模拟电子技术基础习题全集共170页文档

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。

（b）VD截止，U AB=-12 V。

（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。

（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。

图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N 型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

P 型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。

3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。

4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

5．某三极管，其α =0.98，当发射极电流为 2mA ，其基极电流为0.04mA ，该管的β值为49 。

6．某三极管，其β =100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA ，该管的α值为0.99 。

7．某三极管工作在放大区时，当 I B从 20μA 增大到 40μA ，I C从 1mA 变成 2mA 。

则该管的β约为50。

8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。

其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。

其输入电阻很高。

9. 晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。

场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。

10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。

11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。

12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。

A =20；A =-100； Av3=1，则可知这三级放13．在一个三级放大电路中，已知大电路中 A1是共基极v1 v2 组态； 3 是共集电极组态。

《模拟电子技术基础》各章习题第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100（8）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。

A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

模拟电⼦技术基础习题册.docx专业姓名学号成绩1-1 、写出如图所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝。

1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。

（1）变压器副边电压有效值U2≈（2）设电⽹电压波动范围为±10％。

在选择⼆极管的参数时，其最⼤整流平均电流 I F和最⾼反向电压 U R的下限值约为多少1-3 、电路如图所⽰，变压器副边电压有效值为 2U2。

（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）⼆极管的平均电流I D（AV）和所承受的最⼤反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所⽰，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。

试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各⼆极管承受的最⼤反向电压为多少1-5 、试在如图所⽰电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得⼏倍压的输出。

1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最⼩值IZmin ＝ 5mA。

求图所⽰电路中U和 UZ O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩I Zmin＝5mA，最⼤稳定电流1-7 、已知图所⽰电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最⼩稳定电流I Zmax＝25mA。

（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么1-8 、电路如图所⽰。

（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少1-9 、电路如图所⽰，已知稳压管的稳定电压为 6V，最⼩稳定电流为 5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻⼩于 15Ω。

电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。

3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。

4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。

6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。

7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。

则该管的β约为 50。

8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。

其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。

其输入电阻很高。

9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。

场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。

10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。

11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。

12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。

13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。

14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。

模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。

模拟电子技术基础习题（计算题）三、半导体三极管及放大电路基础1． 放大电路如题2 图所示，已知U cc ＝15V ， R B 1 ＝40k Ω，R B 2 ＝10 k Ω，R C ＝R L ＝6k Ω， R E ＝2 k Ω，U BEQ ＝0.7V ，β＝60。

试：（1）计算I EQ ，U CEQ ；（2）画出微变等效电路。

2． 如题3图所示单管放大电路中，已知R b =280k Ω,R c =3k Ω，集电极直流电源V CC =12V ，三极管参数为U BEQ =0.7V ，r be =0.75k Ω，β=50，试：(1)计算三极管的静态工作点I BQ ，I CQ ，U CEQ(2)计算交流电压放大倍数A u 。

3． 电路如题4图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。

（1）求Q 点；（2）求R L ＝∞时电路的A u 和R i ；4． 放大电路如题5 图所示，已知U BEQ =0.7V,β=80,r be =2k Ω，R B1=90k Ω，R B2=30kΩ，R E =2k Ω，R C =3k Ω，R L =6k Ω，试：计算电压放大倍数A u 及输入电阻r i 。

题2图 题3图 题4图 题5图5． 放大电路如题6图所示，已知三极管的β=80,r be =2.2k Ω。

计算：从射极输出时的A u2；从集电极输出时的A u1。

6． 题7图所示为复合管结构，指出该复合管的类型，若T1、T2的电流放大倍数分别为β1和β2值，计算复合管的输入电阻值（设图中电阻值为R ）。

7． 题8图已知单级电压放大器的R i =2k Ω，R 0=50K Ω，负载开路电压增益Avo=200，当输入信号源内阻Rs=1k Ω，负载电阻R L =10k Ω时，求该放大器的源电压增益Aus 。

8． 电路如题9图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。

求R L ＝3k Ω时电路的A u ；求Ro 。

Z五、功率放大电路9． OCL 放大电路如题10图。