集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046

移相全桥控制芯片
移相全桥控制芯片是一种电子元件，是实现两个绕线电感器（Load）之间交替工作的控制元件。

它采用移相技术，具有高效、精确、可靠等特点，广泛应用于LED照明、电机控制、电源管理等领域。

在LED照明领域，移相全桥控制芯片可以控制LED灯条的亮度和
色温，实现智能化亮度和色温调节。

它可以将电源电压转化为驱动LED 所需的电流和电压，有效避免了LED电流过大造成的损坏和电源功率
损耗的问题。

同时，移相全桥控制芯片还可以减小LED的爆闪风险和
频闪干扰，提高LED的显示效果和使用寿命。

在电机控制领域，移相全桥控制芯片可以实现高速电机控制和减
速运动，同时提供过流保护和温度保护功能。

它可以控制电机的启动、停止、方向和速度，并实现闭环反馈控制和多种运动方式切换。

移相
全桥控制芯片可以广泛应用于无人驾驶汽车、机器人、航空航天等领域。

在电源管理领域，移相全桥控制芯片可以实现DC-DC变换器的高
效转换和输出电压的稳定性控制。

它可以自适应地调整输出电压和电流，实现输出功率的最优配置和电池保护。

同时，移相全桥控制芯片
可以采用多种保护措施，如过电流保护、过热保护和短路保护等，保
证电子设备的安全和稳定运行。

作为一种高效、精确、可靠的电子元件，移相全桥控制芯片在现代电子技术发展中发挥着重要的作用。

通过掌握其工作原理和应用技术，可以为各行各业提供更加高效、智能和安全的电子产品和系统。

50v电源mos工作电路
50V电源MOS工作电路是一种使用50V电源供电的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管）工作电路。

