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模拟电子技术2

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电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案

电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
3.放大区 、 、
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。

若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。

解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。

题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。

解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。

题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。

解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。

模拟电子技术第二章

模拟电子技术第二章

电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示，如图：
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下 放大才有意义。
2021/4/11
3
2.1.2.放大电路的性能指标
放大电路示意图
图2.1.2放大电路示意图
2021/4/11
4
一、放大倍数
表示放大器的放大能力
VCC
U BEQ Rb
(12 0.7 )mA 40 μA 280
做直流负载线，确定 Q 点
根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0，uCE = 12 V ； uCE = 0，iC = 4 mA .
2021/4/11
T
22
iC /mA
4 3 2 1 0
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA
U i →△uBE →△iB
→△iC（b△iB）
VBB
→△uCE（-△iC×Rc）
UI
→
•
Uo
+VCC （ +12V）
RC
IC +△IC
IB
B Rb 1
+△I B
3C ET2
U CE
U BE +△UBE
+△U CE
+
UO
-
电压放大倍数：
•
•
Au
Uo
•
Ui
2021/4/11
13
+VCC （+12V）
iC / mA
4
交流负载线 80
60
IC
Q
iC 2

《模拟电子技术(第2版)》课程标准 《模拟电路》课程标准

《模拟电子技术(第2版)》课程标准 《模拟电路》课程标准

《模拟电路》课程标准一、课程定位《模拟电路》课程是高职电气电子类专业的一门专业基础课，该课程不仅具有自身的理论体系而且是一门实践性很强的课程。

通过本课程的学习，使学生学会查阅电子器件手册，了解基本电子电路在电子产品中的应用，掌握电子技术的基本概念、基本理论和分析电子电路的方法，掌握基本的电子电路测试方法，为学生的顶岗就业准备必要的知识与技能；培养学生应用电子技术知识的能力，为深入学习本专业有关后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打好基础。

本课程在大一第二学期内完成，总学时为64学时。

二、课程设计思路本课程把培养电气自动化技术专业岗位群所需的高素质技能型人才作为课程目标，以电子技术应用能力的培养为核心。

与企业合作，共同开发了5个学习情境。

学习情境采用结构化设计，它以目标、内容要求为基础构建学习情境框架，提供多个项目、案例作为载体，教师教学时可直接使用这些载体，也允许教师从企业或实际工作中引入新的载体。

使原本比较抽象的内容具体化，使学生对理性分析有感性的认识，调动学生学习积极性。

三、课程目标1．总体目标通过本课程的学习，使学生学会查阅电子器件手册，了解基本电子电路在电子产品中的应用，掌握电子技术的基本概念、基本理论和分析电子电路的方法，掌握基本的电子电路测试方法，为学生的顶岗就业准备必要的知识与技能；培养学生应用电子技术知识的能力，为深入学习本专业有关后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。

2．具体目标（1）知识目标a．了解模拟信号的基本特点和分析处理方法，对常见电子电路有初步的认识和了解；b．掌握半导体元器件的基本原理、外特性和图形符号表示；掌握常用半导体器件在电子电路中的典型应用；c．掌握直流稳压电源的工作原理；掌握各种常用放大电路的基本结构和工作原理；掌握负反馈概念、分类及特点，对简单性能要求会引入适当负反馈提高电路性能指标；d．掌握运算放大器组成结构和工作原理，掌握运算放大器的线性应用，会用借助于Multisim软件分析其典型应用电路；e．掌握各类功放的特点，会分析集成功放电路；掌握正弦和非正弦信号产生的原理。

模拟电子技术试卷2附答案

模拟电子技术试卷2附答案

考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。

A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。

GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。

A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。

则该放大电路的电压放大倍数为________________。

A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。

A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。

A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。

A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。

该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。

《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷

《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷

《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。

模拟电子技术第二章电流模电路基础


2.1 电流模电路的概念及特点 (Current Mode)
一、概念
电流模电路：就是能够有成效地传送，放大和处理电 流信号的电路。（以电流变化为信息载体的电路） 电压模电路：电压模电路，则是偏重传送，放大和处理电 压信号的电路并以电压为变量来分析和标定电路。 ➢ 电流模电路以电流变量作为分析与设计电路的输入和
则有：UT ln[i2i4 /(I s2 I s4 )] UT ln[i1i3 /(I s1I s3 )] 在TL回路中，若顺时针方向排列的正偏PN结数目与反
控使制时P发N则针结射有方的区：向各尺排电i寸2列流 i的4乘正I积s偏1i等1P于iNI3s反结2 时数I针目s3正相偏等Is，P4N则结顺I的s 时各针电正流偏乘积。
➢ 顺时针方向（CW）排列的正偏结数与反时针方 向（CCW）排列的正偏结数目必须相等。
跨导线性原理是B.Gilbert提出的，这个原理 可以简化非线性电路的计算，它即适用于小信 号，又适用于大信号。尤其在一个较大规模的 电路中，只要存在“跨导线性环”，就会使电 路计算大大简化。在电流模电路中，因为多施 用“匹配”技术，几乎到处都可以找到“跨导 线性环” 。
跨导线性回路原理：
第二章 电流模电路基础
（现代模拟集成电路技术）
2.1 电流模(current Mode)电路的概念及特点 2.2电流传输器 2.3 跨导线性（TL）原理 2.4由TL环路构成的电流模电路
电路如图所示，设晶体管的参数相同，
均处在放大区，且有 Ia>>IB1,Ib>>IB4,试利用
早在1989年，“电流模式信号处理”专题就已经 列入了IEEE电路与系统国际会议的议题。
不久的将来，电流模电路必将改变目前的电压模 电路统制模拟信号处理领域的局面。

