哈尔滨工业大学806半导体物理
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自命题试题参考书目报考学科代码考试科目参 考 书 目编(著)者出 版 社《现代控制工程》第四版Katsuhito Ogata电子工业出版社《自动控制原理》上、下册裴润,宋申民哈尔滨工业大学出版社0811控制科学与工程801控制原理《自动控制原理》第五版胡寿松科学出版社808理论力学《理论力学》(第7版)哈尔滨工业大学理论力学教研室编高等教育出版社新编材料力学(第2版)张少实机械工业出版社809材料力学材料力学(第三版上、下册)刘鸿文高等教育出版社0801力学(航天学院)810弹性力学《弹性力学》(上册)徐芝纶高等教育出版社《自动控制原理》鄢景华 哈工大出版社807控制理论《自动控制原理》胡寿松国防工业出版社《理论力学》程靳高等教育出版社082501飞行器设计、082504人机与环境工程816工程力学《材料力学》张少实机械工业出版社《物理光学》梁铨廷机械工业出版社0803光学工程805物理光学Ⅰ《物理光学与应用光学》石顺祥西安电子科大出版社2000«激光原理»第五版周炳琨 等国防工业出版社2004817激光原理«光电子学原理与应用»王雨三 等哈工大出版社2002080901 物理电子学842物理光学Ⅱ«物理光学与应用光学»石顺祥西安电子科大出版社2000080903微电子学与固体电子学806半导体物理《半导体物理学》(第七版)刘恩科等电子工业出版社,2008年《信号与系统》王宝祥哈工大出版社《信号与系统》(上、下)郑君里高等教育出版社0810信息与通信工程803信号与系统和数字逻辑电路《数字电路》龚之春电子科技大学出版社《电磁场与电磁波》邱景辉哈工大出版社2001《电磁场与电磁波习题解答》马汉炎哈工大出版社2002《电磁场与电磁波》赵家升电子科技大学出版社080904电磁场与微波技术804电磁场与电磁波《电磁场与电磁波》陈抗生高等教育出版社2003工程流体力学《工程流体力学》陈卓如高等教育出版社(第二版)2004年(选答试题:0807动力工程及工程热物理820工程热力学《工程热力学》严家騄中国电力出版社传热学《传热学》杨世铭、陶文铨高等教育出版社(第三版)燃烧学《燃烧理论与设备》徐旭常机械工业出版社空气动力学)《气体动力学基础》潘锦珊国防工业出版社《软件工程_原理、方法与应用》史济民等高等教育出版社《C 程序设计》谭浩强清华大学出版社085212软件工程834软件工程基础《JAVA 语言程序设计》(美)Y.Daniel Liang 著 王镁 李娜译机械工业出版社1.《基础电子技术》蔡惟铮高等教育出版社,20042.《集成电子技术》蔡惟铮高等教育出版社,20043.《模拟电子技术基础》(第四版)华成英高等教育出版社,20064.《数字电子技术基础》(第五版)阎 石高等教育出版社,20065.《电子技术基础》(模拟部分第五版)康华光高等教育出版社,20066.《 电子技术基础》(数字部分第五版)康华光高等教育出版社,20067.《模拟电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社,2009(第2次印刷) 8.《数字电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社,2010(第3次印刷)0804仪器科学与技术826电子技术基础注:在(1)(2)(7)(8)、(3)(4)(7)(8)和(5)(6)(7)(8)中任选一套电路部分教材: 《电路理论基础(第三版)》陈希有高教出版社,2004年《电路(第五版)》邱关源高教出版社,2006年电路部分参考书:《电路考研大串讲》孙立山科学出版社,2006年《电路名师大课堂》,孙立山科学出版社,2006年数字电子技术部分:①《基础电子技术》蔡惟铮高等教育出版社,2004年②《集成电子技术》蔡惟铮,高等教育出版社,2004年③《数字电子技术基础》(第五版)阎 石高等教育出版社,2006年0808电气工程827电路与数字电子技术④《数字电子技术基础》(数康华光高等教育出版社,2006字部分第五版)年⑤《数字电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社,2010年(第3次印刷)注:在(1) (2) (5)、(3)(5)和(4)(5)中任选一套。
半导体物理50本书1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.72、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.53、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.74、半导体超晶格物理214/X26夏建白,朱邦芬著上海科学技术出版社19955、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.56、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社19997、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.128、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.69、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社199710半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明,王建农著科学出版社1999.511、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.612、