FCB微波高频三极管FC1405规格书讲课稿
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三极管规格书摘要:1.三极管简介2.三极管的分类3.三极管的参数与性能4.三极管的应用领域5.三极管的选购与使用注意事项正文:三极管,作为一种最基本的电子元器件,广泛应用于各种电子设备中。
它具有放大电流、开关等功能,是构建各种电路的重要组件。
本文将对三极管进行详细介绍,包括规格书、分类、参数与性能、应用领域以及选购和使用注意事项。
一、三极管简介三极管,又称晶体三极管,是由三个区域组成的半导体器件。
分别为:发射极(Emitter,E)、基极(Base,B)和集电极(Collector,C)。
发射极和集电极之间有宽禁带,当基极电流控制时,可以实现电流的放大和开关功能。
二、三极管的分类根据结构和工作原理,三极管可分为两类:NPN 型和PNP 型。
NPN 型三极管的发射极是电子浓度较低的N 型半导体,基极是P 型半导体,集电极是N 型半导体。
PNP 型三极管则正好相反,发射极是电子浓度较高的P 型半导体,基极是N 型半导体,集电极是P 型半导体。
三、三极管的参数与性能三极管的主要参数有:电流放大系数(Current Gain)、耗散功率(Dissipation Power)、最大集电极电流(Collector Current)、最大基极电流(Base Current)等。
三极管的性能主要取决于其结构、材料和制造工艺,不同类型和规格的三极管在参数和性能上有所差异。
四、三极管的应用领域三极管广泛应用于各类电子设备和电路中,如放大器、振荡器、电源开关、信号处理等。
它具有体积小、重量轻、功耗低、工作稳定等优点,是构建各种电子系统的关键器件。
五、三极管的选购与使用注意事项在选购三极管时,应根据实际应用需求选择合适的类型、规格和参数。
同时,需要注意三极管的工作温度、贮存条件等,确保其在使用过程中可靠稳定。
在安装和使用过程中,要注意避免静电损坏,遵循安全操作规程。
总之,三极管作为一种重要的电子元器件,了解其规格书、分类、参数与性能、应用领域以及选购和使用注意事项,对于电子工程师和电子爱好者来说都是十分必要的。
三极管规格书(原创版)目录1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的结构和工作原理4.三极管的参数及其含义5.三极管的选用和测试6.三极管的典型应用7.总结正文一、三极管概述三极管,又称晶体管,是一种常见的半导体器件。
它具有放大和开关等功能,被广泛应用于放大器、振荡器、信号处理器等电子电路中。
根据电流放大系数不同,三极管可以分为两类:NPN 型和 PNP 型。
二、三极管的分类1.按照结构分类,三极管可以分为三极管晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。
2.按照材料分类,三极管可以分为硅管和锗管。
3.按照工作频率分类,三极管可以分为低频管、中频管和高频管。
4.按照电流放大系数分类,三极管可以分为 NPN 型和 PNP 型。
三、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成:发射区、基区和集电区。
发射区和集电区由同一种半导体材料制成,而基区由另一种半导体材料制成。
三极管的工作原理是利用基区中的电子流来控制发射区和集电区之间的电流。
当基区电流发生变化时,发射区和集电区之间的电流也会相应变化,从而实现信号的放大和开关控制。
四、三极管的参数及其含义1.静态工作点:三极管正常工作时的基区电流和基区电压。
2.直流电流放大系数:表示三极管的电流放大能力,即集电区电流与基区电流之比。
3.交流电流放大系数:表示三极管在交流信号下的电流放大能力。
4.输入电阻:表示三极管输入端的电阻值,影响信号传输效果。
5.输出电阻:表示三极管输出端的电阻值,影响负载能力。
6.开关速度:表示三极管在开关状态下,从一个状态切换到另一个状态所需的时间。
五、三极管的选用和测试1.选用:根据电路需求选择合适的三极管类型和参数。
2.测试:使用万用表或示波器进行静态工作点、电流放大系数、开关速度等参数的测试。
六、三极管的典型应用1.信号放大:用于放大器、振荡器等电路,实现信号的放大和传输。
2.开关控制:用于开关电路、脉冲发生器等,实现信号的切换和控制。
三极管规格书摘要:1.三极管的基本概念2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的放大原理5.三极管的应用领域正文:三极管,作为一种最基本的电子元件,广泛应用于各种电子设备和电路中。
这篇文章将详细介绍三极管的规格书。
首先,我们来了解三极管的基本概念。
三极管,又称晶体三极管,是由三个控制电极(或称栅极、源极、漏极)组成的半导体器件。
通过改变栅极的电压,可以控制源漏电流的大小,从而实现信号放大、开关等功能。
接下来,我们来探讨三极管的分类。
根据结构和工作原理的不同,三极管可以分为两类:NPN型和PNP型。
NPN型三极管的三个电极分别由氮化硼、磷化铟和硼化镓等半导体材料制成;而PNP型三极管的三个电极则由磷化铟、硼化镓和氮化硼等半导体材料制成。
在了解三极管的分类后,我们来关注一下三极管的主要参数。
这些参数主要包括:电流放大系数(或称电流增益)、输入电阻、输出电阻、耗散功率等。
电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标,输入电阻和输出电阻则分别表示三极管在输入和输出端的电流阻力,耗散功率则表示三极管在承受电流和电压时的热量损耗。
进一步地,我们来探讨三极管的放大原理。
当在栅极施加一定的电压时,栅极和源极之间的绝缘层会发生电场效应,使得源极和漏极之间的电阻发生变化,从而导致源漏电流的变化。
这种现象被称为“场效应”,是三极管实现信号放大的基本原理。
最后,我们来了解一下三极管的应用领域。