MOSFET是
一种常见的功率开关器件，具有高效率和快速开关特性，在许多领域广泛应用。

一个简单的50V电源MOS工作电路包括以下主要组件：
1. 50V直流电源：该电源为整个电路提供50V的直流电压。

可以使用适配器、电池或其他电源提供。

2. MOSFET：选择一个适用于50V工作电压的MOSFET。

通常，根据所需的功率和电流量级，选择具有足够的耐压和导通特性的器件。

3. 驱动电路：MOSFET通常需要输入较高的电压来实现快速
开关。

因此，驱动电路用于将低电平的信号转换为MOSFET
所需的高电平信号。

驱动电路通常包括一个或多个晶体管和其他电子元件。

4. 控制信号：控制信号用于控制MOSFET的开关状态。

可以
使用开关、微控制器、逻辑门或其他电路生成和控制控制信号。

5. 输入/输出电缆：输入/输出电缆用于将电路与其他电子设备
连接起来，以实现所需的输入和输出功能。

此外，在实际设计中，还可能需要电流限制电路、过压保护电
路、过热保护电路和滤波电路等辅助电路，以确保电路的安全和稳定工作。

需要根据具体应用场景的需求和具体的MOSFET器件选择和驱动电路设计其他参数，进行电路设计和优化。

在设计和使用电路时，应特别注意保持安全距离以避免电路故障、短路或火灾等危险。

概述：LM5025PWM控制器包括了采用有源箝位复位实现电源变换器的所有必要的特点。

此IC 可用来实现控制一个P沟道箝位开关或一个N沟道箝位开关。

采用有源箝位技朮可以实现更高的效率和更大的功率密度，这相当于传统的绕组复位或RDC箝制复位技朮。

它提供两个控制输出端：主电源开关控制OUT-A和有源箝位开关控制OUT-B。

有源箝位输出可以实现一个可调整的重迭时间（对于P沟道应用）或一个可调整的死区时间（对于N沟道应用）。

这两个内部合成的栅驱动器采用并联的MOS和双极器件提供优越的栅驱动特性。

此控制器是为1MHz以上的振荡频率工作设计，其PWM及电流检测延迟的延迟时间小于100nsLM5025包括一个输入电压范围可在13V到90V的高压起动调整器。

其它特点包括：线路欠压锁定，软起动，有可以上下同步性能的振荡器，精密电压基准和过热关断保护。

特色：内部起动偏置调节器。

3A驱动能力的合成的主驱动器。

带可调节的带有阈值窗口可调的线路欠压锁定。

具有电压前馈的电压控制模式。

可调整的两种模式的过流保护。

在主输出与有源箝位输出之间的可调节的重迭或死区时间。

伏秒箝制。

可调的软起动。

前沿消隐。

单电阻调节频率的振荡器。

精密5V的基准电压。

过热关断保护。

各端子功能描述：PIN1.VIN，输入电源电压。

起动调整器的输入端。

输入电压范围为13V到90V，可瞬时到100V。

PIN2 RAMP，调制斜波信号。

Vin端的一个外部RC电路设置斜波斜率。

此端子通过一个内部FET在每一个周期的最后放电，由内部时钟或伏秒积箝制比较器来启动。

PIN3.CS1，逐个周期限制的电流检测器输入端。

如果CS1端电压超过0.25V，输出端将进入逐个周期限流的状态。

在OUT-A开关为高电平之后CS1端保持低电平在50ns内，以提供前沿消隐。

PIN4.CS2，为重新软起动的电流检测输入端。

如果CS2端电压超过0.25V，输出端将被禁止工作，且软起动重新开始。

软起动电容将完全放电，然后再释放一个上拉电流。

集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046 组成的全桥DC-DC 基本电路，内部等效电路。

而其具备28 个PIN 脚功能，文中一一有分解说明。

关键词：全桥移相控制器L345046；28 个PIN 脚功能1 LM5046 的功能新推出的全桥移相控制器LM5046，包含执行全桥变换器的全部功能，它既可以按电流型工作，也可以按电压型工作，它放置于DC- DC 的初级侧工作，具有100V 的高压启动源，它提供具有2A 驱动的高边及低边栅驱动器。

直接驱动外部四支组成全桥拓扑的MOSFET，同时加入了对二次侧同步整流MOSFET 的驱动信号，由外部电阻调节前沿及后沿的主控与同步驱动间的死区时间，其它特色有逐个电流式限流保护，打嗝模式重新起动，最高振荡频率为2MHz，可以外同步。

芯片还有过热保护功能。

在UVLO 和打嗝模式下禁止同步整流信号。

反馈系统有宽带光耦接口，其驱动二次侧同步整流信号不用变压器而采用隔离信号传输器件Si8420BB，简化了设计及装配，LM5046 组成的全桥DC-DC 基本电路如图1。

其28 个PIN 脚功能如下：1PIN UVLO 线路欠压闩锁端，外部用一个电阻分压器从Uin 接至GND，设置关断点及待机比较器电平。

当UVLO 达到0．4V 时，VCC 和VREF 被禁止。

在1．25V 时，SS 端重新起动，控制器开始工作。

窗口设置由内部20μA 电流漏及外部电阻分压器决定。

2PIN OVP／OTP 过压保护端，用一个外部分压器从Uin 到GND 设置过压条件的关断点。

此外，在外部加一支NTC 热检测分压器，用来设置过热保护点的温度，阈值为1．25V，窗口由内部20μA 电流源及外部电阻分压器决定。

3PIN RAMP 送至PWM 比较器．调制斜波给PWM 比较器，此斜波可以是由初级电。

相位调制的全桥式控制器
佚名
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2013(21)8
【摘要】凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）出LTC3722—1的H级版本，该器件是一个相位调制的全桥式DC／DC控制器，具有自适应或手动零电压开关（ZVS）。

该器件的ZVS延迟控制和可调同步整流定时功能可优化效率，
【总页数】1页(P32-32)
【关键词】DC;DC控制器;相位调制;全桥式;零电压开关;优化效率;定时功能;同步整流;延迟控制
【正文语种】中文
【中图分类】TN929.11
【相关文献】
1.用于DC-DC全桥变换器的全数字式PWM控制器 [J], 王聪;吴宏杰;魏伟华;
2.BiCMOS全桥移相式软开关PWM控制器UCC38 95 [J], 刘胜利;严仰光;
3.用于DC/DC全桥变换器的全数字式PWM控制器 [J], 王聪;吴宏杰;魏伟华
4.高速调制光束在桥式相位共轭镜中的传输特性 [J], 李焱;冯玉文;姜永远;孙秀冬;周忠祥;许克彬
5.移相式全桥电源控制器的设计与Matlab仿真分析 [J], 余熠;江明
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实验三十八 移相全桥零电压开关电路实验（电力电子学—检测技术综合实验）一、实验原理1．移相全桥零电压开关电路结构移相全桥电路是一种软开关电路。

移相全桥电路的基本电路如图38-1所示。

该变换器由四个开关管组成全桥电路，特点是利用变压器原边漏感（或原边串联电感Lr）和开关管的寄生电容来实现零电压开关ZVS，从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声，减少了器件开关过程中产生的电磁干扰。

