模拟电子技术基础最新版本
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模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础(第三版)
模拟电子技术基础
（第三版）
清华大学电子学教研组编
童诗白主编
制作:李建新教授
1信息学院
绪论
•一、电子技术的研究对象及性质
•“电子技术基础”是研究各种半导体器件的性能、电路及其应用的科学。
它是电子信息工程类各专业的一门技术基础课。
•二、电子技术的两大分支：
•1、模拟电子技术
•2、数字电子技术
2信息学院
•电子技术中的信号分为
•1、模拟信号：随时间连续变化的信号。
•2、数字信号：在时间上和数量上都不连续变化的信号。
•根据信号的不同，电子电路分为
•1、模拟电路：处理模拟信号的电路。
•2、数字电路：处理数字信号的电路。
•电子技术的两大分支：
•1、模拟电子技术：研究模拟电路的电子技术•2、数字电子技术：研究数字电路的电子技术三、电子技术发展概况（略）
3信息学院。
模拟电子技术基础(第2版)
模拟电子技术基础（第2版）
读书笔记模板
01 思维导图
03 目录分析 05 读书笔记
目录
02 内容摘要 04 作者介绍 06 精彩摘录
思维导图
本书关键字分析思维导图
初学者
题
电子技术
表达
半导体
宗旨
方法
第版
电路
集成电路 电路
基础
基础
小结
第章
习题
集成
放大器
应用
内容摘要
内容摘要
本书以“讲透基本原理，打好电路基础，面向集成电路”为宗旨，避免复杂的数学推导，强调物理概念和晶 体管器件模型的描述，加强了场效应管（尤其是MOS场效应管）的电路分析，充分重视集成电路的教学。在若干 知识点的阐述上，教材有自己的个性特色，并在内容取舍、编排以及文字表达等方面都期望解决初学者的入门难 的问题。另外为了帮助初学者更好的学习本书，对所述的基本电路利用EWB的电路设计软件进行了电路仿真，同 时还配有CAI的教学软件。
8.5线性稳压电路 8.6开关型稳压电源
本章小结 思考题与习题8
9.1电流模式电路的 一般概念
9.2跨导线性的基本 概念
9.3电流传输器 9.4跨导运算放大器
本章小结
思考题与习题9
作者介绍
同名作者介绍
读书笔记
读书笔记
这是《模拟电子技术基础（第2版）》的读书笔记模板，可以替换为自己的心得。
目录分析
1.2 PN结
1.1半导体基础知 识
1.3晶体二极管及 其应用
本章小结
思考题与习题1
2.2结型场效应管
2.1双极型晶体三 极管
2.3金属-氧化物半导体场效应管
本章小结
思考题与习题2
读书笔记模板
01 思维导图
03 目录分析 05 读书笔记
目录
02 内容摘要 04 作者介绍 06 精彩摘录
思维导图
本书关键字分析思维导图
初学者
题
电子技术
表达
半导体
宗旨
方法
第版
电路
集成电路 电路
基础
基础
小结
第章
习题
集成
放大器
应用
内容摘要
内容摘要
本书以“讲透基本原理，打好电路基础，面向集成电路”为宗旨，避免复杂的数学推导，强调物理概念和晶 体管器件模型的描述，加强了场效应管（尤其是MOS场效应管）的电路分析，充分重视集成电路的教学。在若干 知识点的阐述上，教材有自己的个性特色，并在内容取舍、编排以及文字表达等方面都期望解决初学者的入门难 的问题。另外为了帮助初学者更好的学习本书，对所述的基本电路利用EWB的电路设计软件进行了电路仿真，同 时还配有CAI的教学软件。
8.5线性稳压电路 8.6开关型稳压电源
本章小结 思考题与习题8
9.1电流模式电路的 一般概念
9.2跨导线性的基本 概念
9.3电流传输器 9.4跨导运算放大器
本章小结
思考题与习题9
作者介绍
同名作者介绍
读书笔记
读书笔记
这是《模拟电子技术基础（第2版）》的读书笔记模板，可以替换为自己的心得。
目录分析
1.2 PN结
1.1半导体基础知 识
1.3晶体二极管及 其应用
本章小结
思考题与习题1
2.2结型场效应管
2.1双极型晶体三 极管
2.3金属-氧化物半导体场效应管
本章小结
思考题与习题2
