第14讲单晶体多晶体的塑性变形、纯金属形变强化
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1. 弹性变形与塑性变形弹性变形金属如果受应力较低,金属内原子间的方位与距离只产生微小的变化,当外力去除后原子会自行返回原位,变形随即消失。
塑性变形:当金属所受应力达到和超过某临界值(屈服强度),除了产生弹性变形外,还会产生卸载后不可恢复的永久变形。
滑移在外力作用下,晶体中一部分晶体相对于另一部分晶体沿着一定晶面产生相对滑动。
金属最重要的塑性变形机制。
滑移孪生孪生在外力作用下,晶体中一部分晶体相对于另一部分晶体沿着一定晶面产生相对转动。
1)滑移在超过某临界值的切应力下发生。
2)滑移常常沿晶体中最密排面及最密排方向发生。
此时原子间距最大,结合力最弱。
晶面间距示意图有缘学习更多+谓ygd3076或关注桃报:奉献教育(店铺)滑移系: 滑移面(密排晶面)+滑移方向(密排晶向)较多的滑移系意味着有较好的塑性实际晶体的滑移机制: 依靠位错滑移。
如果晶体中存在位错,那么塑性变形 依靠位错的滑移进行,比依靠滑移面两侧晶体的整体滑动,阻力小得多。
塑性变形的位错滑移机制示意图3)滑移在晶体表面形成滑移线和滑移带滑移线和滑移带示意图滑移带金相照片有缘学习更多+谓ygd3076或关注桃报:奉献教育(店铺)2. 单晶体塑性变形:孪生机制孪生孪生面孪晶密排立方和体心立方的金属容易发生孪生变形;一般金属在低温和冲击载荷下容易发生孪生变形。
3. 多晶体的塑性变形•各晶粒在变形过程中相互约束;•大量晶界的存在对位错运动形成障碍。
3. 多晶体的塑性变形:晶粒取向对塑性变形的影响•软取向晶粒在一定的外加应力下能够滑移变形的晶粒;•硬取向晶粒在一定的外加应力下不能滑移变形的晶粒多晶体的塑性变形存在很大的微观不均匀性,并且变形抗力明显高于单晶体。
有缘学习更多+谓ygd3076或关注桃报:奉献教育(店铺)3. 多晶体的塑性变形:晶界对塑性变形的影响细晶强化(晶界强化)晶界阻碍位错的通过,产生强化效果。
晶界越多,即晶粒越细小,不仅材料强度越高,而且由于增加晶粒数量,使得软取向晶粒更多,分布更均匀,改善微观变形的不均匀性,从而改善材料的塑性。
单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形滑移:即在切应力作用下晶体的一部分相对于另一部分沿着特定晶面(滑移面)上的特定方向(滑移方向)发生平移。
滑移不改变晶体各部分的相对取向,即不在晶体内部引起位相差。
滑移带:在金相显微镜下可以观察到,在抛光的表面上出现许多相互平行的线条,这些线条称为滑移带。
用电子显微镜观察观察,发现每条滑移带是由一组相互平行的小台阶所组成,这些小台阶称为滑移线。
滑移带就是相互平行的一组小台阶组成的大台阶。
滑移系:滑移面和位于滑移面上滑移方向的组合称为一组滑移系,表示为(hkl)[uvw]。
滑移系的个数等于滑移面个数×每个滑移面所具有的滑移方向的个数。
一般滑移系越多,塑性越好。
塑性还与滑移面密排程度、滑移方向个数和同时开动滑移系数目有关。
比如虽然面心和体心立方晶体都是有12个滑移系组成的,但面心立方的滑移面4个,滑移方向3个,而体心立方的滑移面有6个,滑移方向只有两个,面心立方的滑移方向多,因此塑性比体心立方要好些。
分切应力:m cos cos cos cos 0σφλσφλ===ΓA F 晶体中的某个滑移系能否发生滑移,取决于力在滑移面内沿沿滑移方向上的分切应力大小。
临界分切应力: 当外力 F增加,使拉伸应力 F/A0达到屈服极限 σs时,这一滑移系中的分切应力达到临界值 τc,晶 体就在该滑移系上开始滑移,此时的分切应力称为临界分切应力,即刚好使滑移系开动的分切应力。
软取向:m值大,σs最小,容易滑移硬取向:m值小,σs =∞,难以滑移,很吃力滑移面和滑移方向的转动在外力作用下,晶体的滑移面和滑移方向可能会发生转动.拉伸时,φ角增大,λ角减小;压缩时,φ角减小,λ角增大。
会导致从软取向变成硬取向。
单滑移变成多滑移。