RL图38-1 移相全桥零电压开关变换器结构其中的S1，S2称为领先桥臂，其导通利用变压器漏感和滤波电感的能量，滤波电感一般臂变压器漏感大得多，较容易实现零电压开关。

S3和S4组成滞后桥臂，其开通仅能利用变压器漏感和谐振电感获得能量。

电路中开关器件的控制波形采用恒频移相控制方式，每对桥臂的两个开关器件成180°互补导通，而通过改变不同桥臂之间对角开关管的驱动信号移相角α的大小来实现输出电压的调节。

当α＝180°时，S1和S3或S 2和S4 同时导通，输出电压为零；当α＝0°时，S1 和S4或S2 和S3 同时导通，输出电压达到最大值。

图38-2 移相全桥零电压开关电路的控制驱动信号2. 控制电路核心——UC3875芯片的工作原理简介(1)芯片电路图和引脚图38-3 UC3875的内部结构图UC3875芯片是美国UNITRODE公司生产的移相式PWM控制集成电路, 其核心是相位调制器，其A输出信号与B输出信号反相，C输出信号与D输出信号反相，A、C输出信号的相位移和B 、D 输出信号相位移相同。

该电路中具有独立的过电流保护，欠电压封锁电路。

A/B 、C/D 两对半桥都有可以单独调整死区时间。

集成电路还内置带宽超过7MHz 的误差放大器，一个5V 基准源，软启动，斜坡电压发生器和斜率补偿电路。

图38-4 移相控制器UC3875引脚图(2) UC3875引脚和控制电路设计说明1脚：5V 参考电压输出；2脚：内部误差放大器的输出端，该引脚输出低于1V 时，驱动信号的移相脚强制设置为；0o3脚：运放反向输入端(-),接变换器输出电压作为反馈， 2脚与3脚之间接电容和电阻,形成闭环PI 调节器，稳定输出电压；4脚：运放同向输入端(+) ,接入给定电压信号,以控制输出电压大小；5脚：电流检测,可实现过电流保护，芯片内部有一个电流比较器该引脚输入电压超过2.5V ,UC3875自动封锁所有输出引脚，四路输出全部输出低电平;6脚：软起动，芯片内部在上电后用9uA 恒流源给其充电，可接入一个电容，开机自动充电到4.8V ，实现变换器的软启动;7脚：C/D 两功率管的延迟，设置滞后桥臂的死区时间，并联接入电容电阻到地：/(62.512)th delay DS R T V e =−15脚：A/B 两功率管的延迟信号, 设置滞后桥臂的死区时间，用法同7号脚； 16脚：开关频率设置端，并联接入电容、电阻到地，开关频率公式f = 4/RC 。

50n06参数及应用50N06是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它具有以下参数和应用。

参数：1. 额定电压（Vds）：50V，表示器件可以承受的最大电压。

2. 额定电流（Id）：50A，表示器件可以承受的最大电流。

3. 静态电阻（Rds(on)）：0.02Ω，表示当MOSFET处于导通状态时的电阻。

4. 阈值电压（Vth）：2-4V，表示当控制电压（Gate-Source电压）超过该值时，MOSFET开始导通。

5. 最大功耗（Pd）：110W，表示器件可以承受的最大功耗。

应用：1. 开关电源：50N06可以用作开关电源中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的导通和断开，实现电源的开关功能。

由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在高功率开关电源中使用。

2. 电机驱动：50N06可以用作电机驱动电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制电机的启停和转向。

由于50N06具有较低的静态电阻，可以减小电路的功耗和热量，提高电机的效率。

3. LED照明：50N06可以用作LED照明电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制LED的亮灭。

由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在高亮度LED照明中使用。

4. 电源管理：50N06可以用作电源管理电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的开关和调节。

由于50N06具有较低的静态电阻和较高的额定电压，可以在高效率的电源管理中使用。

5. 汽车电子：50N06可以用作汽车电子中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的导通和断开，实现汽车电子系统的控制功能。

由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在汽车电子系统中承受较大的负载。

总结：50N06是一种N沟道MOSFET，具有较高的额定电压和电流，较低的静态电阻和较高的额定功耗。

它可以广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明、电源管理和汽车电子等领域。

通过控制Gate电压，可以实现电路的开关、调节和控制功能。

移相全桥控制策略是一种在电力电子系统中常用的控制方法，主要应用于隔离型DC/DC变换器。

这种控制策略的基本思想是通过调节开关器件（如MOSFET）的导通时间，以实现输出电压的稳定和效率的优化。

移相全桥控制策略的关键在于调节原边MOSFET间的移相角，从而调节输出电压。

在移相全桥控制策略中，通常利用MOSFET漏源极寄生电容和变压器的漏感谐振，实现四个MOSFET的零电压开关（Zero Voltage Switching, ZVS）。

