凌特利尔无线充电芯片介绍
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BDR2L00Half-Bridge DriverDESCRIPTIONThe BDR2L00 is a single Phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs.FEATURES∙ Drive two N-MOSFETs∙ High-Frequency operation (Up to 1MHz) ∙ PWM input capable of 3.3V and 5V ∙ Fast output rise timeAPPLICATION CIRCUIT SOP8/DFN8:PIN CONFIGURATIONABSOLUTE MAXIMUM RATINGSStresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device or make the function abnormal. All the voltage parameters are absolute voltages referenced to IC PGND unless otherwise stated in the table.ELECTRICAL CHARACTERISTICSAPPLICATION INFORMATIONTheory of OperationThe BDR2L00 is an integrated driver and boot diode module designed for N+N half bridge driver. A single PWM input signal is all that is required to properly drive the high−side and low−side MOSFETs.Low−Side DriverThe low-side driver is designed to drive a ground−referenced low R DS(on)N−Channel MOSFET. The voltage rail for the low−side driver is internally connected to VCC and GND.High−Side DriverThe high-side driver is designed to drive a floating low RDS(ON) N−channel MOSFET. The gate voltage for the high side driver is developed by a bootstrap circuit referenced to Switch Node (PHASE) pin.The bootstrap circuit is comprised of the internal diode and an external bootstrap capacitor. When the BDR2L00 is starting up, the PHASE pin is at ground, so the bootstrap capacitor will charge up to VCC through the bootstrap diode. When the PWM input goes high, the high−side driver will begin to turn on the high−side MOSFET using the stored charge of the bootstrap capacitor. As the high−side MOSFET turns on, the PHASE pin will rise. When the high−side MOSFET is fully on, the switch node will be at 12V, and the BST pin will be at 5V plus the charge of the bootstrap capacitor (approaching 17V).The bootstrap capacitor is recharged when the switch node goes low during the next cycle.Safety Timer and Overlap Protection CircuitIt is very important that MOSFETs in a synchronous buck regulator do not both conduct at the same time. Excessive shoot−through or cross conduction can damage the MOSFETs, and even a small amount of cross conduction will cause a decrease in the power conversion efficiency.The BDR2L00 prevents cross conduction by monitoring the status of the MOSFETs and applying the appropriate amount of “dead−time” or the time between the turn off of one MOSFET and the turn on of the other MOSFET.When the PWM input pin goes high, the gate of the low−side MOSFET will go low after a propagation delay. The time it takes for the low−side MOSFET to turn off is dependent on the total charge on the low−side MOSFET gate. Likewise, when the PWM input pin goes low, the gate of the high−side MOSFET will go low after the propagation delay. The time to turn off the high−side MOSFET is dependent on the total gate charge of the high−side