由于其独特的放大和开关功能,三极管广泛应用于各种电子设备和电路中,如放大器、振荡器、电源开关、信号处理等。
总之,三极管作为一种重要的电子元件,其规格书涉及到基本概念、分类、主要参数、放大原理和应用领域等多个方面。
ParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 169 I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 118 A I DMPulsed Drain Current 680P D @T C = 25°C Power Dissipation 330W Linear Derating Factor 2.2W/°C V GS Gate-to-Source Voltage± 20V E AS Single Pulse Avalanche Energy 560mJ I AR Avalanche CurrentSee Fig.12a, 12b, 15, 16A E AR Repetitive Avalanche Energy mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting Torque, 6-32 or M3 screw10 lbf•in (1.1N•m)HEXFET ® Power MOSFETSpecifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET ® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.Absolute Maximum RatingsDescription3/25/01q Advanced Process Technology q Ultra Low On-Resistance q Dynamic dv/dt Ratingq 175°C Operating Temperature q Fast SwitchingqRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxBenefitsAUTOMOTIVE MOSFETThermal ResistanceParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case–––0.45°C/WR θCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50–––R θJAJunction-to-Ambient–––62TO-220ABPD -93991AIRF1405Typical Applicationsq Electric Power Steering (EPS)q Anti-lock Braking System (ABS)q Wiper Control q Climate Control qPower Door查询IRF1405供应商IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405。
三极管的基本知识讲解三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件,在数字电路和模拟电路中都有大量的应用,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少,以下以硅管为例进行讲解。
三极管有2 种类型,分别是PNP 型和NPN 型。
先来认识一下,如下图所示。
三极管一共有3 个极,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极e(emitter),剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。
三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。
放大状态主要应用于模拟电路中,且用法和计算方法也比较复杂,我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性,只用到了截止与饱和两种状态,所以我们也只来讲解这两种用法。
三极管的类型和用法有个总结:箭头朝内PNP,箭头朝外NPN,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。
三极管的用法特点,关键点在于b 极(基极)和e 级(发射极)之间的电压情况,对于PNP 而言,e 极电压只要高于b 级0.7V以上(硅三极管的PN 结道导通电压,如果是锗三极管,这个电压大概为0.3V),这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。
也就是说,控制端在b 和e 之间,被控制端是e 和c 之间。
同理,NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V,总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。
这就是关于“导通电压顺箭头过,电压导通”的解释。
三极管的用法以上图为例介绍一下三极管的用法。
三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上,假定是P1.0,发射极直接接到5V 的电源上,集电极接了一个LED 小灯,并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。
如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1,那么基极b 和发射极e 都是5V,也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在三极管处是断开的,没有电流通过,LED2 小灯也就不会亮。