Asemi今天讲解整KMB、RMB、MB流桥封装区别

详细解析常见IC封装术语发布时间：2008-8-14 10:59:10 来源：中国芯片资料网—中国电子芯片资源网|全国专业的电子芯片资源基地|电子元件供应之家|芯片之家信息中心在电子行业中，大家一般只对封装有大概的了解，具体封装是一个什么概念就不知道了1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。

最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。

现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。

BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。

美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。

引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

ASEMI的MB10F和MB10S激烈对⽐究竟谁更胜⼀筹
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集成整流桥型号 MB10F和MB10S的本质区别
MB10F的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，⾼度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm；MB10S的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，⾼度为2.5mm，厚度为1.1mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm。

两者⽐较之后，我们可以清楚是看出两者的不同之外：,MB10F则为1.5mm，MB10S桥堆的本体⾼度为2.5mm；MB10F的厚度为0.6mm，MB10S的厚度为1.1mm。

所以得出结论，两款整流桥的参数⼀样，但MB10F⽐MB10S更薄更⼩，适⽤对整流桥体积有⾼要求的产品。

从它的体积参数当中我们可以看出，这⼀款产品⾮常⼩，所以它的散热问题是需要我们⾮常重视的⼀个⽅⾯，采⽤扁平设计就是考虑到它的这⼀⽅⾯问题，⽽且MB10F采⽤薄设计，这种设计可以增⼤导热性能，因为密封的⿊胶其本⾝散热性能并不是⾮常好，那怕我们采⽤透⽓与散热性好的树脂，但这种是材料本⾝性能的问题，另外最后⼀点，它的引脚亦是采⽤的扁平设计，这种设计的原理也是增⼤其散热性能的，
另外，引脚的铜材料的纯度也是影响其散热的⼀个因素，因为导体本⾝的导热性是⽐较不错的，其性能与铜引脚纯度成正⽐。

ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。

ROM内部的资料是在ROM的制造⼯序中，在⼯⼚⾥⽤特殊的⽅法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，⼀旦烧录进去，⽤ 户只能验证写⼊的资料是否正确，不能再作任何修改。

如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不⽤，重新订做⼀份。

ROM是在⽣产线上⽣产的，由于成本⾼，⼀般 只⽤在⼤批量应⽤的场合。

由于ROM制造和升级的不便，后来⼈们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。

最初从⼯⼚中制作完成的PROM内部并没有资料，⽤户可以⽤专⽤的编程器将⾃⼰的资料写⼊，但是这种机会只有⼀次，⼀旦写⼊后也 ⽆法修改，若是出了错误，已写⼊的芯⽚只能报废。

PROM的特性和ROM相同，但是其成本⽐ROM⾼，⽽且写⼊资料的速度⽐ROM的量产速度要慢，⼀般只 适⽤于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯⽚可重复擦除和写⼊，解决了PROM芯⽚只能写⼊⼀次的弊端。

EPROM芯⽚有⼀个很明显的特征，在其正⾯的陶瓷封装上，开有⼀个玻璃窗⼝，透过该窗⼝，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯⽚就可以擦除其内的数据，完成芯⽚擦除的操作要⽤到EPROM擦除器。

EPROM内资料的写⼊要⽤专⽤的编程器，并且往芯⽚中写内容时必须要加⼀定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯⽚型号⽽定）。

EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是⼀⽚2M Bits容量的EPROM芯⽚。

EPROM芯⽚在写⼊资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗⼝封住，以免受到周围的紫外线照射⽽使资料受损。

鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯⽚⼤部分都采⽤EPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。

整流桥MB6S与整流桥MB6M的区别与联系，ASEMI12年生产经验为您讲解
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整流桥MB6S与MB6M外观一览
下图所示，左图为整流桥MB6S，右图MB6M，图中所示我们可以看出MB6S 与MB6M他们封装的黑胶是一样，两款产品脚位之间的距离也是相同的：
MB6S与MB6M的区别与联系
整流桥MB6S与MB6M之间有什么区别呢，上图所示，MB6S为MB6M的贴片封装，MB6M为MB6S的插件封装，它们在电路当中的功能是一样的，都是为前端电源提供整流，不同之处在于，电路设计当中出于设计空间以及PCB板绝缘性的问题采用插件封装或者是贴片封装，这两种封装虽然对应的是相同的电路功能，但却是针对不同问题来设计的
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编辑人：MM
GBU808和KBU808这两款Asemi的桥堆都有什么差异？
摘要:GBU808和KBU808这两款Asemi的桥堆都有什么差异？他们虽然型号不一样！不过参数方面基本上没什么大的差异，同样的规格同样的参数。

