模拟电子技术基础pdf

本书是参照1977年11月由高等学校基础工程课程的电气和无线电教材会议编写的“电子技术基础”（自动化）教科书的教学大纲，以及其他机构提出的修订建议而编写的。

兄弟学院和大学。

现在，它以两本书出版：模拟电子技术基础知识和数字电子技术基础知识。

该课程的基础部分可用于高校自动化专业的“电子技术基础”课程两个学期。

在编译过程中，我们尝试着重于分析和解决问题的能力的培养。

我们认为，自动化专业的毕业生应该具有先瞻，二算，三选四的能力。

能够阅读就是能够理解专业中典型的电子设备的原理图，了解各个部分的组成和工作原理；能够进行计算的是对每个环节的工作性能进行定性或定量的分析和估计；能够选择并做的是能够在满足专业的一般任务时大致选择方案并选择相关的元件和设备，并且通过安装和调试，基本上就可以开发出来了。

因此，为了能够阅读，本书加强了基本概念和各种典型基本单元电路的介绍，并专门设计了用于阅读图纸的章节；为了能够计算，本书加强了基本原理和基本分析方法。

至于选择和做事的能力，应该主要在设计课程实验课和其他后续教学环节中进行培养，但为了满足这方面的要求，还有一些设计实例和一些章节。

电子设备的实际问题。

在应对新技术日益增长与空间有限之间的矛盾时，我们在确保基本概念，基本原理和基本分析方法的前提下，采取措施使学生适应1980年代电子技术的发展需求。

因此，大大减少了由分立元件组成的一些单元的内容，例如调制放大器，功率放大器，门电路和触发电路，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元则相应地得到了增强。

此外，还使用小写字母（更深入的部分），星号（其他内容）和投注（补充说明和参考资料）来满足不同的要求。

在总结了模拟电子技术的基本章节之后，还附上了思路流程图，以帮助读者理解编译的意图和基本内容，并用粗线将其概述。

）童世白，金国芬，严世，吴百春，孙家新，张乃国等同志参加了基本模拟电子技术的编写。

童世柏负责组织和完成草案。

马中普，董洪芳，杨素兴，王汉伟，孙长龄，胡东成，尤素英等同志参加了讨论和整理。

模拟电子技术基础华教网1电子技术发展2。

模拟信号和模拟电路3。

电子信息系统的组成4。

模拟电子技术基础课程特点5。

如何学习本课程6。

课程目标7。

试验方法六氯环己烷华教网1电子技术的发展，电子技术的发展，促进了计算机技术的发展，使其“无所不在”并得到广泛应用！广播与通信：发射机、接收机、广播、录音、程控交换机、电话、手机；网络：路由器、ATM交换机、收发机、调制解调器；行业：钢铁、石化、机械加工、数控机床；交通：飞机、火车、船舶、汽车；军事：雷达、电子导航；航空航天：卫星定位、医疗监控：伽玛刀、CT、B超、微创手术；消费电子产品：家用电器（空调、冰箱、电视）、音频、视频摄像机、摄像机、电子手表）、电子玩具、各种报警器，安全系统HCH a华教网电子技术的发展很大程度上体现在元器件的开发上。

1904年、1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管研制成功。

HCH-atsin与电子管、晶体管和集成电路的比较。

半导体器件的发展华教网. 贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，1958年制造了集成电路，1969年制造了大规模集成电路。

第一个有四个晶体管的集成电路于1975年制造，1997年，一个集成电路中有40亿个晶体管。

一些科学家预测，整合程度将以每6年10倍的速度增长，到2015年或2020年达到饱和。

学习电子技术课程时要时刻注意电子技术的发展！六氯环己烷华教网一些科学家要记住！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的约翰·巴丁、威廉·肖克利和沃尔特·布拉丹发明）于1947年11月底发明了晶体管，并于12月16日正式宣布“晶体管”的诞生。

他获得了诺贝尔物理学奖。

1956年。

1972年，他因对超导性的研究而获得诺贝尔物理学奖。

1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti 的Jack Kilby在德州仪器实验室实现了将电子器件集成到半导体材料中的想法。

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π；（4） V 00010.125sin= (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。

