第一章1、下面那个不是本征半导体的性质________。
A、光敏性B、单向导电性C、热敏性D、掺杂性2、在半导体中掺入三价元素后得半导体为（）A、本征半导体B、P型半导体C、 N型半导体D、半导体3、在P型半导体中，多数载流子为________，N型半导体的多数载流子为________。
A、空穴空穴B、自由电子自由电子C、空穴自由电子D、自由电子空穴4、平衡PN结（未加外部电压时）的扩散电流________漂移电流。
A、大于B、等于C、小于5、在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
A、大于B、小于C、等于D、不等于6、二极管的反向最高工作电压为100V，它的击穿电压是________。
A、50VB、100VC、200V7、半导体二极管的最主要特性是________。
A、单向导电性B、温度特性C、击穿特性D、导通后管压降不变特性8、两个稳压值不同的稳压二极管采用不同的方式串联使用，可以组成的稳压值有________。
A、两种B、三种C、四种D、五种9、温度升高时，下面关于三极管的参数变化描述错误的是________。
A、β增大B、I CBO增大C、UBE增大D、I C增大10、稳压二极管稳压时，其工作在________。
A、反向击穿区B、正向导通区C、反向截止区D、正向截止区11、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。
A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将________。
A、减小B、增大C、不变D、不能确定13、杂质半导体中，少子的浓度取决于________。
A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷14、PN结加正向电压时，空间电荷区将________。
A、变窄B、变宽C、基本不变15、图示电路中，D 为理想二极管，则 A、B 两端电压U AB为_________A. -12VB. -6VC. 12VD.6V16、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=________。
A、5mAB、0mAC、10mAD、不能确定17、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为________。
A、10VB、6VC、16VD、-6V18、有关二极管的伏安特性，下列说法错误的是：A、二极管施加大于死区电压的正向电压时导通；B、二极管施加反向电压时截止；C、二极管反向电压增加到一定值时反向击穿；D、二极管反向击穿时，通过的电流大小为0A。
19、关于本征半导体说法错误的是________。
A、热激发产生空穴B、热激发产生自由电子，导致半导体带负电C、自由电子、空穴数目相等D、电子空穴对越多，复合的概率也越大20、N型半导体温度升高以后________。
A、自由电子增多，空穴数不变B、自由电子和空穴数目都增多，但数目不同C、自由电子和空穴数目都增多，且数目相同D、自由电子和空穴数目都不变21、PN结的形成是由于________。
A、多子扩散作用B、少子漂移作用C、多子扩散与少子漂移共同作用D、天然形成22、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是________。
A、外电场加强内电场，耗尽层变宽B、外电场加强内电场，耗尽层变窄C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽23、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是________。
A、D1、D2均截止B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止D、D2导通、D1截止24、硅二极管的死区电压为________V，导通压降为________V。
A、 0.3 ， 0.5B、 0.5， 0.7C、 0.3 ， 0.7D、 0.7 ， 0.525、无外加电场稳定PN结中的内电场方向________。
A、P区指向N区B、N区指向P区C、不确定D、与外电场方向相关26、温度升高二极管的导通压降将________，反向电流将________。
A、减小，增大B、增大，减小C、都增大D、都减小27、关于稳压二极管，下列说法错误的是________。
A、稳压二极管的正向特性与普通二极管相同B、稳定电压U Z为反向击穿电压C、稳定电流只需规定最大值D、动态电阻越小，稳压性能越好28、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U i 值是20V，则输出电压 U o为________。
A、9VB、7VC、0VD、8V29、太阳能电池利用的是半导体材料的（）。
A、热敏性B、光敏性C、掺杂性30、由硅二级管组成的电路如图所示，电阻上的电流大小为（）。
A.0B.2mAC.1.77mAD.以上都不对31、某整流电路中需要通过10A的电流，应选用________类型的二极管。
A、点接触B、面接触C、稳压D、以上都可以第二章1、I B、I C、I E分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是________。
A、I B=I C+I EB、I C=I B+I EC、IE=IB+ICD、无法确定2.电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如下图所示，则该晶体管工作在________。
A、饱和状态B、放大状态C、截止状态D、倒置状态3．共射极放大电路的输出信号加在( )之间。
A．基极和集电极 B．射极 C．基极和射极D．射极和集电极4、关于放大电路交流通路的画法，下列说法正确的是________。
