常用可控硅型号及参数图

jt41hz可控硅参数一、引言j t41hz可控硅是一种常见的电子元件，广泛应用于电力控制和变频调速等领域。

了解j t41h z可控硅的参数对于正确使用和应用该元件至关重要。

本文将介绍j t41h z可控硅的常见参数及其含义，帮助读者更好地理解和应用可控硅。

二、可控硅的基本概述可控硅是一种具有控制性能的半导体器件，由于其具备手动和自动控制电流的能力，被广泛用于电力电子领域。

它常见的型号之一是j t41h z 可控硅，下面将介绍该型号的重要参数。

三、参数1限流电流（I_T）限流电流是j t41h z可控硅能够承受的最大电流。

超过该电流值，可控硅会被损坏。

在使用j t41h z可控硅时，应确保电流不超过限流电流的数值。

四、参数2阻断电压（V_R R M）阻断电压是指jt41hz可控硅能够承受的最大反向电压。

超过该电压值，可控硅可能会发生击穿，导致元件失效。

在实际应用中，应选择低于阻断电压的工作电压，以确保可控硅的正常工作。

五、参数3关断时间（t_q）关断时间是j t41h z可控硅从导通到断开的时间。

关断时间的长短直接影响到可控硅的开关速度和响应时间。

在选型和应用可控硅时，需要根据具体的需求和应用场景选择适当的关断时间。

六、参数4触发电压（V_G M）触发电压是使jt41hz可控硅从关断状态转为导通状态所需的电压。

触发电压的高低与可控硅的灵敏度和响应速度有关。

应根据具体应用需求选择适当的触发电压值。

七、参数5瞬态响应时间（t_dv/dt）瞬态响应时间是j t41h z可控硅在接收到触发信号后从关断状态转为导通状态的时间。

该参数关系到可控硅对高频信号和瞬态电压的响应能力。

较短的瞬态响应时间可提高可控硅的稳定性和可靠性。

八、参数6散热器热阻（R_t h）散热器热阻是指j t41h z可控硅与散热器之间的热阻，用于评估可控硅在工作过程中的散热性能。

热阻的大小与可控硅的温度升高和散热器的散热能力密切相关。

在实际应用中，应合理选择散热器以确保可控硅的温度在安全范围内。

单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G ,使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4 伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V 单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V 的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1) 选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG 晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。

2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1. 5〜2倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

2.晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。

可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。

当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。

当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。

但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。

加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。

此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。

可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。

就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。

无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。

可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

曲线Ⅲ为反向阻断特性。

当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。

只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。

可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。

具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（ SCR）即单向可控硅、双向可控硅（ TRIAC)和其它特殊可控硅。

可控硅的主要参数非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极 --- 阴极间可以连续通过的50 赫兹正弦半波电流的平均值。

2 、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。

可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3 、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。

使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4 、控制极触发电流 Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--- 阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5 、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

可控硅的触发过零触发 - 一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

1单向可控硅 MCR00-8 (SOT23-3L)MCR100-8(SOT23-3L)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。

l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器- 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。

l 极限参数:l 电特性（T.=25℃）:名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >600 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >600 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 1.0 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=ASZJBL1。

单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。

2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。

100-6可控硅参数
请问您指的是什么样的可控硅参数？可控硅是指一种半导体器件，根据具体的用途，它可能有不同的参数，以下是一些常见的可控硅参数：
1. 电压容限（Voltage Rating）：可控硅能够承受的最大电压，通常以伏特（V）作为单位。