试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。

电压放大电路模型解：由图可知，)(i si i i s R R R v v +=，i v LLA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。

同理可得： （2）5.225===ii s vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。

第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。

解：由于 )1(−=TD U u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。

1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。

解：（1）R=1k Ω 假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I O 6.1)3.57.3(3.51212=+−=+===mAmA R U I VV U L O O O )9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(−−−−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 8.11419'−=+−=× 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以mAI I mA mA R U I VU U I o L O O O O 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。

模拟电子技术基础模拟电子技术基础简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a 电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。

1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。

HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。

一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。

学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin 要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。

他获得了诺贝尔物理学奖。

1956年。

1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。

1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。

本书是参照1977年11月全国高校工科基础电气与无线电教材会议编制的《电子技术基础》（自动化）教材的教学大纲，以及其他人提出的修改建议编写而成。

兄弟院校。

出版了《模拟电子技术基础知识》和《数字电子技术基础知识》两本书。

本课程的基础部分可用于高校自动化专业“电子技术基础”课程的两个学期。

在编写过程中，我们尽量注重分析问题和解决问题的能力的培养。

我们认为自动化专业的毕业生应该有预见能力，二次计算，三选四。

会读是指能够理解本专业典型电子设备的原理图，了解各部分的组成和工作原理；会计算是对各环节的性能进行定性或定量的分析和估算；能够选择和能在满足专业一般任务时大致选择方案和选择相关元器件和设备，通过安装调试，基本可以开发。

为了提高对电路设计的基本概念和基本方法的阅读能力，我们应该在课程中加强对基本概念和基本方法的阅读能力，其中还包括一些设计实例和一些关于实际问题的章节。

电子设备。

在处理新技术日益增多与空间有限的矛盾时，我们采取措施使学生适应上世纪80年代电子技术发展的需要，同时保证基本概念、基本原理和基本分析方法。

因此，一些由分立元件组成的单元，如调制放大器、功率放大器、门电路和触发电路的内容大大减少，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元也相应地增加了。

此外，小写字母（更深入的部分）、星号（其他内容）和投注（附加说明和参考资料）也用于满足不同的要求。

在总结了《模拟电子技术》的基本章节后，还附上了一个思路流程图，以帮助读者理解编写的意图和基本内容，并用粗线条勾勒出来。

）童世白、金国芬、严实、吴百春、孙家新、张乃国参加了模拟电子技术基础课程的编写。

童世白负责组织定稿。

马忠普、董红芳、杨苏兴、王汉伟、孙长岭、胡东城、游素英等参加讨论整理。

朱亚尔、蔡文华、朱占星、杨、胡二山等同志参加讨论整理。

李世新同志协助了部分绘图工作。

在对模拟电子基础技术进行梳理和确定的过程中，我们得到了来自全国60多所兄弟院校的老师们的宝贵意见。

学习单元七功率放大电路7.1概述功率放大电路特点（1）输出功率要足够大。

晶体选择时必须考虑器件的各极限参数，以保证功率放大电路在功率管的安全区域内运行。

（2）效率要尽可能高。

功率管损耗，希望越小越好。

（3）非线性失真要小。

如测量电声系统，对非线性失真有严格的要求，而在工业控制系统中，对输出功率的要求较高，非线性失真要求相对较低。

（4）晶体管要采取散热、保护等措施，以提高晶体管所能承受的管耗。

由于一部分功率消耗在晶体管的集电结上，使三极管的结温和管壳温度升高。

晶体管的静态工作点的不同，功率放大电路分为甲类、乙类和甲乙类。

7.2.1乙类双电源互补推挽功率放大电路1.原理在正弦信号u i的正半周，VT1导通，VT2截止，VT1和R L工作在射极输出状态，u o为正弦电压u i的正半波。

在正弦信号u i的负半周，VT2导通，VT1截止，VT2和R L工作在射极输出状态。

u o为正弦信号u i的负半波。

2.参数计算（1）输出功率P o2.参数计算（5）功率管的参数选择选择功率放大电路中的三极管时，应从三极管的安全工作区参考三方。

面考虑面考虑。

例7.2.2甲乙类互补推挽功率放大电路1．双电源供电（1）交越失真（2）如何消除交越失真（3）具体电路分析最大输出功率时的效率负载电流有效值负载上电压幅值电源供给的功率最大不失真输出功率2．单电源供电输出端负载支路中串接了一个大容量电容COCL电路计算公式中的参数V CC全部改为V CC/2即可3．自举电路泄放电阻R 4、R 5用于减小复合管穿透电流。

