38*1013cm-3本征半导体对温度敏感，既可以用来做热敏和光敏器件，有是造成半导体温度稳定性差的原因。
从浓度公式可以看出，本征半导体的载流子浓度只和温度有关，温度越高，浓度越大。
1.1.2 杂质半导体N型半导体：参杂5价元素（如磷），则在共价键之外形成了自由电子。
P型半导体：参杂3价元素（如硼），则共价键上形成空穴。
参杂的浓度越高，则多子的浓度越高，导电能力越强。
1.1.3 PN结PN结：将P型半导体和N型半导体制作在同一硅片上，就形成了PN结。
PN结的平衡：PN结合在一起的时候，电子用N扩散到P，空穴相反。
同时会形成空间电荷区（耗尽层），此电荷区的方向正好和电子扩散的方向相反，会使载流子形成漂移运动，当漂移运动和扩散运动一样的时候，就形成了平衡。
PN结正偏：正电压加到P，加大了扩散运动，削弱了内电场，所以PN结导通，靠电子的运动形成电流。
PN结反偏：正电压加到N，加大了内电场从而加大了漂移运动，削弱了扩散运动，但是少子的数量极少（本征半导体激发，又被参杂的综合），所以漂移电流极少，所以PN结截止。
PN结电流方程：i = I s(e qu kT−1)其中I s为反向饱和电流q为电子电量k为波尔兹曼常数如果将kT/q 用U T代替，则i = I s(e u U T−1)室温的时候，T=300K，U T=26mVu为正，即PN正偏的时候，u>> U T，则i = I s e u U T, 即i和u成指数变化。
u为负，即PN结反偏的时候，u>> U T，则I = - I sPN结伏安特性图：反向击穿电压（U BR）：反向击穿有两种，1.齐纳击穿：高浓度参杂时，耗尽区窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成大电场，直接破坏共价键，产生电子空穴对，导致电流极具增大。
2.雪崩击穿：低浓度参杂是，耗尽层宽，但当电压加到一定的程度是，电场使少数电子加速漂移，与共价键中的价电子碰撞，产生电子空穴对，新产生的电子空穴对又去碰撞其他价电子，引起雪崩效应，导致电流大大增加。
从以上分析可知，高浓度参杂的击穿电压比较低。
PN结的结电容：一种是势垒电容，一种是扩散电容。
势垒电容是耗尽层根据偏置电压的变化而变化产生的。
扩散电容是耗尽层电容浓度梯队变化产生的。
1.2 半导体二极管1.2.1 二极管常见结构二极管就是PN结+引线PN结面积越大，允许通过的电流越大。
二极管的伏安特性：温度升高，正向特性左移，反向特性下移硅的导通电压为0.6~0.8，锗的导通电压为0.1~0.31.2.3 二极管的主要参数最大整流电流：长期运行时允许通过的最大正向平均电流，和PN结面积有关最高反向工作电压U R：二极管工作中允许的最大反向电压，一般为U BR的一半反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流。
I R越小，二极管的单向导电性越好截止频率F M：二极管上限截止频率，超过此值时，由于结电容的作用，二极管不能体现单向导通性1.2.5 稳压二极管稳压二极管工作在击穿区，在一定的功耗范围内，电流的变化几乎不会引起电压的变化。
当然需要限制电流，比如加限流电阻，否则电流太大会烧坏管子。
主要参数有：稳定电流I Z：小与I Z将没有限流作用。
大没关系，只要不烧坏管子。
额定功耗P ZM：稳定电压与最大稳定电流的沉积。
动态电阻r Z：r Z越小，稳压管稳压性能越好，因为电流的变化引起的电压变动小。
温度系数a：U Z<4V的管子属于齐纳击穿，有负温度特性，温度越高，U Z越小，U Z>7V的管子属于雪崩击穿，温度越高，U Z越大，4V<U Z<7V的管子，温度系数非常小，齐纳和雪崩都有。
1.2.6 其他类型二极管发光二极管：开启电压比一般二极管大，红色的在1.6~1.8V，绿色的为2V，正向电流越大，发光越强。
光电二极管：无光照时，和普通二极管一样，正偏时，电流和电压呈指数关系，反偏时电流称为暗电流。
有光照时，特性曲线往下移，照度一定时，光电二极管可等效成恒流源。
照度越大，光电流越大，在光电流大于几十微安时，与照度呈线性关系。
1.3 晶体三极管1.3.1 晶体管的结构和类型晶体管结构（NPN）：中间的p区称为基区，很薄且杂质浓度很低—b上层的N区为发射区，掺杂浓度很高—e下层的N区为集电区，面积很大—c发射极和基极的PN结为发射结集电极和基极的PN结尾集电结1.3.2 晶体管的放大作用共射放大电路条件，发射结正偏，集电结反偏晶体管的放大作用表现在小的基极电流可以控制大的集电极电流。