A、电容视为短路，电源视为开路B、电容视为短路，电源视为短路C、电容视为开路，电源视为开路D、电容视为开路，电源视为短路5、在共集电极放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出信号与输入信号的相位________。
A、同相B、相差90度C、反相D、相差270度6、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望______。
A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好；B、输入电阻R i越小越好，输出电阻R o越小越好；C、输入电阻R i越大越好，输出电阻R o越大越好；D、输入电阻R i越小越好，输出电阻R o越大越好；7、测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如图所示，该三极管为________。
A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管8．关于共射放大电路中电路参数对静态工作点的影响，下面描述正确的是（）。
A、增大RB，Q点下移B、减小R B，Q点下移C、增大Rc，Q点下移C、上述描述都错误。
9.工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，其β值约为( )。
A.50B.100C.500D.100010、截止失真是由于静态工作点设置过________而产生的；饱和失真是由于静态工作点设置过________而产生的。
A、高高B、低高C、高低D、低低11. 一个三极管工作在交流信号放大状态，应使其发射结处在 偏置状态下，集电结处于 偏置状态下。
A. 正向 正向B. 正向 反向C. 反向 反向D. 反向 反向如图所示晶体管放大电路，设 β=100 ，R B =300KΩ，R C =2KΩ，R L =2KΩ，V CC =12V ，BE U 忽略不计，完成选择答案。
12、静态工作点I BQ ＝________。
A 、20μAB 、40μA C、60μA D、80μA13、静态工作点I CQ ＝________。
A 、6mAB 、8mAC 、2mAD 、4mA14、静态工作点U CEQ ＝________。
A 、0VB 、2VC 、4VD 、8V15、三极管动态输入电阻r be 约为________。
A 、730Ω B、625Ω C、1.6KΩ D 、950Ω16、该电路的电压放大倍数A u ＝________。
A 、-160B 、-62.5C 、-105D 、-13717、输入电阻R i ≈________。
A 、950ΩB 、730Ω C、300 KΩ D、1.6 KΩ18、输出电阻R o ＝________。
A 、950ΩB 、2KΩC 、1KΩ D、300 KΩ19、若在输出特性曲线上做出直流负载线，则其斜率是________。
A 、C R 1B 、LC R R //1 C 、C R 1-D 、LC R R //1- 20、若输出电压波形如下图， 基极偏置电阻R b ，可以消除失真。
A 、增大B 、减小C 、无法确定21、该放大电路属于________。
A 、共发射极放大电路B 、共集电极放大电路C 、共基极放大电路D 、分压式偏置放大电路22、NPN 型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为U E ________U B ________ U C 。
A、> >B、< <C、= <D、< >23、放大电路的输出电阻Ro越小，当负载变动时，放大电路的输出电压变动。
A、越小B、越大C、不变24、下述电路能够稳定静态工作点的是。
A、分压式偏置电路B、集电极-基极偏置电路C、温度补偿电路D、以上都可以25、以下关于射极输出器的特点描述错误的是。
A、具有电压放大作用B、具有电流放大作用C、输入电阻高D、输出电阻低26、当温度升高时，晶体管输出特性曲线________，线与线之间间隔________。
A、上移变大B、下移变大C、上移变小D、下移变小27、关于射极输出器的正确叙述是________。
A、电压放大倍数略小于1，电压跟随性好B、输入电阻低，输出电阻高C、具有一定的电流放大能力，但没有功率放大能力D、它是共发射级放大电路28、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过低，会产生________，可以通过________基极电阻R B改善静态工作点。
A、饱和失真增大B、饱和失真减小C、截止失真增大D、截止失真减小29、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位________ 。
A、同相B、相差90度C、相差180度D、相差270度30、如下图所示基本共射电路，当β=50时，I B=20μA, I C=1mA, 若只更换β=100的晶体管，而其他参数不变时，则I B和I C分别是________。
A、10μA, 1mAB、20μA, 2mAC、30μA, 3mAD、40μA, 4mA31、电压放大电路的作用是________。
A、放大微弱的电压信号B、放大微弱的电流信号C、在允许的失真范围内，使负载得到尽可能大的输出功率。
32、放大电路主要有哪些元器件组成？A、电阻和晶体管B、电阻、电容和晶体管C、电阻、电容、电源和晶体管33、根据放大电路的连接方式，半导体三极管放大电路的组态有________。
A、共发射极放大电路和共基极放大电路B、共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路C、共基极放大电路和共集电极放大电路D、共发射极放大电路和共集电极放大电路34、在三种组态的放大电路中既能够放大电流，又能够放大电压的是________。
