可控硅型号参数BT

bt131可控硅引脚资料篇一：可控硅型号参数BT篇二：双向可控硅产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACemiconductorwitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philip公司，均以此来命名双向可控硅。

Philip公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。

至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。

bta08-600c可控硅参数一、 bta08-600c可控硅的基本介绍bta08-600c是一种常用的可控硅器件，具有可控硅的常见特性，比如需要一定的触发电流和触发电压才能导通。

它广泛应用于各种电子设备和电路中，因此对其参数的深入了解和掌握对于电子工程师来说是非常重要的。

二、 bta08-600c可控硅的关键参数1. 触发电流和触发电压bta08-600c可控硅的触发电流和触发电压是其最基本的参数。

触发电流是指当外加触发电流大于该数值时，可控硅才能导通；而触发电压则是指当外加触发电压大于该数值时，可控硅才能导通。

这两个参数的大小直接影响到可控硅的导通性能，因此在实际电路设计中需要特别注意。

2. 典型电参数除了触发电流和触发电压外，bta08-600c可控硅的典型电参数还包括最大导通电流、最大反向电压、保持电流等。

这些参数的大小不仅影响了可控硅的工作性能，也直接关系到了其在电路中的安全性和稳定性。

3. 动态特性可控硅的动态特性是指其在导通和关断过程中的响应速度、响应时间等参数。

对于一些高频、高速电路来说，可控硅的动态特性显得尤为重要。

了解bta08-600c可控硅的动态特性，对于一些特定的电路设计来说具有重要的意义。

三、 bta08-600c可控硅的应用领域1. 电源电路在各种电源电路中，bta08-600c可控硅广泛应用于电压调节、开关控制等方面。

通过合理选择和使用可控硅，可以有效地提高电源电路的性能指标。

2. 照明电路在各种照明电路中，bta08-600c可控硅也扮演着重要的角色。

通过可控硅的控制，可以实现灯光的亮度调节、开关控制等功能。

3. 马达控制在各种马达控制电路中，bta08-600c可控硅同样发挥着重要的作用。

通过可控硅的控制，可以实现对马达的启动、停止、调速等功能。

四、 bta08-600c可控硅的个人观点和理解作为一种常见的可控硅器件，bta08-600c在电子领域有着广泛的应用。

btaxxxb双向可控硅参数1. 概述BTAxxxB是一种双向可控硅，广泛应用于交流电路中。

其参数包括电压、电流和功率等，下面将对其各项参数做详细介绍。

2. 电压参数BTAxxxB的最大可重复峰值电压(VDRM)为600伏，最大非重复峰值电压(VRRM)为700伏。

这些参数表明了BTAxxxB在正常工作条件下可以承受的最大电压值。

3. 电流参数BTAxxxB的最大均值电流(IT(AV))为25安培，最大尖脉冲电流(ITSM)为260安培。

这些参数标志着BTAxxxB能够承受的最大电流值，从而保证器件在正常工作条件下不会受到损坏。

4. 功率参数BTAxxxB的最大消耗功率(PG(AV))为25瓦，最大尖脉冲功率(PGM)为380瓦。

这些参数表明了BTAxxxB可以承受的最大功率值，从而保证器件在正常工作条件下不会因功率过载而损坏。

5. 其他参数- 触发电流(IH)：BTAxxxB的触发电流为50毫安培，这是使其进入导通状态所需的最小电流值。

- 保持电流(ID)：BTAxxxB的保持电流为50毫安培，这是在其进入导通状态后需要保持的电流值。

- 耐电压：BTAxxxB的耐电压为2300伏，保证了其在正常工作条件下不会出现击穿现象。

- 结构：BTAxxxB采用了反向并联结构，能够保证其在工作过程中有较好的可靠性和稳定性。

6. 结论通过对BTAxxxB双向可控硅的参数进行分析，可以看出其具有较高的电压、电流和功率承受能力，适用于各种交流电路中。

其触发电流、保持电流和耐电压等参数也保证了其在正常工作条件下能够稳定可靠地工作。

BTAxxxB双向可控硅是一种性能优良的器件，为交流电路提供了重要的支持。

接下来我们将对BTAxxxB双向可控硅的参数进行更深入的解析，从而更好地理解这一器件在交流电路中的应用和性能特点。

7. 温度参数BTAxxxB的最大工作温度为125摄氏度，最大存储温度为-40摄氏度至150摄氏度。

bta12可控硅参数（原创实用版）目录1.介绍可控硅的基本概念和作用2.详述 BTA12 可控硅的主要参数3.分析 BTA12 可控硅参数对器件性能的影响4.结论：总结 BTA12 可控硅参数的重要性正文一、可控硅的基本概念和作用可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。