多滑移:如果两个或多个滑移系同时处于最有利位置(m值大),这些滑移系中的分切应力可能同时达到引起滑移的临界值,于是滑移过程将在两个或多个滑移系中同时进行或交替地进行。
第十四讲单晶体多晶体的塑性变形、纯金属形变强化
1.施密特定律
考点再现:这一部分其实不用多说了,几乎是每一年都会考一道施密特定律的题,今年再考这个题的概率在9成以上。
考试要求:首先要记住公式,知道两个角是那两个,不要弄混,另外就是对施密特定律的求解问题的一些细节处理,要完整,能够得到全部的分数才可。
知识点
施密特定律★★★★★
上式就是施密特定律。
当在滑移面的滑移方向上,分切应力达到某一临界值τc时,晶体就开始屈服,σ=σs。
cosυcosλ称为取向因子或者施密特因子。
cosυcosλ值大者,称为软取向,材料屈服点较低,反之,cosυcosλ值小者,称为硬取向,材料的屈服点较高。
当滑移面垂直于拉力轴或者平行于拉力轴时,滑移面上的分切应力等于0,不能滑移。
注意点:两个角的求取,υ为滑移方向外力的夹角,λ是滑移面法向与外力的夹角。
这道题的关键就是
找对角,计算的部分应该没有难度的。
2.单滑移、多滑移与交滑移
考点再现:10年考到了交滑移,在08年之前也涉及到了单滑移和多滑移,所以这一部分还是很有可能在今年的考试中出一道名词解释的。
考试要求:这部分要求不高,主要就是定义的理解和记忆。
知识点
单滑移:当只有一个滑移系统上的分切应力最大并达到了临界分切应力,这是发生单滑移。
★★★
多滑移:当拉力轴在晶体的特定取向上,可能会使几个滑移系上的分切应力相等,在同时达到临界分切应力是,就会发生多滑移。
★★★
交滑移:螺型位错在两个相交的滑移面上运动,当螺型位错在一个滑移面上运动遇有障碍,会转到另一滑移面上继续滑移,滑移方向不变。
★★★
交滑移特征:材料塑性好;纯螺型位错。
★★
3.多晶体的塑性变形
考点再现:08年考到了多晶体的塑性变形特点,是填空题,对于多晶体塑性变形的传递历来被认为是一个非常好的考点,但是到现在为止还没有考过,越是这样的点,我们越要注意,今年考的可能性不小。
霍尔-佩奇关系在09年就考过,这是一个非常容易出现的考点,在近几年的考试中出场率也非常的高。
考试要求:这里尤其要重视霍尔-佩奇关系的应用,老师很有可能给大家一个例子让我们解释,霍尔-佩奇关系是能够解决很多问题的一个理论。
知识点
多晶体的塑性变形特点:★★★
变形的传递,
变形的协调。
多晶体塑性变形的传递★★★
一个晶粒的位错在某一滑移系上运动后,位错遇到晶界是变塞积起来,位错的塞积产生大量应力集中,当应力集中能使相邻晶粒的位错源启动时,原来取向不利的晶粒也能开始变形,相邻晶粒的变形也使位错塞积产生的应力集中得以松弛,这就是滑移的传播过程。
简单的提炼一下就是:位错移动→晶界塞积→应力集中→位错源启动→晶粒变形→应力松弛→滑移传递
多晶体的施密特定律★★★
面心立方金属Ω等于1/3,体心立方金属Ω=1/2,密排六方金属Ω=1/6。
霍尔-佩奇关系★★★★★★
σys=σ0+k y d-1/2
屈服强度与晶粒尺寸的关系,也使细化晶粒的作用和原理。
4.纯金属的变形强化
考点再现:这一部分比较难以理解,在考试中出现的比较少,我们也一样不需要将这一部分作为很重点的内容来记忆,基本不会出现。
考试要求:对于弗兰克-瑞德源稍做一些理解记忆即可。
知识点
位错交割得到的结论★★
1)任意两种类型位错相互交割时,只要是形成割阶,必为刃型割阶,割阶的大小与方向取决于穿过位错的柏氏矢量
2)螺型位错上的割阶比刃型位错上的割阶运动阻力大
为什么金属在变形之后位错会大量增殖?
弗兰克-瑞德源★★
外加切应力的大小与位错的曲率半径呈反比,R越小,所需切应力τ越大。
临界切应力
双交滑移机制大家知道是什么意思就可以了。
★★
同学们,以上就是第十四讲的主要内容,最重要的考点是施密特定律与霍尔-佩奇关系,其他考点还有多晶体塑性变形的特点等,单滑移,多滑移和交滑移的定义也是重要内容,好了这一讲就到这里。
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