犹如双胞胎兄弟！
GBU808和KBU808这两款Asemi的桥堆都有什么差异？两款封装、体积完全不同，电性参数都是8A800V，脚距也是相同，KBU更厚一些，线路板空间没有要求的情况下，两款是可以互相代替使用。

接下来我们来详解这两款整流桥！
封装外观尺寸
GBU808整流桥扁桥封装为GBU－4,尺寸参数：长度为21.9mm；高度为18.6mm；脚长度为16.0mm；厚度为4.83mm；脚间距为5.1mm；定位孔长度为3.85mm；KBU808扁桥封装为KBU－4，尺寸参数：长度Length：23.2mm；高度：17.3mm；脚间距：5.1mm；短脚长度：25.4mm；厚度：
6.8mm；脚直径：1.3mm；
ASEMI品牌GBU808跟KBU808整流桥两款都是采用了95MIL玻璃钝化工艺制作用的GPP芯片,经过了拉晶、晶棒加工、晶圆切片、晶圆磨边、化学研磨、镜面抛光、沟槽蚀刻、检测电性等环节。

在品质工艺上是使用的健鼎一体化自动生产线设备，全程工艺由电脑控制，台ASEMI半导体作为进口整流桥的典型代表,自台湾成立之初就深受广大电源用户的青睐。

整流桥生产厂家-台湾ASEMI。

作为中国区半导体行业的翘楚公司，强元芯电子拥有雄厚的研发实力，专业从事电源整流领域相关产品的开发，制造销售。

公司拥有业界首条工业自动化生产线，超过90%的自动生产率，严苛一致的生产因数,确保了产品品质，提升产品持续供货能力。

可编辑修改精选全文完整版芯片封装类型图解本文介绍了常见的集成电路封装形式，包括BGA、CPGA、FBGA、JLCC、LDCC、LQFP100L、PCDIP、PLCC、PPGA、PQFP、TQFP100L、TSBGA217L、TSOP、CSP、SIP、ZIP、S-DIP、SK-DIP、PGA、SOP、MSP和QFP等。

SIP是单列直插式封装，引脚在芯片单侧排列，与DIP基本相同。

ZIP是Z型引脚直插式封装，引脚比SIP粗短些，节距等特征也与DIP基本相同。

S-DIP是收缩双列直插式封装，引脚在芯片两侧排列，引脚节距为1.778mm，芯片集成度高于DIP。

SK-DIP是窄型双列直插式封装，除了芯片的宽度是DIP的1/2以外，其它特征与DIP相同。

PGA是针栅阵列插入式封装，封装底面垂直阵列布置引脚插脚，插脚节距为2.54mm或1.27mm，插脚数可多达数百脚，用于高速的且大规模和超大规模集成电路。

SOP是小外型封装，表面贴装型封装的一种，引脚端子从封装的两个侧面引出，字母L状，引脚节距为1.27mm。

MSP是微方型封装，表面贴装型封装的一种，又叫QFI等，引脚端子从封装的四个侧面引出，呈I字形向下方延伸，没有向外突出的部分，实装占用面积小，引脚节距为1.27mm。

QFP是四方扁平封装，表面贴装型封装的一种，引脚端子从封装的两个侧面引出，呈L字形，引脚节距为1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm，引脚可达300脚以上。

SVP是一种表面安装型垂直封装，其引脚端子从封装的一个侧面引出，中间部位弯成直角并与PCB键合，适用于垂直安装，实装占有面积很小。

其引脚节距为0.65mm和0.5mm。

LCCC是一种无引线陶瓷封装载体，其四个侧面都设有电极焊盘而无引脚，适用于高速、高频集成电路封装。

PLCC是一种无引线塑料封装载体，适用于高速、高频集成电路封装，是一种塑料封装的LCC。

SOJ是一种小外形J引脚封装，其引脚端子从封装的两个侧面引出，呈J字形，引脚节距为1.27mm。

专家解读：PLM中的BOM定义及分类BOM是企业信息化建设的管理核心，是任何管理系统中的基础，是贯穿各信息系统的主线，BOM管理是企业技术管理信息化的主要内容，许多企业对BOM的认识不够，有些企业甚至在选型中连BOM是何含义都不理解，所以本文引用一些BOM定义资料进行总结，并结合笔者PLM实施实战经验，对BOM的定义及BOM有关的知识进行介绍。

