半导体中的电子能量状态
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半导体物理思考题第一章半导体中的电子状态1、为什么内壳层电子能带窄,外层电子能带宽?答:内层电子处于低能态,外层电子处于高能态,所以外层电子的共有化运动能力强,因此能带宽。
(原子的内层电子受到原子核的束缚较大,与外层电子相比,它们的势垒强度较大。
)2、为什么点阵间隔越小,能带越宽?答:点阵间隔越小,电子共有化运动能力越强,能带也就越宽。
3、简述半导体的导电机构答:导带中的电子和价带中的空穴都参与导电。
4、什么是本征半导体、n型半导体、p型半导体?答:纯净晶体结构的半导体称为本征半导体;自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体;空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。
5、什么是空穴?电子和空穴的异同之处是什么?答:(1)在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后,价键中所留下的空位叫空穴。
(2)相同点:在真实空间的位置不确定;运动速度一样;数量一致(成对出现)。
不同点:有效质量互为相反数;能量符号相反;电子带负电,空穴带正电。
6、为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作?答:直接带隙半导体中载流子的寿命很短,同时,电子和空穴只要一相遇就会发生复合,这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出,因此发光效率高。
7、半导体的五大基本特性答:(1)负电阻温度效应:温度升高,电阻减小。
(2)光电导效应:由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。
(3)整流效应:加正向电压时,导通;加反向电压时,不导通。
(4)光生伏特效应:半导体和金属接触时,在光照射下产生电动势。
(5)霍尔效应:通有电流的导体在磁场中受力的作用,在垂直于电流和磁场的方向产生电动势的现象。
第二章半导体中杂质和缺陷能级1、简述实际半导体中杂质与缺陷来源。
答:①原材料纯度不够;②制造过程中引入;③人为控制掺杂。
2、什么是点缺陷、线缺陷、面缺陷?答:(1)点缺陷:三维尺寸都很小,不超过几个原子直径的缺陷;(2)线缺陷:三维空间中在二维方向上尺寸较小,在另一维方向上尺寸较大的缺陷;(3)面缺陷:二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。
半导体物理绪 论 一、什么是半导体导体半导体 绝缘体 电导率ρ <310- 9310~10- 910> cm ∙Ω此外,半导体还有以下重要特性1、 温度可以显著改变半导体导电能力例如:纯硅(Si ) 若温度从 30C 变为C 20时,ρ增大一倍2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如:若有100万硅掺入1个杂质(P . Be )此时纯度99.9999% ,室温(C27 300K )时,电阻率由214000Ω降至0.2Ω3、 光照可以明显改变半导体的导电能力例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉(CdS )薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧姆,光照时电阻约为几十千欧姆。
另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。
综上:● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电,微量杂质等作用而改变其性质的材料。
二、课程内容本课程主要解决外界光、热、磁、电,微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。
预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构晶体:常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体固体非晶体:非晶硅(太阳能电池主要材料)晶体的基本性质:固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子(离子)在较大范围里(610-m )按一定方式规则排列——称为长程有序。
单晶:主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。
多晶:由子晶粒杂乱无章的排列而成。
非晶体:没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序,仅在较小范围(几个原子距)存在结构有序——短程有序。