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
解答：
图题所示电路在正常放大时
IB=(5– V/[200+(50+1)×] k= mA
IE≈IC=50× mA= mA
UB= V+ mA× k= V
UE= mA× k≈ V
UC=5 V– mA×2 k= V
将以上数据与表题中的数ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ比较分析，得出结论列入表中：
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
Ⅶ
Ⅷ
UB/V
0
0
5
指针微动
UE/V
0
指针微动
0
0
0
指针微动
UC/V
0
5
5
5
5
结论
电源未接入不能正常工作
处于正常放大工作状态
三极管内部集电结断路不能正常工作
Re短路电路能正常放大
Rb断路电路不能正常工作
三极管内部发射结断路或Re断路不能正常工作
三极管内部集电结短路或外部b、c极之间短路不能正常工作
三极管内部发射结短路或外部b、e极之间短路不能正常工作
解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)=–4 V,IDSS=4 mA
（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)=–4 V,IDSS=2mA
（c）增强型PMOS管，UGS(th)=–2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V,IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS=5 mA，已知gm=1．34 mS，试求：
解答：
若UCE=10 V，则ICPCM/UCE=150mW/10 V=15 mA；
若IC=1mA，则UCE=PCM/IC=150mW/1 mA=150 V，此电压大于U(BR)CEO=30 V，故工作电压的极限值应为30 V。
图题所示电路在正常放大时
IB=(5– V/[200+(50+1)×] k= mA
IE≈IC=50× mA= mA
UB= V+ mA× k= V
UE= mA× k≈ V
UC=5 V– mA×2 k= V
将以上数据与表题中的数ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ比较分析，得出结论列入表中：
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
Ⅶ
Ⅷ
UB/V
0
0
5
指针微动
UE/V
0
指针微动
0
0
0
指针微动
UC/V
0
5
5
5
5
结论
电源未接入不能正常工作
处于正常放大工作状态
三极管内部集电结断路不能正常工作
Re短路电路能正常放大
Rb断路电路不能正常工作
三极管内部发射结断路或Re断路不能正常工作
三极管内部集电结短路或外部b、c极之间短路不能正常工作
三极管内部发射结短路或外部b、e极之间短路不能正常工作
解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)=–4 V,IDSS=4 mA
（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)=–4 V,IDSS=2mA
（c）增强型PMOS管，UGS(th)=–2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V,IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS=5 mA，已知gm=1．34 mS，试求：
解答：
若UCE=10 V，则ICPCM/UCE=150mW/10 V=15 mA；
若IC=1mA，则UCE=PCM/IC=150mW/1 mA=150 V，此电压大于U(BR)CEO=30 V，故工作电压的极限值应为30 V。