MOSFET.Enable (Only for DFN8)If EN pin is low level, whatever the PWM pin is high or low, all circuits are shutdown. If EN pin is high level, the outputs are controlled by PWM pin.Thermal ShutdownIf the driver temperature exceeds 170°C, the part will enter thermal shutdown and turn off both MOSFETs. Once the temperature falls below 150°C, the part will resume normal operation.Power Supply DecouplingThe BDR2L00 can source and sink relatively large current to the gate pins of the MOSFETs. In order to maintain a constant and stable supply voltage (VCC) a low ESR capacitor should be placed near the power and ground pins. A 2.2uF to 10uF multilayer ceramic capacitor (MLCC) is usually sufficient.Bootstrap CircuitThe bootstrap circuit uses a charge storage capacitor (C BST). The bootstrap capacitor must have a voltage rating that is able to withstand twice the maximum supply voltage. A minimum 16 V rating is recommended. A bootstrap capacitance greater than 680nF and a minimum 16V rating is recommended. A good quality ceramic capacitor should be used.PACKAGE INFORMATION 8 PINS, SOP, 150MIL8-PINS, DFN, 3X3。
全球首款过EPP标准认证的15W VERIZON无线充
电器拆解
美国第二大运营商Verizon推出了一款无线充电器,采用了最流行的Type-C输入,输入采用CYPD-2122获得需要的输入电压,经过充电器内部转换送到无线充电输出级。
搭载Qi标准,支持三星无线快充。
配备4个线圈,使无线充电不需要对位。
VERIZON这款无线充电板是世界第一个Qi多线圈15W产品,同时也是世界第一款过EPP标准认证的15W无线充电器。
VERIZON无线充电器采用横竖都可以充电的长方形设计。
底部支撑底座采用倾斜设计,充电时使用者面向手机屏幕的角度更合理。
充电器正面由一层防滑橡胶覆盖,防滑效果出色但易粘灰。
底座的造型有点像体育场。
LED工作指示灯。
VERIZON国内不常见的品牌,在大洋彼岸可是响当当的品牌。
VERIZON官网上显示这款无线充电板可以兼容三星设备的快充。
24L01+超低功耗高性能 2.4GHz GFSK 无线收发芯片主要特性 工作在 2.4GHz ISM 频段 调制方式:GFSK/FSK 数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps 超低关断功耗:<0.7uA 超低待机功耗:<15uA 快速启动时间: <130uS 内部集成高 PSRR LDO 宽电源电压范围:1.9-3.6V 数字 IO 电压: 3.3V/5V 低成本晶振:16MHz±60ppm 接收灵敏度:<-83dBm @2MHz 最高发射功率:7dBm 接收电流(2Mbps) :<15mA 发射电流(2Mbps):<12mA(0dBm) 10MHz 四线 SPI 模块 内部集成智能 ARQ 基带协议引擎 收发数据硬件中断输出 支持 1bit RSSI 输出 极少外围器件,降低系统应用成本 QFN20 封装或 COB 封装应用范围 无线鼠标、键盘 无线遥控、体感设备 有源 RFID、NFC 智能电网、智能家居 无线音频 无线数据传输模块 低功耗自组网无线传感网节点封装图结构框图24L01+术语缩写术语 ARQ ART ARD BER CE CRC CSN DPL GFSK IRQ ISM LSB Mbps MCU MHz MISO MOSI MSB PA PID PLD RX TX PWR_DWN PWR_UP RF_CH RSSI RX RX_DR SCK SPI TX TX_DS XTAL 描述 Auto Repeat-reQuest Auto ReTransmission Auto Retransmission Delay Bit Error Rate Chip Enable Cyclic Redundancy Check Chip Select Dynamic Payload Length Gaussian Frequency Shift Keying Interrupt Request Industrial-Scientific-Medical Least Significant Bit Megabit per second Micro Controller Unit Mega Hertz Master In Slave Out Master Out Slave In Most Significant Bit Power Amplifier Packet Identity Payload RX TX Power Down Power UP Radio Frequency Channel Received Signal Strength Indicator Receiver Receive Data Ready SPI Clock Serial Peripheral Interface Transmitter Transmit Data Sent Crystal 中文描述 自动重传请求 自动重发 自动重传延迟 误码率 芯片使能 循环冗余校验 片选 动态载波长度 高斯频移键控 中断请求 工业-科学-医学 最低有效位 兆位每秒 微控制器 兆赫兹 主机输入从机输出 主机输出从机输入 最高有效位 功率放大器 数据包识别位 载波 接收端 发射端 掉电 上电 射频通道 信号强度指示器 接收机 接收数据准备就绪 SPI 时钟 串行外设接口 发射机 已发数据 晶体振荡器24L01+目 录1、简介.................................................. 4 2、引脚信息 .............................................. 