R 7、R 8为负反馈电阻，用于稳定工作点和减小失真。

C 为输出耦合电容，充当另一组电源。

7.3集成功率放大器集成功率放大器具有输出功率大、外围连接元件少、使用方便等优点，特别是音频领域应用十分广泛。

7.3.1集成功放LM386内部电路引脚图典型应用电阻R、C构成负反馈，通过调节R的大小来调节电压放大倍数。

R=1.2k ，C=10 F，则电压放大倍数为50。

电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π； （4） V 00010.125sin = (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。

试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。

电压放大电路模型解：由图可知，)(i si i i s R R R v v +=，i v LLA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。

同理可得： （2）5.225===iis vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。

本书是参照1977年11月全国高校工科基础电工与无线电教材会议编制的《电子技术基础》（自动化）教材的教学大纲和其他院校提出的修改建议编写而成。

兄弟院校。

现出版两本书：《模拟电子技术基础知识》和《数字电子技术基础知识》。

本课程的基础部分可用于高校自动化专业“电子技术基础”课程的两个学期。

在编写过程中，我们尽量注重分析问题和解决问题的能力的培养。

我们认为自动化专业的毕业生应该有预见能力，二次计算，三选四。

会读是指能够理解本专业典型电子设备的原理图，了解各部分的组成和工作原理；会计算是对各环节的性能进行定性或定量的分析和评价；能选能做，就是在满足专业一般任务时，大致选择一个方案，选择相关的元器件和设备，通过安装调试，基本可以开发出来。

因此，为了能够阅读，本书加强了基本概念和各种典型基本单元电路的介绍，并专门设计了读图章节；为了能够计算，本书加强了基本原理和基本分析方法。

至于选择和做事的能力，应该主要在设计课程实验课等后续教学环节进行培养，但为了满足这方面的要求，有一些设计实例和一些章节。

电子设备的实际问题。

针对新技术日益增多与空间有限的矛盾，我们采取措施使学生适应上世纪80年代电子技术发展的需要，同时保证基本概念、基本原理和基本分析方法。

因此，一些由分立元件组成的单元，如调制放大器、功率放大器、门电路和触发电路的内容大大减少，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元也相应地增加了。

此外，小写字母（更深入的部分）、星号（其他内容）和bets（附加说明和参考资料）也用于满足不同的要求。

在总结了《模拟电子技术》的基本章节之后，我还附上了一个思路流程图，以帮助读者理解编写的意图和基本内容，并用粗线条勾勒出来。

）童世白、金国芬、严实、吴百春、孙家新、张乃国等参加了模拟电子基础技术的准备工作。

童世白负责组织完成草案。

马忠普、董红芳、杨苏兴、王汉伟、孙长岭、胡东城、游素英等参加讨论整理。

朱亚尔、蔡文华、朱占星、杨、胡二山等同志参加讨论整理。

判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。

2．有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。

2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（×）3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。

（×）3．放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。

（×）（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。

（√）（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。

（×）（4）输入信号为直流时的电路状态。

（×）5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。

（×）6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。

（×）7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（×）8．在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，（√）输出电阻也减小。

（×）9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

（×）10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大；（√）（2）输出电阻比2k小得多，（√）（3）与晶体管的β大小无关；（×）（3）输入电阻几乎是ber的β倍。

（×）11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。

（√）12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。

（×）13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大（×）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。

（×）15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（√），输出电阻也很大。

《模拟电路》教案课程名称电子三年制《模拟电路》授课学时64主讲(责任)教师参与教学教师________________________________ 授课班级/人数专业（教研室）电子课程名称：模拟电子技术基础第讲 1 授课题目半导体基础知识、半导体二极管课型讲授使用教具多媒体教学重点1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性3、异形半导体接触现象4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）教学难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；4、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；教学内容教学组织过程1 半导体的基本知识（10min）（1）半导体材料（2）半导体的共价键结构（3）本征半导体、空穴极其导电作用（4）杂质半导体2 PN结的形成及特性（25min）（1）PN结的形成（2）PN结的单向导电性（3）PN结的电容效应3 二极管（25min）1.3.1、二极管的结构1.3.2、二极管的伏安特性♦正向特性：死区电压、导通电压♦反向特性：反向饱和电流、温度影响大♦反向击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿1.3.3、主要参数(略讲)4 二极管电路的简化模型分析方法（25min）4.1理想模型正向偏置管压降为零；反向偏置电阻无穷大，电流为零。