2. 电流容限（Current Rating）：可控硅能够承受的最大电流，通常以安培（A）作为单位。

3. 门极电流（Gate Current）：用于触发可控硅的门极电流，
通常以毫安（mA）作为单位。

4. 触发电流（Trigger Current）：当电流通过可控硅时，触发
可控硅进入导通状态所需的最小电流，通常以毫安（mA）作
为单位。

5. 温度容限（Temperature Rating）：可控硅能够正常工作的
温度范围，通常以摄氏度（℃）作为单位。

6. 直通电压降（Voltage Drop）：当可控硅处于导通状态时，
两端的电压降，通常以伏特（V）作为单位。

这些参数仅为常见的可控硅参数，具体的参数可能会根据不同的可控硅型号和应用需求而有所不同。

请在具体应用中查阅相
关可控硅型号的datasheet或咨询电子元件供应商以获取更准确的参数信息。

可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称,亦称为晶闸管;具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一;该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等;家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件;按其工作特性,可控硅THYRISTOR可分为普通可控硅SCR即单向可控硅、双向可控硅TRIAC和其它特殊可控硅;可控硅的主要参数非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值;2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压;可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值;3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压;使用时,不能超过手册给出的这个参数值;4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压;5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流;近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等;可控硅的触发过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅;非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;可控硅的主要参数可控硅的主要参数:1 额定通态电流IT即最大稳定工作电流,俗称电流;常用可控硅的IT一般为一安到几十安;2 反向重复峰值电压VRRM或断态重复峰值电压VDRM,俗称耐压;常用可控硅的VRRM/VDRM 一般为几百伏到一千伏;3 控制极触发电流IGT,俗称触发电流;常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;可控硅的常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等;改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数一、参数_额定通态平均电流ITAV在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯负载、元件导通角大于己于170°电角度时,所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值;二、管的参数_通态平均电压UTAV在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值;三、单向参数_控制极触发电压UGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压;四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流;五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压;其数值规定为断态下重复峰值电压M的80%;六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压;其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%;一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压;七、单向可控硅参数_维持电压IH在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA;如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止;参数符号说明:ITAV--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IFAV--正向平均电流单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-ITRMS:电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30μA IGT:30~60μA 元件品牌, 型号MCR100-6电流A电压400V触发电流10-30/30-60mA结温110℃.单向可控硅-SCRs器件型号: MCR100-8封装形式: TO-92 脚位排列: K-G-A主要参数电流-ITRMS:电压-VDRM: ≥600V触发电流:IGT: 5~15 uA IGT: 10~30 uA IGT: 30~60 uA元件.型号MCR100-8电流A电压600V触发电流10-60uA结温110℃。

可控硅替换对照表
可控硅替换对照表
可控硅是半导体器件的一种，可用于控制电流的方向和强度。

在现代电子技术中被广泛应用，但随着技术的发展，一些型号的可控硅被淘汰或不再被使用。

为了方便工程师和用户选择合适的可控硅模块，制作一份可控硅替换对照表。

一、选择可控硅的原则
1. 工作电压：根据具体的工作环境选择合适的电压等级。

2. 额定电流：根据具体应用要求选择合适的电路电流。

3. 反电压：可控硅通常需要防止反向电压的损害，因此需要选择适当的反电压值。

二、可控硅的型号及参数对照表
以下列举了一些常用的可控硅型号及参数：
型号工作电压（V）额定电流（A）反电压（V）替换型号
BT151 200 - 400 BT151X-xxxR
BT152 200 - 800 BT152X-xxxR
BT169 400 0.8 400 BT169X-xxxR
BTA24 600 25 600 BTA24X-xxxR
BTA41 400 40 600 BTA41X-xxxR
BTA42 600 40 600 BTA42X-xxxR
三、选择可控硅模块应注意的事项
1. 根据具体的应用环境选择合适的可控硅。

2. 需要注意可控硅的额定电流、工作电压、反电压等参数，以防止电
路损坏。

3. 在替换可控硅时，需要根据参数表进行选择，避免电路性能下降或
者烧毁元器件。

4. 在使用可控硅模块时，需要注意散热和安全问题。

结语
通过可控硅替换对照表，可以方便地选择合适的可控硅模块，提高工
作效率和元器件的可靠性。

在实际应用中，要注意选择合适的可控硅，避免电路损伤和安全隐患。

可控硅型号怎么看可控硅型号与参数表可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。

双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。

双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。

其通断状态由控制极G决定。

在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。

这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

下面小编给大家介绍一下“可控硅型号怎么看可控硅型号与参数表”一、可控硅型号怎么看按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。

普通可控硅的型号采用如下格式标注:（图片来源于互联网）额定速态平均屯成系列共分为14个。

正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。

取电压教除以100做为级别标志。

通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示。

例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。

综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成。

(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。

(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。

(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。

(5)应在额定参数范围内使用可控硅。

常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等。

∙型号VRRM（V）VDRM（V）IT（A）IGT（mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用：通用电机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。