一、BOM的定义狭义的BOM (Bill of Material)是指物料清单，从不同的系统来看，BOM的含义具有一定的差别。

从研发人员来看，研发人员主要在CAD系统中绘制产品总成图或部件图，BOM是一种产品结构的技术描述文件，它表明了产品组件、子件、零件直到原材料之间的结构关系，以及每个组装件所需要的各下属件部件的数量，偏重于产品信息的汇总，如明细表；从工艺管理上看，BOM不是技术文件，而是计划文件或指导生产文件，包括加工工序卡、锻铸热处理卡、工装材料等汇总信息。

广义的BOM是产品对象的属性集合。

从集合论和线性代数理论出发，广义BOM可以用n维属性空间来描述，其中n代表产品对象属性空间中相互独立属性的最大个数，记为BOM (Xl，X2,…,Xn)。

具体来说，产品BOM属性信息包括以下部分：零件编码、零件图号、材料、重量、体积、物料生效日期等信息；部件内的各个单一零件(包括标准件、外协件、外购件、借用件、自制件等)的装配数量、零部件图号等信息；总图信息，包括零部件清单、技术文件、产品说明书、保修单等。

二、常见几种BOM在产品的整个生命周期中，根据不同部门对BOM的不同需求，主要存在以下几种BOM：设计物料清单EBOM、计划物料清单PBOM、制造物料清单MBOM、成本物料清单CBOM 等。

企业这些BOM的管理也需要结合企业的实际管理需要进行划分，并需要确定哪些BOM在什么系统中管理，BOM之间的转换等等，下面对他们的含义一一给予说明：1）EBOM：主要是设计部门产生的数据，产品设计人员根据客户订单或者设计要求进行产品设计，生成包括产品名称、产品结构、明细表、汇总表、产品使用说明书、装箱清单等信息，这些信息大部分包括在EBOM中。

Protel 99常用元件的电气图形符号和元件封装是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。

像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

1英寸=1000mil=2.54cm； 1mm=40mil；1、标准电阻：RES1、RES2、RES3、RES4；封装：AXIAL0.3到AXIAL1.0，其中0.3-1.0指电阻的长度，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil；三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 。

2、电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 。

封装：无极性电容为RAD0.1到RAD0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径；一般<100uF用RB.1/.2, 100uF-470uF用RB.2/.4, >470uF用RB.3/.6。

贴片电阻电容（通常电容<10uF）外形尺寸与封装的对应关系是（单位：mm）:0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.53、二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）。

封装：DIODE0.4和DIODE 0.7（注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）4、三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO-18及TO-92A（普通三极管），TO-220（大功率三极管），TO-3（大功率达林顿管）,以上的封装为三角形结构。

光模块的千兆和万兆区分方法
光模块的千兆和万兆主要通过以下几个方面来区分：
1. 传输距离：千兆光模块的传输距离通常在20km至120km之间，而大部分的千兆光模块的传输距离在100km左右。

万兆光模块的传输距离在20km到80km之间，但大部分的万兆光模块的传输距离是80km。

2. 接口类型：除GBIC千兆光模块的接口是SC双工以外，其余的万兆光模块的接口都是LC双工。

3. 光学性能：千兆光模块中，除GBIC光模块不支持DOM功能外，其余的千兆光模块均支持DOM功能。

而万兆光模块支持DOM功能。

4. 封装形式：万兆光模块包括10G SFP+光模块、BIDI SFP+光模块、CWDM SFP+光模块、DWDM SFP+光模块、10G XFP光模块、BIDI XFP光模块、CWDM XFP光模块、DWDM XFP光模块和10G X2光模块这九种。