其主要作用是控制电路中的电流，实现对电压、电流的调节，以满足不同电气设备的需求。

可控硅广泛应用于交直流转换、逆变、调速、调光等电子设备中。

二、详述 BTA12 可控硅的主要参数BTA12 是一种可控硅型号，其主要参数如下：1.额定电压（VRRM）：该参数表示可控硅可以承受的最大反向电压。

BTA12 的额定电压为 1200V。

2.额定电流（ITRM）：该参数表示可控硅的额定正向电流。

BTA12 的额定电流为 15A。

3.控制极触发电压（VT）：该参数表示控制极所需的最小触发电压。

BTA12 的控制极触发电压为 0.6V。

4.动态响应（tf）：该参数表示可控硅从关态到开态的时间。

BTA12 的动态响应为 1ms。

5.静态电流（Iq）：该参数表示可控硅在关态时的漏电流。

BTA12 的静态电流为 100nA。

6.反向恢复时间（trr）：该参数表示可控硅从反向导通状态恢复到关态的时间。

BTA12 的反向恢复时间为 100ns。

三、分析 BTA12 可控硅参数对器件性能的影响1.额定电压和额定电流：这两个参数决定了可控硅的承载能力和电流容量，直接影响器件的使用范围和可靠性。

2.控制极触发电压：该参数决定了控制极对可控硅的控制能力，影响器件的开关速度和动态响应。

3.动态响应：动态响应越快，可控硅的开关速度越快，从而影响器件的工作效率和电磁干扰。

4.静态电流：静态电流越小，可控硅的漏电流越小，影响器件的功耗和可靠性。

5.反向恢复时间：反向恢复时间越短，可控硅在高频工作中的性能越好，影响器件的电磁干扰和开关损耗。

可控硅替换对照表
可控硅替换对照表
可控硅是半导体器件的一种，可用于控制电流的方向和强度。

在现代电子技术中被广泛应用，但随着技术的发展，一些型号的可控硅被淘汰或不再被使用。

为了方便工程师和用户选择合适的可控硅模块，制作一份可控硅替换对照表。

一、选择可控硅的原则
1. 工作电压：根据具体的工作环境选择合适的电压等级。

2. 额定电流：根据具体应用要求选择合适的电路电流。

3. 反电压：可控硅通常需要防止反向电压的损害，因此需要选择适当的反电压值。

二、可控硅的型号及参数对照表
以下列举了一些常用的可控硅型号及参数：
型号工作电压（V）额定电流（A）反电压（V）替换型号
BT151 200 - 400 BT151X-xxxR
BT152 200 - 800 BT152X-xxxR
BT169 400 0.8 400 BT169X-xxxR
BTA24 600 25 600 BTA24X-xxxR
BTA41 400 40 600 BTA41X-xxxR
BTA42 600 40 600 BTA42X-xxxR
三、选择可控硅模块应注意的事项
1. 根据具体的应用环境选择合适的可控硅。