模拟电子技术基础2 6 7章课后答案

>VZ
说明稳压管DZ已经导通，假定不正确，V0=VZ=6V。
由于IZmin<IZ<IZmax，说明稳压管DZ已经导通，并且能正常工作。
（2）当负载开路时，稳压管中的电流等于限流电阻中的电流，即
>IZmax
稳压管将因功耗过大而损坏。
2-16在测试电流为28mA时稳压管的稳压值为9.1V，增量电阻为5Ω。求稳压管的VZO，并分别求电流为10mA和100mA时的稳压值。
解：（1）根据
其中
（2）如果流向负载的电流为1mA，则流过二极管的电流为
则
所以输出电压的变化为：
2-7在题2-7图所示电路中，设二极管为理想的，试判断图中各二极管是否导通，并求VAO值。
解：根据题意，电路中的二极管都是理想的。
（a）二极管D不通
（b）D导通
（c）D1导通，D2不通
（d）D1、D2均导通，则
（3）求该放大器的通频带 。
（4）放大器输入信号 时，是否会产生频率失真？请说明原因。
（5）放大器输入信号 时，是否会产生频率失真？请说明原因。
答：
（1）
（2） ，
（3）
（4）单一频率的信号，不会产生频率失真；
（5）不同频率信号的放大倍数不同，会产生频率失真
6-10已知某放大电路的的电压放大倍数为 。
（1）求解 ；
（2）画出波特图。
答：
6-11已知某放大电路的波特图如图P6-11所示，试写出电压放大倍数 的表达式。
图P6-11
答：
6-12阻容耦合放大器幅频特性如图P6-12，问：
图P6-12
（1）给放大器输入 ， 的正弦信号时，输出电压 为多少？
（2）给放大器输入 ， 的正弦信号时，输出电压 为多少？

模拟电路2习题及解答


Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8

模拟电子技术应用(二)复习题及答案.

模拟电子技术应用（二）复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管，正向压降为 0.7V ，试判断VD 是否导通，并计算U O 的值。

5V5V( a )( b )（a ）设VD 断开，求得U O ≈－0.45V ，小于硅二极管的死区电压，所以VD 截止，U O ≈－0.45V（b ）VD 导通，U O ＝2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。

设二极管的正向导通压降为0.7V ，反向电流等于零。

( a )( b )（a ）V 1D -=U ，VD 截止，0D =I（b ） 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示，VD 为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线），并标明转折点坐标值。

( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中，)V ( Sin 5i t u ω=，二极管正向压降为0.7V ，画出各电路中u O1、u O2波形，并注明其电压幅值。

uu ( a )( b )－0－5. 在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1＝6.3V ， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V ，它们的正向导通电压U D 均为0.7V ，U I 和R 的取值合理，U I 的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。

填空： U O1＝ V ，U O2＝ V ，U O3＝ V ，U O4＝ V 。

U IU IU U O1U O2U O3U O414 ， 7， －0.7， －6.36. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。

用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

（A ．放大， B ．饱和 ， C ．截止 ， D ．损坏）⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。

( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V－－12V0V+2.3V( 4 )（1）C （2）A （3）C （4）B （5）D7. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。