而千兆光模块包括1000Base SFP光模块、BIDI SFP光模块、CWDM SFP 光模块、DWDM SFP光模块、SONET/SDH SFP光模块、GBIC光模块这六种。

通过以上方法，可以明确地区分千兆和万兆光模块，为使用者提供清晰的指导。

光模块封装大盘点光模块的尺寸由封装形式（form factor）决定，而这个封装就是各种多源协议（MSA）组织规定的。

早期设备的接口种类很多，每个设备商生产的设备都只能用自己特定的光模块，无法在行业内通用。

于是一些行业大佬建了个群，商量在设备商之间使用相同的接口和相同尺寸的光模块，这个群就是MSA。

定义光模块尺寸的MSA主要是SFP MSA，XFP MSA，CXP MSA，QSFP MSA，CFP MSA，OSFP MSA，和QSFP-DD MSA，也是目前市场上留存下来的几种主要封装形式。

以下是光模块的几种封装类型：GBIC光模块，Giga Bitrate Interface Converter的缩写，在上世纪90年代相当流行。

它将千兆位电信号转换为光信号，可以为热插拔使用。

GBIC是一种符合国际标准的可互换产品。

这种光模块在没有出现SFP封装之前，曾经广泛的用于交换机，路由器等网烙产品，后逐渐被SFP光模块替代。

GBIC模块与1X9封装的模块相比，优势非常明显，由于其可支持热插拔的特性，使得GBIC产品作为一个独立的模块，用户可以方便的更新维护光模块，故障定位。

然而随着网络的不断发展，GBIC模块的缺点也逐渐显现。

主要的缺点的个头太大，导致业务板光口密度较小，板卡上无法容纳足够数量的GBIC，无法适应网络迅猛发展的趋势。

SFP光模块，英文全称是Small Form-factor Pluggables，即小型热插拔光模块，是早期GBIC模块的升级版本，继承了GBIC的热插拔特性，采用LC头，与GBIC光纤模块相比，它的体积更小，集成度更高，极大的增加了网络设备的端口密度，适应了网络迅猛发展的趋势，因此得到了最广范的应用，是目前市场最流行的光模块，我们通常所说的光模块就是这种类型。

SFP光模块也借鉴了SFF小型化的优势。

目前主要的设备厂商，无一例外摒弃的GBIC产品，只采用SFP光模块产品。

由于采用了统一的标准，各厂家的SFP产品可以兼容，SFP产品可作为一种单独的网络设备采购。

100g光模块封装类型
光模块封装类型通常是根据其内部光学元件和电子元件的封装
方式来进行分类的。

常见的光模块封装类型包括，DIP封装、SMD封装、COB封装、TO封装、BGA封装等。

1. DIP封装，DIP（Dual In-line Package）是一种双排直插
式封装，适用于一些较大的光学元件和电子元件，具有良好的可焊
性和可维护性，但体积较大。

2. SMD封装，SMD（Surface Mount Device）是一种表面贴装
封装，适用于高密度集成的光学元件和电子元件，具有体积小、重
量轻、可靠性高的特点。

3. COB封装，COB（Chip on Board）是一种芯片直接封装在电
路板上的封装方式，适用于一些要求紧凑、高功率密度的光模块，
具有散热性能好的特点。

4. TO封装，TO（Transistor Outline）是一种金属外壳封装，适用于一些要求散热和防护的光学元件和电子元件，具有良好的耐
高温性能。

5. BGA封装，BGA（Ball Grid Array）是一种球栅阵列封装，适用于高密度、高速、高频率的光模块，具有良好的电气性能和散热性能。

不同的光模块封装类型适用于不同的应用场景和要求，选择合适的封装类型可以有效提高光模块的性能和可靠性。

贴片整流桥MB10S和MB10F的区别，以ASEMI品牌的产
品详解
编辑：TT
首先先来看一下这两款型号的外观和封装，如下图所示，这两款贴片
整流桥的外观比较相似，都是贴片小扁桥。

的封装是：MBF-4 (SOP-4)
MB10S的封装是：MBS-4 (SOP-4)
接着来看一下这两款型号的具体参数：
整流桥MB10S和MB10F的电性参数都是一样的：正向电流（Io）为0.8A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里面有4个芯片，芯片尺寸都是46MIL，它的浪涌电流Ifsm 为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，里面引线数量有4条。

