模拟电子技术2
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习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ,分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解:当K 250=T 时,有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ,同理,当K 300=T 时,有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ,当K 350=T 时,有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n , 当掺入施主杂质后,电子浓度:d N n =,空穴浓度:n n p 2i =,当K 250=T 时,317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p , 当K 300=T 时,317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p , 当K 350=T 时,317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ,316d cm 10=N ,求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解:)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ, 当K 300=T 时,mV 26T =U ,310i cm 1043.1⨯=n ,代入得:76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ,当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少?由计算结果说明伏安特性的特点。
解:根据PN 结方程,流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ,6S 10−=I A ,26T =U mV ,2.01=U V 时,3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ,36.02=U V 时,03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ,4.03=U V 时,8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ,2.04−=U V 时,04=I ,反向截止, 36.05−=U V 时,05=I ,反向截止, 4.06−=U V 时,06=I ,反向截止,由此可见,PN 结外加正向电压时,斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
《模拟电路》课程标准一、课程定位《模拟电路》课程是高职电气电子类专业的一门专业基础课,该课程不仅具有自身的理论体系而且是一门实践性很强的课程。
通过本课程的学习,使学生学会查阅电子器件手册,了解基本电子电路在电子产品中的应用,掌握电子技术的基本概念、基本理论和分析电子电路的方法,掌握基本的电子电路测试方法,为学生的顶岗就业准备必要的知识与技能;培养学生应用电子技术知识的能力,为深入学习本专业有关后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打好基础。
本课程在大一第二学期内完成,总学时为64学时。
二、课程设计思路本课程把培养电气自动化技术专业岗位群所需的高素质技能型人才作为课程目标,以电子技术应用能力的培养为核心。
与企业合作,共同开发了5个学习情境。
学习情境采用结构化设计,它以目标、内容要求为基础构建学习情境框架,提供多个项目、案例作为载体,教师教学时可直接使用这些载体,也允许教师从企业或实际工作中引入新的载体。
使原本比较抽象的内容具体化,使学生对理性分析有感性的认识,调动学生学习积极性。
三、课程目标1.总体目标通过本课程的学习,使学生学会查阅电子器件手册,了解基本电子电路在电子产品中的应用,掌握电子技术的基本概念、基本理论和分析电子电路的方法,掌握基本的电子电路测试方法,为学生的顶岗就业准备必要的知识与技能;培养学生应用电子技术知识的能力,为深入学习本专业有关后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。
2.具体目标(1)知识目标a.了解模拟信号的基本特点和分析处理方法,对常见电子电路有初步的认识和了解;b.掌握半导体元器件的基本原理、外特性和图形符号表示;掌握常用半导体器件在电子电路中的典型应用;c.掌握直流稳压电源的工作原理;掌握各种常用放大电路的基本结构和工作原理;掌握负反馈概念、分类及特点,对简单性能要求会引入适当负反馈提高电路性能指标;d.掌握运算放大器组成结构和工作原理,掌握运算放大器的线性应用,会用借助于Multisim软件分析其典型应用电路;e.掌握各类功放的特点,会分析集成功放电路;掌握正弦和非正弦信号产生的原理。
考试科目 《模拟电子技术》 专业 (A 类B 卷)学号 姓名 考试日期: 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分,共20分)1.电路如图所示,()V sin 05.0i t u ω=,当直流电源电压V 增大时,二极管V D 的动态电阻将__ __。
A .增大,B .减小,C .保持不变2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U =4V 。
GS u =3V ,DS u =10V ,判断管子工作在 。
A .恒流区,B .可变电阻区 ,C .截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 4V ;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 8V (均指直流电压)。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A .80 ,B .40,C .-40,D .20 4. 在某双极型晶体管放大电路中,测得)m V 20sin (680BE t u ω+=,A μ)10sin (20B t i ω+=,则该放大电路中晶体管的_ ___。
A .2,B .34,C .0.4,D .15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加,差模电压放大倍数d u A 。
A .增大,B .减小,C .基本不变6. 为使其构成OCL 电路,V 2CES ≈U ,正常工作时,三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A .36VB .34VC .32VD .18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的=50,=1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _(A .50, B .100, C .200);下限截止频率约为___ __Hz(A .16, B .160, C .1.6k );当输入信号频率f =时,输出电压与输入电压相位差约为 _ _(A .45°, B .-45°, C .-135°, D .-225°)。
《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题(将一个正确选项前的字母填在括号内)(每小题2分、共30分)1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻,可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点,电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器,它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“TIME/DIV”的指示值是2μs,则所测正弦波的频率为()A.500kHz B.250kHz C.125kHz D.100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“mV/DIV”的指示值是50,则所测正弦波的最大值为()A.230 mV B.80 mV C.115 mV D.100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时,应该把欧姆档拨到()A.R×100或R×1k档B.R×1档C.R×10档D.R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例,则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题,输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号,正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在()A.深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题(每小题2分,共12分)1. PNP型三极管工作在放大状态,三点的电位关系为。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管,正向压降为 0.7V ,试判断VD 是否导通,并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )(a )设VD 断开,求得U O ≈-0.45V ,小于硅二极管的死区电压,所以VD 截止,U O ≈-0.45V(b )VD 导通,U O =2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ,反向电流等于零。
( a )( b )(a )V 1D -=U ,VD 截止,0D =I(b ) 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示,VD 为理想二极管,画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线),并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中,)V ( Sin 5i t u ω=,二极管正向压降为0.7V ,画出各电路中u O1、u O2波形,并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )-0-5. 在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1=6.3V , VD Z2的稳定电压U Z2=7.7V ,它们的正向导通电压U D 均为0.7V ,U I 和R 的取值合理,U I 的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。
填空: U O1= V ,U O2= V ,U O3= V ,U O4= V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 , 7, -0.7, -6.36. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和 , C .截止 , D .损坏)⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V--12V0V+2.3V( 4 )(1)C (2)A (3)C (4)B (5)D7. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。