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N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。 例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级，
10 在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级，
掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度 为1022*（1/106）=1016数量级，
(1) 稳定电压VZ
在规定的稳压管反向工作电流IZ下， 所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ
rZ =VZ /IZ， rZ愈小，反映稳压 管的击穿特性愈陡。
(3) 最大耗散功率 PZM
最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工
作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。
(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin
半导体二极管及基本电路
半导体的基本知识
PN结的形成及特性 半导体二极管
★二极管基本电路分析
特殊二极管
半导体的基本知识 半导体的基本知识
根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘 体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半导体有硅 Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点：1）导电能力不同于导体、绝缘体； 2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、 热敏元件； 3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——半导体。
3. 折线模型（实际模型）
rD
VD Vth 0.7V 0.5V 200 iD 1mA
4. 小信号模型
VD Vth i D rD
rD
vD
iD
Q
26 (mV ) I D (mA)
二极管电路分析
1.静态分析 例1：求VDD=10V时，二极 管的 电流ID、电压VD 值。 正向偏置时： 当iD≥1mA时， VD 0V I VDD 10V 1mA 管压降为0，电阻也为0。 D R 10 K vD=0.7V。 反向偏置时： 2. 恒压降模型 电流为0，电阻为∞。 解： 理想模型 1.
本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子——可以自由移动的带电粒子。
电导率——与材料单位体积中所含载流子数 有关，载流子浓度越高，电导率越高。
返回
电子空穴对
当T=0K和无外界激发时，导体中没有栽流子，不导电。当 温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子 可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子——本 证激发。
3. 实际模型
VD 0.7V I D VDD VD 10V 0.7V 0.93mA R 10 K
VDD Vth 10V 0.5V ID 0.931mA R rD 10 K 0.2 K
VD Vth 0.7V 0.5V VD 0.5V I D rD 0.5V 0.931mA 0.2K 0.69V rD 200 iD 1mA
硅二极管的死区电压Vth=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2~0.3 V左右。
(2) 反向特性 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时， 反向电流很小，且基 本不随反向电压的变 化而变化，此时的反 向电流也称反向饱和 电流IS 。 当V≥VBR时，反向 电流急剧增加，VBR称 为反向击穿电压 。
(3) 反向击穿特性
硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反 向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比 较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。
若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若 |VBR|≤4V时, 则主要 是齐纳击穿。
半导体二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。
C
+ vi(t) R 1K E 1.5V 解： + VD －
I DQ
1.5 VD 0.9mA 1K
－
0.6 R直 0.67 (k) 0.9
VT 26 r交 28 .89 () I Q 0.9
例3： 二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二
极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。
动画
（2）PN结加反向电压
外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强 了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散 电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下 形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN 结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反 向电压，简称反偏。
在一定的温度条件下，由本 征激发决定的少子浓度是一定 的，故少子形成的漂移电流是 恒定的，基本上与所加反向电 压的大小无关，这个电流也称 为反向饱和电流。
本征激发
+4
空穴
+4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
动画1-1
+4 +4 +4
自由电子
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位， 这个空位为空穴。 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电 返回 子空穴对。
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导 体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元 素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
(2) 反向击穿电压VBR
二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击 穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电 压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。
(3) 反向电流IR
在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向 电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极 管在微安(A)级。
动画
总之：PN结正向电阻小，反向电阻 大——单向导电性。
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半导体二极管 半导体二极管
二极管 ：一个PN结就是一个二极管。 单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负 极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号：
半导体二极管的伏安特性曲线
第一象限的是正 向伏安特性曲线， 第三象限的是反向 伏安特性曲线。
N型半导体（电子型半导体）
在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑 ) 多余电子， 成为自由电子 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +5 +4 +4 返回 +4 +4
P型半导体（空穴型半导体）
在本征半导体中掺入三价的元素（硼）
空穴 空穴
+4 +4 +4
+4 +3 +4 +4
解：
Vi> 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi< 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。
特殊二极管 特殊二极管
稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压 二极管的伏安特性曲线与硅二极管 的伏安特性曲线完全一样。
稳压二极管在工作时应反接，
并串入一只电阻。
电阻起限流作用，保护稳压管； 其次是当输入电压或负载电流变化 时，通过该电阻上电压降的变化， 取出误差信号以调节稳压管的工作 电流，从而起到稳压作用。
产生多余电子
动画
因浓度差
多子的扩散运动
由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散
PN结的单向导电性
(1) PN结加正向电压
外加的正向电压，方 向与PN结内电场方向相反， 削弱了内电场。于是,内 电场对多子扩散运动的阻 碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流， 可忽略漂移电流的影响， PN结呈现低阻性。P区的 电位高于N区的电位，称 为加正向电压，简称正偏。
Vi 3V时，D截止，vo vi
Vi 3V时，D导通，vo 3V
例6： 理想二极管电路中 vi=V m sinω t V，求输出波形v0。
vi
Vm
V1
0 V2
t
Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。
Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。
V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。
(4) 正向压Leabharlann VF在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约 0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。
二极管基本电路分析
二极管基本电路分析
二极管模型
1. 理想模型
正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。
2. 恒压降模型
当iD≥1mA时，
vD=0.7V。
2.限幅电路 例2：理想二极管电路中 vi= Vm sinω t V，求输出波形v0。
vi
Vm VR
解： Vi> VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi< VR时，二极管截止， vo=VR。
0
t
3.开关电路
利用二极管的 单向导电性可 作为电子开关 例11：求vI1和
vI2不同值组合 解： 时的v0值（二极 vI1 管为理想模型）。
例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。
VO=25V
解：① VI<25V，D1、D2均截止。
② VI >25V ，D1导通，D2截止。
2 25 VO VI 3 3
③VI>137.5V，D1、D2 均导通。
VO=100V
VO