2024年度模拟电子技术基础教学设计(超全面)(精华版)
2024/3/24
19
实验考核方式与标准
实验报告
学生需提交完整的实验报告， 包括实验目的、原理、步骤、 数据记录、结果分析和结论等
。
2024/3/24
课堂表现
考察学生在实验过程中的态度 、操作规范、团队协作等方面 的表现。
实验成果展示
鼓励学生将实验成果进行展示 和交流，以便互相学习和提高 。
综合评价
模拟电子技术基础教 学设计(超全面)(精
华版)
2024/3/24
1
目录
2024/3/24
• 课程介绍与教学目标 • 模拟电子技术基础知识 • 模拟电子技术应用实例分析 • 实验教学内容与方法 • 课程设计环节指导 • 考核方式及成绩评定方法
2
01 课程介绍与教学目标
2024/3/24
3
课程背景及意义
2024/3/24
01
电子技术是现代信息技术的基础，模拟电子技术是电子 技术的重要组成部分。
02
模拟电子技术广泛应用于通信、计算机、自动控制等领 域，是现代电子设备和系统的基础。
03
掌握模拟电子技术对于电子类专业学生来说是必备的基 本技能，也是后续专业课程学习的基础。
4
教学目标与要求
掌握模拟电子技术的基本概 念、基本原理和基本分析方 法。
2024/3/24
02
共射放大电路
详细分析共射放大电路的工作原理、静态工作点的设置 、动态性能指标的计算，以及失真和频率响应等特性。
03
共集放大电路和共基放大电路
介绍共集放大电路和共基放大电路的工作原理、特点和 应用，以及三种基本放大电路的比较。
9
反馈放大电路原理
2024/3/24
电子技术基础(模拟部分)第五版课件(全部)
值，k为正整数。
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
《模拟电子技术基础》(第四版)_第1章
if uD 0 时, then uD =0 if uD 0 时, then iD =0
0 iD
+ uD
uD
–
Question1 UD UON
2.二极管导通时正向压降为一常量UＤ （正向导通电压０.7V 或０.３V ）， 截止时反向电流为零的二极管的等效 模型 iD iD + uD UＤ –
一、外加正向电压（正向偏置）
P区
外电场驱使P区的空穴进入空间 N区电子进入空间电荷区 空间电荷区变窄 电荷区抵消一部分负空间电荷 抵消一部分正空间电荷
N区
I 扩散运动增强，形 成较大的正向电流， 此时PN结导通 内电场方向 外电场方向
E
R 外电场加强扩散
二、 外加反向电压（反向偏置）
外电场驱使空间电荷区两侧的多子(空穴和自由电子)移走, 空间电荷区加宽
Uon
0 0.4 0.8
–50
－IS – 0.1
非线性特性 ＵＢＲ反向击穿电压
ＵＺ（稳压管）
uD / V UＤ
– 0.2
死区
反向击穿
硅管的伏安特性
一般:特性曲线上区分Uon和UＤ 计算时不区分Uon和UＤ Si 管：0.5V左右
开启电压： Uon
正向导通电压UＤ 二极管方程
Ge管：0.1V左右 Si 管：0.6V~0.8V （０.７Ｖ） Ge管：0.2V~0.3V（０.３Ｖ）
三、如何学好模电
课程特点：内容多、内容杂、工程实践性强
基本原理 “基本电路”原理
放大器、反馈、 振荡器
绪论
1、抓“重点”
基 本 分析方法
图解法、小信号等效电路法
2、注重综合分析 注重工程化素质培养 3、提高学习效率、培养自学能力
0 iD
+ uD
uD
–
Question1 UD UON
2.二极管导通时正向压降为一常量UＤ （正向导通电压０.7V 或０.３V ）， 截止时反向电流为零的二极管的等效 模型 iD iD + uD UＤ –
一、外加正向电压（正向偏置）
P区
外电场驱使P区的空穴进入空间 N区电子进入空间电荷区 空间电荷区变窄 电荷区抵消一部分负空间电荷 抵消一部分正空间电荷
N区
I 扩散运动增强，形 成较大的正向电流， 此时PN结导通 内电场方向 外电场方向
E
R 外电场加强扩散
二、 外加反向电压（反向偏置）
外电场驱使空间电荷区两侧的多子(空穴和自由电子)移走, 空间电荷区加宽