发射极电流I E：发射结正偏（u BE >U ON），发射区参杂浓度高，所以大量自由电子扩散运动到达基区。
扩散运动形成了发射极电流I E。
其中空穴从基极往发射极移动，但是因为基极参杂浓度低，这个电流可以忽略。
基极电流I B：基区很薄，杂质浓度很低，集电极又加了反向电压，所以电子偏向于往集电极移动。
只有极少部分和空穴复合产生基极电流I B。
集电极电流I C：集电结反偏，反偏的作用就是吸引从发射区扩散到基极的电子（漂移运动），形成了集电极电流I CB = i Ci B , a = i Ci E=BB+11.3.3 晶体管的共射特性曲线输入特性曲线：U CE一定的情况下，i B和u BE直接的关系。
U CE=0是，和PN结的伏安特性类似。
U CE增大，伏安特性右移，即相同的U BE，i B减少，因为U CE变大，集电区收集电子能力加强，导致一部分电子越过基区到集电区，导致基区电流变小。
另外当U CE达到一定程度，收集电子能力饱和之后，U CE再增大就不会使特性曲线右移了。
（U CE得比U BE大吧，这样才能算是集电结反偏吧？）输出特性曲线：I B为常量时，i C和u CE之间的关系。
1.截止区：u BE<u on且u CE>u BE。
认为i C=0。
2.放大区：u BE>u on且u CE>u BE, u CE足够大，集电区收集电子能力饱和，i C只和i B有关，这个有个概念不能混淆，工作在放大区反而是集电区收集电子能力饱和，而工作在饱和区反而是集电区收集电子能力没饱和，要注意。
3.饱和区：u BE>u on且u CE<u BE：u CE还不够大，u CE的增大能使集电区收集电子能力变大，并是i C变大。
一般认为u CB=0V时，是管子的临界饱和和临界放大状态。
1.3.4 晶体管的主要参数共射直流电流放大系数B极间反向电流I CBO，I CEO选用管子时，应找极间反向电流尽量小的，这样温度稳定性好。
共射交流电流放大倍数B特征频率f T：使共射电流放大系数降为1的频率为特征频率，由于结电容的存在，如果信号频率高到一定的程度，集电极电流相比基极电流不但数值下降，还会产生相移。
1.4 场效应管1.4.1结型场效应管场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，仅依靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管。
输入回路内阻高达107~1012欧，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且省电。
分为结型和绝缘栅型两种。
两个高掺杂的N区，两个高掺杂的P区，两个P区连在一起。
PN结正电压是耗尽层变窄，而负电压使耗尽层变宽，负电压越大，越宽。
U GS是负的，负的越多，夹的越紧，到最后就截止了，没有截止的情况下，U ds会让电子从s往d跑，电流用d到s，沿着电流方向，电压是越来越小的，所以越靠近s端，电压越小，也就是说相对g端来说，反偏压差越来越小，所以沟道越来越宽，越到d端沟道越窄，也就是说，在电子运动的路上，路越来越窄U GS一定的情况下（没有截止）U DS越大，d端的沟道也会相应变窄，而电场变大，当U DS大到一定程度，I D就不会变化了，因为d端的沟道太窄，而电场在变大，两者抵消，I D就不变了。
输出特性：U GS为常量时，I D和U DS的关系。
可变电阻区：预夹断轨迹为U DS=U GS-U GS（off）（U GD=U GS(off)）,在预夹断轨迹左边为可变电阻区，U GD>U GS（off）,注意，此处U GS为负的。
U GD>U GS，表面负的少。
测试电流和U DS成线性关系。
恒流区：U DS>U GS-U GS(off)(U GD<U GS(off))，此时，I D基本受U GS控制，场效应管做放大器用时，应工作在恒流区。
夹断区：s端相比g端高太多（U GS<U GS(off)），导致夹断了沟道，i D为0，转移特性：U DS为常量时，漏极电流i D于U GS的关系。
iD=IDSS（1- -u GS）, (U GS(off)<u GS<0)U GS(off)1.4.2 绝缘栅型场效应管一共有4种：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管，P沟道增强型管，P沟道耗尽型管。