这种零电压开关技术可以显著减小开关损耗，提高整机的效率。

此外，移相全桥控制策略还可以通过改变开关频率来调节输出电压，以适应不同的负载条件。

为了实现上述控制策略，可以采用数字方法进行控制，例如基于DSP进行编程。

在实现输出期望占空比和软启动等基本功能的基础上，可以加入交错控制以减小输出纹波。

此外，动态死区和载波动态移位的设置也有利于减小负载较小时MOSFET电压尖峰以及加快突变时输出的动态响应。

然而，移相全桥控制策略也存在一些挑战。

例如，移相全桥DC/DC变换器是一个非线性时延的系统，因此传统的线性控制方式可能无法在所有工作点都具有良好的控制性能。

此外，器件的差异与老化也可能导致与设计的数学模型产生偏差，影响移相全桥变换器输出特性的恶化。

为了解决这些问题，可以研究输入电压、负载功率、开关频率、变压器原边等效谐振电感变化对系统稳定性和动静态性能的影响，并设计鲁棒性变增益控制器以增强系统对外部扰动与内在参数变化的鲁棒性。

以上信息仅供参考，如需更多关于移相全桥控制策略的信息，建议咨询相关领域的专家或查阅相关文献。

50v电源mos工作电路
标题：50V电源MOS工作电路设计与应用
导言：
本文将介绍一个基于50V电源的MOS工作电路的设计与应用。

该电路可用于各种电子设备，提供稳定可靠的电源供应。

我们将详细介绍电路的原理、构造以及相关应用，希望能够为读者提供有关50V 电源MOS工作电路的全面了解。

一、电路原理
50V电源MOS工作电路是一种用于控制高电压的电路，其基本原理是通过MOS管的开关控制电流的通断，从而实现对电源的调节和控制。

该电路采用了电源MOS管的高效能特性，能够在高电压条件下工作，并且具有低功耗、高稳定性等优点。

二、电路构造
该电路主要由电源MOS管、驱动电路和负载组成。

电源MOS管作为电路的关键部件，负责控制电流的通断。

驱动电路则通过信号的输入和控制，控制电源MOS管的开关状态。

负载是电路的输出部分，用于接收和分配电源提供的电能。

三、电路应用
50V电源MOS工作电路广泛应用于各种电子设备中。

例如，它可以用于直流电源的稳压和调节，使得设备在不同工作条件下能够保持
稳定的供电。

此外，它还可以用于工业自动化控制系统中，实现对不同设备的高压电源控制。

另外，该电路也可用于通信设备、电力系统等领域，提供高效能的电源供应。

结语：
通过本文的介绍，我们了解到了50V电源MOS工作电路的原理、构造和应用。

该电路具有高稳定性、低功耗等优点，适用于各种电子设备和系统中。

希望读者通过本文的阅读，对该电路有更深入的了解，并能够在实际应用中灵活运用。

IPM—4M型全桥式高频开关电源功率模块
史平君
【期刊名称】《电源技术应用》
【年(卷),期】1999(0)2
【摘要】IPM—4M型全桥式高频开关电源功率模块,是将开关电源的辅助电源电路、控制电路、驱动电路、保护电路及全桥功率电路集成在一起,构成高性能的DC/AC开关电源功率模块。

其输入电压范围为DC 20～500V,输出功率最大可达1kW,而其尺寸仅为108mm×58mm×16.5mm。

用户只要加上高频变压器及高频整流滤波电路,便可组成大功率DC/DC电源。

如加上输入整流滤波电路,便可组成由50Hz交流供电的大功率开关电源。

【总页数】3页(P25-27)
【关键词】IPM;开关电源;功率模块
【作者】史平君
【作者单位】中国兵器工业二○六研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN86
【相关文献】
1.新型模块式高频高压大功率开关电源的设计——模块PF1000A-360和IPM-4M的应用 [J], 吴星华
2.新型模块式高频高压大功率开关电源的设计 [J], 吴康
3.电声电型非电气接触式全桥模块门极隔离电源研究 [J], 吴茂鹏; 陈希有; 齐琛; 牟宪民
4.基于移相控制全桥式功率变换的高频开关电源设计 [J], 马雪芬
5.用于半桥和全桥Dc／DC转换器的IOOV桥式功率级模块 [J],
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