4.2恒压降模型二极管导通后，管压降恒定，典型值硅管0.7V。

4.3折线模型二极管导通后，管压降不恒定，用一个电池和一个电阻r d来作进一步近似。

小结（5min）本讲宜教师讲授。

用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。

课后小结课程名称：模拟电子技术基础第讲 2 授课题目特殊二极管、检测及判别二极管、半导体二极管的基本应用课型讲授使用教具多媒体教学重点1、掌握稳压管工作条件2、了解光敏二极管和发光二极管3、整流电路、限幅电路、稳压电路教学难点1、稳压管伏安特性曲线2、稳压管工作条件3、单向桥式整流电路教学内容教学组织过程1、特殊二极管（5min）（1）光敏二极管（2）发光二极管2、稳压二极管（15min）（1）稳压管等效电路（2）稳压管的主要参数3、限幅电路（15min）4、二极管门电路（5min）5、整流电路（1）单相半波整流电路（15min）（2）单相桥式整流电路（15min）项目一手机充电器整体设计讨论、分析（20min）（1）降压电路（2）整流电路（3）滤波（4）稳压本讲以教师讲授为主。

2022 模拟电子技术基础一、常用半导体器件1.1本征半导体纯净的，具有晶体结构的半导体1.1.1本征激发：自由电子导电；价电子依次填补空穴，形成了空穴的移动，空穴也能导电本征激发越多，导电能力越好复合：自由电子与空穴相撞，重新变成价电子1.1.2载流子的浓度载流子的浓度与本征激发，复合相关。

本征激发的速率与温度有关，温度越高，本征激发的速率越快。

复合的速率与载流子的浓度有关1.2杂质半导体在本征半导体掺入少量杂质元素1.2.1N型半导体掺入少量P(磷)多子→自由电子少子→空穴温度对N型半导体的多子影响不大，对少子浓度影响巨大施主原子：贡献载流子的原子1.2.2P型半导体掺入少量B(硼)多子→空穴少子→自由电子温度对P型半导体的少子影响不大，对多子浓度影响巨大1.3PN结由于扩散运动形成的空间电荷区，也称耗尽层(PN结)(阻挡层) 1.3.1基本概念漂移运动：少子在空间电荷区的运动漂移运动阻挡了因扩散运动而消耗势垒的可能多子的扩散运动与少子的漂移运动就会达到动态平衡空间电荷区的宽度与掺杂浓度有关，浓度高的区域PN结窄。

1.3.2单向导电性外电场削弱了内电场的作用，使得扩散运动得以重新恢复R限定了外电场通过的最大电流，防止PN结烧毁反向电压会增强内电场的作用，抑制扩散运动，促进漂移运动；但是漂移运动属于少子，且与温度相关，漂移运动形成的电流称为反向饱和电流。

1.4PN结的伏安特性曲线1.4.1正向特性：存在死区，有导通电压：PN结的电流方程Is为反向饱和电流U T为温度当量，仅跟温度相关。

在室温下U T=26mV U为PN结上外加电压1.4.2反向特性：Ge管的反向电流比Si管的大得多反向存在击穿：雪崩击穿：掺杂浓度低时，耗尽层宽度大，当外加反向电压时，耗尽层为粒子加速器，少子加速击穿带走价电子，形成链式反应温度越高，雪崩击穿所需电压越高。

齐纳击穿：掺杂浓度高时，PN结窄，当外加反向电压时，形成的电场强度大，直接将价电子从共价键内带出。

电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π； （4） V 00010.125sin = (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。

试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。

电压放大电路模型解：由图可知，)(i si ii s R R R v v +=，i v L LA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。

同理可得： （2）5.225===iis vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==ii s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。