5 3、工作模式 .............................................. 6 4、寄存器映射表 .......................................... 9 5、主要参数指标 ......................................... 10 6、封装................................................. 12 7、典型应用原理图 ....................................... 14 8、订单信息 ............................................. 17附: 典型配置方案 ....................................... 1924L01+1、简介24L01 是一颗工作在2.4GHz ISM频段,专为低功耗无线场合设计,集成嵌 入式 ARQ 基带协议引擎的无线收发器芯片。
无线充电一般指无线充电技术无线充电技术(Wireless charging technology;Wireless charge technology ),源于无线电力输送技术。
无线充电,又称作感应充电、非接触式感应充电,是利用近场感应,也就是电感耦合,由供电设备(充电器)将能量传送至用电的装置,该装置使用接收到的能量对电池充电,并同时供其本身运作之用。
由于充电器与用电装置之间以电感耦合传送能量,两者之间不用电线连接,因此充电器及用电的装置都可以做到无导电接点外露。
中文名外文名别名无线充电技术Wireless charging technology 感应充电1历史发展1890年,物理学家兼电气工程师尼古拉·特斯拉(NikolaTesla)就已经做了无线输电试验,实现了交流发电。
磁感应强度的国际单位制也是以他的名字命名的。
特斯拉构想的无线输电方法,是把地球作为内导体、地球电离层作为外导体,通过放大发射机以径向电磁波振荡模式,在地球与电离层之间建立起大约8Hz的低频共振,再利用环绕地球的表面电磁波来传输能量。
但因财力不足,特斯拉的大胆构想并没有得到实现。
后人虽然从理论上完全证实了这种方案的可行性,但世界还没有实现大同,想要在世界范围内进行能量广播和免费获取也是不可能的。
因此,一个伟大的科学设想就这样胎死腹中。
[1]麻省理工学院的研究团队在2007年6月7日美国《科学》杂志的网站上发表了他们的研究成果。
研究小组把共振运用到电磁波的传输上而成功“抓住”了电磁波。
他们利用铜制线圈作为电磁共振器,一团线圈附在传送电力方,另一团在接受电力方。
当传送方送出某特定频率的电磁波后,经过电磁场扩散到接受方,电力就实现了无线传导。
这项被他们称为“无线电力”的技术经过多次试验,已经能成功为一个两米外的60瓦灯泡供电。
这项技术的最远输电距离还只能达到2.7米,但研究者相信,电源已经可以在这范围内为电池充电。
而且只需要安装一个电源,就可以为整个屋里的电器供电。
为物联网设计的超低能耗芯片,从此与电池说再见
物联网为我们带来了美好的憧憬,但如果这意味着要为数十件设备充电,从智能手表到温控器林林总总,它很容易就变成一场噩梦,更不用说本月底的能源法案了。
幸运的是,事情并不一定非得这样。
位于夏洛茨维尔的Psikick公司一直在研发一种名为亚阈值处理(subthreshold processing)的技术,它能够解决这类问题,并向我们提供一个不需要使用电池的未来。
亚阈值处理,该公司联合创始人兼首席执行官布伦丹-理查德森(Brendan Richardson)告诉我,在上世纪70年代就形成理论并为人所知了。
一些早期的电子表采用了亚阈值电路,以节省能耗和高效地利用电池。
但它从来没有被广泛开发过,因为能耗一直不是电路设计的重点直到最近。
它的原理是什幺呢?其基本概念是,虽然电路中电源电压低于某一阈值的晶体管传统上被认为是始终关闭的,但实际上仍会有少量电流流动,这种漏电流可以被用来进行一些实用的操作。
它足以支持心电图监控、无线传感应用、振动监测以及其他只需要几十兆赫兹电流就能运行的活动。
经过多年的试验,Psikick团队得以设计出这样一种片上系统(SoC),它拥有与市面上或实验室中同类片上系统相同或更强大的功能,但能耗却只有前者的百分之一甚或千分之一。
这本身就已经是个好消息,但该方案真正。
无线充电天线s参数无线充电无线充电技术是一种通过电磁感应、磁共振等原理,将电能进行无线传输,实现对设备进行充电的技术。
它可以解决传统有线充电方式存在的诸多问题,如插拔不便、易损坏、占用空间等。
无线充电技术的发展历程无线充电技术最早出现在19世纪,当时科学家们就开始探索利用电磁波进行能量传输。
20世纪初期,无线通信技术得到了快速发展,这也为无线充电技术的发展奠定了基础。
1964年,美国MIT大学的Marin Soljacic教授提出了“强耦合共振”的概念,并在此基础上开创了无线能量传输领域。
2007年苹果公司推出了首款支持无线充电的iPhone手机,标志着无线充电技术进入了商业化阶段。
目前主流的两种无线充电方式目前主流的两种无线充电方式是:磁共振式和感应式。
磁共振式:是一种通过在发射端和接收端之间建立磁场共振来实现能量传输的方式。
它的优点是传输距离较远,充电效率高,但缺点是成本较高,设备体积较大。
感应式:是一种通过在发射端产生的电磁场感应接收端进行能量传输的方式。
它的优点是成本低、设备体积小,但缺点是传输距离较短,充电效率较低。
未来无线充电技术的发展趋势未来无线充电技术将会朝着更加智能化、高效化、安全化、环保化等方向发展。
例如,目前有一些公司正在研究利用纳米技术来提高充电效率;另外,还有一些公司正在研究利用人工智能算法来实现对设备进行自动识别和智能管理等方面的应用。
天线S参数天线S参数指的是天线散射参数(Scattering Parameters),也称为S-参数。
它是描述天线性能的一种重要参数。
S-参数包括两个部分:反射系数(Reflection Coefficient)和传输系数(Transmission Coefficient)。
其中反射系数指的是信号从输入端到达天线后被反射回去的比例;而传输系数指的是信号从输入端到达天线后被传输到输出端的比例。
通过对天线的S参数进行测试和分析,可以得出天线的工作频率范围、增益、辐射方向图等性能指标。