可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。

正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0（A）◇电压= 1000（V）◇结温= 125（℃）◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。

dynex 可控硅型号参数1.可控硅型号：DF100AA160DF100AA160是一款额定电流为100A，额定电压为1600V的双向可控硅。

该可控硅采用喇叭形界面技术，具有优异的反向阻止电压和导通电压降。

主要技术参数额定电流：100A封装形式：TO-200AB触发电流范围：50mA-200mA反向阻止电压：1600V导通电压降：1.7V除了以上介绍的几款型号外，Dynex公司还有其他一系列可控硅产品，包括单向可控硅、晶闸管和二极管等各类产品，这些产品广泛应用于电力、通信、工业控制和军事等不同领域。

Dynex可控硅产品采用先进的工艺和设备，其中大部分产品采用高温钎焊（HTW）技术，保证了产品的稳定性和高可靠性；多种封装形式可供选择，包括TO-200AB、TO-208AC、TO-218AB和TO-247AC等多种常规封装以及B-8、DS-8等特殊封装形式。

在电力领域中，Dynex可控硅产品被广泛应用于交直流变流器、电动机驱动、直流斩波器、感应加热器等各类设备中，具有超强的承载能力和耐温性能，能够在恶劣的工作环境下持续运转。

在通信领域中，Dynex可控硅产品作为簇拥滤波器、频率锁定环、多晶硅太阳能电池、电子投影仪和电子储能等领域关键组件被广泛使用。

在军事领域中，Dynex可控硅产品作为弹道导弹的飞行控制和导引系统、雷达和通信设备等各类系统中的关键元件，发挥着重要作用。

Dynex可控硅产品已经成为电子领域不可或缺的重要组成部分。

该公司通过持续推进技术创新和完善制造流程，不断提升产品的性能和可靠性，为广大用户提供高品质、高性能的可控硅产品，并且在全球范围内拥有广泛的客户群体。

Dynex公司在可控硅产品方面还拥有多项专利技术，不断推出新产品，使得公司在该领域中持续保持了技术优势和市场竞争力。

Dynex公司注重产品品质和质量控制，采用严格的测试和检验流程，确保所有产品的性能和可靠性符合严格的国际标准。

目前，Dynex的可控硅产品已经通过了UL认证、CE认证、RoHS认证等多项国际认证，为用户提供了可靠的保障。

f25j251可控硅参数【原创实用版】目录1.可控硅的基本概念2.F25J251 可控硅的主要参数3.F25J251 可控硅的应用领域4.F25J251 可控硅的注意事项正文一、可控硅的基本概念可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。

它有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子，通过控制电流流动方向，实现对电压的控制。

可控硅在我国的电子设备中有着广泛的应用，如交直流转换、逆变器、调压器等。

二、F25J251 可控硅的主要参数F25J251 是可控硅的一种型号，它的主要参数如下：1.额定电压：表示可控硅能承受的最大电压值。

F25J251 的额定电压为 2500V。

2.额定电流：表示可控硅能承受的最大电流值。

F25J251 的额定电流为 25A。

3.控制极触发电流：表示控制极所需的最小触发电流。

F25J251 的控制极触发电流为 10μA。

4.动态响应时间：表示可控硅从关到开或从开到关所需的时间。

F25J251 的动态响应时间为 2μs。

5.静态电压：表示可控硅在关态时的电压。

F25J251 的静态电压为 1V。

三、F25J251 可控硅的应用领域F25J251 可控硅广泛应用于以下领域：1.工业控制：用于交直流电机控制、变频器、软启动器等。

2.电源设备：用于稳压器、逆变器、UPS 电源等。

3.通信设备：用于高频开关电源、发射机等。

4.家用电器：用于洗衣机、空调、电视机等家电产品的电源控制。

四、F25J251 可控硅的注意事项在使用 F25J251 可控硅时，需要注意以下几点：1.选择合适的可控硅型号，以满足电路的电压、电流要求。

2.可控硅的安装要牢固，连接线应具有良好的绝缘性能。

3.在使用过程中，要注意对可控硅的温度控制，避免过热损坏。

4.控制极触发电流应控制在合适范围内，避免过大或过小导致可控硅损坏。