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.913、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚,<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.614、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤,杨树人编著国防工业出版社1995.1215、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.616、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.717、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.218、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社200219、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.720、半导体器件物理612/Y75余秉才,姚杰编著中山大学出版社1989.621、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.622、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.223、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾,郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.624、半导体激光器及其应用633/H827黄德修,刘雪峰编著国防工业出版社1999.525、现代半导体物理O47/X172夏建白编著北京大学出版社200026、半导体的电子结构与性能22/Y628 <英>W.施罗特尔主编科学出版社200127、半导体光电子技术9/Y770余金中编著化学工业出版社2003.428、半导体器件研究与进展.三6/W36/3王守武主编科学出版社1995.1029、国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”学术论文集:项目编号:69896260(2001.7-2002.5)638/G936/2001-022002.630、半导体激光器件物理学665/T23 <英>G.H.V.汤普森著电子工业出版社198931、半导体的检测与分析34/Z66中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室编著科学出版社198632、材料分析测试技术:材料X射线衍射与电子显微分析55/Z78周玉,武高耀编著哈尔滨工业大学出版社1998.833、光纤通信用光电子器件和组件TN929.11/H800.2黄章勇编著北京邮电大学出版社200134、硅微机械加工技术571.2/H76黄庆安科学出版社1996.35、X射线结构分析与材料性能表征O72/T49滕凤恩科学出版社1997.1236、非线性光学频率变换及激光调谐技术O436.8/Y35姚建铨科学出版社;1995.337、半导体光检测器631.5/Z22 (美)W.T.Tsang主编电子工业出版社1992.338、介观物理O462/Y17阎守胜,甘子钊主编北京大学出版社1995.439、人工物性剪裁:半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索211.1/Z57郑厚植编著湖南科学技术出版社1997.40、光学薄膜原理O437.14/L63林永昌,卢维强编著国防工业出版社199041、半导体物理学2/L71B刘恩科,朱秉升等编国防工业出版社1979.1242、半导体物理学2/L33李名复著科学出版社1991.243、半导体物理与器件2/X58忻贤坤编著上海科学技术文献出版社1996.244、砷化镓微波功率声效应晶体管及其集成电路624.26/L35李效白编著科学出版社1998.245、半导体测试技术55/S98孙以材编著冶金工业出版社1984.1046、X射线衍射与电子显微分析基础O439.634/M18马咸尧主编华中理工大学出版社1993.847、砷化镓的性质572.162/Y14亚当斯.A.R.等著科学出版社199048、高等激光物理学O45/L31李福利编著中国科技大学出版社1992.849、半导体器件工艺616/D52电子工业半导体专业工人技术教材编写组上海科学技术文献出版社1984.150、凝聚态物理学新论O462.031/F61N冯端,金国钧著上海科学技术出版社1992.12“压力传感器的设计制造与应用”目录压力传感器的设计制造与应用作者:孙以材出版:北京冶金工业出版社2000 年出版尺寸:20cmISBN:7-5024-2400-8形态:615 页- 107 章节定价:CNY40.00附注:河北省教育委员会学术著作出版基金资助浏览:在线阅读全文下载摘要本书主要介绍压阻型压力传感器的原理、弹性力学应力机械加工到芯片封接与引线;介绍压力传感器的技术特性、选用及各种热漂移补偿技术等。
1.某同学准备报考哈尔滨大学的航天航空专业研究生,需要检索复习资料比如研究生招生考试和入学考试题目、招生简章、相关大学本专业最新资料,及本专业的就业前景.2. 专业内不同导师的各自简历、发表文献、科技成果、申请的专利信息及国家级科研课题。
3. 如需要去该大学复试,请检索该城市和大学的电子地图,以及具体的联系人和联系方式。
选择检索工具1.中国知识网CNKI.2.维普3.百度4.搜狗5.哈尔滨工业大学相关网站6.读秀网检索途径本课题采用主题(关键词)及分类途径相结合。
