电容CHIP识别教育资料
- 格式:pptx
- 大小:2.13 MB
- 文档页数:9
SMT操作员培训手册SMT基础知识目录一、 SMT简介二、 SMT工艺介绍三、元器件知识四、 SMT辅助材料五、 SMT质量标准六、安全及防静电常识第一章SMT简介SMT 是Surce mounting technology的简写,意为表面贴装技术。
亦即是无需对PCB钻插装孔而直接将元器件贴装焊接到PCB表面规定位置上的焊接技术。
SMT的特点从上面的定义上,我们知道SMT是从传统的穿孔插装技术(THT)发展起来的,但又区别于传统的THT。
那么,SMT与THT比较它有什么优点呢?下面就是其最为突出的优点:1.组装密度高、电子产品体积小、重量轻,贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右,一般采用SMT之后,电子产品体积缩小40%~60%,重量减轻60%~80%。
2.可靠性高、抗振能力强。
焊点缺陷率低。
3.高频特性好。
减少了电磁和射频干扰。
4.易于实现自动化,提高生产效率。
5.降低成本达30%~50%。
节省材料、能源、设备、人力、时间等。
采用表面贴装技术(SMT)是电子产品业的趋势我们知道了SMT的优点,就要利用这些优点来为我们服务,而且随着电子产品的微型化使得THT无法适应产品的工艺要求。
因此,SMT是电子焊接技术的发展趋势。
其表现在:1.电子产品追求小型化,使得以前使用的穿孔插件元件已无法适应其要求。
2.电子产品功能更完整,所采用的集成电路(IC)因功能强大而引脚众多,已无法做成传统的穿孔元件,特别是大规模、高集成IC,不得不采用表面贴片元件的封装。
3.产品批量化,生产自动化,厂方要以低成本高产量,出产优质产品以迎合顾客需求及加强市场竞争力。
4.电子元件的发展,集成电路(IC)的开发,半导体材料的多元应用。
5.电子产品的高性能及更高焊接精度要求。
6.电子科技革命势在必行,追逐国际潮流。
SMT有关的技术组成SMT从70年代发展起来,到90年代广泛应用的电子焊接技术。
由于其涉及多学科领域,使其在发展初期较为缓慢,随着各学科领域的协调发展,SMT在90年代得到迅速发展和普及,预计在21世纪SMT将成为电子焊接技术的主流。
电容器的识别与检测讲述电的识别与检测介绍本文档旨在讲述电的识别与检测方法。
电作为一种常见的电子元件,在电路中起到储存能量、滤波和耦合等重要作用。
因此,正确识别和检测电的状态对于电路的正常运行至关重要。
电的识别方法1. 标识代码大多数电都会在外壳上印有标识代码,以帮助识别其参数和特性。
常见的标识代码包括电容值、电压额定值、容差、温度系数等信息。
通过仔细观察和对照相关资料,可以快速识别电的基本参数。
2. 外观和尺寸不同类型的电在外观和尺寸上也有所不同。
例如,固态电解电通常较大,而电介质电则较小。
通过观察电的外壳形状、颜色和尺寸等特征,也可以初步判断其类型和容量范围。
3. 测量电容值使用万用表或电容计等仪器可以准确测量电的电容值。
将仪器的测量引线连接到电的两个引脚上,根据仪器的操作说明进行测量。
通过测量结果可以确定电的实际电容值,与标识代码进行对比,检查是否存在损耗或故障。
电的检测方法1. 可视检查定期进行可视检查是发现电损坏和老化的重要方法之一。
观察电的外观,如果发现外壳变形、破裂、渗漏或焦糊等异常情况,应立即更换电。
2. 电的充电和放电通过对电进行充电和放电测试,可以评估电的电性能。
将电连接到适当的电源电路,记录充电和放电过程中的电流和电压变化情况。
对比理论模型,评估电的响应速度、电荷保持能力和泄漏情况。
3. 高频测试对于特定应用场景中使用的电,如射频电路中的电,可以通过高频测试来评估其性能。
高频测试要求使用特定的测试设备和频率,检测电在高频下的阻抗、容差和稳定性等特性。
结论准确识别和检测电容器的状态对于电路的正常运行至关重要。
通过标识代码、外观观察和测量电容值等方法可以识别电容器的基本参数。
而通过可视检查、充放电测试和高频测试等方法可以评估电容器的状态和性能。
在实际应用中,根据电路需求选择适当的识别和检测方法,以确保电容器的有效运行。