2. 需要注意可控硅的额定电流、工作电压、反电压等参数，以防止电
路损坏。

3. 在替换可控硅时，需要根据参数表进行选择，避免电路性能下降或
者烧毁元器件。

4. 在使用可控硅模块时，需要注意散热和安全问题。

结语
通过可控硅替换对照表，可以方便地选择合适的可控硅模块，提高工
作效率和元器件的可靠性。

在实际应用中，要注意选择合适的可控硅，避免电路损伤和安全隐患。

GENERAL DESCRIPTIONQUICK REFERENCE DATAGlass passivated triacs in a plastic SYMBOLPARAMETERMAX.MAX.MAX.UNIT envelope,intended for use in applications requiring high BT136-500600800bidirectional transient and blocking BT136-500F 600F 800F voltage capability and high thermal BT136-500G 600G 800G cycling performance.Typical V DRM Repetitive peak off-state 500600800V applications include motor control,voltagesindustrial and domestic lighting,I T(RMS)RMS on-state current444A heating and static switching.I TSMNon-repetitive peak on-state 252525AcurrentPINNING - TO220ABPIN CONFIGURATIONSYMBOLLIMITING VALUESLimiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).SYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT -500-600-800V DRM Repetitive peak off-state -50016001800V voltagesI T(RMS)RMS on-state current full sine wave; T mb ≤ 107 ˚C-4A I TSMNon-repetitive peak full sine wave; T j = 25 ˚C prior to on-state current surge t = 20 ms -25A t = 16.7 ms -27A I 2t I 2t for fusingt = 10 ms- 3.1A 2s dI T /dtRepetitive rate of rise of I TM = 6 A; I G = 0.2 A;on-state current after dI G /dt = 0.2 A/µstriggeringT2+ G+-50A/µs T2+ G--50A/µs T2- G--50A/µs T2- G+-10A/µs I GM Peak gate current -2A V GM Peak gate voltage -5V P GM Peak gate power -5W P G(AV)Average gate power over any 20 ms period-0.5W T stg Storage temperature -40150˚C T jOperating junction -125˚Ctemperature1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.THERMAL RESISTANCESSYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT R th j-mb Thermal resistance full cycle -- 3.0K/W junction to mounting base half cycle -- 3.7K/W R th j-aThermal resistance in free air -60-K/Wjunction to ambientSTATIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNITBT136-......F ...G I GTGate trigger currentV D = 12 V; I T = 0.1 AT2+ G+-5352550mA T2+ G--8352550mA T2- G--11352550mA T2- G+-307070100mA I LLatching currentV D = 12 V; I GT = 0.1 AT2+ G+-7202030mA T2+ G--16303045mA T2- G--5202030mA T2- G+-7303045mA I H Holding current V D = 12 V; I GT = 0.1 A -5151530mA V T On-state voltage I T = 5 A- 1.4 1.70V V GT Gate trigger voltage V D = 12 V; I T = 0.1 A -0.7 1.5V V D = 400 V; I T = 0.1 A;0.250.4-V T j = 125 ˚C I DOff-state leakage currentV D = V DRM(max);-0.10.5mA T j = 125 ˚CDYNAMIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT BT136-......F ...G dV D /dtCritical rate of rise of V DM = 67% V DRM(max);10050200250-V/µsoff-state voltage T j = 125 ˚C; exponential waveform; gate open circuitdV com /dtCritical rate of change of V DM = 400 V; T j = 95 ˚C;--1050-V/µscommutating voltage I T(RMS) = 4 A;dI com /dt = 1.8 A/ms; gate open circuitt gtGate controlled turn-on I TM = 6 A; V D = V DRM(max);---2-µstimeI G = 0.1 A; dI G /dt = 5 A/µsMECHANICAL DATANotes1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".DEFINITIONSData sheet statusObjective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development. Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. Product specification This data sheet contains final product specifications.Limiting valuesLimiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability. Application informationWhere application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.© Philips Electronics N.V. 1997All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other industrial or intellectual property rights.LIFE SUPPORT APPLICATIONSThese products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such improper use or sale.。

bat16-800b可控硅参数
BAT16-800B是一种可控硅，具有以下参数：
- 可控硅（也称为触发二极管）是一种电子器件，可通过输入电信号来控制电流的通断。

BAT16-800B的可控硅参数是在电流和电压等方面的特性。

- BAT16-800B的最大正向电流（IFRM）是16A，即在正向电压下，电流最大可达16安培。

- BAT16-800B的最大反向电压（VRM）是800V，即在反向电压下，电压最大可达800伏特。

- BAT16-800B的触发电流（IT）是 15 mA，即需要输入至少15毫安的电流来控制开关。

- BAT16-800B的触发电压（VT）是0.8V，即在输出端需要输入至少0.8伏特的电压来控制开关。

- BAT16-800B具有良好的导通性能、高边沿速度和低触发电流等特点。

需要注意的是，这些参数可能会因不同生产商的原因而略有差异，因此最好在使用时查找特定制造商提供的详细规格。