电子地图检索电子地图检索结果确定检索词百度搜索——哈尔滨工业大学研究生院检索结果在哈尔滨工业大学主页,点击“2011年招生简章”哈尔滨工业大学2011年硕士研究生招生简章来源:考试大 [ 2010年8月31日] 字号:T | T一、报考条件1.拥护中国******************的领导,积极为社会主义现代化建设服务,品德良好,遵纪守法。
2.考生的学历必须符合下列条件之一:(1)国家认可的国民教育系列高等院校的应届本科毕业生(必须在硕士生入学前取得本科毕业证书);(2)具有国家认可的国民教育系列高等院校大学本科毕业学历的人员;(3)达到与大学本科毕业生同等学力者,这类考生通过初试后需加试两门本科专业基础课,且必须具备以下两个条件:招生专业目录哈尔滨工业大学2011年研究生招生专业目录(2)2010-8-30 23:39哈尔滨工业大学【大中小】【我要纠错】2011年哈工大深圳研究生院招生学科目录与招生计划专业检索报考航天航空专业:院系:航天航空学院;专业:飞行器与工程设计专业点击查询专业简介检索结果飞行器设计与工程1)飞行器设计与工程专业简介飞行器设计与工程专业的前身是1959年成立的战略导弹总体设计专业,文革期间停办,1990年根据国家航天发展和国防建设需要恢复专业招生,1991年根据国家教委专业设置的原则,更名为飞行器设计与工程专业。
哈尔滨工业大学一九九九年研究生考试试题考试科目:半导体物理学报考专业:微电子与固体电子学(半导体材料)一、说明下列概念或名词的物理意义(20分)1、有效质量2、载流子散时3、状态密度4、陷阱中心5、光电导6、空穴7、直接复合与间接复合8、少子寿命9、热载流子10、受主杂质与施主杂质二、简述1、用能带论定性地说明导体,半导体和绝缘体的导电性(10分)2、什么是良好的欧姆接触,实现欧姆接触的基本方法(10分)3、耿氏振荡的机理(20)三、已知在MOS电容的SiO2层中存在着Na正离子和介面固定电荷,请设计一种实验方法测定两种电荷的面密度(库仑/厘米)(20分)四、有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在小注入条件下,ΔP(0)= P1 ; ΔP(W)= P2。
问:1.片内非平衡载流子分布仅与时间有关,还是仅与空间位置有关?或与两者都有关?(4分)2.试确定片内非平衡载流子的分布?(16分)一、解释下列名词或概念:(20分)1、准费米能级6、布里渊区2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、欧姆接触4、表面势9、平带电压5、表面反型层10、表面复合速度二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点(20分)三、简述半导体中可能的光吸收过程(20分)四、画出p-n结能带图(零偏、正偏和反偏情况),并简述p-n结势垒区形成的物理过程(20分)五、在一维情况下,以p型非均匀掺杂半导体为例,推出爱因斯坦关系式(20分)一、解释下列名词或概念:(20分)1、准费米能级6、施主与受主杂质2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、光电导4、表面势9、深能级杂质5、表面反型层10、表面复合速度二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线,如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有和影响?(20分)三、简述半导体中可能的光吸收过程(20分)四、画出p-n结能带图(零偏、正偏和反偏情况),并简述p-n结势垒区形成的物理过程(20分)五、在一维情况下,以n型非均匀掺杂半导体为例,推出爱因斯坦关系式(20分)哈尔滨工业大学第 1 页共 2 页二○○二年硕士研究生考试试题考试科目:半导体物理报考专业:微电子学与固体电子学考试科目代码:[ ]考生注意:答案务必写在答题纸上,并标明题号。
哈尔滨工业大学2011年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
一、考试要求:
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容:
1)能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
b:缺陷、位错能级
3)载流子的统计分布
a:状态密度与载流子的统计分布
b:本征与杂质半导体的载流子浓度
c:一般情况下载流子统计分布
d:简并半导体
4)半导体的导电性
a:载流子的漂移运动与散射运动
b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
c:强电场效应
5)非平衡载流子
a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
b:准费米能级
c:复合理论
d:陷阱效应
e:电流密度方程
f:连续性方程
6)p-n结理论
a:p-n结及其能带图
b:p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a:金-半接触、能带及整流理论
b:欧姆接触
8)半导体表面理论
a:表面态及表面电场效应
b:MIS结构电容-电压特性
c:硅-二氧化硅系统的性质
d:表面电场对p-n结特性的影响
9)半导体光电效应
a:半导体的光学常数和光吸收
b:半导体的光电导效应
c:半导体的光生伏特效应
d:半导体发光和半导体激光
三、试卷结构:
a)考试时间:180分钟,满分:150分
b)题型结构
a:概念简答题(30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1.刘恩科,半导体物理学,国防工业出版社
2.[美]施敏(S.M.Sze),半导体器件物理,电子工业出版社。