最后介绍一下这两款型号的外观具体尺寸：
MB10S这个型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为2.5mm，厚度为1.1mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm
MB10F这个型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm
两者比较之后我们看出两者的不同之外：MB10S桥堆的本体高度为2.5mm,MB10F则为1.5mm.MB10S的厚度为1.1mm,MB10F的厚度为0.6mm，所以得出结论，两款整流桥的参数一样，但MB10F比MB10S更薄更小，适用对整流桥体积有高要求的产品。

主板術語主板：英文“mainboard”它是电脑中最大的一块电路板，是电脑系统中的核心部件，它的上面布满了各种插槽（可连接声卡/显卡/MODEM/等）、接口（可连接鼠标/键盘等）、电子元件，它们都有自己的职责，并把各种周边设备紧紧连接在一起。

它的性能好坏对电脑的总体指标将产生举足轻重的影响。

AT板型: 也就是“竖”型板设计，即短边位于机箱后面板。

它最初应用于IBM PC/AT机上。

AT主板大小为13×12英寸。

Baby-AT板型: 随着电子元件和控制芯片组集成度的大幅提高，也相应的推出了尺寸相对较小的Baby AT主板结构。

Baby AT大小为13.5×8.5英寸。

ATX（AT eXternal）板型：是Intel公司提出的新型主板结构。

它的布局是“横”板设计，就象把Baby-AT板型放倒了过来，这样做增加了主板引出端口的空间，使主板可以集成更多的扩展功能。

Micro-ATX板型：是Intel公司在97年提出的主板结构，主要是通过减少PCI和ISA插槽的数量来缩小主板尺寸的。

NLX（New Low Profile Extension）板型：是Intel提出的一种新型主板架构。

它将强电、扩展槽等一些最容易损坏的部分设置在一块扩展竖板上，来提高主板的可靠性。

CPU(Central Processing Unit:中央处理器）：通常也称为微处理器。

它被人们称为电脑的心脏。

它实际上是一个电子元件，它的内部由几百万个晶体管组成的，可分为控制单元、逻辑单元和存储单元三大部分。

其工作原理为：控制单元把输入的指令调动分配后，送到逻辑单元进行处理再形成数据，然后存储到储存器里，最后等着交给应用程序使用。

SMP（SYMMETRICMULTI－PROCESSING）：就是允许多个微处理器共享CPU负载请求的方法。

Socket 5：方形多针脚ZIF（零插拔力：只要将插座上的拉杆轻轻扳起或按下，就可方便地安装和更换）插座插座，支持奔腾P54C和P54S处理器，320针脚。

EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别EEPROM，EPROM，FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH 是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1、EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

2、EEPROM一般容量都不大，如果大的话，EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。

市面上卖的stand alone 的EERPOM一般都是在64KBIT以下，而FLASH一般都是8MEG BIT以上（NOR型）。

3、读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。

4、因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING的话，EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也没有问题的。

总的来说，对与用户来说，EEPROM和FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH要好一些。

LED芯片知识-MB、GB、TS、AS芯片定义与特点一、MB 芯片定义与特点定义﹑M B芯片﹑M e t a l Bonding (金属粘着）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品。

特点﹑1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。

2﹑通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3:导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。

4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热5:尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB 二、GB 芯片定义和特点定义﹑GB芯片﹑Glue Bonding (粘着结合）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品特点﹑1﹑透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs 衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2 倍以上、蓝宝石衬底类似TS 芯片的GaP 衬底。

2﹑芯片四面发光、具有出色的Pattern 3﹑亮度方面、其整体亮度已超过TS 芯片的水准(8.6mil) 4﹑双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS 单电极芯片三、TS 芯片定义和特点定义﹑TS芯片﹑transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。

特点﹑1.芯片工艺制作复杂、远高于AS led 2. 信赖性卓越3.透明的GaP 衬底、不吸收光、亮度高 4.应用广泛四、AS 芯片定义和特点定义﹑A S芯片﹑A bso rba ble structure(吸收衬底）芯片﹑经过近四十年的发展努力、台湾LED 光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS 芯片、特指UEC 的AS 芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点﹑1. 四元芯片、采用MOVPE 工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮 2. 信赖性优良 3.应用广泛tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。