CHIP電阻和電容講義整理: 劉欣電阻:SIZE: Delta用到有<1>1206 1/4W 將會隨adaptor的小型化而消失,但高壓電阻需1206這樣大SIZE<2>0808 1/10W 較常用,以後會發1/4W<3>0603 1/16W 現在較少用,因其SIZE小,故在layout時0603的resistor下無trace將會發展為1/8W 還有0402之SIZE,以Delta生產adaptor的儀器設備及需要,暫時不會用到它.消耗resistor上之power=I²R,設計時一般在電阻上的Power要小於1/2定power,因chip電阻散熱較慢.溫度特性:一般的chip電阻有如下之溫度特性:ResistorTemperature 基本成反比例電壓:對一般chip電阻來說加在其兩端的電壓不會很大,因阻值不是很大時power=V²/R,電壓太高電阻不能承受,而對高壓電阻來說高壓下其特性是否穩定就很重要了.在測IR時ADP-60DB F為例,QA曾作實驗,在高壓下分別測Philips及KMAYA之高壓電阻,發現高壓時Philips之resistor阻值明顯降低,而KAMAYA之Resistor無明變化,甚至還有上升之趨勢.電容:相對chip電阻,chip電容明顯的一個特徵即無marking.SIZE: 因其容值及耐壓的需要,chip電容的size從3640~0402都有.Delta adaptor用到的一般為1206,0805,0603.Type: COG X5R X7R Z5U Y5VPF=Q值Y5V>Z5U>XYR>X5R>COG/NPO誤差: COG±2.5% X7R X5R ±7.5% Z5U Y5V±20%耐溫: COG -55℃+105℃X5R -55℃+85℃X7R -55℃+125℃Z5U +10℃+85℃Y5V -30℃+85℃因chip電阻散熱慢,因此X5R Z5U Y5V adaptor基本不用,而COG與X7R 235℃~300℃可耐10S,可過錫爐.溫度特性COG 0±30PPM/℃X7R 0±50PPM/℃體積:當容值在1uf以上時,X7R比COG厚,因Prop test薄的較容易破,所以COG較少用. 使用:容值在0.1uf以下,一般耐壓為50V/63V,而二次側Schottky Diode上snubber線路上電容一般j為200V.Chip電容相對電解電容高頻時特性較好.對二次側output filter capacitor Frequency rating:100 KHZ而對於Bulk-cap,則Frequency rating:100HZ/20HZChip電阻和電容的台達P/N電阻03 X X XXX X XXA B C D EA: 0:1/8W 1:1/4W 2:1/2W 3:1W 4:1/10WB: 1:±1% 2: ±2% 3: ±5%C: 阻值D: 0:1206 1:0805 2:1406 3:0603E: vendor電容15 X X X X X X X XA B C D E FA: 耐壓2: 50V 3:100V 4:200VB: 誤差1: ±1% 2: ±5%C: TypeD: 容值E: SIZE 1: 0805 2: 1206F: Vendor。
SMT chip元器件知识一、電阻的單位及換算1、電阻的單位﹕我們常用的電阻單位為千歐(KΩ),兆歐(MΩ)﹐電阻最基本的單位為歐姆(Ω).2、電阻的換算﹕1MΩ= 103KΩ= 106Ω1Ω= 10-3 KΩ=10-6 MΩ.3、字母表示﹕R4、换算:33×104Ω=330 KΩ27×105Ω=2.7 MΩ二、電容的單位及換算公式﹕1、電容的單位﹕基本單位為法拉(F)。
常用的有微法(UF)、皮法(PF)。
2、換算公式﹕1UF=103NF=106PF。
3、電容字母表示﹕C三、電感﹕1、用字母L表示2、電感的單位﹕最基本的單位為亨利(H)﹐常用的有毫亨(MH)﹐微亨(UH)3、換算公式為﹕1H=103MH=106UH4、電感數值的認法與電阻類似﹐但後面的單位為UH。
1.元器件字母标识所对应误差列表(2)电容SMT的生產要求﹕1車間的溫度要求在25±3℃之間﹔濕度要求為40%~70%之間。
2生產所要使用的錫膏和紅膠必須保存在冰箱中﹐冰箱的溫度要求在0℃~10℃之間。
3紅膠和錫膏在使用前必須經過4小時的回溫﹐以使紅膠、錫膏回溫到室溫狀態。
4錫膏在使用時也必須經攪拌﹐攪拌的時間要在5分鐘左右﹔已開封的錫膏必須在24小時內用完﹐否則做報廢處理。
三﹑常用電子元件的規格﹕元件有各種不同的料號和品名﹐原則上是一種元件只有一個料號﹐同一元件(品名和形狀)不能存在2個以上不同料號﹐不同的2個以上元件﹐不能有同一個元件料號。
CHIP元件的規格﹕名稱(英制) 名稱(公制) L W0402 1005 1.0mm ×0.5mm0603 1608 1.6mm ×0.8mm0805 2125 2.0mm ×1.25mm1206 3216 3.2mm ×1.6mm1210 3225 3.2mm ×2.5mm1. SMT的全称是Surface mount(或mounting)technology,中文意思为表面粘着(或贴装)技术.2 ESD的全称是Electro-static discharge,中文意思为静电放电3 锡膏的取用原则是先进先出;4. 锡膏在开封使用时,须经过两个重要的过程:回温﹑搅拌。