Uon
0 0.4 0.8
–50
－IS – 0.1
非线性特性 ＵＢＲ反向击穿电压
ＵＺ（稳压管）
uD / V UＤ
– 0.2
死区
反向击穿
硅管的伏安特性
一般:特性曲线上区分Uon和UＤ 计算时不区分Uon和UＤ Si 管：0.5V左右
开启电压： Uon
正向导通电压UＤ 二极管方程
Ge管：0.1V左右 Si 管：0.6V~0.8V （０.７Ｖ） Ge管：0.2V~0.3V（０.３Ｖ）
三、如何学好模电
课程特点：内容多、内容杂、工程实践性强
基本原理 “基本电路”原理
放大器、反馈、 振荡器
绪论
1、抓“重点”
基 本 分析方法
图解法、小信号等效电路法
2、注重综合分析 注重工程化素质培养 3、提高学习效率、培养自学能力
模拟电子技术基础第四版和第五版区别
模拟电子技术基础第四版和第五版区别
1 总体比较
模拟电子技术基础第四版和第五版是高等教育教材、更新版本，
主要用于大学模拟电子技术、电子学方面的教学，由原著者Thomas L. Floyd作修订版本，这两版本的书本主要比较是有以下的不同之处：
2 编辑规范
模拟电子技术基础第四版和第五版在编辑上，第五版把编辑规范
和排版上比较讲究，因此本书整体上显得优雅大方，贴近现代书写规范，更符合现代笔者的审美。
3 题目升级
第五版的书题和问题也有了改变，明显比较到第四版的书中的多，第五版的书题覆盖的更全面，更加把模拟电子学与数字电子学融合在
一起，使其内容更完整，更加丰富。
4 内容新增
第五版的书中，新增的章节比较多，例子比较丰富，介绍的内容
也更加详细，把模拟电子学和数字电子学涉及的内容更深入，介绍的
内容更加完整，比较到第四版本，第五版新增的章节和例子，更加能
够让学生理解模拟电子技术更加深入。
5 图示增加
第五版书中，有一大部分内容是图形展示，新增的图形，比较到
第四版中，更加简单明了，很容易就看明白了，而且很多章节也附带
了有趣的动画效果，让学习的过程也不再单调，而且能够更加直观的
看明白。
6 习题更新
第五版书中，模拟电子技术领域的习题也有所更新，比较到第四版，新增的习题也更加把模拟电子技术与数字电子技术融合起来，帮
助学生更加完整的理解模拟电子技术。
7 小结
模拟电子技术基础第四版和第五版本是一部很不错的教材，其中
包含的内容丰富全面，可以满足不同学生的学习需求，同时新增的内容，能够让学生更加完整的学习模拟电子技术，帮助他们更好的学习，更好的理解。
模拟电子技术基础(第4版华成英)ppt课件
1
乙类功率放大器是一种非线性放大器，其工作原 理是将输入信号的负半周切除，仅让正半周通过 晶体管放大。
2
在乙类功率放大器中，晶体管只在正半周导通， 因此效率较高。但因为晶体管工作在截止区和饱 和区，所以失真较大。
3
乙类功率放大器通常采用推挽电路形式，以减小 失真。
THANKS
感谢观看
利用晶体管、可控硅等开关元件的开关特性，通过适当组合实现非 正弦波信号的输出。
非正弦波发生电路的组成
包括开关元件、储能元件和输出电路。
非正弦波发生电路的特点
输出信号波形多样，幅度大，但频率稳定性较差，且波形质量受开 关元件特性的影响较大。
波形变换电路
波形变换电路的原理
利用运算放大器和适当组合的RC电路，将一种波形变换为另一种波 形。
基本放大电路 放大电路的基本概念和性能指标
总结词
共基极放大电路的特点是输入阻抗低、 输出阻抗高。
VS
详细描述
共基极放大电路是一种特殊的放大电路， 其工作原理基于晶体管的电压放大作用。 由于其输入阻抗低、输出阻抗高的特点， 因此常用于实现信号的电压放大。在电路 结构上，共基极放大电路与共发射极放大 电路类似，只是晶体管的基极接输入信号 而不是发射极。
01
特征频率
晶体管在特定工作点上的最高使 用频率，超过该频率时放大电路 将失去放大能力。
截止频率
02
03
放大倍数
晶体管在正常放大区与截止区的 交界点上所对应的频率，是晶体 管的重要参数之一。
晶体管在不同频率下的电压放大 倍数，反映了晶体管在不同频率 下的放大性能。
单级放大电路的频率响应
低通部分
放大电路对低频信号的放大能力较强，随着频 率升高，增益逐渐下降。