§1 化学键和晶体结构1、 原子的负电性化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。
电离能:失去一个价电子所需的能量。
亲和能:最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。
(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=(亲和能+电离能)18.0⨯ (Li 定义为1)● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。
● 价电子向负电性大的原子转移ⅠA 到ⅦA ,负电性增大,非金属性增强同族元素从上到下,负电性减弱,金属性增强2、 化学键的类型和晶体结构的规律性ⅰ)离子晶体:(NaCl)由正负离子静电引力形成的结合力叫离子键,由离子键结合成的晶体叫离子晶体(极性警惕)● 离子晶体的结构特点:任何一个离子的最近邻必是带相反电荷的离子。
第一章 半导体中的电子状态1.导体、半导体、绝缘体的划分:Ⅰ导体内部存在部分充满的能带,在电场作用下形成电流;Ⅱ绝缘体内部不存在部分充满的能带,在电场作用下无电流产生; Ⅲ半导体的价带是完全充满的,但与之上面靠近的能带间的能隙很小,电子易被激发到上面的能带,使这两个能带都变成部分充满,使固体导电。
2.电子的有效质量是*n m ,空穴的有效质量是*p m ;**np m m -=,电量等值反号,波矢k 与电子相同 能带底电子的有效质量是正值,能带顶电子的有效质量是负值。
能带底空穴的有效质量是负值,能带顶空穴的有效质量是正值。
3.半导体中电子所受的外力dtdkh f ⋅=的计算。
4.引进有效质量的意义:概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。
第二章 半导体中杂质和缺陷能级1.施主能级:被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D ;施主能级很接近于导带底;受主能级:被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A ;受主能级很接近于价带顶。
施主能级图 受主能级图2.浅能级杂质:杂质的电离能远小于本征半导体禁带宽度的杂质,电离后向相应的能带提供电子或空穴。
深能级杂质:能级位于禁带中央位置附近,距离相应允带差值较大。
深能级杂质起复合中心、陷阱作用;浅能级杂质起施主、受主作用。
3.杂质的补偿作用:半导体中同时含有施主和受主杂质,施主和受主先相互抵消,剩余的杂质发生电离。
在Ⅲ-Ⅴ族半导体中(Ga-As )掺入Ⅳ族杂质原子(Si ),Si 为两性杂质,既可作施主,亦可作受主。
设315100.1-⨯=cm N A ,316101.1-⨯=cm N D ;则316100.1-⨯=-=cm N N n A D 由p n n i ⋅=2,可得p 值;①p n ≈时,近似认为本征半导体,i F E E =;②p n μμ=时,本征电导p n σσ=; p n >>时,杂质能级靠近导带底;第三章 半导体中载流子的统计分布1.费米分布函数(简并半导体)⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=Tk E E E f F 0exp 11)((本征);⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=T k E E E f F 0exp 2111)((杂质);玻尔兹曼分布函数(非简并半导体) ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-=T k E A E f B0exp )(;2.费米能级:TF N F E ⎪⎭⎫⎝⎛∂∂==μ;系统处于热平衡状态,也不对外界做功的情况下,系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势,也就是等于系统的费米能级。
第二章半导体物理基础一般而言,制作太阳能电池的最基本材料是半导体材料,因而本章将介绍一些半导体物理的基本知识,包括半导体中的电子状态和能带、本征与掺杂半导体、pn结以及半导体的光学性质等内容。
一、半导体中的电子状态和能带1、原子的能级和晶体的能带(m)一般的晶体结合,可以概括为离子性结合,共价结合,金属性结合和分子结合(范得瓦尔斯结合)四种不同的基本形式。
晶体的结合形式半导体材料主要靠的是共价键结合。
饱和性:一个原子只能形成一定数目的共价键;方向性:原子只能在特定方向上形成共价键;共价键的特点:电子的共有化运动当原子相互接近形成晶体时,不同原子的内外各电子壳层之间就有一定程度的交叠,相邻原子最外层交叠最多,内壳层交叠较少。
原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而,电子可以在整个晶体中运动,这种运动称为电子的共有化运动。
电子只能在相似壳层间转移;最外层电子的共有化运动最显著;当两个原子相距很远时,如同两个孤立的原子,每个能级是二度简并的。
当两个原子互相靠近时,每个原子中的电子除了受到本身原子势场的作用,还要受到另一个原子势场的作用,其结果是每一个二度简并的能级都分裂为二个彼此相距很近的能级,两个原子靠得越近,分裂得越厉害。
当N个原子互相靠近形成晶体后,每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级,这N 个能级组成一个能带,这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中作共有化运动。
分裂的每一个能带都称为允带,允带之间因没有能级称为禁带。
所有固体中均含有大量的电子,但其导电性却相差很大。
量子力学与固体能带论的发展,使人们认识到固体导电性可根据电子填充能带的情况来说明。
2、金属、绝缘体与半导体固体能够导电,是固体中电子在外电场作用下作定向运动的结果。
由于电场力对电子的加速作用,使电子的运动速度和能量都发生了变化。
也就是说,电子与外电场间发生了能量交换。
半导体物理半导体中的电子状态半导体物理:半导体中的电子状态半导体是一种在电性能上介于导体和绝缘体之间的材料。
半导体中的电子状态对于半导体器件的特性和性能起着至关重要的作用。
本文将探讨半导体中的电子状态,并介绍与之相关的几个重要概念。
1. 能带结构半导体中的电子状态与能带结构密切相关。
能带是将材料中的电子能级按照能量高低进行分类的一种方式。
在半导体中,一般存在两个主要的能带,即价带和导带。
价带是电子处于较低能量状态的能带,而导带则是电子处于较高能量状态的能带。
能带之间的能隙决定了电子的跃迁行为。
2. 杂质能级半导体中的杂质能级是指由掺入杂质引起的局部能量水平。
掺杂是通过向半导体中引入少量的杂质元素改变其电子状态。
掺入五价元素(如磷)会产生施主能级,该能级位于导带上方,提供自由电子;而掺入三价元素(如硼)会产生受主能级,该能级位于价带下方,吸收自由电子。
杂质能级的引入对半导体器件的性能起着决定性作用。
3. 载流子在半导体中,载流子是负责电荷传输的粒子。
主要有电子(负载流子)和空穴(正载流子)两种类型。
在纯净的半导体中,电子和空穴的浓度相等,称为本征半导体。
通过掺杂,可以改变载流子的浓度,从而实现半导体的导电性的调控。
4. 载流子的浓度与掺杂浓度的关系半导体材料的光、热、电等特性与掺杂浓度有关。
掺杂浓度越高,材料的导电性能越好。
在一定范围内,载流子浓度与掺杂浓度成正比。
然而,过高的掺杂浓度可能导致材料中的杂质能级相互重叠,从而影响器件的性能。
5. 半导体的禁带宽度禁带宽度是指价带和导带之间的能量间隔,决定了半导体材料的电导率。
半导体的禁带宽度较小,比绝缘体的小,但比导体的大。
通过控制禁带宽度,可以实现对半导体的电学性质调控。
总结:本文讨论了半导体中的电子状态。
通过对能带结构、杂质能级、载流子浓度与掺杂浓度关系,以及禁带宽度等概念的介绍,我们可以更好地理解半导体器件的工作原理和性能特点。
半导体物理作为一门重要的学科领域,对于现代电子技术的发展和应用具有重要意义。
简述半导体的热平衡状态半导体的热平衡状态是指在热力学平衡状态下,半导体材料的电子、空穴等载流子浓度和分布情况。
在热平衡状态下,半导体中的载流子浓度和分布情况是稳定的,不会随时间变化。
一、载流子分布在热平衡状态下,半导体中的载流子(电子和空穴)浓度是稳定的,即载流子分布不随时间变化。
载流子浓度的大小取决于材料的掺杂浓度和温度。
在一定温度下,掺杂浓度越高,载流子浓度越大;温度升高时,载流子浓度会略有增加。
二、能带结构半导体的能带结构是指电子在半导体中的能量分布情况。
在热平衡状态下,能带结构也是稳定的,即电子的能量分布不随时间变化。
能带结构包括导带、价带和禁带。
导带是电子的能量较高的状态,价带是电子能量较低的状态,禁带是导带和价带之间的能量范围,其中没有电子态。
三、载流子迁移率在热平衡状态下,载流子的迁移率也是稳定的,即载流子在电场作用下的运动速度不随时间变化。
载流子迁移率的大小取决于材料的掺杂浓度、温度和电场强度。
在一定温度下,掺杂浓度越高、电场强度越大,载流子迁移率越大;温度升高时,载流子迁移率会略有增加。
四、载流子寿命在热平衡状态下,载流子的寿命也是稳定的,即载流子在半导体中的存在时间不随时间变化。
载流子的寿命取决于材料中的缺陷、杂质和环境因素等。
在一定条件下,缺陷和杂质越少,环境因素越稳定,载流子的寿命越长。
综上所述,半导体的热平衡状态是指在热力学平衡状态下,半导体材料的电子、空穴等载流子浓度和分布情况稳定的状态。
在热平衡状态下,半导体的能带结构、载流子迁移率和载流子寿命等参数也是稳定的。
这些参数的稳定性对于半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。